JP7141277B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体レーザ装置に関する。

半導体レーザ素子を光源として備えた半導体レーザ装置が広く提案されている。特許文献１には、従来の半導体レーザ装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子が搭載された基板と、半導体レーザ素子を囲むケースと、ケースを塞ぐ透光カバーとを備えている。

特開２０１５－１２２３７８号公報

半導体レーザ装置は、電子機器等に搭載される場合、より小さい領域に搭載可能であることが好ましい。

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を支持する支持体と、を備え、前記半導体レーザ素子は、第１方向一方側に光を出射し、前記支持体は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向一方側に位置し、且つ前記第１方向において前記一方側に位置するほど前記第１方向と直角である第２方向において一方側に位置するように傾斜した、前記半導体レーザ素子からの光を反射する第１面を有する。

本開示の半導体レーザ装置によれば、小型化を図ることができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第４変形例を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第５変形例を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第６変形例を示す要部平面図である。 図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う要部断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第７変形例を示す要部平面図である。 図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。 図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。 本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。 図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。 本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 図２７のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２７のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。 本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。

＜第１実施形態＞
図１～図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１は、支持体１、半導体レーザ素子７およびカバー８を備えている。

図１は、半導体レーザ装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部平面図である。図３は、半導体レーザ装置Ａ１を示す底面図である。図４は、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。図６は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。これらの図において、ｘ方向は本開示の第１方向に相当し、ｙ方向は本開示の第３方向に相当し、ｚ方向は本開示の第２方向に相当する。また、図２において、第１方向一方側は、ｘ方向左方側に相当し、第１方向他方側は、ｘ方向右方側に相当する。図４において、第２方向一方側は、ｚ方向上方側に相当し、第２方向他方側は、ｚ方向下方側に相当する。以降の説明においては、それぞれをｘ方向一方側、ｘ方向他方側、ｚ方向一方側、ｚ方向他方側と称する場合がある。また、理解の便宜上、図１においては、カバー８を想像線で示しており、図２においては、カバー８を省略している。

半導体レーザ装置Ａ１の大きさは特に限定されず、その一例を挙げると、ｘ方向寸法が２．５ｍｍ～４．０ｍｍ程度、ｙ方向寸法が１．４ｍｍ～３．０ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．７ｍｍ～２．０ｍｍ程度である。図示された例においては、半導体レーザ装置Ａ１の大きさは、たとえばｘ方向寸法が２．９ｍｍ程度、ｙ方向寸法が１．６ｍｍ程度、ｚ方向寸法が１．０ｍｍ程度である。

支持体１は、半導体レーザ素子７を支持するものである。支持体１の具体的構成は特に限定されず、本実施形態においては、支持体１は、第１層２、第２層３および導電層４を有する。

第１層２は、絶縁材料からなり、図示された例においては、板状部材である。第１層２の材質は特に限定されず、たとえば、ガラスエポキシ樹脂やセラミックスからなる。第１層２は、第１層主面２１、第１層裏面２２、一対の第１層側面２３および一対の第１層端面２４を有し、ｚ方向視において矩形状である。

第１層主面２１は、ｚ方向一方側を向く面である。第１層裏面２２は、ｚ方向他方側を向く面である。一対の第１層側面２３は、第１層主面２１と第１層裏面２２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。一対の第１層端面２４は、第１層主面２１と第１層裏面２２とを繋いでおり、ｘ方向両側を向く面である。第１層主面２１には、半導体レーザ素子７が搭載されている。

第２層３は、第１層２の第２面１２に設けられている。図示された例においては、第２層３は、ｚ方向視において半導体レーザ素子７を囲む形状であるが、第２層３の形状は特に限定されない。図示された例においては、第２層３は、第２層主面３１、第２層裏面３２、一対の第２層側面３３、一対の第２層端面３４、第２層第１部３６、第２層第２部３７および一対の第２層第３部３８を有する。第２層３の材質は特に限定されず、たとえば絶縁材料からなる。絶縁材料としては、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリマー材料等が挙げられる。本例においては、第２層３は、接合層２９によって第１層２に接合されている。接合層２９は、たとえばエポキシ樹脂を含有する接着材である。

第２層主面３１は、ｚ方向一方側を向く面である。第２層裏面３２は、第２層主面３１とは反対側のｚ方向他方側を向く面である。一対の第２層側面３３は、第２層主面３１と第２層裏面３２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。一対の第２層端面３４は、第２層主面３１と第２層裏面３２とを繋いでおり、ｘ方向両側を向く面である。

第２層第１部３６は、ｘ方向一方側に位置する部位である。第２層第２部３７は、ｘ方向他方側に位置する部位である。一対の第２層第３部３８は、第２層第１部３６と第２層第２部３７とを繋いでおり、ｙ方向両側に位置している。

第２層第１部３６は、第２層第１面３６１を有する。第２層第１面３６１は、ｘ方向一方側に位置するほどｚ方向一方側に位置するように傾斜しており、ｚ方向に対して角度αをなしている。角度αは特に限定されず、たとえば３０°～６０°であり、図示された例においては、４５°程度である。第２層第１部３６が第２層第１面３６１を有することにより、支持体１は、第１面１１を有する。すなわち、第１面１１は、支持体１の一部であって、ｘ方向一方側に位置するほどｚ方向一方側に位置するように傾斜している。図４に示すように、図示された例においては、第２層第１面３６１（第１面１１）のｙ方向と直角である断面における形状は、ｘ方向およびｙ方向に対して傾いた直線状である。

また、本実施形態においては、図５に示すように、第２層第１面３６１に金属層１９が形成されている。金属層１９は、第２層第１面３６１に金属薄膜形成処理が施されることにより形成された金属からなる層である。金属層１９の材質は特に限定されず、たとえばＡｌ等の反射率が高い金属が好ましい。また、金属層１９の形成手法は特に限定されず、たとえばマスクを用いた蒸着法が選択される。このような金属層１９の厚さは、たとえば数十ｎｍ～数百ｎｍ程度である。金属層１９が形成されていることにより、本実施形態の第１面１１は、金属によって構成されたものとなっている。なお、図１および図２においては、金属層１９が形成された領域にハーフトーンのハッチングを付している。また、図５以外の断面図においては、便宜上金属層１９を省略しているが、本実施形態を含め、以降の説明で参照する断面図においては、特に言及する場合を除き、金属層１９を省略している。

