CN112771738B - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

半导体激光装置包括：射出激光的半导体激光芯片；板状的基座；和从所述基座突出并且支承所述半导体激光芯片的块体。所述块体具有支承面和导线焊接面，所述支承面是朝向与所述激光的射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面。所述导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面。所述导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置。所述导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及半导体激光装置。
背景技术
一直以来，在各种电子设备中，作为光源采用了半导体激光装置。例如JP2010-183002A公开了半导体激光装置的一例。该文献中公开的半导体激光装置包括导电性的管座、半导体激光芯片、垫片、多个引线和罩。所述管座具有圆板状的基座、和从该基座向光的射出方向突出的长方体状的块体。所述半导体激光芯片经由所述垫片搭载在所述块体的支承面(相对所述射出方向平行的面)。所述多个引线固定于所述管座，并且彼此平行地延伸。所述半导体激光芯片经由第一导线与所述垫片的表面(导线焊接面)电连接。另外，所述垫片经由第二导线与所述多个引线之中的一个电连接。所述罩覆盖所述块体和所述半导体激光芯片。
在所述现有技术的半导体激光装置中，所述垫片的所述导线焊接面相对于所述块体的所述支承面是平行的。即，所述导线焊接面朝向与所述射出方向正交的方向。所述第一和第二导线的焊接作业例如通过在保持着所述基座的外周部的状态下，同时利用劈刀将各导线按压在焊接部位(并且施加超声波振动)来进行。
所述现有技术的半导体激光装置中，所述管座的基座为圆形。因此，在导线焊接时，所述基座有可能从初始设定姿态向周方向错位。当产生这样的错位时，导线与所述导线焊接面的接合面积可能不当地变小，发生相对导线焊接面的导线的接合强度不充分这样的不良状况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP2010-183002A
发明内容
发明要解决的问题
基于所述的状况，本发明的问题在于，例如提供一种适用于防止导线的接合强度降低的半导体激光装置。
用于解决问题的技术手段
依据本发明提供的半导体激光装置，其包括：向射出方向射出激光的半导体激光芯片；板状的基座；和从所述基座向所述射出方向突出并且支承所述半导体激光芯片的块体。所述块体具有支承面和第一导线焊接面，所述支承面是朝向与所述射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面。所述第一导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面。所述第一导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置。所述第一导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。
本发明的其他的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细说明能够更加明确。
附图说明
图1是表示第一实施方式的半导体激光装置的立体图。
图2是图1所示的半导体激光装置的俯视图。
图3是沿着图2的III-III线的截面图。
图4是沿着图2的IV-IV线的截面图。
图5是表示图1所示的半导体激光装置的一部分的俯视图。
图6是表示图1所示的半导体激光装置的一部分的俯视图。
图7是说明图1所示的半导体激光装置的制造方法的一例中的一个工序的俯视图。
图8是表示第二实施方式的半导体激光装置的立体图。
图9是沿着图8的IX-IX线的截面图。
具体实施方式
图1～图6表示第一实施方式的半导体激光装置。如图1所示，本实施方式的半导体激光装置A1包括：管座1、半导体激光芯片2、受光元件3、多个引线41、42、43和多个导线5。半导体激光装置A1的用途没有特别的限定，例如作为搭载于各种电子设备的光源装置使用。为了便于理解，在图3和4中省略了导线5。
