JP2017224706A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1 :基材
2 :配線部
3 :半導体素子
4 :ワイヤ
5 :封止樹脂
6 :絶縁層
7 :支持部材
10 :基材材料
11 :主面
12 :裏面
13 :素子収容部
20 :導電部
21 :主面配線部
22 :裏面配線部
23 :貫通配線部
31 :素子本体
32 :電極パッド
39 :接合層
41 :ファーストボンディング部
42 :セカンドボンディング部
50 :樹脂部
51 :主面樹脂部
52 :充填部
53 :裏面樹脂部
61 :絶縁層裏面
62 :内端縁
71 :支持面
72 :制御対象
73 :磁石
81 :切断領域
110 :主面
120 :裏面
131 :第1内面
132 :第2内面
133 :第3内面
134 :主面側端縁
135 :裏面側端縁
136 :底面
210 :主面導電部
220 :裏面導電部
221 :配線部裏面
230 :貫通導電部
311 :素子主面
391 :接合層裏面
510 :主面樹脂部
520 :充填部
530 :裏面樹脂部
531 :樹脂裏面
533 :張り出し部
710 :集積回路
711 :装置駆動領域
712 :電圧検出領域
713 :制御領域
2210 :導電部裏面
5310 :樹脂裏面
Claims (29)
- 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基材と、
前記基材に形成された配線部と、
前記配線部に導通する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備える半導体装置であって、
前記基材は、前記主面に開口し且つ前記基材の厚さ方向において前記主面と前記裏面との間に位置する素子収容部を有し、
前記半導体素子は、前記厚さ方向において少なくともその一部が前記素子収容部に収容されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記素子収容部は、前記主面および前記裏面の双方に開口する貫通孔からなる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記素子収容部は、前記主面に繋がり且つ前記裏面側に延びる第1内面を有する、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1内面は、前記裏面に繋がる、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1内面は、前記主面よりも粗い面である、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1内面は、前記主面から前記裏面に向かうほど前記厚さ方向と直角である方向において前記半導体素子から離間するように傾斜している、請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記素子収容部は、前記第1内面に対して前記厚さ方向において前記裏面側に位置し且つ前記厚さ方向と直角である方向において前記第1内面よりも前記半導体素子から離間した第2内面を有する、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記素子収容部は、前記第1内面および前記第2内面の間に位置し且つ前記裏面と同じ側を向く第3内面を有する、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、前記主面と同じ側を向く素子主面を有する、請求項2ないし8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記素子主面は、前記厚さ方向において前記主面よりも前記裏面側に位置する、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記素子主面は、前記厚さ方向において前記主面と同じ位置にある、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記素子主面は、前記厚さ方向において前記主面よりも前記裏面から離間している、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、前記素子収容部と前記半導体素子との間に充填された充填部を有する、請求項2ないし12のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、厚さ方向において前記裏面に対して前記主面とは反対側に位置する裏面樹脂部を有する、請求項13に記載の半導体装置。
- 前記裏面に形成され且つ厚さ方向視において前記裏面樹脂部を囲む絶縁層を備える、請求項14に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層と前記裏面樹脂部とは、互いに接している、請求項15に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層の内端縁は、前記素子収容部の裏面側に開口する裏面側端縁と前記厚さ方向視において一致している、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層の内端縁は、前記素子収容部の裏面側に開口する裏面側端縁を前記厚さ方向視において内方するように囲んでいる、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記裏面樹脂部は、前記裏面と同じ側を向く樹脂裏面を有し、
前記絶縁層は、前記裏面と同じ側を向く絶縁層裏面を有し、
前記樹脂裏面と前記絶縁層裏面とは、互いに面一である、請求項15ないし18のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記配線部は、前記主面に形成された主面配線部、前記裏面に形成された裏面配線部および前記基材を貫通し且つ前記主面配線部および前記裏面配線部を繋ぐ貫通配線部を有する、請求項19に記載の半導体装置。
- 前記裏面配線部は、前記裏面と同じ側を向く配線部裏面を有し、
前記配線部裏面と前記樹脂裏面および前記絶縁層裏面とは、前記厚さ方向における位置が同じである、請求項20に記載の半導体装置。 - 前記主面配線部と前記半導体素子とに接合され且つ前記封止樹脂に覆われたワイヤを備える、請求項20または21に記載の半導体装置。
- 前記ワイヤは、前記半導体素子に接合されたファーストボンディング部を有する、請求項22に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、ホール素子である、請求項22または23のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記配線部は、4つの前記主面配線部、4つの前記裏面配線部および4つの前記貫通配線部を有する、請求項24に記載の半導体装置。
- 4つの前記ワイヤを備える、請求項25に記載の半導体装置。
- 前記素子収容部は、前記主面から前記裏面側に凹む凹部からなる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、前記厚さ方向視において矩形状であり、
前記素子収容部は、前記厚さ方向視において前記半導体素子の四辺と平行である四辺を有する矩形状である、請求項1ないし27のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記基材は、前記半導体素子および前記素子収容部の四辺と平行である四辺を有する矩形状である、請求項28に記載の半導体装置。
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