JP2017204604A - 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】電子機器への実装あるいは搬送装置による搬送を容易なものとすることが可能な半導体レーザ装置および当該半導体レーザ装置の実装構造を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置Ａ１は、出射方向（ｚ方向）前方にレーザ光を出射する半導体レーザチップ２と、前記出射方向を厚さ方向とする板状のベース１１を有するステム１と、前記ベース１１に支持され、前記出射方向後方に突出する複数のリード３Ａ，３Ｂと、を備えており、前記ステム１は、前記半導体レーザチップ２に導通しており、前記複数のリード３Ａ，３Ｂはともに、前記厚さ方向において、前記ベース１１と重なる部分を有している。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザ装置および当該半導体レーザ装置の実装構造に関する。

様々な電子機器に搭載される光源装置として、半導体レーザ装置が広く採用されている。特許文献１は、従来の半導体レーザ装置の一例を開示している。同文献に開示された半導体レーザ装置は、ステム、半導体レーザチップ、および、複数のリードを備えている。前記ステムは、金属製であり、板状のベースおよびこのベースからレーザ光の出射方向前方に突出するブロックを有する。前記半導体レーザチップは、前記ブロックに搭載されている。前記複数のリードは、前記ベースに固定されており、各々が前記出射方向後方に延びている。このような構成により、前記複数のリードを介して電力が投入されると、前記半導体レーザチップからのレーザ光が前記出射方向前方に出射される。

上記特許文献１においては、３本のリードを備えている。そのうちの２本のリードは、前記ステムを出射方向に貫通する貫通孔に挿通されて、前記ステムに固定されている。残りの１本のリードは、前記ベースの前記出射方向後方の面（以下、「後方面」という。）に、銀ロウや溶接により接合されて、固定されている。なお、以下の説明において、前記ベースに接合された１本のリードを、その他の２本のリードと区別するために、接合リードと表現する。

特開２０１６−２９７１８号公報

上記特許文献１においては、接合リードが前記ベースに銀ロウや溶接などにより接合されているため、前記後方面に、接合痕などの突起が生じてしまう。当該突起や前記接合リードは、半導体レーザ装置を電子機器に実装する時あるいは搬送装置により搬送するときに、障害となり、実装強度の低下あるいは搬送時の安定性の低下を招く要因となっていた。例えば、従来の半導体レーザ装置を前記電子機器の実装基板上に実装する際、前記突起が前記実装基板に当たってしまい、半導体レーザ装置が傾いた状態で実装されてしまう可能性がある。この場合、半導体レーザ装置と実装基板との密着性が低下するため、半導体レーザ装置の実装強度が低下してしまう。よって、実装強度の向上あるいは搬送時の安定性の向上を図るためには、前記突起を考慮するための何らかの工夫が必要となり、電子機器への実装あるいは搬送装置による搬送が煩雑なものとなっていた。

そこで、本発明は、上記課題に鑑みて創作されたものであり、その目的は、電子機器への実装あるいは搬送装置による搬送を容易なものとすることが可能な半導体レーザ装置および当該半導体レーザ装置の実装構造を提供することにある。

本発明の第１の側面によって提供される半導体レーザ装置は、出射方向前方にレーザ光を出射する半導体レーザチップと、前記出射方向を厚さ方向とする板状のベースを有するステムと、前記ベースに支持され、前記出射方向後方に突出する複数のリードと、を備える半導体レーザ装置であって、前記ステムは、前記半導体レーザチップに導通しており、前記複数のリードはすべて、前記厚さ方向において、前記ベースと重なる部分を有することを特徴とする。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースは、前記出射方向前方を向く前方面および前記出射方向後方を向く後方面を有しており、前記後方面は、平坦である。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースは、前記リードが挿通されたリード用貫通孔を有する。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記リードと前記リード用貫通孔との間にはそれぞれ、絶縁充填材が充填されている。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記絶縁充填材は、ガラスからなる。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記複数のリードのうちの１のリードは、前記半導体レーザチップに導通している。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記１のリードと前記半導体レーザチップとを導通させるワイヤを、さらに備える。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ワイヤの一端は、前記１のリードの前記ベースから前記出射方向前方に突出する部分にボンディングされている。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ステムは、前記ベースから前記出射方向前方に突出するブロックを、さらに有しており、前記半導体レーザチップは、前記ブロックに支持されている。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースと前記ブロックとは、一体的に形成されている。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースと前記ブロックとは、ＦｅまたはＦｅ合金からなる。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースと前記ブロックとは、別体として形成されている。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースは、ＦｅまたはＦｅ合金からなり、前記ブロックは、ＣｕまたはＣｕ合金からなる。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ブロックは、前記半導体レーザチップを支持する支持面を有する。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記支持面は、前記出射方向に対して平行である。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ブロックは、前記半導体レーザチップを搬送装置に載置する載置面を有する。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記載置面は、前記支持面に対して平行である。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記半導体レーザチップは、半導体からなる半導体素子および当該半導体素子が搭載されたサブマウントからなる。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記サブマウントは、ＳｉまたはＡｌＮからなる。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記ベースに固定され、前記半導体レーザチップを覆うとともに、前記半導体レーザチップからのレーザ光を通過させるキャップを、さらに備える。

本発明の第２の側面によって提供される半導体レーザ装置は、前記第１の側面によって提供される半導体レーザ装置において、前記後方面に支持される放熱板を、さらに備える。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記放熱板は、前記厚さ方向視において前記リード用貫通孔と重なり、かつ、前記リードが挿通される放熱板貫通孔を有する。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記放熱板は、ＡｌまたはＣｕからなる。

前記半導体レーザ装置の好ましい実施の形態においては、前記放熱板と前記ベースとは、はんだにより接合されている。

本発明の第３の側面によって提供される半導体レーザ装置の実装構造は、前記第１の側面によって提供される半導体レーザ装置と、前記出射方向前方を向く主面、前記出射方向後方を向く裏面、前記主面から前記裏面に貫通する基板貫通孔、および、前記主面側に形成された主面電極と前記裏面側に形成された裏面電極とを有する配線パターンを有する実装基板と、を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、前記複数のリードは、前記基板貫通孔に挿通され、前記裏面電極に導通しており、前記後方面は、前記実装基板の前記主面に接合され、前記主面電極に導通していることを特徴とする。