在本发明中，在实施方式的说明中，适当地参照彼此正交的3个方向(x、y、z)。例如如图1所示，方向z对应于半导体激光芯片2的射出方向。方向z具有彼此相反的2个朝向(z1、z2)，以下将它们称为“方向z1”和“方向z2”。如图1所示，方向z1为半导体激光芯片2的射出方向前方，方向z2为半导体激光芯片2的射出方向后方。同样地，方向x具有彼此相反的“方向x1”和“方向x2”，方向y具有彼此相反的“方向y1”和“方向y2”。
图1是表示半导体激光装置A1的立体图。图2是表示半导体激光装置A1的俯视图。图3是沿着图2的III-III线的截面图。图4是沿着图2的IV-IV线的截面图，图5和图6是表示半导体激光装置A1的一部分的俯视图。
管座1是半导体激光装置A1的基体，具有基座11和块体12。本实施方式的管座1中，基座11和块体12形成为一体，但本发明并不限定于此。管座1例如由Fe或者Fe合金形成。管座1的表面可以实施厚度为2～4μm程度的镀Ni、镀Cu、镀Au等。
基座11是具有沿着方向z测量而得的尺寸(厚度)的板状的部件，例如在方向z观察为圆形形状。基座11具有朝向方向z1的主面111。举例基座11的尺寸的一例，直径为5.6mm程度，厚度为0.5mm程度。
在基座11形成有贯通孔112、113。各贯通孔112、113在方向z上贯通基座11，在图示的例子中，在x方向上彼此隔开间隔地配置。贯通孔112、113没有特别的限定，例如是直径为1.0mm程度的圆形贯通孔。贯通孔112、113的直径可根据基座11和引线41、42的尺寸、引线41、42的间隔等适当地设定。
块体12从基座11的主面111向方向z1突出。在本实施方式中，块体12具有第一块体部121、第二块体部122和第三块体部123。第一块体部121为长方体形状(参照图2的虚线)。第一块体部121具有支承面121a和侧面121b。支承面121a是用于搭载半导体激光芯片2的面。在本实施方式中，支承面121a相对于方向z平行，朝向方向y1。侧面121b朝向与支承面121a相反侧的方向y2。侧面121b相对于支承面121a平行，在方向y观察时与支承面121a重叠(参照图4)。
在半导体激光装置A1的制造上，不可避免地产生尺寸误差。考虑到该误差，支承面121a朝向的方向包括相对于方向z为大致直角的方向在内。同样地，侧面121b能够是与支承面121a大致平行。另外，在以下的说明中，“直角”和“平行”分别包括大致直角和大致平行的情况在内。
如图1和图2所示，第二块体部122位于第一块体部121的方向x1侧，且与第一块体部121相连。第二块体部122在方向z观察为扇形形状，具有第一导线焊接面122a。第一导线焊接面122a是用于连接导线5(第一导线51)的一端的部位。
如图2所示，第一导线焊接面122a大致朝向方向y1，但相对于支承面121a倾斜。具体而言，第一导线焊接面122a以在方向x上随着远离支承面121a而向方向y2偏倚的方式倾斜。如图5所示，第一导线焊接面122a相对于支承面121a倾斜的角度α1在例如大于0度且为6度以下的范围(0°＜α1≤6°)内，优选在1度以上且3度以下的范围(1°≤α1≤3°)内。
如图2所示，第三块体部123位于第一块体部121的方向x2侧，并且与第一块体部121相连。第三块体部123在方向z观察时为扇形状，具有侧面123a。侧面123a相对于支承面121a倾斜。具体而言，侧面123a以在方向x上随着远离支承面121a而向方向y2偏倚的方式倾斜。
如图2～图4所示，在基座11设置有凹部114。凹部114从主面111向方向z2凹陷。凹部114在方向z观察位于比块体12的支承面121a靠方向y1的位置。凹部114以随着从块体12向方向y1越离开而其深度越变大的方式倾斜(参照图4)。
多个引线41、42、43为了将半导体激光装置A1固定于电子设备的电路板等而使用，构成向半导体激光芯片2的电力供给路径和向受光元件3的导通路径。各引线41、42、43例如是由Fe-Ni合金形成的棒状部件。各引线41、42、43的表面可以被实施镀Au。
引线41和引线42分别插通在贯通孔112和贯通孔113中。如图1～图3所示，引线41具有从基座11向方向z1突出的第一突出部411。另外，引线41具有从基座11向方向z2突出的突出部，该突出部比第一突出部411长。
