JP6889269B2 - 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール - Google Patents
多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6889269B2 JP6889269B2 JP2019545560A JP2019545560A JP6889269B2 JP 6889269 B2 JP6889269 B2 JP 6889269B2 JP 2019545560 A JP2019545560 A JP 2019545560A JP 2019545560 A JP2019545560 A JP 2019545560A JP 6889269 B2 JP6889269 B2 JP 6889269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- main surface
- wiring board
- dividing groove
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 258
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 102
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10022—Non-printed resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/1003—Non-printed inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10083—Electromechanical or electro-acoustic component, e.g. microphone
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
本発明は、電子部品の搭載部を有する複数の配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列された多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュールに関するものである。
従来、半導体素子、弾性表面波素子等の電子部品を収容するために用いられる電子部品収納用パッケージは、一般に広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば母基板に、それぞれが個片の電子部品収納用パッケージとなる複数の配線基板領域が縦横に配列されている。配線基板領域の境界に沿って、母基板の上面等の主面に分割溝が位置している。上記の分割溝を挟んで母基板に曲げ応力が加えられて母基板が破断されることによって、個片の配線基板に分割される。
近年、個々の配線基板は小さくなってきており、上記のような配線基板領域が配列された多数個取り配線基板においては、位置精度に優れるレーザーによって分割溝を設ける方法が提案されている(例えば、特開2003-249589号公報参照。)。
本開示の多数個取り配線基板は、外部接続導体が位置する第1主面および該第1主面に相対する第2主面を有し、前記第1主面を有する第1絶縁層、および前記第2主面を有する第2絶縁層とを含み、複数の配線基板領域が縦横に配列された母基板を備えており、該母基板には、前記複数の配線基板領域の境界に沿って、相対するように前記第1主面および前記第2主面にそれぞれ位置した分割溝と、該分割溝が位置した部分において、前記母基板を厚み方向に貫通する貫通孔とが位置しており、該貫通孔は、前記第1絶縁層に位置し、前記外部接続導体と接続される内面導体が位置した第1貫通孔、および前記第2絶縁層に位置した第2貫通孔を含み、前記内面導体は、縦断面視において、前記第1絶縁層の厚み方向における前記内面導体の中央部に位置した厚部から、前記第1絶縁層と前記第2絶縁層の境界側および前記第1主面側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、前記分割溝と前記内面導体との境界から前記内面導体の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部が位置している。
本開示の電子部品収納用パッケージは、絶縁基板を含み、第1主面および該第1主面に相対する第2主面と、前記第1主面と前記第2主面との間に位置し、電子部品が搭載される搭載部、および前記電子部品が接続される接続導体が位置した第3主面と、前記絶縁基板の外縁において、前記第1主面から前記第2主面にかけて位置した切欠き部と、前記第1主面において、前記絶縁基板に位置した複数の外部接続導体と、前記絶縁基板の側面に切断面および破断面を備えており、前記切欠き部の一部に位置し、前記外部接続導体と接続され、前記破断面を有する側面導体を含んでおり、縦断面視において、前記側面導体は、前記絶縁基板の厚み方向における前記側面導体の中央部に位置した厚部から、前記第3主面側および前記第1主面側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、前記絶縁基板の前記切断面と前記側面導体との境界から前記側面導体の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部が位置している。
本開示の電子装置は、上記の電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品とを有している。
本開示の電子モジュールは、上記の電子装置と、該電子装置が接続されたモジュール用基板とを有している。
本開示の実施形態における多数個取り配線基板および電子部品収納用パッケージとなる配線基板等について、添付の図面を参照しつつ説明する。なお、図1〜図10において同一箇所には同じ符号を付している。