本発明の第４の側面によって提供される半導体レーザ装置の実装構造は、前記第２の側面によって提供される半導体レーザ装置と、前記出射方向前方を向く主面、前記出射方向後方を向く裏面、前記主面から前記裏面に貫通する基板貫通孔、および、前記主面側に形成された主面電極と前記裏面側に形成された裏面電極とを有する配線パターンを有する実装基板と、を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、前記複数のリードは、前記基板貫通孔に挿通され、前記裏面電極に導通しており、前記放熱板の前記出射方向後方の面は、前記実装基板の主面に接合され、前記主面電極に導通していることを特徴とする。

本発明の第５の側面によって提供される半導体レーザ装置の実装構造は、前記第１の側面によって提供される半導体レーザ装置と、内部導体、外部導体、および、前記内部導体と前記外部導体との間に介在する絶縁体を有する同軸ケーブルと、を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、前記内部導体が、前記複数のリードのうちの一方のリードの一端に接続されており、前記外部導体が、前記後方面に接合されていることを特徴とする。

本発明の第６の側面によって提供される半導体レーザ装置の実装構造は、前記第２の側面によって提供される半導体レーザ装置と、内部導体、外部導体、および、前記内部導体と前記外部導体との間に介在する絶縁体を有する同軸ケーブルとを備える半導体レーザ装置の実装構造であって、前記内部導体が、前記複数のリードのうちの一方のリードの一端に接続されており、前記外部導体が、前記放熱板の前記出射方向後方の面に接合されていることを特徴とする。

本発明によれば、ベースから突出する複数のリードはすべて、厚さ方向において、前記ベースと重なる部分を有している。したがって、前記ベースの出射方向後方の面に、銀ロウや溶接などでリードを接合していない、つまり、接合リードを有していないため、前記突起が存在しない。これにより、電子機器への実装や搬送装置による搬送時の障害がなくなるため、半導体レーザ装置の、電子機器への実装あるいは搬送装置による搬送を、容易なものとすることが可能である。具体的には、前記突起が存在しないため、前記突起が電子機器の実装基板に当たらないので、実装時における半導体レーザ装置の傾くことなく、実装基板などに密着させることができる。そのため、半導体レーザ装置の実装強度を高くすることができる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付の図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の搬送時の態様を示す側面図である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の実装構造を示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の他の実装構造を示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１３のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 第３実施形態の変形例に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 第８実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 第９実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。 図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。

以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図５は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１は、ステム１、半導体レーザチップ２、複数のリード３Ａ，３Ｂおよびワイヤ４を備えている。半導体レーザ装置Ａ１は、様々な電子機器の光源として用いられる。特に、携帯型電話機や携帯型ノートパソコンに搭載される小型の光源装置としての用途に適している。図中におけるｚ方向は、半導体レーザチップ２から出射されるレーザ光の出射方向に相当する。ｘ方向およびｙ方向はそれぞれ、ｚ方向に対して垂直であり、かつ、互いに垂直な方向としている。なお、図３〜図５においては、理解の便宜上、ワイヤ４を省略している。

図１は、半導体レーザ装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体レーザ装置Ａ１を示す平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、要部拡大断面図である。

ステム１は、半導体レーザ装置Ａ１の土台となるものであり、ベース１１およびブロック１２を有している。本実施形態のステム１は、ベース１１およびブロック１２が一体的に形成されている。ステム１の材質は、金属であれば特に限定されないが、例えば、ＦｅまたはＦｅ合金からなる。また、これらのＦｅまたはＦｅ合金上に、厚さが２〜４μｍ程度のＮｉめっき、Ｃｕめっき、Ａｕめっきなどが施されていてもよい。

ベース１１は、ｚ方向を厚さ方向とする板状の部位であり、本実施形態においては、ｚ方向視略円形状である。ベース１１は、ｚ方向前方を向く主面１１１、ｚ方向後方を向く裏面１１２、および、主面１１１および裏面１１２に垂直な側面１１３を有する。なお、主面１１１、裏面１１２がそれぞれ、特許請求の範囲に記載の「前方面」、「後方面」に相当する。本実施形態においては、裏面１１２は平坦である。ベース１１の寸法の一例を挙げると、直径が５．６ｍｍ程度、厚さが０．５ｍｍ程度である。

ベース１１には、２つのリード用貫通孔１１４が形成されている。各リード用貫通孔１１４は、ベース１１をｚ方向に貫通し、ｘ方向に並んでいる。各リード用貫通孔１１４は、リード３Ａおよびリード３Ｂをステム１のベース１１に固定するために形成されている。各リード用貫通孔１１４の形状および大きさは特に限定されないが、本実施形態においては、直径が０．９５ｍｍ程度の円形貫通孔とされている。なお、リード用貫通孔１１４の直径は、ベース１１およびリード３Ａ，３Ｂのサイズや、リード３Ａとリード３Ｂとの間隔などに応じて適宜設定される。

ブロック１２は、ベース１１の主面１１１からｚ方向前方（図中上方）に突出している。本実施形態においては、ブロック１２は、ｚ方向視略円形状である。なお、ブロック１２の形状は特に限定されず、例えば、矩形状であっても多角形状であってもよい。ブロック１２は、支持面１２１および載置面１２２を有している。

支持面１２１は、半導体レーザチップ２が搭載される面であり、本実施形態においては、ｚ方向に対して平行であり、かつ、ｙ方向前方を向いている。載置面１２２は、半導体レーザ装置Ａ１の搬送時において、搬送装置に載置される面である。載置面１２２は、支持面１２１に対して平行であり、ｙ方向後方を向いている。

半導体レーザチップ２は、半導体レーザ装置Ａ１における発光要素である。本実施形態においては、半導体レーザチップ２は、半導体素子２１およびサブマウント２２からなる。なお、半導体レーザチップ２の構成はこれに限定されず、例えば、サブマウント２２を有さず半導体素子２１のみからなる構成であってもよい。本発明においては、半導体レーザチップ２は、ブロック１２の支持面１２１に搭載される要素を指し、サブマウント２２が採用される場合は、サブマウント２２を含むものと定義する。