第一突出部411具有朝向方向z1的端面411a。在本实施方式中，端面411a是平坦的，且相对于基座11的主面111平行。代替该结构，端面411a也可以相对于基座11的主面111倾斜。其倾斜角度例如比所述的角度α1(相对支承面121a的第一导线焊接面122a的倾斜角度)小。
引线42具有从基座11向方向z1突出的第二突出部421。如图3所示，第二突出部421的长度(从基座11突出的长度)比第一突出部411的长度大。
第二突出部421具有与基座11在方向z1上隔开间隔的端部422。在本实施方式中，端部422与第二突出部421的其他部分的形状和尺寸不同。具体而言，如图2所示，第二突出部421的其他部分是截面为圆形形状，而端部422形成为大致扁平状，其厚度(最小厚度或者最大厚度)比第二突出部421的其他部分的直径小。另外，如图1和图3所示，端部422的至少一部分在方向y观察的截面为矩形形状，其宽度(沿着方向x测量的尺寸)比第二突出部421的其他部分的直径大。如图1和图2所示，端部422具有第二导线焊接面422a、侧面422b和凸部423。第二导线焊接面422a是连接导线5(第二导线52)的一端的部位。
第二导线焊接面422a朝向大致方向y1，相对于块体12(第一块体部121)的支承面121a稍微倾斜。具体而言，如图6所示，第二导线焊接面422a以在方向x上随着远离支承面121a而向方向y2偏倚的方式倾斜。在本实施方式中，相对于支承面121a的第二导线焊接面422a的倾斜角度α2例如在大于0度且6度以下的范围(0°＜α2≤6°)内，优选在1度以上且3度以下的范围(1°≤α2≤3°)内。
侧面422b朝向与第二导线焊接面422a相反侧。在本实施方式中，侧面422b朝向方向y2。侧面422b具有在方向x上彼此隔开间隔的2个端部。凸部423形成在侧面422b的所述2个端部之中的一个端部(方向x1侧的端部)。凸部423向方向y2突出。
引线41的长度例如为7.6～7.8mm程度。引线41之中被收容在贯通孔112中的部分的长度为1.0mm程度，向方向z1突出的部分的长度(第一突出部411的长度)为0.1～0.3mm程度，向方向z2突出的部分的长度为6.5mm程度。
引线42的长度例如为9.0mm程度。引线42之中被收容在贯通孔113中的部分的长度为1.0mm程度，向方向z1突出的部分的长度(第二突出部421的长度)为1.5mm程度，向方向z2突出的部分的长度为6.5mm程度。
如图4所示，引线43接合于基座11的下表面(朝向方向z2的面)，与管座1导通。根据图3和图4理解的那样，在本实施方式中，引线43在方向z观察与管座1的块体12重叠。引线43的长度例如为6.5mm程度。
在本实施方式中，在各贯通孔112、113中填充有绝缘填充材料17。绝缘填充材料17将引线41、42相对于管座1的基座11固定，并且起到将引线41、42与管座1绝缘的功能。绝缘填充材料17没有特别的限定，例如能够由玻璃形成。
半导体激光芯片2是半导体激光装置A1中发光元件。在本实施方式中，半导体激光芯片2包括半导体激光元件21和垫片(Sub-mount)22。在本发明中，半导体激光芯片2是指搭载在管座1的发光元件，也可以是不包含垫片22的结构。
半导体激光元件21具有多个半导体层层叠而成的构造。如图3所示，半导体激光元件21例如形成为在方向z上延伸的形状。从半导体激光元件21向方向z1射出激光L(图1参照)。垫片22例如由AlN等的绝缘材料形成，支承半导体激光元件21。垫片22经由接合材料接合于块体12的支承面121a。接合材料没有特别的限定，例如是包含Ag、In、Au、Sn等的金属膏或者焊料等。
在本实施方式中，垫片22具有朝向方向y1的面，在该面形成有导电部23。半导体激光元件21例如经由导电部23被垫片22支承。导电部23由包含导电性金属(例如Ag、In、Au、Sn等)的膏材料形成。在本实施方式中，导电部23包含第一导电部231和第二导电部232。第一导电部231具有存在于垫片22与半导体激光元件21之间的部分、和从半导体激光元件21露出的部分。第一导电部231与半导体激光元件21的背面电极导通。第二导电部232与第一导电部231隔开间隔，其整体从半导体激光元件21露出。