母基板101に配列された配線基板200は、凹状の搭載部109を含む第3主面117を有し、搭載部109に電子部品204が収容される。配線基板200は、基部となる第1絶縁層106aと基部上に積層された枠部となる第2絶縁層107aを有している。第2主面107の枠部には枠状メタライズ層105が位置し、枠状メタライズ層105にろう材によって金属からなる蓋体が接合される。なお、枠状メタライズ層105に金属枠体が接合される場合には、さらに金属枠体上に蓋体が接合される構造となる。また、配線基板200は、電子部品204が接続される接続導体113、外部接続導体104、内面導体111等を有している。配線基板200の搭載部109に位置した接続導体113に電子部品204が接合材205等で接合されて、電子装置300となる。
上記の配線基板200は、広面積の母基板101から複数個の配線基板領域102を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作される。多数個取り配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板101に複数の配線基板領域102が縦横に配列されている。図1に示すように、母基板101は外周に貫通孔110が位置した配線基板領域102が配列されてなる。また、各配線基板領域102の外周に位置する貫通孔110には、貫通孔110の内面の一部に内面導体111が位置しており、これらの内面導体111、および図示しない接続導体は、隣り合う配線基板領域102の配線導体同士を電気的に接続する機能を有する。図1においては、貫通孔110が各配線基板領域102の四隅に位置した構造を示している。なお、貫通孔110の位置は、各配線基板領域102の四隅以外、例えば長辺側の中央部、短辺側に位置していてもよい。貫通孔110に位置した内面導体111、接続導体等により、隣接する配線基板領域102間における接続導体113、外部接続導体104が接続されて、母基板101の各配線導体が一体的に接続される。そして、例えば、母基板101の捨て代領域103の外縁部に位置しためっき用導体に導出されることにより、めっき用導体から電気を供給して、外部接続導体104等に電気めっきにより金属層が被着される。
母基板101は、例えば酸化アルミニウム質焼結体,ガラスセラミック焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。母基板101は複数のセラミック絶縁層が積層されて積層体が形成され、積層体が一体焼成されて製作される。すなわち、母基板101が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等のガラス成分を含む原料粉末に適当な有機溶剤、およびバインダーを添加してシート状に成形して、複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、複数のセラミックグリーンシートの一部のものについて打ち抜き加工を施して複数の枠部が設けられたセラミックグリーンシートに成形した後、打ち抜き加工を施していない平板状のセラミックグリーンシートの上に、複数の枠部が形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体が形成される。その後、積層体を一体焼成すれば、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる配線基板領域102が縦横に配列形成された母基板101を作製することができる。上記の場合、打ち抜き加工を施したセラミックグリーンシートが枠部となる第2絶縁層107aであり、打ち抜き加工を施していないセラミックグリーンシートが基部となる第1絶縁層106aである。
電子部品収納用パッケージとなる配線基板200は、その上面の中央部に電子部品204の搭載部109を有している。基部および枠部は、搭載部109に収容される電子部品204を保護するための容器として作用するものである。搭載部109に収容される電子部品204としては、水晶振動素子等の圧電振動素子,弾性表面波素子,半導体素子(IC),容量素子,インダクタ素子,抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。
配線基板200は、例えば電子部品204が水晶振動素子、電子装置300が水晶デバイスである場合には、携帯電話、スマートホン等の通信機器、コンピュータ、ICカード等の情報機器等の電子機器において、周波数、時間の基準となる発振器用のパッケージとして使用され、電子装置300は発振器として使用される。搭載部109に収容された電子部品204は、例えば導電性接着剤等の接合材205によって、第3主面117に位置した接続導体113と電気的に接続される。
配線基板200は、いわゆる多数個取りの形態で製作されたものが個片に分割されたものである。例えば、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる母基板101に、搭載部109を有する複数の配線基板領域102が縦横の並びに配列される。母基板101の上面に、配線基板領域102の境界に沿ってレーザーにより分割溝108が形成され、例えば図1(a)、(b)等に示すような多数個取り配線基板が基本的に構成されている。上記の母基板101が配線基板領域102の分割溝108に沿って分割されて、電子部品収納用パッケージとなる配線基板200が製作される。
また、母基板101を分割するために、配線基板領域102の境界に沿って、母基板101の第1主面106にレーザーによって第1分割溝108aが形成される。そして、第1貫通孔110aの内面においては、第1主面106に設けられる第1分割溝108aの深さよりも大きい部分が設けられる。これは、配線基板領域102の境界に沿ってレーザーにより分割溝108を形成する際に、貫通孔110が配線基板領域102の境界、または配線基板領域102と捨て代領域103の境界に跨って設けられており、第1貫通孔110aの内面の一部に設けられた内面導体111にもレーザーが照射されることにより、他の部分よりも分割溝108が深く設けられるためであり、母基板101の厚み方向において、図1(b)および図2等で示すように、内面導体111の内面に近いほど、第1分割溝108aの深さが大きくなるように形成されている。また、配線基板領域102の境界に沿って、母基板101の第2主面107にもレーザーによって第2分割溝108bが形成される。第2分割溝108bも第1分割溝108aと同様に、第2貫通孔110bの内面においては、第2主面107に設けられる第2分割溝108bの深さよりも大きい部分が設けられる。なお、図1、2等では第1分割溝108a、第2分割溝108bの深さが変化した領域を直線状として示したが、レーザーによる分割溝108の加工条件を調整して曲線状に設けてもよい。なお、貫通孔110内において、内面導体111の内面とは、レーザーにより第1分割溝108aが設けられていない、内面導体111が貫通孔110の内側に露出している表面(露出部)を表している。なお、レーザーにより第1分割溝108aが設けられる前における、内面導体111が貫通孔110の内側に露出している表面(露出部)においても、便宜上、内面導体111の内面としている。
