JP6892225B2 - 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装構造 - Google Patents
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Description
1 ステム
11 ベース
111 主面(前方面)
112 裏面(後方面)
113 側面
114 リード用貫通孔
115 チップ用貫通孔
116 内面
12 ブロック
121 支持面
122 載置面
17 絶縁充填材
18 接合材
19 充填材
2 半導体レーザチップ
21 半導体素子
22 サブマウント
27 接合材
3A,3B リード
31A,31B 端子部
4 ワイヤ
5 搬送装置
51 第1台座
511 支持面
512 ガイド面
52 第2台座
521 支持面
522 ガイド面
6 プリント基板
61 主面
62 裏面
63 基板貫通孔
631 主面開口部
632 裏面開口部
64 配線パターン
641 主面電極
642 裏面電極
69 はんだ
7 同軸ケーブル
71 内部導体
72 絶縁体
73 外部導体
79 はんだ
8 キャップ
81 胴部
82 天部
83 開口
84 鍔部
85 透明カバー
86 拡散カバー
9 放熱板
91 主面
92 裏面
93 放熱板貫通孔
99 はんだ
Claims (20)
- 出射方向前方にレーザ光を出射する半導体レーザチップと、
前記出射方向を厚さ方向とする板状のベースを有するステムと、
前記ベースに支持され、前記出射方向後方に突出する複数のリードと、
を備える半導体レーザ装置であって、
放熱板をさらに備えており、
前記ステムは、前記半導体レーザチップに導通しており、
前記複数のリードはすべて、前記厚さ方向において、前記ベースと重なる部分を有しており、
前記ベースは、前記出射方向前方を向く前方面および前記出射方向後方を向く後方面を有しており、
前記放熱板は、前記後方面に支持され、
前記ステムは、前記ベースから前記出射方向前方に突出するブロックを、さらに有しており、
前記半導体レーザチップは、前記ブロックに支持され、
前記ブロックは、前記厚さ方向視において、すべてが前記放熱板に重なり、かつ、前記厚さ方向視において、前記複数のリードから離間しており、
前記ブロックは、前記半導体レーザチップを支持する支持面、前記半導体レーザチップを搬送装置に載置する載置面、および、各々が前記支持面と前記載置面とに繋がる一対の湾曲面を有し、
前記支持面は、前記前方面に直交する平面であり、
前記載置面は、前記支持面に平行し、かつ、前記支持面に直交する第1方向において前記支持面とは反対側を向き、
前記一対の湾曲面は、前記載置面に繋がる少なくとも一部ずつが、前記厚さ方向視において、前記載置面から前記支持面に向かうほど、前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向に沿う離間距離が大きくなり、
前記厚さ方向視において、前記載置面の前記第2方向に沿う寸法は、前記支持面の前記第2方向に沿う寸法よりも小さく、
前記第1方向視において、前記一対の湾曲面の各々は、前記支持面に重なる、
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記後方面は、平坦である、
請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ベースは、前記リードが挿通されたリード用貫通孔を有する、
請求項2に記載の半導体レーザ装置。 - 前記リードと前記リード用貫通孔との間にはそれぞれ、絶縁充填材が充填されている、請求項3に記載の半導体レーザ装置。
- 前記絶縁充填材は、ガラスからなる、
請求項4に記載の半導体レーザ装置。 - 前記複数のリードのうちの1のリードは、前記半導体レーザチップに導通している、
請求項4または請求項5に記載の半導体レーザ装置。 - 前記1のリードと前記半導体レーザチップとを導通させるワイヤを、さらに備える、
請求項6に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ワイヤの一端は、前記1のリードの前記ベースから前記出射方向前方に突出する部分にボンディングされている、
請求項7に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ベースと前記ブロックとは、一体的に形成されている、
請求項3ないし請求項8のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ベースと前記ブロックとは、FeまたはFe合金からなる、
請求項9に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ベースと前記ブロックとは、別体として形成されている、
請求項3ないし請求項8のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ベースは、FeまたはFe合金からなり、
前記ブロックは、CuまたはCu合金からなる、
請求項11に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザチップは、半導体からなる半導体素子および当該半導体素子が搭載されたサブマウントからなる、
請求項3ないし請求項12のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記サブマウントは、SiまたはAlNからなる、
請求項13に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ベースに固定され、前記半導体レーザチップを覆うとともに、前記半導体レーザチップからのレーザ光を通過させるキャップを、さらに備える、
請求項3ないし請求項14のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記放熱板は、前記厚さ方向視において前記リード用貫通孔と重なり、かつ、前記リードが挿通される放熱板貫通孔を有する、
請求項15に記載の半導体レーザ装置。 - 前記放熱板は、AlまたはCuからなる、
請求項16に記載の半導体レーザ装置。 - 前記放熱板と前記ベースとは、はんだにより接合されている、
請求項16または請求項17に記載の半導体レーザ装置。 - 請求項1ないし請求項18のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
前記出射方向前方を向く主面、前記出射方向後方を向く裏面、前記主面から前記裏面に貫通する基板貫通孔、および、前記主面側に形成された主面電極と前記裏面側に形成された裏面電極とを有する配線パターンを有する実装基板と、
を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、
前記複数のリードは、前記基板貫通孔に挿通され、前記裏面電極に導通しており、
前記放熱板の前記出射方向後方の面は、前記実装基板の主面に接合され、前記主面電極に導通している、
ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装構造。 - 請求項1ないし請求項18のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
内部導体、外部導体、および、前記内部導体と前記外部導体との間に介在する絶縁体を有する同軸ケーブルと
を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、
前記内部導体が、前記複数のリードのうちの一方のリードの一端に接続されており、
前記外部導体が、前記放熱板の前記出射方向後方の面に接合されている、
ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装構造。
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