図２に示すように、図示された例においては、第２層第１面３６１（第１面１１）は、ｘ方向一方側に凸である形状である。すなわち、第２層第１面３６１（第１面１１）は、ｙ方向中央に位置するほど、ｘ方向一方側に位置するように膨出した形状である。第１面１１は、第１端縁１１１および第２端縁１１２を有する。第１端縁１１１は、ｚ方向一方側に位置する端縁である。第２端縁１１２は、ｚ方向他方側に位置する端縁である。第１面１１がｘ方向一方側に凸状であることに対応して、第１端縁１１１および第２端縁１１２は、ｚ方向視においてｘ方向一方側に膨出する曲線状である。さらに、第１端縁１１１および第２端縁１１２は、中心がｚ方向視において半導体レーザ素子７と重なる円弧であることが好ましい。

第２層第２部３７は、第２層第２面３７１を有する。第２層第２面３７１は、第２層第１面３６１に対してｘ方向他方側に位置している。第２層第２面３７１は、ｚ方向となす角度が、第２層第１面３６１がｚ方向となす角度αよりも小さい。図示された例においては、第２層第２面３７１は、ｚ方向と平行である。第２層第２面３７１には、金属層１９は形成されていない。

一対の第２層第３部３８は、第２層第３面３８１を有する。一対の第２層第３面３８１は、ｙ方向内側を向いており、互いに対向している。図示された例においては、第２層第３面３８１は、ｚ方向に対して平行である。第２層第３面３８１には、金属層１９は形成されていない。ただし、蒸着法等の手法によって第２層第１面３６１に金属層１９を形成する際に、第２層第３面３８１の一部に金属層１９が形成される場合がありうる。

導電層４は、第１層２に形成されており、半導体レーザ素子７に電力を供給する導通経路を構成するためのものである。導電層４は、導電性が良好な金属からなることが好ましく、たとえばＣｕ等からなる。また、導電層４は、たとえば、Ｎｉ，Ｐｄ，ＡＵ等からなる単層または複層のめっき層を含んでいてもよい。

図示された例においては、導電層４は、主面部４１、裏面部４２および貫通部４３を有する。

主面部４１は、第１層２の第１層主面２１に形成されている。主面部４１は、主面第１部４１１および主面第２部４１２を有する。主面第１部４１１は、半導体レーザ素子７が搭載される部位であり、図示された例においては、ｚ方向視において矩形状である。主面第２部４１２は、主面第１部４１１に対してｘ方向他方側に離間しており、図示された例においては、ｚ方向視において矩形状である。

裏面部４２は、第１層２の第１層裏面２２に形成されている。裏面部４２は、裏面第１部４２１および裏面第２部４２２を有する。主面第２部４１２は、主面第１部４１１と導通する部分であり、図示された例においては、ｚ方向視において矩形状である。また、主面第２部４１２は、ｚ方向視において主面第１部４１１と重なる。図２および図３に示すように、裏面第１部４２１は、主面第１部４１１に対してｘ方向一方側に延出している。一方、主面第１部４１１は、主面第２部４１２に対してｘ方向他方側に延出している。

裏面第２部４２２は、主面第２部４１２と導通する部分であり、裏面第１部４２１に対してｘ方向他方側に離間している。図示された例においては、裏面第２部４２２は、ｚ方向視において矩形状である。図示された例においては、裏面第２部４２２は、ｚ方向視において主面第２部４１２と重なる。図２および図３に示すように、本例においては、ｚ方向視において主面第２部４１２のすべてが裏面第２部４２２と重なっており、主面第２部４１２は、裏面第２部４２２に内包されている。

支持体１は、実装端子１５を有する。実装端子１５は、半導体レーザ装置Ａ１を回路基板等に実装する際に用いられる部位であり、ｚ方向他方側に露出している。本実施形態においては、実装端子１５は、第１実装端子１５１および第２実装端子１５２を含む。図示された例においては、第１実装端子１５１は、裏面第１部４２１によって構成されており、第２実装端子１５２は、裏面第２部４２２によって構成されている。

貫通部４３は、第１層２を貫通しており、主面部４１と裏面部４２とを導通させる部分である。図示された例においては、貫通部４３は、第１貫通部４３１および第２貫通部４３２を有する。第１貫通部４３１は、ｚ方向視において主面第１部４１１および裏面第１部４２１と重なっており、主面第１部４１１と裏面第１部４２１とを導通させている。第２貫通部４３２は、ｚ方向視において主面第２部４１２および裏面第２部４２２と重なっており、主面第２部４１２と裏面第２部４２２とを導通させている。

半導体レーザ素子７は、半導体レーザ装置Ａ１の光源であり、支持体１に指示されている。半導体レーザ素子７は、第１層２の第１層主面２１に搭載されており、図示された例においては、導電層４の主面第１部４１１に接合されている。本例の半導体レーザ素子７は、素子本体７０およびサブマウント基板７６を有する。

素子本体７０は、複数の半導体からなる層によって構成されており、ｘ方向を長手方向とする長矩形状である。素子本体７０は、主発光部７１１および主発光部７１２を有する。主発光部７１１および主発光部７１２は、活性層から発せられた光がｘ方向に複数回反射した後に出射される部位である。主発光部７１１は、発光装置としての半導体レーザ装置Ａ１が発するべき波長および光度の光Ｌ１を発する部位であり、ｘ方向一方側に光Ｌ１を発する。主発光部７１２は、素子本体７０における複数回の反射の結果、光Ｌ１よりも顕著に弱い光が出射され得る部位である。主発光部７１２は、主発光部７１１とはｘ方向において反対側に位置しており、ｘ方向他方側に微弱な光を発しうる。

サブマウント基板７６は、素子本体７０を支持しており、主面第１部４１１に接合されている。サブマウント基板７６は、たとえばＡｌ₂Ｏ₃やＡｌＮ等のセラミックスからなるものが代用例として挙げられる。また、本例においては、サブマウント基板７６には、素子本体７０の裏面電極と主面第１部４１１とを導通させる導通経路が形成されている。サブマウント基板７６のサブマウント基板主面７６１には、たとえば基板第１電極７７１が形成されている。

サブマウント基板７６は、サブマウント基板主面７６１、サブマウント基板裏面７６２、一対のサブマウント基板側面７６３および一対のサブマウント基板端面７６４を有する。サブマウント基板主面７６１は、ｚ方向一方側を向く面であり、素子本体７０が搭載されている。サブマウント基板裏面７６２は、サブマウント基板主面７６１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、主面第１部４１１に接合されている。一対のサブマウント基板側面７６３は、サブマウント基板主面７６１とサブマウント基板裏面７６２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。一対のサブマウント基板端面７６４は、サブマウント基板主面７６１とサブマウント基板裏面７６２とを繋いでおり、ｘ方向両側を向く面である。