半導体素子２１は、複数の半導体層が積層された構造を有する。半導体素子２１は、ｚ方向に延びた形状とされている。半導体素子２１からは、ｚ方向前方にレーザ光が出射される。本実施形態においては、半導体素子２１は、ｚ方向視において、ステム１の中央付近に配置されている。サブマウント２２は、半導体素子２１を支持しており、かつ、ステム１のブロック１２の支持面１２１に接合されている。サブマウント２２は、例えば、ＳｉまたはＡｌＮからなる。また、本実施形態においては、サブマウント２２には、半導体素子２１とブロック１２とを導通させるための配線パターンやスルーホール電極などの導通経路（図示略）が形成されている。

図５に示すように、半導体レーザチップ２のサブマウント２２は、接合材２７によってステム１のブロック１２に接合されている。接合材２７は、例えば、Ａｇ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｓｎなどを含む金属ペーストまたははんだなどである。なお、本発明においては、接合材２７としては導電性を有するものが採用される。これにより、半導体素子２１に形成された例えば裏面電極（図示略）とブロック１２とが接合材２７を介して、導通している。

リード３Ａおよびリード３Ｂは、ステム１とともに、半導体レーザ装置Ａ１を電子機器などに固定するために用いられる。本実施形態においては、リード３Ａおよびステム１が、半導体レーザチップ２への電力供給経路をなす。各リード３Ａ，３Ｂは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる直径が０．４５ｍｍ程度の棒状部材である。また、各リード３Ａ，３Ｂは、Ａｕめっきが施されていてもよい。

リード３Ａ，３Ｂはそれぞれ、２つのリード用貫通孔１１４に各別に挿通されている。したがって、リード３Ａ，３Ｂはともに、ｚ方向において、ステム１のベース１１と重なる部分を有する。図３に示すように、リード３Ａのｚ方向前方側部分は、リード用貫通孔１１４からｚ方向前方に突出している。また、リード３Ａのｚ方向後方側に位置する大部分が、ベース１１からｚ方向後方に突出している。リード３Ｂのｚ方向前方側部分は、リード用貫通孔１１４からｚ方向前方に突出している。また、リード３Ｂのｚ方向後方側に位置する大部分が、ベース１１からｚ方向後方に突出している。本実施形態においては、リード３Ａおよびリード３Ｂは、リード用貫通孔１１４からｚ方向前方側に突出した長さが同じである。なお、異なっていてもよい。

リード３Ａのｙ方向後方の最端部とリード３Ｂのｙ方向後方の最端部とを結ぶ線分は、載置面１２２と平行である。なお、リード３Ａのｙ方向後方の最端部とリード３Ｂのｙ方向後方の最端部との位置に応じて、載置面１２２を設定してもよく、反対に、載置面１２２に応じて、リード３Ａのｙ方向後方の最端部とリード３Ｂのｙ方向後方の最端部とを設定してもよい。

リード３Ａのｚ方向後方端付近の部位は、半導体レーザ装置Ａ１を電子機器などに搭載する際に用いられる端子部３１Ａとされている。同様に、リード３Ｂのｚ方向端付近の部位は、半導体レーザ装置Ａ１を電子機器などに搭載する際に用いられる端子部３１Ｂとされている。

リード３Ａ，３Ｂの長さはともに、例えば、７．７ｍｍ程度である。リード３Ａ，３Ｂのうちリード用貫通孔１１４に収容されている長さが０．５ｍｍ程度であり、ｚ方向前方に突出している長さが０．７ｍｍ程度であり、ｚ方向後方に突出している長さが６．５ｍｍ程度である。なお、上記したリード３Ａ，３Ｂの長さは一例であり、これに限定されない。また、リード３Ａとリード３Ｂとの長さが異なっていてもよい。

本実施形態においては、図２および図３に示すように、リード３Ａおよびリード３Ｂと、２つのリード用貫通孔１１４との間に、絶縁充填材１７が充填されている。絶縁充填材１７は、リード３Ａおよびリード３Ｂをステム１のベース１１に対して固定するとともに、リード３Ａおよびリード３Ｂとステム１とを絶縁する機能を果たす。絶縁充填材１７の材質は絶縁性を有するものであれば、特に限定されないが、本実施形態においては、絶縁充填材１７はガラスからなる。

図１および図２に示すように、リード３Ａと半導体レーザチップ２とは、ワイヤ４によって接続されている。より具体的には、半導体レーザチップ２の半導体素子２１に形成されたパッド電極（図示略）とリード３Ａとがワイヤ４によって接続されている。ワイヤ４は、例えば、Ａｕからなる。半導体レーザチップ２においては、半導体素子２１に形成された前記パッド電極にワイヤ４がボンディングされていてもよいし、サブマウント２２に形成されたパッドにワイヤ４がボンディングされていてもよい。また、上記するようにステム１は、半導体レーザチップ２のサブマウント２２の上記導通経路に導通している。このような構成により、半導体レーザ装置Ａ１においては、リード３Ａおよびステム１によって、半導体レーザチップ２への電力供給経路が形成されている。

半導体レーザチップ２を発光させることのみを目的として半導体レーザ装置Ａ１に電力供給する場合、リード３Ｂを電力経路として用いない構成が可能である。すなわち、リード３Ｂは、半導体レーザ装置Ａ１を電子機器に対して単に固定するために用いられてもよい。または、リード３Ａの代わりに、半導体レーザチップ２への電力供給経路として用いてもよい。さらに、半導体レーザ装置Ａ１が図示しない受光素子を備える場合、この受光素子とリード３Ｂとを導通させてもよい。前記受光素子としては、例えば、フォトダイオードが挙げられる。フォトダイオードは、ステム１のベース１１の主面１１１上に固定され、半導体レーザチップ２から出射されるレーザ光を受光し、その受光レベルに応じた信号を出力するように構成されている。このような構成よれば、前記受光素子の出力によって、半導体レーザチップ２に供給する電力をフィードバック制御することが可能となる。このような態様では、ステム１は、リード３Ａから半導体レーザチップ２を介して電流が流れる。また、ステム１は、リード３Ｂから前記受光素子を介して電流が流れる。したがって、ステム１は、半導体レーザチップ２と前記受光素子のコモンリードとして機能する。

