JP2000277844A - 電気光変換装置 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面発光レーザーの特徴を生かしながら１ＧＨ
ｚ以上の高周波の電気信号を光信号に変換し、レーザー
をバイポーラトランジスタの信号で駆動し、小型で簡便
に作ることのできる電気光変換装置を提供する。 【解決手段】 同軸コネクタ中心導体１１、１４上であ
ってその軸上に光素子７を直接ボンディングする。中心
導体の軸上方に光素子７と光結合する光ファイバー２５
を配置する。光素子７の搭載部をキャップ９を介して不
活性ガス雰囲気内に機密封止する。光素子７はｎ型基板
上の光素子である。光素子７は一例として面発光レーザ
ーである。
ｚ以上の高周波の電気信号を光信号に変換し、レーザー
をバイポーラトランジスタの信号で駆動し、小型で簡便
に作ることのできる電気光変換装置を提供する。 【解決手段】 同軸コネクタ中心導体１１、１４上であ
ってその軸上に光素子７を直接ボンディングする。中心
導体の軸上方に光素子７と光結合する光ファイバー２５
を配置する。光素子７の搭載部をキャップ９を介して不
活性ガス雰囲気内に機密封止する。光素子７はｎ型基板
上の光素子である。光素子７は一例として面発光レーザ
ーである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気信号を光信号
に変換する電気光変換装置に関し、特に０．１〜１０Ｇ
ｐｓ程度の高速電気信号を光信号に変換する電気光変換
装置の小型化、低コスト化を図る技術に関する。
に変換する電気光変換装置に関し、特に０．１〜１０Ｇ
ｐｓ程度の高速電気信号を光信号に変換する電気光変換
装置の小型化、低コスト化を図る技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電気光変換装置において、面発光
レーザーの実装は、図４に示すようなＬＥＤ（発光ダイ
オード）の実装に用いられる汎用の台座に実装するのが
普通である。ここで、１はステンレスやコバールなどの
合金に金メッキを施した台座で、これに複数の足が付い
ている。個々では２と３の足は台座本体１と電気的に導
通し、４の足は５の硬質ガラスによって他とは電気的に
絶縁されている。６はＡｌＮ（窒化アルミニューム）の
ヒートシンクで、７が面発光レーザーである。面発光レ
ーザー７の基板側の電極は、ヒートシンク６を介して台
座本体１に電気的に接続され、もう一方の表面側の電極
は、８のワイヤーによって足４に接続される。
レーザーの実装は、図４に示すようなＬＥＤ（発光ダイ
オード）の実装に用いられる汎用の台座に実装するのが
普通である。ここで、１はステンレスやコバールなどの
合金に金メッキを施した台座で、これに複数の足が付い
ている。個々では２と３の足は台座本体１と電気的に導
通し、４の足は５の硬質ガラスによって他とは電気的に
絶縁されている。６はＡｌＮ（窒化アルミニューム）の
ヒートシンクで、７が面発光レーザーである。面発光レ
ーザー７の基板側の電極は、ヒートシンク６を介して台
座本体１に電気的に接続され、もう一方の表面側の電極
は、８のワイヤーによって足４に接続される。
【０００３】９はキャップであり、面発光レーザー７は
キャップ９によって不活性ガス雰囲気中に封じ込めら
れ、面発光レーザー７の出射光はキャップ９に付けられ
た窓１０を通して、出力される。
キャップ９によって不活性ガス雰囲気中に封じ込めら
れ、面発光レーザー７の出射光はキャップ９に付けられ
た窓１０を通して、出力される。
【０００４】この構成によれば、面発光レーザー７は不
活性ガス雰囲気中にあるため、表面の酸化によって劣化
を受けず、かつ偏発光レーザーの光が基板と垂直方向に
出射するという特徴を生かして、上面に光を出す電気光
変換装置を小型に簡便に作ることができる。
活性ガス雰囲気中にあるため、表面の酸化によって劣化
を受けず、かつ偏発光レーザーの光が基板と垂直方向に
出射するという特徴を生かして、上面に光を出す電気光
変換装置を小型に簡便に作ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術では、電気の接続は台座から出た足によ
って行うために、インピーダンスの整合が取れておら
ず、数１００ＭＨｚ以上の高周波で面発光レーザーを変
調することは不可能である。
ような従来技術では、電気の接続は台座から出た足によ
って行うために、インピーダンスの整合が取れておら
ず、数１００ＭＨｚ以上の高周波で面発光レーザーを変
調することは不可能である。
【０００６】また、面発光レーザーはｎ型の基板上に作
られたものの方が、ｐ型の基板上のものに比べて閾値電
流が小さくできるため、ｎ型の基板上に作られた面発光
レーザーが一般的に作られている。ところが、従来技術
の実装法では、ｎ型基板がグランド（大地電位）側に接