半導体レーザ素子７には、ワイヤ７９１が接続されている。ワイヤ７９１は、たとえばＡｕ等の金属からなる細線部材である。図示された例においては、ワイヤ７９１の一端は、素子本体７０の上面電極に接合され、他端は主面第２部４１２に接合されている。

本例においては、図６に示すように、主発光部７１は、素子本体７０のｚ方向における中心を通る中心線Ｏ１よりも距離Ｚ１だけｚ方向他方側に位置している。また、素子本体７０のｘ方向一歩方側端面である端面７０４は、サブマウント基板７６のサブマウント基板端面７６４よりも距離Ｘ１だけｘ方向一方側に位置している。すなわち、素子本体７０の主発光部７１１は、サブマウント基板７６のサブマウント基板端面７６４よりもｘ方向一方側に突出している。

カバー８は、ｚ方向一方側から第１面１１および半導体レーザ素子７を覆っている。図示された例においては、カバー８は、第２層３の第２層主面３１に接合層８９によって接合されている。接合層８９は、たとえばエポキシ樹脂を含む接着材である。本例においては、カバー８は、ｚ方向視において第２層３の第２層第１部３６、第２層第２部３７および一対の第２層第３部３８と重なっており、枠状とされた第２層３の内部空間を塞いでいる。なお、カバー８は、所定の隙間を有して第２層３の内部空間を塞いでいてもよい。この隙間は、半導体レーザ素子７の発光に伴う発熱に起因して内部空間の気体の流入出を許容するためのものである。

カバー８は、半導体レーザ素子７からの光を透過させる材質からなり、その具体的材質は特に限定されない。図示された例においては、カバー８は、透明なガラスからなるが、ガラスに代えてアクリル樹脂等の樹脂材料を用いてもよい。

カバー８は、カバー主面８１およびカバー裏面８２を有する。カバー主面８１は、ｚ方向一方側を向く平面である。カバー裏面８２は、ｚ方向他方側を向く平面である。カバー８の具体的形状は特に限定されず、図示された例においては、平板状である。カバー裏面８２は、接合層８９によって第２層３の第２層主面３１に接合されている。

次に、半導体レーザ装置Ａ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、半導体レーザ素子７からｘ方向一方側へ発せられた光Ｌ１は、第１面１１（第２層第１面３６１）によって反射され、ｚ方向一方側へと進行する。このため、光Ｌ１の出射方向であるｚ方向における半導体レーザ素子７の寸法を縮小することが可能である。したがって、半導体レーザ装置Ａ１の小型化を図ることができる。

第１面１１（第２層第１面３６１）がｚ方向視においてｘ方向一方側に凸である形状であることにより、長手方向がｘ方向に対して傾いた状態で半導体レーザ素子７が支持体１に搭載されても、半導体レーザ素子７からの光Ｌ１を第１面１１（第２層第１面３６１）によって適切に反射することが可能である。これは、半導体レーザ装置Ａ１の輝度低下を抑制するのに好ましい。図示された例においては、第１端縁１１１および第２端縁１１２は、ｚ方向視においてｘ方向一方側に膨出する曲線状である。さらに、第１端縁１１１および第２端縁１１２は、中心がｚ方向視において半導体レーザ素子７と重なる円弧である。このような構成は、半導体レーザ素子７からの光Ｌ１をより効率よくｚ方向一方側へと反射するのに好ましい。

第１面１１には、金属層１９が形成されている。金属層１９は、たとえば蒸着法によって形成されるごく薄い層であり、半導体レーザ装置Ａ１の小型化に好ましい。また、Ａｌ等の金属からなる金属層１９は、光Ｌ１をより効率よく反射するのに適しており、半導体レーザ装置Ａ１の高輝度化に好ましい。

半導体レーザ装置Ａ１は、ｚ方向他方側に位置する実装端子１５を有する。これにより、ｚ方向他方側に位置する回路基板等に半導体レーザ装置Ａ１をいわゆる面実装することが可能である。

第２面１２（第２層第２面３７１）は、ｚ方向に沿った面である。これにより、半導体レーザ素子７からｘ方向他方側に出射されうる微弱な光が、ｚ方向一方側へと意図せず反射されることを抑制することができる。

支持体１は、第１層２および第２層３が積層された構成である。第２層３の第２層第１面３６１に金属層１９を形成した後に、第１層２と第２層３とを接合すれば、金属層１９を形成する際に第２層３等に金属層が意図せず形成されてしまうことを回避することが可能である。

図６に示すように、素子本体７０の端面７０４は、サブマウント基板７６のサブマウント基板端面７６４よりも距離Ｘ１だけｘ方向一方側に突出している。このため、主発光部７１が素子本体７０の中心線Ｏ１よりも距離Ｚ１だけｚ方向他方側に位置する構成であっても、主発光部７１からの光Ｌ１がサブマウント基板７６に干渉することを抑制することができる。

ワイヤ７９１は、半導体レーザ素子７からｘ方向他方側に延びている。これにより、半導体レーザ素子７の主発光部７１からｘ方向一方側に進行する光Ｌ１がワイヤ７９１と干渉することを回避することができる。

図７～図３０は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、本開示の複数の実施形態および複数の変形例のそれぞれにおける各部の構成は、互いに様々に組み合わせることが可能である。

＜第１実施形態 第１変形例＞
図７は、半導体レーザ装置Ａ１の第１変形例を示す要部断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１１は、第２層第１面３６１（第１面１１）の形状が、半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本変形例においては、第２層第１面３６１（第１面１１）のｙ方向と直角である断面における形状は、曲線状である。図示されたように、第２層第１面３６１（第１面１１）は、ｙ方向と直角である断面において第１端縁１１１と第２端縁１１２とを繋いだ線分Ｌ１１に対してｘ方向一方側であってｚ方向他方側に膨出した曲線状である。第２層第１面３６１（第１面１１）のｚ方向視形状は、たとえば半導体レーザ装置Ａ１と同様である。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１１の小型化を図ることができる。また、第１面１１（第２層第１面３６１）が、ｙ方向と直角である断面においてｘ方向一方側であってｚ方向他方側に膨出した曲線状であることにより、第１面１１（第２層第１面３６１）は、いわゆる凹面鏡としての機能を果たす。これにより、第１面１１（第２層第１面３６１）によって反射された光Ｌ１の指向性を高めることができる。