分割溝108は、例えば第1主面106側の第1分割溝108a、および第1分割溝108aと相対するように位置した第2主面107側の第2分割溝108bの両側の分割溝108で構成されており、母基板101の配線基板領域102の間、および配線基板領域102と捨て代領域103との間に格子状に位置している。そして、それぞれの分割溝108が形成されている部分(配線基板領域102の境界等)で母基板101に応力を加えて母基板101を厚み方向にたわませることによって、母基板101が個片の配線基板200に分割される。
配線基板200の内部および表面には、搭載部109の底部(第3主面117)等から配線基板200の下面(第1主面106)にかけて接続導体113等の配線導体が位置している。これらの配線導体のうち、配線基板200の第1主面106に位置した部位は、例えば外部接続導体104である。配線導体のうち、配線基板200の内部に位置したものは貫通導体(いわゆるビア導体等)、電子部品204を接続するための接続導体113の露出しない部位に位置する配線導体等である。搭載部109に搭載される電子部品204を接続導体113に電気的に接続させることにより、接続導体113、配線導体、および外部接続導体104等を介して電子部品204が外部の電気回路に電気的に接続される。
これらの配線導体等は、例えば銅,銀,パラジウム,金,白金,タングステン,モリブデン,マンガン等の金属材料、またはそれらを含む合金からなる。配線導体等は、例えば、高融点金属であるモリブデンからなる場合であれば、モリブデンの粉末に有機溶剤およびバインダーを添加して作製したメタライズペーストを配線基板200となるセラミックグリーンシートに所定パターンで塗布しておき、同時焼成により形成することができる。
上記の多数個取り配線基板(母基板101)において、それぞれの配線基板領域102の下面(第1主面106側)の四隅には、分割後に配線基板200の外部接続導体104となるメタライズ導体層が形成されている。外部接続導体104は、例えばその外周が貫通孔110に位置した内面導体111に接している。外部接続導体104は、例えばタングステン、モリブデン等の金属からなり、例えば外部接続導体104がモリブデンのメタライズ導体層からなる場合であれば、モリブデンの粉末に有機溶剤、バインダー等を添加して作製したメタライズペーストを、セラミック絶縁層の基部となるセラミックグリーンシートの下面に所定パターンで印刷しておくことにより形成することができる。メタライズペーストは、例えば、焼成後の外部接続導体104の厚みが7〜15μm程度となるように、スクリーン印刷法等により形成される。
また、第1主面106に位置する枠状メタライズ層105の上面に、さらに金属枠体がろう材により接合されていてもよい。金属枠体の接合は、多数個取り配線基板の状態で行なわれてもよく、個片の電子部品収納用パッケージ(配線基板200)の状態で行なわれてもよい。生産性を考慮した場合には、多数個取りの状態で上記接合が行なわれる。そして、金属枠体に金属からなる蓋体が接合されて電子部品204が搭載部109に封止される。上記の実施形態の例においては、枠状メタライズ層105、接続導体113、外部接続導体104等の露出した表面にニッケルめっき層、金めっき層等の金属層が順次被着されている。そして、例えばニッケルめっき層は1.0〜20μm程度、金めっき層は0.1〜1.0μm程度で形成される。これらのめっき層により、露出した各配線導体の表面が金属層で覆われるため、耐腐食性に優れ、半田およびろう材等の濡れ性が良好な配線導体となる。
本開示の実施形態における多数個取り配線基板は、外部接続導体104が位置する第1主面106および第1主面106に相対する第2主面107を有し、第1主面106を有する第1絶縁層106a、および第2主面107を有する第2絶縁層107aとを含み、複数の配線基板領域102が縦横に配列された母基板101を備えており、母基板101には、配線基板領域102の境界に沿って、相対するように第1主面106および第2主面107にそれぞれ位置した分割溝108と、分割溝108が位置した部分において、母基板101を厚み方向に貫通する貫通孔110とが位置しており、貫通孔110は、第1絶縁層106aに位置し、外部接続導体104と接続される内面導体111が位置した第1貫通孔110a、および第2絶縁層107aに位置した第2貫通孔110bを含み、内面導体111は、縦断面視において、第1絶縁層106aの厚み方向における内面導体111の中央部に位置した厚部から、第1絶縁層106aと第2絶縁層107aの境界側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、分割溝108と内面導体111との境界から内面導体111の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部115が位置している。
上記の構成としたことから、母基板101に配列された複数の配線基板領域102の境界にレーザーにより分割溝108を設ける際、レーザーの移動により内面導体111にレーザーが照射されても、内面導体111の中央部に位置した厚部にレーザーが照射され、内面導体111において、レーザーの照射面と相対する側にレーザーが照射され難くなり(内面導体111の厚部がレーザーの遮蔽部として作用する)、内面導体111の切断を抑制、または内面導体111の断面積が小さくなることによる導通抵抗の劣化を抑制できる。