図６および図７は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１の搬送時の態様を示している。半導体レーザ装置Ａ１は、搬送装置５を用いて、所定の位置から別の位置まで搬送される。搬送装置５は、完成した半導体レーザ装置Ａ１を単に搬送するために用いるものであってもよく、生産ライン上において、複数の作業工程間でワーク（製造途中の半導体レーザ装置Ａ１）を順次搬送するために用いるものであってもよい。例えば、搬送装置５を製造ライン上の搬送に用いる場合、ステム１にリード３Ａ，３Ｂを取り付けた後、搬送装置５に載置し、リード３Ａ，３Ｂが取り付けられたステム１が、当該搬送装置５により、半導体レーザチップ２を接合する作業位置およびワイヤ４を接合する作業位置までそれぞれ搬送される。

図６は、搬送時の側面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図６は、複数の半導体レーザ装置Ａ１を搬送している状態を示している。図６および図７に示すように、半導体レーザ装置Ａ１は、図１〜図５に示すｙ方向前方（支持面１２１が向く方向）を図中上にして搬送される。

搬送装置５は、第１台座５１および第２台座５２を有し、これらにより複数の半導体レーザ装置Ａ１を支持している。搬送装置５は、例えば、第１台座５１および第２台座５２上に配置されたベルト（図示略）により、複数の半導体レーザ装置Ａ１をｘ方向にスライド搬送する。

第１台座５１は、リード３Ａ，３Ｂのステム１の出射方向後方に突出した一部あるいは全部を支持している。第１台座５１は、ｘ方向に長く延びている。図７は、リード３Ａ，３Ｂの一部を支持している状態を示している。第１台座５１は、支持面５１１およびガイド面５１２を有している。支持面５１１は、リード３Ａ，３Ｂと当接している。ガイド面５１２は、ベース１１の裏面１１２の一部に対向している。

第２台座５２は、ステム１のブロック１２を支持している。第２台座５２は、ｘ方向に長く延びている。第２台座５２は、支持面５２１およびガイド面５２２を有している。支持面５２１は、ステム１のブロック１２の載置面１２２と当接している。ガイド面５２２は、ベース１１の主面１１１の一部に対向している。

本実施形態においては、図６において、第１台座５１の支持面５１１は、第２台座５２の支持面５２１よりｙ方向前方に位置している。

本実施形態においては、ステム１のベース１１のｙ方向後方の端縁部が、第１台座５１のガイド面５１２と第２台座５２のガイド面５２２と間に介在し、２つのガイド面５１２，５２２により挟持されている。

図８は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１の実装構造を示しており、図３に相当する断面図である。本実施形態の実装構造においては、半導体レーザ装置Ａ１を電子機器のプリント基板上に実装する場合を例に説明する。

プリント基板６は、例えば電子機器に搭載され、当該電子機器を動作させるための複数の電子部品が実装されるものである。なお、当該プリント基板６が、特許請求の範囲に記載の「実装基板」に相当する。プリント基板６は、主として絶縁性の材料よりなる。プリント基板６は、ｚ方向前方を向く主面６１、ｚ方向後方を向く裏面６２、および、複数の基板貫通孔６３を有する。

複数の基板貫通孔６３はそれぞれ、プリント基板６をｚ方向に貫通しており、主面６１に開口する主面開口部６３１および裏面６２に開口する裏面開口部６３２を有する。各基板貫通孔６３の形状および大きさは特に限定されないが、本実施形態においては、円形貫通孔とされている。したがって、主面開口部６３１および裏面開口部６３２はともにｚ方向視において、円形をなす。

また、プリント基板６は、基材、配線パターン６４、および、レジストを含んで構成されている。なお、基材は絶縁性の材料よりなり、例えば、ガラスエポキシ樹脂などである。レジストは、はんだなどによる短絡を防止するためのものである。本発明においては、プリント基板６は、半導体レーザ装置Ａ１を実装する要素を指し、基材、配線パターン６４、および、レジストをすべて含むものと定義する。

配線パターン６４は、電流経路を構成するものである。配線パターン６４は、プリント基板６の主面６１側から露出する主面電極６４１および裏面６２側から露出する裏面電極６４２を有する。配線パターン６４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕなどの単種類または複数種類の金属からなる。本実施形態においては、Ｃｕである。また、配線パターン６４が露出している部分の上には、金めっきが施されている。

本実施形態においては、主面電極６４１は、主面開口部６３１付近には形成されておらず、裏面電極６４２は、裏面開口部６３２付近に形成されている。

本実施形態においては、図８に示すように、ステム１のベース１１の裏面１１２とプリント基板６の主面６１とが当接している。また、主面電極６４１とステム１（ベース１１の主面１１１）とが当接し、これらが電気的に導通している。そして、ベース１１は、その側面１１３と主面６１とがはんだ６９により接合され、固定されている。なお、はんだ６９に限らず、他の接合材であってもよい。また、はんだ６９によりはんだ付けされる部分は、ベース１１の外周すべてであっても、外周の一部であってもよい。

また、基板貫通孔６３に半導体レーザ装置Ａ１のリード３Ａ，３Ｂが挿通されている。そして、リード３Ａ，３Ｂのベース１１の裏面１１２から突出した部分が、はんだ６９により裏面電極６４２に接合されている。したがって、リード３Ａ，３Ｂと裏面電極６４２とが電気的に導通している。なお、プリント基板６の裏面６２から突出するリード３Ａ，３Ｂは、必要な長さに応じて（例えば図８に示す点線に沿って）適宜カットすればよい。

以上で示した実装構造により、半導体レーザ装置Ａ１は、プリント基板６上に実装され、配線パターン６４と半導体レーザ装置Ａ１とが導通する。プリント基板６は、電源装置（図示略）と接続されており、電源装置からの出力電力が配線パターン６４を介して、半導体レーザ装置Ａ１に供給され、半導体レーザ装置Ａ１からレーザ光が出射される。