続されるため、電気信号はｐ側の電極に加えなければな
らない。この場合、電気信号はグランドに対してプラス
でなければならない。しかし、高周波の電気信号の発生
源としてｎｐｎ型バイポーラトランジスタを用いた場合
には、その電気信号がグランドに対してマイナスにな
り、接続が困難となっている。
られたものの方が、ｐ型の基板上のものに比べて閾値電
流が小さくできるため、ｎ型の基板上に作られた面発光
レーザーが一般的に作られている。ところが、従来技術
の実装法では、ｎ型基板がグランド（大地電位）側に接
続されるため、電気信号はｐ側の電極に加えなければな
らない。この場合、電気信号はグランドに対してプラス
でなければならない。しかし、高周波の電気信号の発生
源としてｎｐｎ型バイポーラトランジスタを用いた場合
には、その電気信号がグランドに対してマイナスにな
り、接続が困難となっている。
【０００７】本発明の目的は、上記のような課題を解決
して、基板と垂直方向に光を出射する面発光レーザーの
特徴を生かしながら、かつ１ＧＨｚ以上の高周波の信号
を変換でき、しかもｎ型基板の面発光レーザーをバイポ
ーラトランジスタの信号で駆動でき、小型で簡便に作る
ことのできる電気光変換装置を提供することにある。
して、基板と垂直方向に光を出射する面発光レーザーの
特徴を生かしながら、かつ１ＧＨｚ以上の高周波の信号
を変換でき、しかもｎ型基板の面発光レーザーをバイポ
ーラトランジスタの信号で駆動でき、小型で簡便に作る
ことのできる電気光変換装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、同軸コネクタの中心導体上であ
って該中心導体の軸上に光素子を直接ボンディングした
ことを特徴とする。
め、請求項１の発明は、同軸コネクタの中心導体上であ
って該中心導体の軸上に光素子を直接ボンディングした
ことを特徴とする。
【０００９】ここで、前記中心導体の軸の上方に前記光
素子と光結合する光ファイバーを配置したことを特徴と
することができる。
素子と光結合する光ファイバーを配置したことを特徴と
することができる。
【００１０】また、前記光素子の搭載部を不活性ガス雰
囲気内に機密封止したことを特徴とすることができる。
囲気内に機密封止したことを特徴とすることができる。
【００１１】また、前記光素子はｎ型基板上の光素子で
あることを特徴とすることができる。
あることを特徴とすることができる。
【００１２】また、前記光素子は面発光レーザーである
ことを特徴とすることができる。
ことを特徴とすることができる。
【００１３】（作用）同軸ケーブルや導波路を伝搬する
電気信号を光信号に変換する際に、電気信号の伝搬方向
と光信号の伝搬方向を平行にすることによって、電気光
変換装置をボードに搭載しやすく、架内のボード実装密
度を大きくできる。この際、電気信号が伝搬する中心導
体と光ファイバが同一線上にある方がコンパクトにボー
ドに搭載できる。本発明はこの点に着目して発明したも
のである。
電気信号を光信号に変換する際に、電気信号の伝搬方向
と光信号の伝搬方向を平行にすることによって、電気光
変換装置をボードに搭載しやすく、架内のボード実装密
度を大きくできる。この際、電気信号が伝搬する中心導
体と光ファイバが同一線上にある方がコンパクトにボー
ドに搭載できる。本発明はこの点に着目して発明したも
のである。
【００１４】すなわち、本発明では、ＳＭＡコネクタな
どの既成の高周波用の電気コネクタ（同軸コネクタ）の
中心導体の先端に、面発光レーザーをボンディングし、
面発光レーザーを不活性ガス中に封じるようにしたの
で、従来とは異なり、高周波の電気信号が減衰すること
なく面発光レーザーに加えられる。また、このように、
面発光レーザーが高周波コネクタに直接ボンディングさ
れているため、１ＧＨｚ以上の電気信号を光信号に変換
できる。また、偏発光レーザーが中心導体上に乗ってい
るため、出力光はその中心導体の延長線に沿って出射さ
れ、かつ光ファイバーとの接続も容易にできる。この場
合、１本の線上で電気信号から光信号ヘの変換が行わ
れ、装置が極めて小型化できる。また、面発光レーザー
が不活性ガス中に封入されているため、酸化による素子
の劣化を防ぐことができる。
どの既成の高周波用の電気コネクタ（同軸コネクタ）の
中心導体の先端に、面発光レーザーをボンディングし、
面発光レーザーを不活性ガス中に封じるようにしたの
で、従来とは異なり、高周波の電気信号が減衰すること
なく面発光レーザーに加えられる。また、このように、
面発光レーザーが高周波コネクタに直接ボンディングさ
れているため、１ＧＨｚ以上の電気信号を光信号に変換
できる。また、偏発光レーザーが中心導体上に乗ってい
るため、出力光はその中心導体の延長線に沿って出射さ
れ、かつ光ファイバーとの接続も容易にできる。この場
合、１本の線上で電気信号から光信号ヘの変換が行わ
れ、装置が極めて小型化できる。また、面発光レーザー