さらに、上側から下側に鉛直に照射されるレーザーに対し、内面導体111の内面が傾斜していることにより、レーザーが内面導体111へ照射される面積が大きくなる。つまり、内面導体111の内面においては、深さ方向だけでなく、幅方向にもレーザーによる溝加工が行なわれ易くなり、分割溝108と内面導体111との境界から内面導体111の内面にかけて、面取りされて傾斜部115が設けられる。これにより、電気めっき時に分割溝108の底部(108aa、108ba)における水平方向の向かい合った内面導体111同士が離間することになり、電気めっきによる内面導体111間のつながりが抑制される。そして、母基板101の分割性が良好となり、分割後の配線基板200の内面導体111の剥離を抑制できる。
上記のように、内面導体111が縦断面視において、第1絶縁層106aの厚み方向における内面導体111の中央部に位置した厚部から、第1絶縁層106aと第2絶縁層107aの境界側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置する構造とするためには、例えば、第1絶縁層106aとなるセラミックグリーンシートの所定の位置に貫通孔110を設けた後、セラミックグリーンシートを貫通孔110が印刷テーブルに設けられた吸引孔と一致するように印刷テーブルに載置し、しかる後、セラミックグリーンシートの貫通孔110の上部にスクリーン印刷用の製版に形成された開口孔とセラミックグリーンシートの貫通孔110とを位置決めしてタングステン、モリブデン等のメタライズペーストを貫通孔110に流し込みながら印刷テーブルの吸引孔からメタライズペーストの一部を吸引除去することで形成することができる。これは、使用するメタライズペーストが、その粘性により印刷後に被印刷物の中央部で厚くなり易い特性を利用したものである。
上記において、使用するメタライズペーストの粘度を調整することにより、セラミックグリーンシートの縦断面視における中央部が厚部となるように貫通孔110の内面にメタライズペーストを被着させることができる。例えば、印刷後に貫通孔110の内面に被着されるメタライズ層(内面導体111となるもの)の厚みが、厚部と薄部とがそれぞれ5〜20μm程度となるようにするために、その他の配線導体を形成するメタライズペーストよりも粘度の高いものを使用すればよい。そして、上記と同様に所定の位置に貫通孔110が設けられた、第2絶縁層107aとなるセラミックグリーンシートと、第1絶縁層106aとなるセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより、第2絶縁層107aの貫通孔110には内面導体111が位置せず、第1絶縁層106aの貫通孔110には縦断面視において、第1絶縁層106aの厚み方向における内面導体111の中央部に位置した厚部から、第1絶縁層106aと第2絶縁層107aの境界側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置した内面導体111が位置した、図1(a)、(b)に示した母基板101を製作することができる。なお、内面導体111を形成する方法は上記に限定されない。
また、本開示の実施形態における多数個取り配線基板は、分割溝108が第1主面106側に位置した第1分割溝108aと、第2主面107側に位置した第2分割溝108bとを含み、内面導体111の内面における第1分割溝108aの底部108aaの幅が第2分割溝108bの底部108baの幅よりも大きい。上記の構成により、母基板101に配列された複数の配線基板領域102の露出した配線導体に電気めっきを設ける際に、内面導体111に設けられた第1分割溝108aの底部108aaにおける内面導体111の両端がめっき膜でつながることが抑制される。さらに、母基板101の分割時に第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易くなり、母基板101の分割を容易に行うことができ、分割後の配線基板200におけるバリ、欠け、および分割時の応力が作用することによる内面導体111の剥離を抑制できる。
つまり、図2で示すように第2貫通孔110b側に位置した第2分割溝108bの底部108baには、内面導体111が位置していないため、第2分割溝108bを設けるために第2主面107側から第1主面106側に鉛直に照射されるレーザーに対し、レーザーが貫通孔110のセラミックが露出した内面の一部に照射されて深溝部116が形成されるものの、平面視では貫通孔110のセラミックが露出した内面が見えず、幅方向へのレーザーによる溝加工は行なわれ難い。
しかしながら、第1貫通孔110a側に位置した第1分割溝108aの底部108aaには、内面導体111が位置しており、第1分割溝108aを設けるために第1主面106側から第2主面107側に鉛直に照射されるレーザーに対し、薄部と厚部を有する内面導体111の内面の傾斜が薄部から厚部にかけて徐々に大きくなるように変化していることにより、レーザーが内面導体111へ照射される面積は薄部から厚部にかけて徐々に小さくなるように変化し、内面導体111の厚部における内面において、深さ方向だけでなく、幅方向にもレーザーによる溝加工が行なわれ易くなり、分割溝108と内面導体111との境界から内面導体111の内面にかけて、面取りされて傾斜部115が設けられる。よって、図2に示すように第1分割溝108aの底部108aaの幅が第2分割溝108bの底部108baの幅よりも大きい構造となる。
また、第1分割溝108aの形成時に、内面導体111の内面が傾斜していることにより、内面導体111の厚部がレーザーの遮蔽部として作用し、幅方向にもレーザーによる溝加工が行なわれ易くなるため、深さ方向へのレーザーによる溝加工が抑制される。つまり、レーザーの照射面と反対側において、内面導体111の深さ方向への溝加工されない領域が多く残るため、第1分割溝108aを形成した後の内面導体111の断面積を比較的大きくできる。よって、より効果的に内面導体111の断線、および導通抵抗が高くなることを抑制できる。
また、本開示の実施形態における多数個取り配線基板は、傾斜部115が第1主面106側から第1分割溝108aの底部108aaにかけて、幅が漸次大きい。上記の構成により、母基板101の分割時に第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易くなり、母基板101の分割をより効果的に行うことができ、分割後の配線基板200におけるバリ、欠け、および分割時の応力が作用することによる内面導体111の剥離をより効果的に抑制できる。