次に、半導体レーザ装置Ａ１の作用について、説明する。

本実施形態によれば、リード３Ａ，３Ｂはともにリード用貫通孔１１４に挿通され、絶縁充填材１７により、各リード３Ａ，３Ｂをステム１のベース１１に対して固定するようにした。これにより、リード３Ａ，３Ｂはともに、ｚ方向において、ベース１１と重なる部分を有している。すなわち、半導体レーザ装置Ａ１は、ベース１１に接合されたリード（接合リード）を有していない。したがって、ベース１１の裏面１１２に上記する溶接痕などの突起が生じないため、電子機器への実装時に突起がプリント基板６に当たらない。よって、半導体レーザ装置Ａ１の傾きを抑制することが可能となり、実装基板などへの密着性を高めることができるため、プリント基板６への実装強度が向上する。

本実施形態によれば、接合リードを有していない。したがって、搬送装置５に載置するとき、２つのリード３Ａ，３Ｂおよびステム１のブロック１２の載置面１２２による３点支持が可能である。この３点支持により、重量バランスが取れるため、搬送装置５における搬送時の安定性が高くなる。また、ベース１１が、２つのガイド面５１２，５２２に挟持されている。これにより、搬送装置５による搬送時において、ｚ方向のずれを抑制することができるため、搬送時の安定性が高くなる。

以上のことから、上記する突起や接合リードを考慮する必要がなく、半導体レーザ装置Ａ１の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。

本実施形態によれば、接合リードが不要となるため、接合リードそのものの材料費を削減することができる。さらに、接合リードの実装工程の排除により、製造コストの削減、接合材料（銀ロウや溶接材）の削減、製造工程の削減にも寄与することができる。

本実施形態によれば、半導体レーザチップ２がステム１のブロック１２に支持されている。よって、半導体レーザチップ２による発熱は、ブロック１２だけでなくベース１１にも伝達し、ステム１全体で放熱することができる。

上記第１実施形態の実装構造においては、半導体レーザ装置Ａ１をプリント基板６に実装するとき、ステム１の側面１１３とプリント基板６の主面６１とをはんだ付けにより接合した場合を例に説明したが、ステム１の裏面１１２とプリント基板６の主面６１ともはんだにより接合してもよい。この場合、半導体レーザ装置Ａ１とプリント基板６との密着性がさらに向上し、上記する半導体レーザ装置Ａ１よりも放熱性を高くすることができる。

上記第１実施形態の実装構造においては、半導体レーザ装置Ａ１をプリント基板６に実装した場合を例に説明したが、プリント基板６以外のものに実装してもよい。例えば、半導体レーザ装置Ａ１を同軸ケーブルに直接実装することも可能である。

図９は、半導体レーザ装置Ａ１を同軸ケーブル７に実装した場合の実装構造を示している。図９は、図４と同じ方向から見た断面図である。

同軸ケーブル７は、ｚ方向に直角な断面形状が円形である。同軸ケーブル７は、断面中央部から内部導体７１、絶縁体７２、外部導体７３の順に配置されている。なお、外部導体７３の外側を覆う、例えば、ポリエチレンや塩化ビニルなどの保護被覆を有していてもよい。

内部導体７１は、例えば、銅線や銀めっき線などの線状導体であり、電気信号（電流信号）の伝送を行う。絶縁体７２は、内部導体７１と外部導体７３とを絶縁するものであり、例えば、ポリエチレンなどで構成されている。なお、絶縁体７２の材質は、特に限定されない。外部導体７３は、例えば、内部導体７１より線径の細い複数の銅線などを網組みした網状の金属シールドである。外部導体７３は、内部導体７１に流れる電気信号をシールドする役割を果たす。この外部導体７３により、外部からの電磁波が遮断され、かつ、内部導体７１からの電磁波の漏洩が遮断されるため、ノイズの影響が小さく、電気信号が減衰しにくい。なお、同軸ケーブル７の構成は、周知の同軸ケーブルと同等であるため、その説明を省略する。

本実装構造においては、内部導体７１の一端は、リード３Ａの端部と繋がっており、これらが導通している。したがって、内部導体７１を流れる電気信号は、リード３Ａを介して、半導体レーザチップ２に入力される。外部導体７３の一端は、ベース１１と繋がっており、はんだ７９により導通接合されている。ベース１１は、ブロック１２を介して、半導体レーザチップ２と導通しているため、外部導体７３は、内部導体７１を流れる電気信号の帰路となる。したがって、内部導体７１および外部導体７３により半導体レーザ装置Ａ１に電気信号（電力）が入力される。

本実装構造によれば、図９に示すように、半導体レーザ装置Ａ１を同軸ケーブル７に実装している。半導体レーザ装置Ａ１に高周波電力を入力する場合があり、この場合、通常の配線を用いると、高周波電力による外部への電磁波の漏れが発生する。しかし、本実装構造においては、同軸ケーブル７に実装することで、前記電磁波の漏れ（内部導体７１からの電気信号の拡散）を抑制することができ、前記高周波電力の伝送効率が向上する。また、同軸ケーブル７は、ある程度の折り曲げが可能であり、フレキシブルな電子機器への実装が可能となる。

図１０および図１１は、本発明の第２実施形態に基づく半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ２は、ステム１の構成が上記した実施形態と異なっている。図１０は、図４に対応する断面図である。図１１は、半導体レーザ装置Ａ２の要部拡大断面図である。

本実施形態においては、ベース１１とブロック１２とが互いに別体として形成されている。そして、図１１に示すようにベース１１とブロック１２とが導電性の接合材１８によって接合されている。ベース１１は、例えば、上記したＦｅまたはＦｅ合金からなる。ブロック１２は、ＦｅまたはＦｅ合金からなる構成であってもよいし、これに代えて、ＣｕまたはＣｕ合金からなる構成であってもよい。ベース１１とブロック１２とを接合する接合材１８は金属を含有するペーストやロウ付けに用いられる接合合金、あるいは、溶接の結果形成される溶着部などが例示される。

このような実施形態によっても、上記する半導体レーザ装置Ａ１と同様に、半導体レーザ装置Ａ２の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。

図１２〜図１６は、本発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ３は、ステム１のベース１１にチップ用貫通孔１１５が形成されており、当該チップ用貫通孔１１５に半導体レーザチップ２の一部が収容されている点で、上記した半導体レーザ装置Ａ１とは異なっている。

図１２は、半導体レーザ装置Ａ３を示す斜視図である。図１３は、半導体レーザ装置Ａ３を示す平面図である。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。図１５は、図１３のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。図１６は、要部拡大断面図である。