如图1～图4所示，受光元件3收容在基座11的凹部114中。受光元件3例如是光电二极管。从半导体激光元件21向与方向z1相反的方向z2也射出光(漏出光)。受光元件3检测这样的漏出光。在受光元件3的下表面形成有背面电极，该背面电极例如经由金属膏电接合于凹部114的内表面。由此，受光元件3经由基座11与引线43导通。
如图1和图2所示，多个导线5包括第一导线51、第二导线52、第三导线53和第4导线54。第一导线51连接导电部23(第一导电部231)与块体12(第二块体部122)的第一导线焊接面122a。第二导线52连接导电部23(第二导电部232)与引线42的第二导线焊接面422a。第三导线53连接形成于半导体激光元件21的表面的焊垫电极与导电部23(第二导电部232)。
引线43经由基座11和块体12、第一导线51以及导电部23(第一导电部231)与半导体激光元件21的背面电极导通。引线42经由第二导线52、导电部23(第二导电部232)和第三导线53与半导体激光元件21的焊垫电极导通。根据这样的结构，在半导体激光装置A1中，由引线42和引线43形成向半导体激光芯片2(半导体激光元件21)的电力供给路径。
第4导线54连接形成在受光元件3的表面的焊垫电极与引线41的端面411a。引线43经由基座11与受光元件3的背面电极导通。根据这样的结构，在半导体激光装置A1中，由引线41和引线43形成向受光元件3的导通路径。
接着，关于所述半导体激光装置A1的制造方法的一例进行说明。
首先，形成管座1。管座1的形成是通过准备Fe材料或者Fe合金材料并且对这些材料实施冷锻来进行的。由此，基座11与块体12一体地成形。另外，在基座11同时形成2个贯通孔112、113和凹部114。在管座1的形成时，例如从尺寸精度和制造效率的观点考虑优选冷锻，但也可以使用其他的方法。
接着，将引线43接合于基座11的下表面。引线43的接合例如通过焊接进行。由此，能够使引线43与基座11导通。代替焊接，也可以使用其他的方法将引线43导通接合于基座11。接着，将引线41、42分别插入在贯通孔112、113中。在使引线41、42插入在贯通孔112、113中的状态下，在贯通孔112、113内填充低熔点玻璃膏，对该玻璃膏进行烧制。由此，玻璃膏固化，并且成为绝缘填充材料17。引线41、42经由绝缘填充材料17固着于基座11，并且通过绝缘填充材料17与基座11电绝缘。
在将引线41、42固着于管座1后，在y方向上从两侧按压引线42的方向z1侧的端部。由此，形成具有第二导线焊接面422a和侧面422b的端部422。在此，该端部的按压如图7所示，例如利用按压部件91、92进行。按压部件91以方向x1侧的端部与第二导线焊接面422a对应的方式倾斜。按压部件92为了避免与块体12(第三块体部123)的干扰，其方向x上的长度比按压部件91短。通过利用这样的按压部件91、92，在引线42形成具有凸部423的端部422。
接着，将半导体激光芯片2(垫片22和半导体激光元件21)和受光元件3搭载于管座1，并相对于各自的适当部位利用导线焊接进行导线5的连接。
在连接于半导体激光元件21的所述焊垫电极和导电部23(第二导电部232)的导线5(第三导线53)的焊接时，相对于半导体激光元件21的所述焊垫电极进行第一次焊接，相对于导电部23(第二导电部232)进行第二次焊接，该第二次焊接使用了从劈刀激振的超声波。该第一次焊接和第二次焊接中，以支承面121a为基准在与其成直角的方向y2上按压劈刀。
关于连接于导电部23(第一导电部231)和块体12的第一导线焊接面122a的导线5(第一导线51)，在导电部23(第一导电部231)进行第一次焊接，在第一导线焊接面122a进行第二次焊接。在该第一次焊接和第二次焊接中，以支承面121a为基准在与其成直角的方向y2上按压劈刀。
关于连接于导电部23(第二导电部232)和引线42的第二导线焊接面422a的导线5(第二导线52)，在导电部23(第二导电部232)进行第一次焊接，在第二导线焊接面422a进行第二次焊接。在该第一次焊接和第二次焊接中，以支承面121a为基准在与其成直角的方向y2上按压劈刀。此外，向半导体激光元件21、导电部23(第一导电部231和第二导电部232)、第一导线焊接面122a或第二导线焊接面422a的导线焊接作业，例如利用导线焊接装置在保持着基座11的外周部的状态下进行。
关于连接于受光元件3的所述焊垫电极和引线41的端面411a的导线5(第4导线54)，在受光元件3的所述焊垫电极进行第一次焊接，在端面411a进行第二次焊接。在该第一次焊接和第二次焊接中，在方向z2上按压劈刀。通过这样的一系列的作业，能够制造半导体激光装置A1。