つまり、図2で示すように第1主面106の近傍では、レーザーを第1主面106側から照射した場合に、内面導体111となるメタライズ層の厚みが小さく、内面導体111の薄部における内面の傾斜が小さいため、レーザーが内面導体111へ照射される面積は大きくなり、深さ方向へレーザーによって溝が形成され易くなるが、メタライズ層の厚みが小さく、傾斜部115が設けられ難い。これに対し、第1分割溝108aの底部108aaの近傍では、内面導体111の厚部における内面の傾斜が大きくなるため、レーザーが照射され難くなり、さらに厚部が遮蔽部として作用することから、深さ方向へレーザーによって溝が形成され難くなる。しかし、内面導体111となるメタライズ層の厚みが大きく、レーザーのエネルギーが内面導体111に吸収され易いため、幅方向へレーザーによって溝が形成され易くなり、傾斜部115が設けられ易い。これにより、第1主面106側から第1分割溝108aの底部108aaにかけて、幅が漸次大きくなるように効果的に傾斜部115を位置させることができる。
これに対し、図2で示すように第2主面107側の第2絶縁層107aに位置した貫通孔110には内面導体111が位置しておらず、レーザーを第2主面107側から照射した場合には、レーザーのエネルギーが第2絶縁層107aに吸収され難いため、幅方向へのレーザーによる溝加工が行なわれ難く、深さ方向(レーザーの照射方向)への溝加工が行なわれ易い。よって、図2に示したように第2分割溝108bおよび深溝部116が形成される。これにより、母基板101の分割時に第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易くなる。なお、照射されるレーザーは、内面導体111を構成するタングステン、モリブデン等の金属に吸収され易いのに対して、第2貫通孔110bのようなセラミックが露出した領域には、タングステン、モリブデン等の金属(金属酸化物を除く)を含んでおらず、レーザーのエネルギーが吸収され難いため、傾斜部115は内面導体111の厚みが大きいほど幅が大きくなる傾向があり、内面導体111の内面の傾斜の大小よりも内面導体111の厚みのほうが傾斜部115の幅への影響が大きい。
第1主面106側から第1分割溝108aの底部108aaにかけて位置する図2で示した傾斜部115を、図2(b)におけるY−Y’線の平面断面視で図3に示した。図3に示すように、母基板101に配列された配線基板領域102の境界に沿って、第1主面106側から第1分割溝108aが位置しており、Y−Y’線の平面断面視における絶縁層の深さを超えて位置している。第1分割溝108aが位置した部分において、母基板101を厚み方向に貫通する貫通孔110が位置しており、貫通孔110の内面には内面導体111が位置している。Y−Y’線の平面断面視において、内面導体111にも第1分割溝108aが位置している。なお、内面導体111は縦断面視において、第1絶縁層106aの厚み方向における内面導体111の中央部に位置した厚部から、第1絶縁層106aと第2絶縁層107aの境界側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しているが、Y−Y’線の平面断面視においては、貫通孔110の全周にかけてほぼ同じ厚みで位置している。
図3に示すように、傾斜部115は、第1分割溝108aの延長線上において第1絶縁層106aと内面導体111の境界から内面導体111の内面にかけて凸状となるように面取りされている。そして、図2(b)におけるY−Y’線の平面断面視よりも第1主面106側においては、傾斜部115が第1分割溝108aの延長線上において第1絶縁層106aと内面導体111の境界から内面導体111の内面にかけて、Y−Y’線の平面断面視における傾斜部115よりも幅が小さい凸状となるように面取りされている。さらに、図2(b)におけるY−Y’線の平面断面視よりも第2主面107側においては、傾斜部115が第1分割溝108aの延長線上において第1絶縁層106aと内面導体111の境界から内面導体111の内面にかけて、Y−Y’線の平面断面視における傾斜部115よりも幅が大きく凸状となるように面取りされている。
上記のように、母基板101において傾斜部115が第1主面106側から第1分割溝108aの底部108aaにかけて、幅が漸次大きく、第1分割溝108aが深いほど第1分割溝108aの底部108aaにおける水平方向の向かい合った内面導体111が近接するが、第1分割溝108aの底部108aaの近傍では、傾斜部115により内面導体111となるメタライズ層の厚みが小さくなり、内面導体111の内面に近いほど第1分割溝108aに対して水平方向の向かい合った内面導体111が離間する構造となるため、母基板101の分割をより効果的に行うことができ、分割後の配線基板200におけるバリ、欠け、および内面導体111の分割時の応力が作用することによる剥離をより効果的に抑制できる。
本開示の実施形態における電子部品収納用パッケージ(配線基板200)は、絶縁基板201を含み、第1主面106および第1主面106に相対する第2主面107と、第1主面106と第2主面107との間に位置し、電子部品204が搭載される搭載部109、および電子部品204が接続される接続導体113が位置した第3主面117と、絶縁基板201の外縁において、第1主面106から第2主面107にかけて位置した切欠き部114と、第1主面106において、絶縁基板201に位置した複数の外部接続導体104と、絶縁基板201の側面に切断面(分割溝108が位置した面)および破断面112を備えており、切欠き部114の一部に位置し、外部接続導体104と接続され、破断面112を有する側面導体206を含んでおり、縦断面視において、側面導体206は絶縁基板201の厚み方向における側面導体206の中央部に位置した厚部から、第3主面117側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、絶縁基板201の切断面と側面導体206との境界から側面導体206の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部115が位置している。上記の構成により、側面導体206の角部が傾斜部115として面取りされた構造となり、側面導体206を切欠き部114の内側面に強固に設けることができ、側面導体206の切欠き部114からの剥離が抑制される。なお、切欠き部114内において、側面導体206の内面とは、切断面が設けられていない、側面導体206が切欠き部114の内側に露出している表面を表している。