＜第１実施形態 第２変形例＞
図８は、半導体レーザ装置Ａ１の第２変形例を示す要部断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１２は、第２層第２面３７１（第２面１２）の構成が、半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本変形例においては、第２層第２面３７１（第２面１２）は、ｚ方向と角度βだけ傾いている。第２層第１面３６１（第１面１１）がｚ方向となす角度αは、第２層第２面３７１（第２面１２）がｚ方向となす角度βよりも大きい。角度βは、たとえば０．５°～１０°であり、図示された例においては、５°程度である。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１２の小型化を図ることができる。また、第２面１２（第２層第２面３７１）がｚ方向に対して角度βだけ傾いていることにより、副発光部７２からの光Ｌ２が、素子本体７０に再入射してしまうことを抑制することができる。また、角度βが角度αよりも小さいことにより、第２面１２によって反射された光Ｌ２が、ｚ方向一方側へと意図せず出射されることを抑制することができる。また、角度βが角度αよりも小さいことにより、半導体レーザ装置Ａ１２のｘ方向寸法を縮小することができる。

＜第１実施形態 第３変形例＞
図９は、半導体レーザ装置Ａ１の第３変形例を示す要部平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１３は、第２層第１面３６１（第１面１１）の構成が半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本変形例においては、第２層第１面３６１（第１面１１）は、ｚ方向視においてｙ方向と平行な形状である。すなわち、第１端縁１１１および第２端縁１１２は、いずれもｙ方向に対して平行である。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１３の小型化を図ることができる。第２層第１面３６１（第１面１１）のｙ方向と直角である断面における形状は特に限定されず、たとえば、図４に示す形状であってもよいし、図７に示す形状であってもよい。また、図７に示す半導体レーザ装置Ａ１１の第２層第１面３６１（第１面１１）のｚ方向視における形状は特に限定されず、たとえば図２に示す形状であってもよいし、図９に示す形状であってもよい。これらから理解されるように、第２層第１面３６１（第１面１１）の形状は、本開示の種々の構成を様々に組み合わせて採用することができる。

＜第１実施形態 第４変形例＞
図１０は、半導体レーザ装置Ａ１の第４変形例を示している。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１４は、半導体レーザ素子７の素子本体７０の配置が半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本変形例においては、素子本体７０のｚ方向視における中心を通り且つ素子本体７０の長手方向に延びる中心線Ｏ２が、ｘ方向に対して角度γだけ傾いている。角度γは、たとえば０．０５°～２．０°程度である。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１４の小型化を図ることができる。また、中心線Ｏ２がｘ方向に対して角度γだけ傾いていることにより、第２面１２によって反射された光Ｌ２が、素子本体７０に再入射することを、より確実に抑制することができる。一方、第１面１１がｚ方向においてｘ方向一方側に凸状であることにより、中心線Ｏ２が角度γだけ傾いていても、主発光部７１からの光Ｌ１をｚ方向一方側へと適切に反射することができる。

＜第１実施形態 第５変形例＞
図１１は、半導体レーザ装置Ａ１の第５変形例を示す要部平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１５は、貫通部４３の構成が半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本変形例においては、第１貫通部４３１の個数が、第２貫通部４３２の個数よりも多い。図示された例においては、貫通部４３は、複数の第１貫通部４３１と１つの第２貫通部４３２とを含んでいる。複数の第１貫通部４３１は、ｚ方向視において主面第１部４１１および裏面第１部４２１と重なる領域においてマトリクス状に配置されている。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１５の小型化を図ることができる。また、複数の第１貫通部４３１を備えることにより、半導体レーザ素子７の発光時に生じる熱を、複数の第１貫通部４３１を介して裏面第１部４２１へとより効率よく伝達することができる。なお、複数の第１貫通部４３１の配置は、マトリクス状に限定されず、たとえば、ｘ方向またはｙ方向に沿って１列に配置されたものであってもよい。

＜第１実施形態 第６変形例＞
図１２は、半導体レーザ装置Ａ１の第６変形例を示す要部平面図であり、図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う要部断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１６は、カバー８の構成が、上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本変形例のカバー８は、レンズ部８６を有している。レンズ部８６は、ｚ方向視において第１面１１と重なっており、カバー主面８１からｚ方向一方側に膨出している。本例においては、レンズ部８６は、レンズ部第１端縁８６１、レンズ部第２端縁８６２および一対のレンズ部第３端縁８６３を有する。レンズ部第１端縁８６１およびレンズ部第２端縁８６２は、ｘ方向一方側に膨出する曲線状である。本例においては、レンズ部第１端縁８６１は、第１端縁１１１に対してｘ方向他方側に位置している。また、レンズ部第１端縁８６１は、第１端縁１１１と略平行である。レンズ部第２端縁８６２は、第２端縁１１２に対してｘ方向一方側に位置しており、第２端縁１１２と略平行である。一対のレンズ部第３端縁８６３は、レンズ部第１端縁８６１およびレンズ部第２端縁８６２を繋いでおり、略半円形状である。一対のレンズ部第３端縁８６３は、ｚ方向視において第２層３の一対の第２層第３部３８と重なっている。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１６の小型化を図ることができる。また、カバー８がレンズ部８６を有することにより、図１３に示すように、光Ｌ１の指向性をより高めることができる。また、図１２に示すように、レンズ部８６が、第１面１１に対応してｘ方向一方側に凸状であることにより、第１面１１によって反射された光Ｌ１の指向性を、より確実に高めることができる。

＜第１実施形態 第７変形例＞
図１４は、半導体レーザ装置Ａ１の第７変形例を示す要部平面図であり、図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う要部断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１７は、導電層４の構成が、上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。

本実施形態においては、主面第１部４１１は、搭載部４１１１、環状部４１１２および連結部４１１３を有する。搭載部４１１１は、半導体レーザ素子７が搭載された部分であり、第２層３によって囲まれた領域に配置されている。環状部４１１２は、第１層主面２１のｘ方向一方側端に設けられており、ｚ方向視において半円環形状である。連結部４１１３は、搭載部４１１１と環状部４１１２とを連結しており、ｘ方向に延びる帯状である。

主面第２部４１２は、ボンディング部４１２１および環状部４１２２を有する。ボンディング部４１２１は、ワイヤ７９１が接合された部分であり、第２層３によって囲まれた領域に配置されている。環状部４１２２は、第１層主面２１のｘ方向他方側端に設けられており、ｚ方向視において半円環形状である。ボンディング部４１２１と環状部４１２２とは、互いに繋がっている。