接着，关于半导体激光装置A1的作业进行说明。
在本实施方式中，在与被支承在支承面121a的半导体激光芯片2(垫片22上的第一导电部231)之间用于连接导线5(第一导线51)的第一导线焊接面122a，相对于支承面121a倾斜。具体而言，第一导线焊接面122a以相对于支承面121a在方向x上偏倚地配置，并且以在方向x上随着越远离支承面121a而越位于方向y2的方式倾斜(参照图5)。
如上所述，半导体激光芯片2与第一导线焊接面122a的导线连接在利用导线焊接保持装置基座11的外周部的同时进行。由于基座11的外周部为圆形，因此存在基座11从所希望的姿态向周方向稍微错位的情况。在此，如果第一导线焊接面122a以在方向x上随着越远离支承面121a而越位于方向y1的方式倾斜(与图5所示的倾斜方向相反一侧)，则通过第二次焊接形成的接合面有可能变小。依据本实施方式，能够抑制在导线焊接作业时由于基座11的错位而第一导线焊接面122a向与图5所示的倾斜方向相反一侧倾斜。因此，关于通过向第一导线焊接面122a的第二次焊接而形成的与该第一导线焊接面122a的接合部(图5中所示的针脚式焊接部55)，能够确保适当的尺寸。因此，能够防止导线焊接时的基座11的错位等引起的导线5(第一导线51)的接合强度降低。
如果第一导线焊接面122a相对于支承面121a倾斜的角度α1如上所述在大于0度且6度以下的范围内，能够准确地进行导线焊接作业(第二次焊接)，能够准确地形成连接半导体激光芯片2与第一导线焊接面122a的导线5(第一导线51)。
引线41具有从基座11向方向z1突出的第一突出部411。第一突出部411在方向y观察与第一导线焊接面122a重叠，而从基座11向方向z1稍微突出，从基座11的突出长度比引线42的第二突出部421小。依据这样的结构，能够避免与第一突出部411的干扰，并且能够将导线5(第一导线51)准确地连接于半导体激光芯片2和第一导线焊接面122a。
在块体12(第一块体部121)形成有朝向与支承面121a相反侧并且在方向y观察与支承面121a重叠的侧面121b。侧面121b相对于支承面121a平行。依据这样的结构，在半导体激光装置A1的制造过程中在抓住管座1时，利用彼此平行的支承面121a和侧面121b能够容易地夹持。
在本实施方式中，在与支承于支承面121a的半导体激光芯片2(垫片22上的第二导电部232)之间用于连接导线5(第二导线52)的第二导线焊接面422a，相对于支承面121a倾斜。具体而言，第二导线焊接面422a相对于支承面121a在方向x上偏倚地配置，并且在方向x上以随着越远离支承面121a而越位于方向y2的方式倾斜(参照图6)。
如上所述，依据第二导线焊接面422a相对于支承面121a倾斜的结构，关于通过向第二导线焊接面422a的第二次焊接而形成的与该第二导线焊接面422a的接合部(图6中所示的针脚式焊接部56)，能够确保准确的尺寸。因此，能够防止在导线焊接时的基座11的错位引起的导线5(第二导线52)的接合强度降低。
如果第二导线焊接面422a相对于支承面121a倾斜的角度α2如上所述在大于0度且为6度以下的范围内，则能够准确地进行导线焊接作业(第二次焊接)，能够准确地形成连接半导体激光芯片2与第二导线焊接面422a的导线5(第二导线52)。
图8和图9表示第二实施方式的半导体激光装置。此外，在图8以后的图中，关于与所述第一实施方式同样或者类似的要素，标注相同的附图标记，而适当地省略说明。
半导体激光装置A2在具有管座1的结构和罩6这一方面，与所述第一实施方式不同。
在半导体激光装置A2中，基座11和块体12彼此作为单独的个体而形成。如图9所示，基座11与块体12通过接合材料18而彼此连接。基座11例如由所述的Fe或者Fe合金构成。块体12可以由Fe或者Fe合金构成，也可以代替该构成而由Cu或者Cu合金构成。接合材料18例如由含有金属的膏或用于焊接的接合合金构成的材料，也可以是由于熔接而形成的熔接部。
罩6覆盖半导体激光芯片2和块体12，并且被固定在管座1的基座11的主面111。罩6具有躯干部61、顶部62、凸缘部64和透明盖65。在方向z观察，躯干部61包围半导体激光芯片2和块体12，例如形成为圆形形状。在图8中，罩6用假想线表示。