本開示の実施形態における、電子部品収納用パッケージとなる配線基板200の一例として、配線基板200の平面図を図8で、また配線基板200の短辺側から見た裏面斜視図を図9に示す。図8には、配線基板200が絶縁基板201を含み、第1主面106および第1主面106に相対する第2主面107と、第1主面106と第2主面107との間に位置し、電子部品204が搭載される搭載部109、および電子部品204が接続される接続導体113が位置した第3主面117を示している。そして、絶縁基板201の第3主面117に位置した搭載部109には、短辺側に沿って一対の接続導体113が位置している。一対の接続導体113に導電性接着剤等の接合材205により水晶振動素子、半導体素子等の電子部品204(例えば水晶振動素子)が接続されて収容された後、搭載部109が枠部(第2主面107)の上面に、平面視で搭載部109を取り囲んで位置した枠状メタライズ層105に、蓋体がろう材等により接合されて気密封止される。
すなわち、蓋体の下面にあらかじめろう材が一体化されて設けられており、枠状メタライズ層105上に金属からなる蓋体を載置して熱処理することで蓋体が接合されて、搭載部109が気密封止される。なお、絶縁基板201の上面にあらかじめろう付け等の方法で接合された金属枠体に金属からなる蓋体を載置して、蓋体の外周縁にシーム溶接機の一対のローラー電極を接触させながら転動させるとともに、ローラー電極間に溶接のための大電流を流し、抵抗発熱により、ローラー電極と蓋体との接触部を高温とすることによって金属枠体に蓋体をシーム溶接することによって、気密封止を行う方法を採用した配線基板200であってもよい。
また、図9には配線基板200の短辺側から見た裏面斜視図を示しており、絶縁基板201の外縁において、第1主面106から第2主面107にかけて位置した切欠き部114と、第1主面106において、絶縁基板201に位置した複数の外部接続導体104と、絶縁基板201の側面に切断面および破断面112を備えている。そして、切欠き部114の一部に位置し、外部接続導体104と接続され、破断面112を有する側面導体206を含んでおり、縦断面視において、側面導体206は絶縁基板201の厚み方向における側面導体206の中央部に位置した厚部から、第3主面117側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、絶縁基板201の切断面と側面導体206との境界から側面導体206の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部115が位置している。
図3で示されているように、側面導体206(内面導体111)の角部が傾斜部115として面取りされた構造となっている。さらに、図9で示されているように縦断面視において、側面導体206は絶縁基板201の厚み方向における側面導体206の中央部に位置した厚部から第3主面117側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置している。つまり、絶縁基板201の四隅の切欠き部114に位置した側面導体206は、その厚部によりメタライズ層である側面導体206そのものの強度を強くすることができる。よって、母基板101を各配線基板領域102に分割した際に、隣り合う配線基板領域102が両側へ引っ張られることにより発生する側面導体206の剥離が抑制されて、切欠き部114の内面に強固に側面導体206が設けられている。なお、母基板101を分割する際に側面導体206となる内面導体111の厚み方向の第1主面側106において薄部が位置しているが、薄部は図2で示すように既にレーザーによって非接触で溝加工されているため、薄部のメタライズ層そのものの強度が仮に弱くても剥離し難い。また、内面導体111に位置する第1分割溝108aの底部108aaよりも第2主面107側に位置する傾斜部115は、分割方向における内面導体の厚部の一部が薄くなるように位置していることから、傾斜部115により母基板101の分割時に、第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易くなり、母基板101の分割を容易に行うことができ、分割後のバリ、欠けが抑制された配線基板を提供できる。
また、図8(b)に示すように、本開示の実施形態における電子部品収納用パッケージは、縦断面視において、切断面は、第1主面106側に位置し、破断面112側の縁部に第1曲部207aaを有した第1切断面207aと、第2主面107側に位置し、破断面112側の縁部に第2曲部207baを有した第2切断面207bとを含み、側面導体206の内面における第1切断面207aの第1曲部207aaの幅が第2切断面207bの第2曲部207baの幅よりも大きい。上記の構成により、電子部品収納用パッケージを含む母基板101の分割時に第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易くなり、母基板101の分割を容易に行うことができ、母基板101の分割後の電子部品収納用パッケージにおけるバリ、欠け、および母基板101の分割時の応力が作用することによる側面導体206(内面導体111)の剥離を抑制できる。なお、第1切断面207aが第1分割溝108aに対応し、第1曲部207aaが第1分割溝108aの底部108aaに対応し、第2切断面207bが第2分割溝108bに対応し、第2曲部207baが第2分割溝108bの底部108baに対応し、深切断面208が深溝部116に対応している。
また、本開示の実施形態における電子部品収納用パッケージは、傾斜部115が第1主面106側から第1切断面207aの第1曲部207aaにかけて、幅が漸次大きい。上記の構成により、電子部品収納用パッケージを含む母基板101の分割時に第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易くなり、母基板101の分割をより効果的に行うことができ、分割後の配線基板200におけるバリ、欠け、および分割時の応力が作用することによる側面導体206(内面導体111)の剥離をより効果的に抑制できる。