が不活性ガス中に封入されているため、酸化による素子
の劣化を防ぐことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００１６】（第１の実施形態）図１に本発明による第
１の実施形態の電気光変換装置の構造を示す。ここで、
１１はＳＭＡコネクタの中心導体（直径１．３ｍｍ）、
１２はその周囲のテフロン、１３はグランドの外周導体
（内径４．６ｍｍ）であり、この外周導体１３の表面に
ネジが切ってあるために、同軸ケーブル（図示しない）
との接続が可能である。
１の実施形態の電気光変換装置の構造を示す。ここで、
１１はＳＭＡコネクタの中心導体（直径１．３ｍｍ）、
１２はその周囲のテフロン、１３はグランドの外周導体
（内径４．６ｍｍ）であり、この外周導体１３の表面に
ネジが切ってあるために、同軸ケーブル（図示しない）
との接続が可能である。
【００１７】中心導体１１の下側にはＳＭＡのプラグ側
の中心導体を挿入するために、直径０．９ｍｍの穴１１
Ａが開けられている。１４はＳＭＡの中心導体１１を延
長した導体で、１５の外部導体に接続されている。１６
のテフロンによっての中心導体１４と外部導体１５とが
絶縁されている。
の中心導体を挿入するために、直径０．９ｍｍの穴１１
Ａが開けられている。１４はＳＭＡの中心導体１１を延
長した導体で、１５の外部導体に接続されている。１６
のテフロンによっての中心導体１４と外部導体１５とが
絶縁されている。
【００１８】６はＡｌＮのヒートシンク、７は面発光レ
ーザーである。面発光レーザー７の基板側の電極は、コ
ネクタの中心導体１４に接続されており、表面側の電極
は、ワイヤー８によって外部導体１５、外周導体１３を
介してグランドに接続される。
ーザーである。面発光レーザー７の基板側の電極は、コ
ネクタの中心導体１４に接続されており、表面側の電極
は、ワイヤー８によって外部導体１５、外周導体１３を
介してグランドに接続される。
【００１９】ワイヤー８のインダクタンスを小さくする
ために、外部導体１５は中心導体１４に近づけなければ
ならない。中心導体１４、外部導体１５、および絶縁体
１６で構成される高周波導波路の特性インピーダンス
は、中心導体１４の直径と外部導体１５の内周によって
決まる。外部導体１５の内径を２．８ｍｍとし、インピ
ーダンスを５０オームにするために、中心導体１４の直
径を０．８ｍｍとし、その中心導体１４の先端はヒート
シンク６と面発光レーザー７を載せるのに十分な面積を
持つために、直径１．２ｍｍに広げてある。
ために、外部導体１５は中心導体１４に近づけなければ
ならない。中心導体１４、外部導体１５、および絶縁体
１６で構成される高周波導波路の特性インピーダンス
は、中心導体１４の直径と外部導体１５の内周によって
決まる。外部導体１５の内径を２．８ｍｍとし、インピ
ーダンスを５０オームにするために、中心導体１４の直
径を０．８ｍｍとし、その中心導体１４の先端はヒート
シンク６と面発光レーザー７を載せるのに十分な面積を
持つために、直径１．２ｍｍに広げてある。
【００２０】面発光レーザー７の付近まで、同軸ケーブ
ルとインピーダンスの整合が取れており、高周波信号は
反射されることなく、面発光レーザー７まで達すること
ができる。８は素子７を不活性ガスで封入するためのキ
ャップであり、９は光を通すための窓である。
ルとインピーダンスの整合が取れており、高周波信号は
反射されることなく、面発光レーザー７まで達すること
ができる。８は素子７を不活性ガスで封入するためのキ
ャップであり、９は光を通すための窓である。
【００２１】図２は本発明の実施形態に用いる上記の面
発光レーザー７の構造を示す。本図に示すように、１７
のｎ‐ＧａＡｓ基板上に、１８のｎ‐Ａｌ0.2 Ｇａ0.8
Ａｓと１９のｎ‐ＡｌＡｓを交互に積層した下部ＤＢＲ
（distributed Bragg reflector ：分布反射形）ミラ
ー、２０のノンドープのＡｌ0.4 ＧａＡｓのクラッド
層、２１のＧａＡｓ多重量子井戸の活性層、および２２
のｐ‐Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓと２３のｐ‐ＡｌＡｓを交
互に積層した上部ＤＢＲミラーが形成されている。そし
て、ｎ‐ＧａＡｓ基板１７の下にはＡｕＧｅＮｉの電極
２４、上部のｐ型のＤＢＲミラー２２、２３の上にはＡ
ｕＺｎＮｉの電極２５がある。
発光レーザー７の構造を示す。本図に示すように、１７
のｎ‐ＧａＡｓ基板上に、１８のｎ‐Ａｌ0.2 Ｇａ0.8
Ａｓと１９のｎ‐ＡｌＡｓを交互に積層した下部ＤＢＲ
（distributed Bragg reflector ：分布反射形）ミラ
ー、２０のノンドープのＡｌ0.4 ＧａＡｓのクラッド
層、２１のＧａＡｓ多重量子井戸の活性層、および２２
のｐ‐Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓと２３のｐ‐ＡｌＡｓを交