顶部62与躯干部61的方向z1端相连，相对于半导体激光芯片2位于方向z1侧。在本实施方式中，顶部62为圆形形状。在顶部62形成有开口63。开口63是用于使来自半导体激光芯片2的光通过的部分。在本实施方式中，开口63形成为圆形形状。
凸缘部64与躯干部61的方向z2侧相连，沿着xy平面向外方延伸。凸缘部64例如为圆环形状，能够通过熔接或者接合材料等固定于基座11的主面111。
透明盖65将开口63封闭，透过来自半导体激光芯片2的光。透明盖65由相对于来自半导体激光芯片2的光透明的材质形成。通过使用罩6(和透明盖65)，能够将来自半导体激光装置A2的光经由比较狭窄的区域选择性地射出。在本实施方式中，透明盖65安装在罩6的顶部62的下表面。
在本实施方式中，第一导线焊接面122a相对于支承面121a在方向x上偏倚地配置，并且以在方向x上随着越远离支承面121a而越位于方向y2的方式倾斜。依据这样的结构，能够防止用于形成导线5(第一导线51)的导线焊接时的基座11的错位引起的导线5(第一导线51)的接合强度降低。此外，在本实施方式的半导体激光装置A2中，能够起到与关于所述半导体激光装置A1所说明的同样的作用效果。
在第二实施方式中，基座11和块体12彼此作为单独的个体而形成。关于块体12，由与Fe相比导热率较高的Cu形成，由此能够提高块体12(管座1)的散热性。
在第二实施方式中，利用罩6能够将半导体激光芯片2更可靠地保护。通过设置透明盖65，能够使从半导体激光装置A2射出的光成为指向性比较高的光。
以上，关于各种实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，在不脱离本发明的思想的范围内能够进行各种变更。本发明的半导体激光装置的具体的结构能够进行各种变更。
本发明包括以下的附记所记载的结构。
附记1.
一种半导体激光装置，其包括：
向射出方向射出激光的半导体激光芯片；
板状的基座；和
从所述基座向所述射出方向突出并且支承所述半导体激光芯片的块体，
所述块体具有支承面和第一导线焊接面，所述支承面是朝向与所述射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面，所述第一导线焊接面是连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面，
所述第一导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置，
所述第一导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。
附记2.
在附记1记载的半导体激光装置中，相对于所述支承面的所述第一焊接面的倾斜角度为大于0度且6度以下的范围。
附记3.
在附记1或2记载的半导体激光装置中，在还具有分别被支承于所述基座的第一引线和第二引线的结构中，
所述第一引线和所述第二引线夹着所述支承面在所述第二方向上彼此隔开间隔地配置。
附记4.
在附记3记载的半导体激光装置中，所述第一引线具有从所述基座向所述射出方向突出的第一突出部，所述第二引线具有从所述基座向所述射出方向突出的第二突出部，
所述第二突出部的突出长度比所述第一突出部的突出长度大。
附记5.
在附记4所述的半导体激光装置中，所述基座具有朝向所述射出方向的主面，所述第一突出部具有朝向所述射出方向的端面，
所述第一焊接面相对于所述支承面的倾斜角度，比所述第一突出部的所述端面相对于所述基座的所述主面的倾斜角度大。
附记6.
在附记5记载的半导体激光装置中，所述基座的所述主面与所述第一突出部的所述端面彼此平行。
附记7.
在附记4～6中任一项记载的半导体激光装置中，所述第一突出部在所述第一方向观察时与所述第一导线焊接面重叠，
所述第一导线焊接面位于比所述支承面靠所述第一方向的第二侧的位置。
附记8.
在附记4～7中任一项记载的半导体激光装置中，所述第二突出部具有在所述射出方向上与所述基座隔开间隔的端部，在该端部形成有第二导线焊接面，该第二导线焊接面用于连接与所述半导体激光芯片导通的第二导线，
所述第二导线焊接面以在所述第二方向上随着越远离所述支承面而越位于所述第一方向的所述第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。
附记9.