なお、本開示の電子部品収納用パッケージ(配線基板200)では、図1、図2の母基板101で示したように、第1絶縁層106aに位置する切欠き部114となる第1貫通孔110aの径と、第2絶縁層107aに位置する切欠き部114となる第2貫通孔110bとの径を同じとする構造だけでなく、図4の(a)および(b)、または図5の母基板101で示したように、第1絶縁層106aに位置する切欠き部114となる第1貫通孔110aの径が、第2絶縁層107aに位置する切欠き部114となる第2貫通孔110bの径よりも大きい構造で製作されていてもよい。上記の構成であれば、図5に示すように側面導体206となる内面導体111が位置した切欠き部114の内面が広くなり、内面導体111と第1主面106に位置した外部接続導体104とが接続される幅が大きくなる。その結果、図10の要部側面視で示すように、母基板101を分割したのちに得られる配線基板200において、側面導体206と第1主面106に位置した外部接続導体104との接続が良好に行われた構造を実現できる。
ここで、図5に示した母基板101において、図5のα−α’線におけるレーザーによる分割溝108の形成方法について、図6(a)〜(b)、および図7(c)〜(d)をもとに詳細に説明する。なお、図6(a)〜(b)、図7(c)〜(d)においては、便宜上、外部接続導体104、枠状メタライズ層105を省略している。
図6(a)にレーザー210により母基板101(焼成前のセラミックグリーンシート積層体)の第1主面106側に第1分割溝108aを形成する状態を示す。母基板101の複数の配線基板領域102、または複数の配線基板領域102と捨て代領域103の境界に沿って走査されたレーザー210により、母基板101の第1絶縁層106aの深さ方向に第1分割溝108aを同じ深さで形成しながら、貫通孔110が設けられた領域に向かって溝加工が行なわれる。
つぎに、図6(b)に示すように、切欠き部114となる貫通孔110の近傍において、レーザー210が貫通孔110の内面に露出した内面導体111にも照射されるため、第1絶縁層106aの深さ方向により大きい深さで第1分割溝108aが形成される。上記において、上側から下側に鉛直に照射されるレーザー210に対し、内面導体111の内面が傾斜していることにより、レーザー210が内面導体111へ照射される面積が大きくなる。つまり、内面導体111の内面においては、深さ方向だけでなく、幅方向にもレーザーによる溝加工が行なわれ易くなり、分割溝108と内面導体111との境界から内面導体111の内面にかけて、面取りされて傾斜部115が位置する。
つぎに、図7(c)、(d)に示すように、走査されながら内面導体111に切断面(内面導体111における第1分割溝108aの延長部)を形成したレーザー210は、第2絶縁層107aの貫通孔110の内部に露出した第1絶縁層106a側の一部の部分にも照射されるため、第1主面106側からのレーザー210により第2絶縁層107aにも段部の分割溝108cが形成される。上記のレーザー210の走査により、図7(d)に示したように、内面導体111の第1主面106側には切断面が位置し、また内面導体111の第2主面107側には、切断面が設けられない領域(分割後に内面導体111の破断面となる領域)が位置する。なお、段部の分割溝108cは、母基板101の分割後、電子部品収納用パッケージにおける段部の切断面207cとなる。
さらに、第2絶縁層107aの第1絶縁層106a側において、内面導体111の下側に分割溝の非形成領域211が位置している。分割溝の非形成領域211が位置していることによって、内面導体111の厚部が遮蔽部として作用し、内面導体111における切断面が設けられない領域を有していることがわかる。上記のように、図6〜図7で示したレーザーによる分割溝108の形成方法により、図5で示すような母基板101を製作することができる。なお、図7(d)の次の分割溝の形成工程として、レーザー210が貫通孔110から内面導体111、および第1絶縁層106aに、さらに走査されて第1分割溝108aが形成されることになるが、上記で説明した図6〜図7と逆の工程で第1分割溝108aが形成される。そして、形成された第1分割溝108aは、貫通孔110の中央に対する両側の形状がほぼ対称となるように位置する。
本実施例では、図5に示した母基板101におけるレーザー210による溝加工を示したが、図2に示した母基板101におけるレーザー210による溝加工も同様の工程で行われる。上記において、第1絶縁層106aに設けられる切欠き部114となる第1貫通孔110aの径と、第2絶縁層107aに設けられる切欠き部114となる第2貫通孔110bとの径が同じ構造であるため、内面導体111の下側には分割溝の非形成領域211は位置しない。なお、母基板101へのレーザー210による溝加工は、焼成前のセラミックグリーンシート積層体としたが、焼成後のめっき工程前の母基板101でも可能である。
上記の分割溝の形成方法により、内面導体111における切断面が位置しない領域の断面積が大きくなることにより、内面導体111がレーザー210により切断されるのが抑制され、または内面導体111の断面積が小さくなることによる導通抵抗の劣化が抑制される。よって、電気めっきにより配線基板領域102に露出した配線導体に良好にニッケルめっき層、金めっき層等の金属層が被着された配線導体を有する配線基板200を提供できる。
本開示の実施形態における電子装置300は、上記に記載の電子部品収納用パッケージ(配線基板200)と、電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品204とを有る。上記の構成により、電子部品収納用パッケージが小型化しても、側面導体206が切欠き部114の内側面に強固に設けられ、電気めっきによる各配線導体への金属層の被着性、および電子部品204との接続信頼性に優れた装置を提供できる。
電子装置300を構成する電子部品収納用パッケージとなる配線基板200は、母基板101に配列された複数の配線基板領域102の境界にレーザーにより分割溝108を設ける際、レーザー210の移動により内面導体111にレーザーが照射されても、内面導体111の中央部に設けられた厚部にレーザーが照射され、内面導体111において、レーザーの照射面と相対する側にレーザーが照射され難くなり(内面導体111の厚部がレーザーの遮蔽部として作用する)、内面導体111が切断されるのが抑制され、または内面導体111の断面積が小さくなることによる導通抵抗の劣化が抑制される。これにより、電気めっきにより配線基板領域102に露出した配線導体に良好にニッケルめっき層、金めっき層等の金属層が被着された配線導体を有する配線基板200が製作される。