互に積層した上部ＤＢＲミラーが形成されている。そし
て、ｎ‐ＧａＡｓ基板１７の下にはＡｕＧｅＮｉの電極
２４、上部のｐ型のＤＢＲミラー２２、２３の上にはＡ
ｕＺｎＮｉの電極２５がある。
【００２２】上下のＤＢＲミラー２２、２３、１８、１
９は共に９９％以上の反射率を有するが、光は上部ＤＢ
Ｒミラー２２、２３を通して出射されるので、下部ＤＢ
Ｒミラー１８、１９の反射率は上部ＤＢＲミラー２２、
２３の反射率よりも大きくしなければならない。もし、
下部ＤＢＲミラー１８、１９の反射率が低いと、レーザ
ー光は下側に漏れ、発振閾値電流が大きくなってしまう
からである。
９は共に９９％以上の反射率を有するが、光は上部ＤＢ
Ｒミラー２２、２３を通して出射されるので、下部ＤＢ
Ｒミラー１８、１９の反射率は上部ＤＢＲミラー２２、
２３の反射率よりも大きくしなければならない。もし、
下部ＤＢＲミラー１８、１９の反射率が低いと、レーザ
ー光は下側に漏れ、発振閾値電流が大きくなってしまう
からである。
【００２３】一般に、ｐ−ＤＢＲは正孔の自由キャリア
吸収が大きいために、ｎ‐ＤＢＲミラーよりも反射率を
大きくすることは困難である。従って、本実施形態で
は、ｎ−ＤＢＲを下部ＤＢＲミラー１８、１９に用いる
ために基板１７をｎ型にしてある。
吸収が大きいために、ｎ‐ＤＢＲミラーよりも反射率を
大きくすることは困難である。従って、本実施形態で
は、ｎ−ＤＢＲを下部ＤＢＲミラー１８、１９に用いる
ために基板１７をｎ型にしてある。
【００２４】面発光レーザー７のｎ‐ＧａＡｓ基板１７
が同軸コネクタの中心導体１４に接続されているため、
グランドに対してマイナスの信号によってドライブ（駆
動）され、従ってｎｐｎのバイポーラトランジスタ（図
示しない）の電気信号出力を直接中心導体１１，１４に
入れることによって、面発光レーザー７をドライブする
ことができる。
が同軸コネクタの中心導体１４に接続されているため、
グランドに対してマイナスの信号によってドライブ（駆
動）され、従ってｎｐｎのバイポーラトランジスタ（図
示しない）の電気信号出力を直接中心導体１１，１４に
入れることによって、面発光レーザー７をドライブする
ことができる。
【００２５】本実施形態では、説明の簡単化のためにメ
サ型の面発光レーザーを用いて説明をしたが、本発明は
これに限らず、プロトン注入や選択酸化による面発光レ
ーザーを用いた場合も、ほぼ同様の構成で、同様の作用
効果が得られることは言うまでもない。
サ型の面発光レーザーを用いて説明をしたが、本発明は
これに限らず、プロトン注入や選択酸化による面発光レ
ーザーを用いた場合も、ほぼ同様の構成で、同様の作用
効果が得られることは言うまでもない。
【００２６】（第２の実施形態）図３は本発明による第
２の実施形態の電気光変換装置の構造を示す。本実施形
態は、面発光レーザー７が同軸コネクタの先端にポンデ
ィングされているのは、第１の実施形態と同じである
が、面発光レーザー７の出射光を光ファイバーに入れる
構造を有する。
２の実施形態の電気光変換装置の構造を示す。本実施形
態は、面発光レーザー７が同軸コネクタの先端にポンデ
ィングされているのは、第１の実施形態と同じである
が、面発光レーザー７の出射光を光ファイバーに入れる
構造を有する。
【００２７】９は面発光レーザー７を不活性ガスで封入
するためのキャップであり、このキャップ９を２５の光
ファイバーが貫通している。面発光レーザー７は通常は
横モードが多モードであり、そのためこのレーザ光を伝
送する光ファイバー２５も多モードファイバーを用い
る。従って、光ファイバー２５はそのコア径が５０μｍ
と大きい。また、面発光レーザー７の放射角は１０度以
内で、しかも等方的であるため、光ファイバー２５の先
端を面発光レーザー７の出射部に数１０μｍに近づける
だけで光の結合をすることができる。
するためのキャップであり、このキャップ９を２５の光
ファイバーが貫通している。面発光レーザー７は通常は
横モードが多モードであり、そのためこのレーザ光を伝
送する光ファイバー２５も多モードファイバーを用い
る。従って、光ファイバー２５はそのコア径が５０μｍ
と大きい。また、面発光レーザー７の放射角は１０度以
内で、しかも等方的であるため、光ファイバー２５の先
端を面発光レーザー７の出射部に数１０μｍに近づける
だけで光の結合をすることができる。
【００２８】本実施形態ではレンズを使わずにレーザー
７と光ファイバー２５の結合をする構造を示したが、レ
ーザー７と光ファイバー２５の間にレンズを入れても本
発明の主旨に反しないことは言うまでもない。
７と光ファイバー２５の結合をする構造を示したが、レ
ーザー７と光ファイバー２５の間にレンズを入れても本
発明の主旨に反しないことは言うまでもない。
【００２９】（他の実施形態）上述の本発明の実施形態
では、光素子として面発光レーザを記載したが、その他