在附记8记载的半导体激光装置中，所述第二导线焊接面相对于所述支承面的倾斜角度为大于0度且6度以下的范围。
附记10.
在附记9记载的半导体激光装置中，所述块体具有彼此形成为一体的第一块体部、第二块体部和第三块体部，所述第一块体部包含所述支承面，所述第二块体部包含所述第一导线焊接面，所述第三块体部在所述第一方向观察时与所述第二突出部重叠。
附记11.
在附记10记载的半导体激光装置中，所述第一块体部具有位于所述支承面的相反侧且相对于所述支承面平行的侧面。
附记12.
在附记10或11记载的半导体激光装置中，所述第二突出部具有所述第二导线焊接面的相反侧的侧面，该侧面在所述第二方向上具有彼此隔开间隔的第一端部和第二端部，在该第一端部形成有向所述第一方向的所述第二侧突出的凸部。
附记13.
在附记8～12中任一项记载的半导体激光装置中，所述半导体激光芯片包括半导体激光元件和用于搭载所述半导体激光元件的由绝缘材料形成的垫片。
附记14.
在附记13记载的半导体激光装置中，在所述垫片形成有导电部，所述半导体激光元件经由所述导电部支承于所述垫片，
所述第一导线连接于所述导电部和所述第一导线焊接面，所述第二导线连接于所述导电部和所述第二导线焊接面。
附记15.
在附记1～14中任一项记载的半导体激光装置中，所述基座和所述块体形成为一体。

Claims (15)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：
向射出方向射出激光的半导体激光芯片；
板状的基座；和
从所述基座向所述射出方向突出并且支承所述半导体激光芯片的块体，
所述块体具有支承面和第一导线焊接面，所述支承面是朝向与所述射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面，所述第一导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面，
所述第一导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置，
所述第一导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。
2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
相对于所述支承面的所述第一导线焊接面的倾斜角度为大于0度且6度以下的范围。
3.如权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于：
在还具有分别被支承于所述基座的第一引线和第二引线的结构中，
所述第一引线和所述第二引线夹着所述支承面在所述第二方向上彼此隔开间隔地配置。
4.如权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一引线具有从所述基座向所述射出方向突出的第一突出部，所述第二引线具有从所述基座向所述射出方向突出的第二突出部，
所述第二突出部的突出长度比所述第一突出部的突出长度大。
5.如权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基座具有朝向所述射出方向的主面，所述第一突出部具有朝向所述射出方向的端面，
所述第一导线焊接面相对于所述支承面的倾斜角度，比所述第一突出部的所述端面相对于所述基座的所述主面的倾斜角度大。
6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基座的所述主面与所述第一突出部的所述端面彼此平行。
7.如权利要求4~6中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一突出部在所述第一方向观察时与所述第一导线焊接面重叠，
所述第一导线焊接面位于比所述支承面靠所述第一方向的第二侧的位置。
8.如权利要求4~6中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二突出部具有在所述射出方向上与所述基座隔开间隔的端部，在该端部形成有第二导线焊接面，该第二导线焊接面用于连接与所述半导体激光芯片导通的第二导线，
所述第二导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的所述第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。
9.如权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二导线焊接面相对于所述支承面的倾斜角度为大于0度且6度以下的范围。
10.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述块体具有彼此形成为一体的第一块体部、第二块体部和第三块体部，所述第一块体部包含所述支承面，所述第二块体部包含所述第一导线焊接面，所述第三块体部在所述第一方向观察时与所述第二突出部重叠。
11.如权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一块体部具有位于所述支承面的相反侧且相对于所述支承面平行的侧面。
12.如权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二突出部具有所述第二导线焊接面的相反侧的侧面，该侧面在所述第二方向上具有彼此隔开间隔的第一端部和第二端部，在该第一端部形成有向所述第一方向的所述第二侧突出的凸部。
13.如权利要求9~12中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光芯片包括半导体激光元件和用于搭载所述半导体激光元件的由绝缘材料形成的垫片。
14.如权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于：
在所述垫片形成有导电部，所述半导体激光元件经由所述导电部支承于所述垫片，
所述第一导线连接于所述导电部和所述第一导线焊接面，所述第二导线连接于所述导电部和所述第二导线焊接面。
15.如权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基座和所述块体形成为一体。
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