本実施形態においては、第１貫通部４３１は、主面第１部４１１の環状部４１１２と裏面第１部４２１とを繋いでいる。第２貫通部４３２は、主面第２部４１２の環状部４１２２と裏面第２部４２２とを繋いでいる。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１７の小型化を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、実装端子１５の第１実装端子１５１および第２実装端子１５２と半導体レーザ素子７とを導通させるための導電層４等の構成は特に限定されない。

＜第２実施形態＞
図１６～図１８は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図１６は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ２を示す要部平面図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

本実施形態においては、サブマウント基板７６に基板第１電極７７１および一対の基板第２電極７７２が形成されている。基板第１電極７７１および一対の基板第２電極７７２は、いずれもサブマウント基板７６のサブマウント基板主面７６１に形成されている。基板第１電極７７１および一対の基板第２電極７７２は、たとえば金属めっき層からなり、その材質としてＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｕ等が適宜採用される。

基板第１電極７７１は、素子本体７０が搭載される部位である。基板第１電極７７１には、たとえば素子本体７０の裏面電極が導通接合されている。図示された例においては、基板第１電極７７１は、第１電極第１部７７１１、一対の第１電極第２部７７１２および一対の第１電極第３部７７１３を有する。第１電極第１部７７１１は、ｘ方向に長く延びる部位であり、素子本体７０が接合されている。一対の第１電極第２部７７１２は、第１電極第１部７７１１のｘ方向他方側部分に対してｙ方向両側に繋がっている。一対の第１電極第２部７７１２は、ｚ方向視において矩形状である。一対の第１電極第３部７７１３は、一対の第１電極第２部７７１２に対してｘ方向一方側に個別に繋がっている。一対の第１電極第３部７７１３は、第１電極第１部７７１１に対してｙ方向にそれぞれ離間している。第１電極第３部７７１３は、矩形状である。

一対の基板第２電極７７２は、第１電極第１部７７１１に対してｙ方向両側に離間して配置されている。基板第２電極７７２のｙ方向寸法は、第１電極第３部７７１３のｙ方向寸法よりも大きい。一対の第１電極第３部７７１３のｙ方向外端縁と一対の基板第２電極７７２のｙ方向外端縁とは、互いの延長線が一致する。

本例の主面第１部４１１は、搭載部４１１１、ボンディング部４１１４および連結部４１１３を有する。搭載部４１１１は、ｚ方向視において矩形状であり、半導体レーザ素子７（サブマウント基板７６）が接合されている。ボンディング部４１１４は、搭載部４１１１に対してｘ方向他方側に位置している。ボンディング部４１１４は、搭載部４１１１よりも小さい部分であり、ｚ方向視において矩形状である。連結部４１１３は、搭載部４１１１とボンディング部４１１４とを繋いでいる。連結部４１１３のｙ方向寸法は、搭載部４１１１およびボンディング部４１１４のｙ方向寸法よりも小さい。主面第２部４１２は、主面第１部４１１のボンディング部４１１４に対してｙ方向に離間して配置されている。図示された例においては、主面第２部４１２とボンディング部４１１４とは、ｚ方向視における形状および大きさが概ね同じである。

素子本体７０には、ワイヤ７９１の一端が接合されている。ワイヤ７９１の他端は、一方の基板第２電極７７２に接合されている。また、半導体レーザ装置Ａ２は、ワイヤ７９２およびワイヤ７９３を有する。ワイヤ７９３の一端は、ワイヤ７９１が接合された基板第２電極７７２に接合されている。ワイヤ７９３の他端は、主面第２部４１２に接合されている。ワイヤ７９２の一端は、一方の第１電極第２部７７１２に接合されている。この第１電極第２部７７１２は、ワイヤ７９１およびワイヤ７９３が接合された基板第２電極７７２に対して、ｙ方向において反対側に位置している。ワイヤ７９２の他端は、主面第１部４１１のボンディング部４１１４に接合されている。

本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ２の小型化を図ることができる。また、一対の第１電極第２部７７１２および一対の第１電極第３部７７１３と一対の基板第２電極７７２とを備えることにより、ワイヤ７９１、ワイヤ７９２およびワイヤ７９３のｚ方向視における配置を、図１６に示す配置の他に、ｘ方向の延びる対称軸についての線対称配置とすることが可能である。すなわち、図示された例とは異なり、ワイヤ７９１の他端をｙ方向図中下方に位置する基板第２電極７７２に接合する。この基板第２電極７７２にワイヤ７９３の一端を接合する。ワイヤ７９３の他端は、ボンディング部４１１４に接合する。一方、ワイヤ７９２は、一端がｙ方向図中上側に位置する第１電極第２部７７１２に接合され、他端が主面第２部４１２に接合される。

＜第３実施形態＞
図１９～図２１は、本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図１９は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ３を示す要部平面図である。図２０は、半導体レーザ装置Ａ３を示す底面図である。図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。

本実施形態においては、半導体レーザ素子７は、上述したサブマウント基板７６を備えていない。たとえば、素子本体７０の裏面電極が、主面部４１の主面第１部４１１に導通接合されている。本実施形態においては、素子本体７０が発熱した際の素子本体７０と第１層２との熱膨張差を縮小する観点から、第１層２は、セラミックスからなることが好ましい。

本実施形態の半導体レーザ装置Ａ３は、ｘ方向寸法が２．０ｍｍ程度、ｙ方向寸法が１．０ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．８ｍｍ程度である。

本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ３の小型化を図ることができる。また、半導体レーザ素子７がサブマウント基板７６を有さない構成であることにより、半導体レーザ素子７がｙ方向およびｚ方向に占める領域を縮小することが可能である。これは、半導体レーザ装置Ａ３の小型化に好ましい。第１層２がセラミックスからなるものであることは、半導体レーザ素子７の発光時における半導体レーザ素子７と第１層２との熱膨張差を縮小するのに好ましく、半導体レーザ装置Ａ３の高輝度化に有利である。

＜第４実施形態＞
図２２および図２３は、本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図２２は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ４を示す要部平面図である。図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。

本実施形態においては、半導体レーザ素子７は、支持体１の第１層２に対して、いわゆるフリップチップボンディングの形態で搭載されている。本実施形態においては、主面第１部４１１および主面第２部４１２は、互いに同じ程度の大きさであり、ｚ方向視において半導体レーザ素子７に内包されている。