チップ用貫通孔１１５は、ベース１１をｚ方向に貫通している。本実施形態においては、チップ用貫通孔１１５は、ベース１１のｚ方向視中心と重なっており、ｚ方向視矩形状である。チップ用貫通孔１１５の平面視における四辺は、ｘ方向およびｙ方向のいずれかに沿っている。内面１１６は、チップ用貫通孔１１５の内側の面のうち法線方向がｙ方向の面である。チップ用貫通孔１１５の大きさの一例を挙げると、ｚ方向視においてｘ方向寸法が０．６ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．６５ｍｍ程度である。

図１６に示すように、半導体レーザチップ２は、そのｚ方向後方側の一部がチップ用貫通孔１１５に収容されている。ブロック１２の支持面１２１とチップ用貫通孔１１５の内面１１６とが面一とされている。そして、半導体レーザチップ２のサブマウント２２は、接合材２７によって支持面１２１と内面１１６との双方に接合されている。

本実施形態においては、２つのリード用貫通孔１１４は、チップ用貫通孔１１５を挟んで、ｘ方向両側に形成されている。

このような実施形態によっても、上記する半導体レーザ装置Ａ１と同様に、半導体レーザ装置Ａ３の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。

さらに、本実施形態によれば、半導体レーザチップ２の一部がステム１のチップ用貫通孔１１５に収容されている。これにより、半導体レーザチップ２の高出力化によってｚ方向寸法が拡大しても、半導体レーザチップ２がステム１のベース１１からｚ方向に突出する大きさを縮小することが可能である。したがって、半導体レーザ装置Ａ３の高出力化と小型化とを図ることができる。また、ブロック１２のｚ方向寸法を縮小することが可能であり、半導体レーザ装置Ａ３の小型化を図ることができる。

さらに、本実施形態によれば、ブロック１２の支持面１２１とチップ用貫通孔１１５の内面１１６とが面一であることにより、半導体レーザチップ２をｚ方向においてより長い領域によって支持することができる。特に半導体レーザチップ２を接合材２７によって支持面１２１と内面１１６との双方に接合する構成は、半導体レーザチップ２をより確実に固定するのに適している。

上記第３実施形態においては、チップ用貫通孔１１５をｚ方向視矩形状とした場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、ｚ方向視円形状、ｚ方向視台形状、あるいは、ｚ方向視三角形状としてもよい。これらの変形例のチップ用貫通孔１１５は、半導体レーザチップ２を適切に収容しうる大きさおよび形状とされている。これらの変形例から理解されるように、本発明におけるチップ用貫通孔１１５は、半導体レーザチップ２を適切に収容可能なものであれば、様々な形状とすることができる。

上記第３実施形態においても、上記第２実施形態と同様にベース１１とブロック１２とを別体で構成してもよい。図１７は、ベース１１とブロック１２とを別体で構成した変形例に係る半導体レーザ装置Ａ３’を示す要部拡大断面図であり、図１７は、図１６に対応する図である。

当該変形例においても、ブロック１２の支持面１２１とチップ用貫通孔１１５の内面１１６とは面一とされている。また、半導体レーザチップ２は、接合材２７によって支持面１２１と内面１１６との双方向接合されている。このような変形例によっても、上記第３実施形態と同様に、半導体レーザ装置Ａ３’の高出力化と小型化とを図ることができる。

図１８は、本発明の第４実施形態に基づき半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ４は、キャップ８を備えており、これ以外の構成は上記した半導体レーザ装置Ａ１と共通している。

キャップ８は、半導体レーザチップ２およびブロック１２を覆っており、ステム１のベース１１の主面１１１に固定されている。キャップ８は、胴部８１、天部８２、鍔部８４、および、透明カバー８５を有する。

胴部８１は、ｚ方向と垂直な方向において、半導体レーザチップ２およびブロック１２を囲んであり、例えば、円形状とされている。

天部８２は、胴部８１のｚ方向前方端に繋がっており、半導体レーザチップ２に対してｚ方向前方に位置している。本実施形態においては、天部８２は、ｚ方向視円形状である。天部８２には開口８３が形成されている。開口８３は、半導体レーザチップ２からのレーザ光を通過させるためのものである。本実施形態においては、開口８３は、ｚ方向視円形状とされている。

鍔部８４は、胴部８１のｚ方向後方に繋がっており、ｘｙ平面に沿って外方に延出している。鍔部８４は、例えば、ｚ方向視円環形状であり、ベース１１の主面１１１に溶接または接合材等によって固定されている。

透明カバー８５は、開口８３を塞いでおり、半導体レーザチップ２からのレーザ光を透過する。透明カバー８５は、半導体レーザチップ２からのレーザ光に対して透明な材質からなる。このような透明カバー８５が設けられた場合、半導体レーザ装置Ａ４からのレーザ光を比較的狭い領域に選択的に出射することができる。本実施形態においては、透明カバー８５は、キャップ８の天部８２の図中下面に取り付けられている。

このような実施形態においても、上記する半導体レーザ装置Ａ１と同様に、半導体レーザ装置Ａ４の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。また、本実施形態によれば、キャップ８によって半導体レーザチップ２を保護することができる。さらに、透明カバー８５を設けることにより、半導体レーザ装置Ａ４から出射されるレーザ光を比較的高い指向性のレーザ光とすることができる。

図１９は、本発明の第５実施形態に基づく半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ５は、上記した半導体レーザ装置Ａ４と同様に、透明カバー８５を有している。本実施形態においては、透明カバー８５は、キャップ８の天部８２の図中上面に取り付けられている。また、透明カバー８５のｚ方向視寸法は、キャップ８の天部８２と略同じとされている。

このような実施形態によっても、上記する半導体レーザ装置Ａ４と同等の効果を奏することができる。

図２０は、本発明の第６実施形態に基づく半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ６においては、キャップ８が、上記した透明カバー８５に代えて拡散カバー８６を有している。

拡散カバー８６は、半導体レーザチップ２からのレーザ光を拡散させつつ透過させる材質によって形成されている。また、本実施形態においては、拡散カバー８６は、キャップ８の天部８２の図中下面に取り付けられている。