に、発光ダイオード、フォトダイオード、フォトトラン
ジスタ、などの種々の光素子が適用可能であり、面受発
光の形態を有する光素子であれば同様の実施形態をとる
ことが可能である。
では、光素子として面発光レーザを記載したが、その他
に、発光ダイオード、フォトダイオード、フォトトラン
ジスタ、などの種々の光素子が適用可能であり、面受発
光の形態を有する光素子であれば同様の実施形態をとる
ことが可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同軸ケーブルを伝搬する高周波の電気信号を光信号に変
換することができ、しかも光ビームもしくは光ファイバ
ーの中心が同軸コネクターの中心導体と同一線上にある
ために小型となり、ボードに搭載した際にスぺースを取
らないという効果が得られる。
同軸ケーブルを伝搬する高周波の電気信号を光信号に変
換することができ、しかも光ビームもしくは光ファイバ
ーの中心が同軸コネクターの中心導体と同一線上にある
ために小型となり、ボードに搭載した際にスぺースを取
らないという効果が得られる。
【００３１】また、本発明によれば、発振閾値の低いｎ
型基板の面発光レーザーをバイポーラトランジスタから
の電気信号で直接駆動できる効果もある。
型基板の面発光レーザーをバイポーラトランジスタから
の電気信号で直接駆動できる効果もある。
【図１】本発明による第１の実施形態の電気光変換装置
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に用いる面発光レーザーの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図３】本発明による第２の実施形態の電気光変換装置
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図４】従来技術による電気光変換装置の構造を示す断
面図である。
面図である。
１ ステンレスやコバールなどの合金に金メッキを施し
た台座 ２，３ 台座本体と電気的に導通したの足 ４ 台座本体とは絶縁された足 ５ 硬質ガラス ６ ＡｌＮのヒートシンク ７ 面発光レーザー ８ ワイヤ ９ キャップ １０ 窓 １１ ＳＭＡコネクタの中心導体 １１Ａ 中心導体１１の下部に開けられた穴 １２ 中心導体１１の周囲のテフロン １３ グランドの外周導体 １４ ＳＭＡの中心導体１１を延長した導体 １５ ワイヤボンディング用台を有する外部導体 １６ テフロン絶縁体 １７ ｎ‐ＧａＡｓ基板 １８ ｎ‐Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ ｌ９ ｎ‐ＡｌＡｓ ２０ ノンドープのＡｌ0.4 ＧａＡｓクラッド層 ２１ ＧａＡｓ多重量子井戸 ２２ ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ ２３ ｐ−ＡｌＡｓ ２４ ＡｕＧｅＮｉの電極 ２３ ＡｕＺｎＮｉの電極 ２５ 光ファイバー
た台座 ２，３ 台座本体と電気的に導通したの足 ４ 台座本体とは絶縁された足 ５ 硬質ガラス ６ ＡｌＮのヒートシンク ７ 面発光レーザー ８ ワイヤ ９ キャップ １０ 窓 １１ ＳＭＡコネクタの中心導体 １１Ａ 中心導体１１の下部に開けられた穴 １２ 中心導体１１の周囲のテフロン １３ グランドの外周導体 １４ ＳＭＡの中心導体１１を延長した導体 １５ ワイヤボンディング用台を有する外部導体 １６ テフロン絶縁体 １７ ｎ‐ＧａＡｓ基板 １８ ｎ‐Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ ｌ９ ｎ‐ＡｌＡｓ ２０ ノンドープのＡｌ0.4 ＧａＡｓクラッド層 ２１ ＧａＡｓ多重量子井戸 ２２ ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ ２３ ｐ−ＡｌＡｓ ２４ ＡｕＧｅＮｉの電極 ２３ ＡｕＺｎＮｉの電極 ２５ 光ファイバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 舘野 功太 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 忠永 修 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 植之原 裕行 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA21 DA06 DA18 DA39 5F073 AA65 AA74 AA89 AB17 CA04 CB02 CB22 EA14 EA29 FA15 FA27 FA29 FA30
Claims (5)
- 【請求項１】 同軸コネクタの中心導体上であって該中
心導体の軸上に光素子を直接ボンディングしたことを特