図２３に示すように、本実施形態においては、素子本体７０の主発光部７１は、半導体レーザ素子７の中心線Ｏ１よりもｚ方向一方側に位置している。

本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ４の小型化を図ることができる。また、ワイヤ７９１等を備えないことにより、半導体レーザ装置Ａ４のｚ方向寸法をより縮小することが可能である。

＜第５実施形態＞
図２４～図２６は、本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図２４は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ５を示す要部平面図である。図２５は、半導体レーザ装置Ａ５を示す底面図である。図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。

本実施形態においては、支持体１は、第１層２、第２層３およびリード５を有する。

リード５は、たとえばＣｕやＦｅ等の金属からなる部材である。図示された例においては、リード５は、第１リード５１および第２リード５２を含む。第１リード５１は、半導体レーザ素子７が搭載されたものであり、図示された例においては、第１リード主面５１１、第１リード裏面５１２、一対の第１リード側面５１３、一対の第１リード端面５１４、第１延出部５１５および第２延出部５１６を有する。

第１リード主面５１１は、ｚ方向一方側を向く面であり、半導体レーザ素子７が搭載されている。第１リード裏面５１２は、第１リード主面５１１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、ｚ方向他方側に露出している。一対の第１リード側面５１３は、第１リード主面５１１と第１リード裏面５１２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。一対の第１リード端面５１４は、第１リード主面５１１に繋がっており、ｘ方向両側を向く面である。一対の第１リード端面５１４は、第１リード裏面５１２からｚ方向一方側に離間している。第１延出部５１５は、ｚ方向視において第１リード裏面５１２からｘ方向他方側に延出した部分である。第１延出部５１５は、ｚ方向において第１リード裏面５１２よりもｚ方向一方側に位置している。第２延出部５１６は、ｚ方向視において第１リード裏面５１２からｘ方向一方側に延出した部分である。第２延出部５１６は、ｚ方向において第１リード裏面５１２よりもｚ方向一方側に位置している。第２延出部５１６は、支持体１のｘ方向一方側端に到達している。

第２リード５２は、第１リード５１に対してｘ方向他方側に離間している。第２リード５２は、第２リード主面５２１、第２リード裏面５２２、一対の第２リード側面５２３、一対の第２リード外端面５２４、第３延出部５２５および第４延出部５２６を有する。

第２リード主面５２１は、ｚ方向一方側を向く面である。第２リード裏面５２２は、第２リード主面５２１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、ｚ方向他方側に露出している。一対の第２リード側面５２３は、第２リード主面５２１と第２リード裏面５２２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。一対の第２リード外端面５２４は、第２リード主面５２１に繋がっており、ｘ方向両側を向く面である。一対の第２リード外端面５２４は、第２リード裏面５２２からｚ方向一方側に離間している。第３延出部５２５は、ｚ方向視において第２リード裏面５２２からｘ方向他方側である第１リード５１側に延出した部分である。第３延出部５２５は、ｚ方向において第２リード裏面５２２よりもｚ方向一方側に位置している。第４延出部５２６は、ｚ方向視において第２リード裏面５２２からｘ方向一方側に延出した部分である。第４延出部５２６は、ｚ方向において第２リード裏面５２２よりもｚ方向一方側に位置している。第４延出部５２６は、支持体１のｘ方向他方側端に到達している。

第１層２は、リード５の第１リード５１および第２リード５２を連結しており、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁材料からなる。第１層２は、第１層主面２１、第１層裏面２２、一対の第１層側面２３および一対の第１層端面２４を有する。本実施形態においては、第１層裏面２２から第１リード５１の第１リード裏面５１２と第２リード５２の第２リード裏面５２２とが露出している。また、ｘ方向一方側に位置する第１層端面２４は、第１リード端面５１４に対してｚ方向他方側に隣接しており、ｘ方向他方側に位置する第１層端面２４は、第２リード外端面５２４に対してｚ方向他方側に隣接いる。第１層２は、第１延出部５１５、第２延出部５１６、第３延出部５２５および第４延出部５２６をｚ方向他方側から覆っている。第２層３は、第１層２の第１層主面２１、第１リード５１の第１リード主面５１１および第２リード５２の第２リード主面５２１に接合層２９によって接合されている。

ワイヤ７９１は、一端が素子本体７０に接合されており、他端が第２リード５２の第２リード主面５２１に接合されている。本実施形態においては、第１リード５１の第１リード裏面５１２が第１実装端子１５１を構成しており、第２リード５２の第２リード裏面５２２が第２実装端子１５２を構成している。

本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ５の小型化を図ることができる。また、金属からなる第１リード５１に半導体レーザ素子７が搭載されていることにより、半導体レーザ素子７の発光時に生じる熱をより効率よく第１実装端子１５１側へと伝達することができる。樹脂等からなる第２層３をリード５に接合する構成であることにより、第１面１１や第２面１２を構成する部分である第２層３を所望の形状に仕上げるのに適している。第１リード５１が第１延出部５１５および第２延出部５１６を有することは、第１リード５１が第１層２から意図せず外れてしまうことを防止するのに好ましい。また、第２リード５２が第３延出部５２５および第４延出部５２６を有することは、第２リード５２が第１層２から意図せず外れてしまうことを防止するのに好ましい。

＜第６実施形態＞
図２７～図２９は、本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図２７は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ６を示す要部平面図である。図２８は、図２７のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図２９は、図２７のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。

本実施形態においては、支持体１は、リード５および第３層６からなる。

リード５は、半導体レーザ装置Ａ５のリード５と同様の材質からなり、第１リード５１および第２リード５２を有する。第１リード５１は、第１リード主面５１１、第１リード裏面５１２、一対の第１リード側面５１３、第１リード端面５１４、第１リード傾斜面５１７および第３延出部５１８を有する。

第１リード主面５１１は、ｚ方向一方側を向く面であり、ｚ方向一方側に露出している。第１リード裏面５１２は、ｚ方向他方側を向く面であり、ｚ方向他方側に露出している。一対の第１リード側面５１３は、第１リード主面５１１と第１リード裏面５１２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。第１リード端面５１４は、第１リード主面５１１と第１リード裏面５１２とを繋いでおり、ｘ方向一方側を向く面である。第１リード傾斜面５１７は、ｘ方向一方側に位置するほどｚ方向一方側に位置するように傾斜しており、ｚ方向に対して角度αをなしている。角度αは特に限定されず、たとえば３０°～６０°であり、図示された例においては、４５°程度である。本実施形態においては、第１リード５１が第１リード傾斜面５１７を有することにより、支持体１は、第１面１１を有する。第１リード傾斜面５１７は、第１リード５１の母材によって構成された面であってもよいし、金属層１９と類似の表面層を有するものであってもよい。また、第１リード裏面５１２は、本実施形態において第１実装端子１５１を構成している。