このような実施形態によっても、上記する半導体レーザ装置Ａ１と同様に、半導体レーザ装置Ａ６の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。また、キャップ８によって半導体レーザチップ２を保護することができる。さらに、拡散カバー８６を設けることにより、半導体レーザ装置Ａ６から出射されるレーザ光の広がり角度を制御することができる。

図２１は、本発明の第７実施形態に基づく半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ７は、上記した半導体レーザ装置Ａ６と同様に、拡散カバー８６を有している。本実施形態においては、拡散カバー８６は、キャップ８の天部８２の図中上面に取り付けられている。また、拡散カバー８６のｚ方向視寸法は、キャップ８の天部８２と略同じとされている。

このような実施形態によっても、上記した半導体レーザ装置Ａ６と同等の効果を奏することができる。

図２２は、本発明の第８実施形態に基づく半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ８は、キャップ８の構成が上記した半導体レーザ装置Ａ４〜Ａ７とは、異なっている。

本実施形態においては、キャップ８の開口８３は、透明カバー８５や拡散カバー８６によて、覆われていない。このため、キャップ８の内部空間と外部とが通じる構成となっている。

このような実施形態によっても、上記する半導体レーザ装置Ａ１と同様に、半導体レーザ装置Ａ８の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。また、キャップ８によって半導体レーザチップ２の保護をすることができる。

第４実施形態ないし第８実施形態においては、上記した半導体レーザ装置Ａ１にキャップ８を備える場合を例に説明したが、上記した半導体レーザ装置Ａ２，Ａ３，Ａ３’に備えることも可能である。この場合であっても、上記第４実施形態ないし第８実施形態と同様の効果を奏することができる。

図２３および図２４は、本発明の第９実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ９は、放熱板９を備えており、これ以外の構成は上記した半導体レーザ装置Ａ１と共通している。図２３は、本発明の半導体レーザ装置Ａ９を示す斜視図である。図２４は、図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。

放熱板９は、ｚ方向を厚さ方向とする板状部材である。本実施形態においては、放熱板９は、矩形状とされている。なお、円形状であってもよい。放熱板９は、導通性があり、かつ、放熱性を有する材質からなる。このような材質を例示すると、アルミニウムあるいはＣｕなどが挙げられる。本実施形態においては、放熱板９は、Ｃｕ上にＡｕめっきが施されている（図示略）。

放熱板９は、ｚ方向前方を向く主面９１およびｚ方向後方を向く裏面９２を有する。主面９１および裏面９２はともに平坦である。また、放熱板９には、２つの放熱板貫通孔９３が形成されている。各放熱板貫通孔９３は、主面９１から裏面９２に繋がっており、放熱板９をｚ方向に貫通している。各放熱板貫通孔９３は、ｚ方向視（厚さ方向視）において、リード用貫通孔１１４と重なる。なお、放熱板貫通孔９３においても、リード用貫通孔１１４と同様に、リード３Ａ，３Ｂとの間に、絶縁充填材（例えば、ガラス）が充填されていてもよい。

本実施形態においては、図２４に示すように、放熱板９は、その主面９１がステム１（ベース１１）の裏面１１２に対向し、はんだ９９により接合されている。

上記半導体レーザ装置Ａ９をプリント基板６に実装するときには、放熱板９の裏面９２とプリント基板６の主面６１とが接合され、裏面９２とプリント基板６の主面電極６４１とが電気的に導通する。なお、リード３Ａ，３Ｂとプリント基板６の裏面電極６４２との導通接合は、図８に示す実装構造と同様である。

また、上記半導体レーザ装置Ａ９を同軸ケーブル７に実装するときには、放熱板９の裏面９２と同軸ケーブル７の外部導体７３とが接合され、裏面９２と同軸ケーブル７の外部導体７３とが電気的に導通する。なお、リード３Ａあるいはリード３Ｂと同軸ケーブル７の内部導体７１との導通接合は、図９に示す実装構造と同様である。

このような実施形態によっても、上記する半導体レーザ装置Ａ１と同様に、半導体レーザ装置Ａ９の電子機器への実装および搬送装置による搬送を容易なものとすることができる。

さらに、本実施形態によれば、放熱板９を設けるようにした。これにより、半導体レーザチップ２の熱が、ステム１（ブロック１２およびベース１１）を介して、放熱板９に伝達するので、半導体レーザ装置Ａ９の放熱性が向上する。特に、半導体レーザチップの発熱は、ＬＥＤチップの発熱に比べて大きいため、放熱板９を用いない場合に比べて有利である。

本実施形態によれば、接合リードを有しておらず、上記する突起が存在しないため、ステム１と放熱板９とを密着させることができる。したがって、半導体レーザチップ２の熱の放熱性がさらに向上する。また、従来の半導体レーザ装置に用いられる放熱板では、接合リードを挿通するための貫通穴が必要となり、その分放熱性が低下していた。しかし、本実施形態によれば、接合リードを挿通するための穴が不要となるため、放熱板の放熱性をさらに向上させるとともに、貫通穴をあける工数を省くことができる。

上記第９実施形態においては、上記する半導体レーザ装置Ａ１に放熱板９を備えた場合を例に説明したが、上記する半導体レーザ装置Ａ２〜Ａ８，Ａ３’に放熱板９を備えてもよい。この場合であっても、第９実施形態と同等の効果を奏することができる。

また、上記第１実施形態で示した搬送時の態様および実装構造（プリント基板６あるいは同軸ケーブル７への実装）は、上記半導体レーザ装置Ａ２〜Ａ９，Ａ３’においても同様に実施することができる。