徴とする電気光変換装置。 - 【請求項２】 前記中心導体の軸の上方に前記光素子と
光結合する光ファイバーを配置したことを特徴とする請
求項１に記載の電気光変換装置。 - 【請求項３】 前記光素子の搭載部を不活性ガス雰囲気
内に機密封止したことを特徴とする請求項１または２に
記載の電気光変換装置。 - 【請求項４】 前記光素子はｎ型基板上の光素子である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電
気光変換装置。 - 【請求項５】 前記光素子は面発光レーザーであること
を特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電気光
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082289A JP2000277844A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 電気光変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082289A JP2000277844A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 電気光変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277844A true JP2000277844A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13770382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11082289A Pending JP2000277844A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 電気光変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277844A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063707A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ |
| JP2006237648A (ja) * | 2006-06-07 | 2006-09-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ |
| EP2005490A2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-12-24 | Cao Group, Inc. | Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame |
| JP2017204604A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装構造 |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11082289A patent/JP2000277844A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063707A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ |
| EP2005490A2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-12-24 | Cao Group, Inc. | Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame |
| EP2005490A4 (en) * | 2006-04-04 | 2012-01-25 | Cao Group Inc | SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE FOR ILLUMINATING A PHYSICAL SPACE WITH THREE-DIMENSIONAL LINE FRAME |
| JP2006237648A (ja) * | 2006-06-07 | 2006-09-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ |
| JP2017204604A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装構造 |
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