第３延出部５１８は、ｚ方向視において第２端縁１１２からｘ方向他方側に延出している。第３延出部５１８は、ｙ方向において片側に偏って設けられており、図示された例においては、第１リード側面５１３の一部を有している。

第２リード５２は、第１リード５１に対してｘ方向他方側に離間して配置されている。第２リード５２は、第２リード主面５２１、第２リード裏面５２２、一対の第２リード側面５２３、第２リード外端面５２４、第２リード中間面５２７、第２リード第１内端面５２８および第２リード第２内端面５２９を有する。

第２リード主面５２１は、ｚ方向一方側を向く面であり、ｚ方向一方側に露出している。第２リード裏面５２２は、ｚ方向他方側を向く面であり、ｚ方向他方側に露出している。一対の第２リード側面５２３は、第２リード主面５２１と第２リード裏面５２２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。第２リード外端面５２４は、第２リード主面５２１と第２リード裏面５２２とを繋いでおり、ｘ方向他方側を向く面である。第２リード中間面５２７は、ｚ方向一方側を向いており、ｚ方向において第２リード主面５２１と第２リード裏面５２２との間に位置している。第２リード第１内端面５２８は、第２リード主面５２１と第２リード中間面５２７とを繋いでおり、ｚ方向に沿った面である。第２リード第２内端面５２９は、第２リード中間面５２７と第２リード裏面５２２とを繋いでおり、ｚ方向に沿った面である。第２リード裏面５２２は、本実施形態において第２実装端子１５２を構成している。

半導体レーザ装置Ａ６は、ワイヤ７９１およびワイヤ７９２を有する。ワイヤ７９１は、一端が半導体レーザ素子７に接合されており、他端が第２リード５２の第２リード中間面５２７に接合されている。ワイヤ７９２は、一端が半導体レーザ素子７に接合されており、他端が第１リード５１の第３延出部５１８に接合されている。

第３層６は、リード５の第１リード５１および第２リード５２を繋いでおり、半導体レーザ素子７、ワイヤ７９１およびワイヤ７９２を覆っている。第３層６は、半導体レーザ素子７からの光を透過させる材質からなり、たとえば透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなる。第３層６は、第３層主面６１、第３層裏面６２および一対の第３層側面６３を有する。

第３層主面６１は、ｚ方向一方側を向く面である。第３層裏面６２は、ｚ方向他方側を向く面である。一対の第３層側面６３は、第３層主面６１と第３層裏面６２とを繋いでおり、ｙ方向両側を向く面である。図示された例においては、第３層主面６１は、第１リード主面５１１および第２リード主面５２１と面一である。第３層裏面６２は、第１リード裏面５１２および第２リード裏面５２２と面一である。一対の第３層側面６３は、一対の第１リード側面５１３および一対の第２リード側面５２３と面一である。また、本実施形態においては、半導体レーザ素子７は、第３層６（支持体１）からｚ方向他方側に露出している。

本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ６の小型化を図ることができる。また、本実施形態においては、半導体レーザ素子７が支持体１（第３層６）からｚ方向他方側に露出している。これにより、半導体レーザ装置Ａ６のｚ方向寸法をより縮小することができる。

本実施形態においては、第１面１１が、第１リード５１の第１リード傾斜面５１７によって構成されている。第１リード５１は、金属からなるため、第１面１１の反射率を高めるための金属層を設けなくとも、金属からなる第１面１１を実現することができる。

＜第６実施形態 第１変形例＞
図３０は、半導体レーザ装置Ａ６の第１変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ６１は、第３層６がレンズ部６６を有している。レンズ部６６は、ｚ方向視において第１面１１（第１リード傾斜面５１７）と重なっており、第３層主面６１からｚ方向一方側に膨出している。レンズ部６６の形状は特に限定されず、たとえば、上述した半導体レーザ装置Ａ１６のレンズ部８６と同様の形状であってもよい。

本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ６１の小型化を図ることができる。また、第３層６にレンズ部６６が形成されていることにより、光Ｌ１の指向性を高めることができる。

本開示に係る半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子を支持する支持体と、を備え、
前記半導体レーザ素子は、第１方向一方側に光を出射し、
前記支持体は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向一方側に位置し、且つ前記第１方向において前記一方側に位置するほど前記第１方向と直角である第２方向において一方側に位置するように傾斜した、前記半導体レーザ素子からの光を反射する第１面を有する、半導体レーザ装置。
〔付記２〕
前記第１面は、前記第２方向視において前記第１方向一方側に凸である形状である、付記１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記３〕
前記支持体は、前記第２方向他方側に露出する実装端子を有する、付記１または２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記４〕
前記支持体は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向他方側に位置し、且つ前記第２方向となす角度が、前記第１面が前記第２方向となす角度よりも小さい第２面を有する、付記３に記載の半導体レーザ装置。
〔付記５〕
前記第２面は、平面である、付記４に記載の半導体レーザ装置。
〔付記６〕
前記支持体は、前記第２方向一方側を向き且つ前記半導体レーザ素子が搭載された第１層主面および前記第１層主面とは反対側を向く第１層裏面を有する絶縁材料からなる第１層と、前記第１層主面に設けられ且つ前記第１面を有する第２層と、前記半導体レーザ素子に導通し且つ前記実装端子を構成する導電層と、を有する、付記４または５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記７〕
前記第２層は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向一方側に位置し且つ前記第１面としての第２層第１面を有する第２層第１部、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向他方側に位置し且つ前記第２面としての第２層第２面を有する第２層第２部、および前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記半導体レーザ素子を挟む一対の第２層第３部を有する、付記６に記載の半導体レーザ装置。
〔付記８〕
前記第２層第３部は、前記第３方向において前記半導体レーザ素子に対向し且つ前記第２方向に沿う第２層第３面を有する、付記７に記載の半導体レーザ装置。
〔付記９〕
前記導電層は、前記第１層主面に形成された主面部、前記第１層裏面に形成された裏面部、および前記第１層を貫通し且つ前記主面部と前記裏面部とを導通させる貫通部と、を含む、付記６ないし８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１０〕
前記主面部は、前記半導体レーザ素子が搭載された主面第１部と、前記主面第１部から離間した主面第２部と、を有し、
前記半導体レーザ素子と前記主面第２部とを接続するワイヤを備える、付記９に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１１〕
前記ワイヤは、前記半導体レーザ素子から前記第１方向他方側に延びている、付記１０に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１２〕
前記半導体レーザ素子は、前記主面第１部に接合されたサブマウント基板および前記サブマウント基板に搭載された素子本体を有する、付記１０ないし１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１３〕
前記半導体レーザ素子は、前記主面第１部に接合された素子本体を有する、付記１０ないし１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１４〕
前記支持体は、前記半導体レーザ素子が搭載された第１リードおよび前記第１リードから離間した第２リードを含むリードと、前記第１リードおよび前記第２リードを連結する絶縁材料からなる第１層、および前記リードおよび前記第１層に対して前記第２方向一方側に設けられ且つ前記第１面を有する第２層と、を有する、付記４または５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１５〕
前記半導体レーザ素子は、前記第１リードに接合された素子本体を有する、付記１４に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１６〕
前記第２方向一方側から前記半導体レーザ素子および前記第１面を覆い、且つ前記第１面によって反射された前記半導体レーザ素子からの光を透過させるカバーを備える、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１７〕
前記カバーは、前記第２方向視において前記第１面と重なるレンズ部を有する、付記１６に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１８〕
前記第１面は、金属によって構成されている、付記１ないし１７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１９〕
前記支持体は、前記第１面を構成する金属層を有する、付記１８に記載の半導体レーザ装置。

Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ１５，Ａ１６，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６，Ａ６１：半導体レーザ装置
１ ：支持体
２ ：第１層
３ ：第２層
４ ：導電層
５ ：リード
６ ：第３層
７ ：半導体レーザ素子
８ ：カバー
１１ ：第１面
１２ ：第２面
１５ ：実装端子
１９ ：金属層
２１ ：第１層主面
２２ ：第１層裏面
２３ ：第１層側面
２４ ：第１層端面
２９ ：接合層
３１ ：第２層主面
３２ ：第２層裏面
３３ ：第２層側面
３４ ：第２層端面
３６ ：第２層第１部
３７ ：第２層第２部
３８ ：第２層第３部
４１ ：主面部
４２ ：裏面部
４３ ：貫通部
５１ ：第１リード
５２ ：第２リード
６１ ：第３層主面
６２ ：第３層裏面
６３ ：第３層側面
６６ ：レンズ部
７０ ：素子本体
７１ ：主発光部
７２ ：副発光部
７６ ：サブマウント基板
８１ ：カバー主面
８２ ：カバー裏面
８６ ：レンズ部
８９ ：接合層
１１１ ：第１端縁
１１２ ：第２端縁
１５１ ：第１実装端子
１５２ ：第２実装端子
３６１ ：第２層第１面
３７１ ：第２層第２面
３８１ ：第２層第３面
４１１ ：主面第１部
４１２ ：主面第２部
４２１ ：裏面第１部
４２２ ：裏面第２部
４３１ ：第１貫通部
４３２ ：第２貫通部
５１１ ：第１リード主面
５１２ ：第１リード裏面
５１３ ：第１リード側面
５１４ ：第１リード端面
５１５ ：第１延出部
５１６ ：第２延出部
５１７ ：第１リード傾斜面
５１８ ：第３延出部
５２１ ：第２リード主面
５２２ ：第２リード裏面
５２３ ：第２リード側面
５２４ ：第２リード外端面
５２５ ：第３延出部
５２６ ：第４延出部
５２７ ：第２リード中間面
５２８ ：第２リード第１内端面
５２９ ：第２リード第２内端面
７０４ ：端面
７１１ ：主発光部
７１２ ：主発光部
７６１ ：サブマウント基板主面
７６２ ：サブマウント基板裏面
７６３ ：サブマウント基板側面
７６４ ：サブマウント基板端面
７７１ ：基板第１電極
７７２ ：基板第２電極
７９１，７９２，７９３：ワイヤ
８６１ ：レンズ部第１端縁
８６２ ：レンズ部第２端縁
８６３ ：レンズ部第３端縁
４１１１ ：搭載部
４１１２ ：環状部
４１１３ ：連結部
４１１４ ：ボンディング部
４１２１ ：ボンディング部
４１２２ ：環状部
７７１１ ：第１電極第１部
７７１２ ：第１電極第２部
７７１３ ：第１電極第３部
Ｌ１，Ｌ２：光
Ｌ１１ ：線分
Ｏ１，Ｏ２：中心線
Ｘ１，Ｚ１：距離
α，β，γ：角度

Claims (10)

1. 半導体レーザ素子と、
   前記半導体レーザ素子を支持する支持体と、を備え、
   前記半導体レーザ素子は、第１方向一方側に光を出射し、
   前記支持体は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向一方側に位置し、且つ前記第１方向において前記一方側に位置するほど前記第１方向と直角である第２方向において一方側に位置するように傾斜した、前記半導体レーザ素子からの光を反射する第１面を有し、
   前記支持体は、各々が前記半導体レーザ素子に導通する第１リードおよび第２リードと、前記半導体レーザ素子からの光を透過させる光透過層と、を含み、
   前記光透過層は、前記半導体レーザ素子、前記第１リードおよび前記第２リードを繋いており、
   前記第１リードは、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向一方側に位置し、且つ前記第１面を有し、
   前記光透過層は、前記第２方向一方側を向く光透過層主面と、前記第２方向の他方側を向く光透過層裏面と、を有し、
   前記半導体レーザ素子は、前記光透過層裏面から露出している、半導体レーザ装置。
2. 前記半導体レーザ素子は、前記光透過層裏面と面一である素子裏面を有する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記第２リードは、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向他方側に位置する、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記第１リードは、前記第１方向一方側を向く第１リード主面と、前記第１方向他方側を向く第１リード裏面と、を有し、
   前記第１リード裏面は、前記光透過層裏面と面一である、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
5. 前記第１リード主面は、前記光透過層主面と面一である、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
6. 前記第２リードは、前記第１方向一方側を向く第２リード主面と、前記第１方向他方側を向く第２リード裏面と、を有し、
   前記第２リード裏面は、前記光透過層裏面と面一である、請求項４または５に記載の半導体レーザ装置。
7. 前記第２リード主面は、前記光透過層主面と面一である、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
8. 前記半導体レーザ素子と前記第１リードとに接合された第１ワイヤをさらに備える、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
9. 前記第１リードは、前記第１面から前記第１方向他方側に延出する延出部を有し、
   前記第１ワイヤは、前記延出部に接合されている、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
10. 前記半導体レーザ素子と前記第２リードとに接合された第２ワイヤをさらに備える、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。

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