本発明に係る半導体レーザ装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１〜Ａ９，Ａ３’ 半導体レーザ装置
１ ステム
１１ ベース
１１１ 主面（前方面）
１１２ 裏面（後方面）
１１３ 側面
１１４ リード用貫通孔
１１５ チップ用貫通孔
１１６ 内面
１２ ブロック
１２１ 支持面
１２２ 載置面
１７ 絶縁充填材
１８ 接合材
１９ 充填材
２ 半導体レーザチップ
２１ 半導体素子
２２ サブマウント
２７ 接合材
３Ａ，３Ｂ リード
３１Ａ，３１Ｂ 端子部
４ ワイヤ
５ 搬送装置
５１ 第１台座
５１１ 支持面
５１２ ガイド面
５２ 第２台座
５２１ 支持面
５２２ ガイド面
６ プリント基板
６１ 主面
６２ 裏面
６３ 基板貫通孔
６３１ 主面開口部
６３２ 裏面開口部
６４ 配線パターン
６４１ 主面電極
６４２ 裏面電極
６９ はんだ
７ 同軸ケーブル
７１ 内部導体
７２ 絶縁体
７３ 外部導体
７９ はんだ
８ キャップ
８１ 胴部
８２ 天部
８３ 開口
８４ 鍔部
８５ 透明カバー
８６ 拡散カバー
９ 放熱板
９１ 主面
９２ 裏面
９３ 放熱板貫通孔
９９ はんだ

Claims (28)

1. 出射方向前方にレーザ光を出射する半導体レーザチップと、
   前記出射方向を厚さ方向とする板状のベースを有するステムと、
   前記ベースに支持され、前記出射方向後方に突出する複数のリードと、
   を備える半導体レーザ装置であって、
   前記ステムは、前記半導体レーザチップに導通しており、
   前記複数のリードはすべて、前記厚さ方向において、前記ベースと重なる部分を有する、
   ことを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記ベースは、前記出射方向前方を向く前方面および前記出射方向後方を向く後方面を有しており、
   前記後方面は、平坦である、
   請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記ベースは、前記リードが挿通されたリード用貫通孔を有する、
   請求項２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記リードと前記リード用貫通孔との間にはそれぞれ、絶縁充填材が充填されている、
   請求項３に記載の半導体レーザ装置。
5. 前記絶縁充填材は、ガラスからなる、
   請求項４に記載の半導体レーザ装置。
6. 前記複数のリードのうちの１のリードは、前記半導体レーザチップに導通している、
   請求項４または請求項５に記載の半導体レーザ装置。
7. 前記１のリードと前記半導体レーザチップとを導通させるワイヤを、さらに備える、
   請求項６に記載の半導体レーザ装置。
8. 前記ワイヤの一端は、前記１のリードの前記ベースから前記出射方向前方に突出する部分にボンディングされている、
   請求項７に記載の半導体レーザ装置。
9. 前記ステムは、前記ベースから前記出射方向前方に突出するブロックを、さらに有しており、
   前記半導体レーザチップは、前記ブロックに支持されている、
   請求項４ないし請求項７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
10. 前記ベースと前記ブロックとは、一体的に形成されている、
    請求項９に記載の半導体レーザ装置。
11. 前記ベースと前記ブロックとは、ＦｅまたはＦｅ合金からなる、
    請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
12. 前記ベースと前記ブロックとは、別体として形成されている、
    請求項９に記載の半導体レーザ装置。
13. 前記ベースは、ＦｅまたはＦｅ合金からなり、
    前記ブロックは、ＣｕまたはＣｕ合金からなる、
    請求項１２に記載の半導体レーザ装置。
14. 前記ブロックは、前記半導体レーザチップを支持する支持面を有する、
    請求項９ないし請求項１３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
15. 前記支持面は、前記出射方向に対して平行である、
    請求項１４に記載の半導体レーザ装置。
16. 前記ブロックは、前記半導体レーザチップを搬送装置に載置する載置面を有する、
    請求項１４または請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
17. 前記載置面は、前記支持面に対して平行である、
    請求項１６に記載の半導体レーザ装置。
18. 前記半導体レーザチップは、半導体からなる半導体素子および当該半導体素子が搭載されたサブマウントからなる、
    請求項４ないし請求項１７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
19. 前記サブマウントは、ＳｉまたはＡｌＮからなる、
    請求項１８に記載の半導体レーザ装置。
20. 前記ベースに固定され、前記半導体レーザチップを覆うとともに、前記半導体レーザチップからのレーザ光を通過させるキャップを、さらに備える、
    請求項４ないし請求項１９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
21. 前記後方面に支持される放熱板を、さらに備える、
    請求項４ないし請求項２０のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
22. 前記放熱板は、前記厚さ方向視において前記リード用貫通孔と重なり、かつ、前記リードが挿通される放熱板貫通孔を有する、
    請求項２１に記載の半導体レーザ装置。
23. 前記放熱板は、ＡｌまたはＣｕからなる、
    請求項２２に記載の半導体レーザ装置。
24. 前記放熱板と前記ベースとは、はんだにより接合されている、
    請求項２２または請求項２３に記載の半導体レーザ装置。
25. 請求項２ないし請求項２０のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記出射方向前方を向く主面、前記出射方向後方を向く裏面、前記主面から前記裏面に貫通する基板貫通孔、および、前記主面側に形成された主面電極と前記裏面側に形成された裏面電極とを有する配線パターンを有する実装基板と、
    を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、
    前記複数のリードは、前記基板貫通孔に挿通され、前記裏面電極に導通しており、
    前記後方面は、前記実装基板の前記主面に接合され、前記主面電極に導通している、
    ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装構造。
26. 請求項２１ないし請求項２４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記出射方向前方を向く主面、前記出射方向後方を向く裏面、前記主面から前記裏面に貫通する基板貫通孔、および、前記主面側に形成された主面電極と前記裏面側に形成された裏面電極とを有する配線パターンを有する実装基板と、
    を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、
    前記複数のリードは、前記基板貫通孔に挿通され、前記裏面電極に導通しており、
    前記放熱板の前記出射方向後方の面は、前記実装基板の主面に接合され、前記主面電極に導通している、
    ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装構造。
27. 請求項２ないし請求項２０のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    内部導体、外部導体、および、前記内部導体と前記外部導体との間に介在する絶縁体を有する同軸ケーブルと、
    を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、
    前記内部導体が、前記複数のリードのうちの一方のリードの一端に接続されており、
    前記外部導体が、前記後方面に接合されている、
    ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装構造。
28. 請求項２１ないし請求項２４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    内部導体、外部導体、および、前記内部導体と前記外部導体との間に介在する絶縁体を有する同軸ケーブルと
    を備える半導体レーザ装置の実装構造であって、
    前記内部導体が、前記複数のリードのうちの一方のリードの一端に接続されており、
    前記外部導体が、前記放熱板の前記出射方向後方の面に接合されている、
    ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装構造。

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