上記の配線基板200を用いれば、電子部品収納用パッケージとなる配線基板200が小型化しても、配線基板200となる配線基板領域102の四隅の貫通孔110の周囲に位置した内面導体111を介して各配線基板領域102間が効率よく接続され、電気めっきにより各配線基板領域102に露出した配線導体に良好にニッケルめっき層、金めっき層等の金属層が被着されているため、接続導体113と電子部品204との接続信頼性、および外部接続導体104と外部電気回路との接続信頼性が向上された電子装置300を提供できる。
さらに、電子装置300を搬送するためのトレー等に収納する際に、電子装置300に含まれる配線基板200は、絶縁基板201の切断面と側面導体206との境界から側面導体206の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部115が位置していることから、配線基板200の第1主面106側における側面導体206の両端角部が尖った端部になり難いことから、トレーが柔らかい材質で構成されていても配線基板200がトレーの内側面等に掛かり難くなり、配線基板200を搬送するためのトレー等に収納する際の収納性がより効果的に良好となる。さらに、搬送時にトレーの内側面に配線基板200の側面導体206の両端角部が接触し、トレーの一部が削られることによるダストの発生も抑制することができる。
本開示の実施形態における電子モジュール400は、上記に記載の電子装置300と、電子装置300が接続されたモジュール用基板401とを有している。上記の構成としたことから、上記の電子装置300を用いることにより、電子部品収納用パッケージが小型化しても、側面導体206が切欠き部114の内側面に強固に設けられ、電気めっきによる各配線導体への金属層の被着性、および電子部品204との接続信頼性に優れた電子装置300が搭載された、動作信頼性に優れた電子モジュール400を提供できる。
つまり、配線基板200が絶縁基板201の外縁において、第1主面106から第2主面107にかけて位置した切欠き部114と、第1主面106において、絶縁基板201に位置した複数の外部接続導体104と、絶縁基板201の側面に切断面および破断面112を備えており、切欠き部114の一部に位置し、外部接続導体104と接続され、破断面を有する側面導体206を含んでおり、縦断面視において、側面導体206は絶縁基板201の厚み方向における側面導体206の中央部に位置した厚部から、第3主面117側および第1主面106側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように傾斜部115が位置していることにより、厚部によりメタライズ層である側面導体206そのものの強度を強くすることができる。
また、薄部は既にレーザーによって非接触で溝加工されているため、薄部のメタライズ層そのものの強度が仮に弱くても剥離し難い。また、側面導体206に位置する切断面(第1分割溝108aの跡)の第1曲部207aaよりも第2主面107側に位置する傾斜部115の一部は、分割方向における側面導体206の厚部の一部が薄くなるように位置していることから、第1曲部207aaよりも第2主面107側に位置する傾斜部115の一部により母基板101の分割時に、第2分割溝108bの底部108baから第1分割溝108aの底部108aaに亀裂が進行し易く、母基板101の分割を容易に行うことができるため、分割後のバリ、欠けが抑制された配線基板200が用いられた電子装置300の製造が可能となる。よって、電子装置300としての外形寸法精度に優れ、側面導体206の剥離が抑制された電子装置300により、実装信頼性、電気特性に優れた電子装置300がモジュール用基板401に搭載された、動作信頼性に優れた電子モジュール400を提供できる。
なお、本開示の多数個取り配線基板(母基板101)、電子部品収納用パッケージ(配線基板200)等は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、上記実施形態の例において、多数個取り配線基板は、第1絶縁層106aと第2絶縁層107aの2層からなる積層体に、凹状の搭載部が位置する配線基板領域102が配列された母基板101としたが、凹部を含まない、上面に搭載部を有する平板状の配線基板が配列された母基板としてもよい。また、第1絶縁層106a、および第2絶縁層107aを2層以上で構成し、3層以上の積層体としてもよい。さらに、母基板101に配列された配線基板領域102の四隅に位置した貫通孔110の形状を円形状としたが、貫通孔110の形状を楕円状、長孔状としてもよく、上記の場合、分割された配線基板200の切欠き部114の形状が、楕円状、長孔状を4分割した構造としてもよい。
Claims (8)
- 外部接続導体が位置する第1主面および該第1主面に相対する第2主面を有し、前記第1主面を有する第1絶縁層、および前記第2主面を有する第2絶縁層とを含み、
複数の配線基板領域が縦横に配列された母基板を備えており、
該母基板には、前記配線基板領域の境界に沿って、相対するように前記第1主面および前記第2主面にそれぞれ位置した分割溝と、
該分割溝が位置した部分において、前記母基板を厚み方向に貫通する貫通孔とが位置しており、
該貫通孔は、前記第1絶縁層に位置し、前記外部接続導体と接続される内面導体が位置した第1貫通孔、および前記第2絶縁層に位置した第2貫通孔を含み、
前記内面導体は、縦断面視において、前記第1絶縁層の厚み方向における前記内面導体の中央部に位置した厚部から、前記第1絶縁層と前記第2絶縁層の境界側および前記第1主面側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、前記分割溝と前記内面導体との境界から前記内面導体の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部が位置していることを特徴とする多数個取り配線基板。 - 前記分割溝は、前記第1主面側に位置した第1分割溝と、前記第2主面側に位置した第2分割溝とを含み、前記内面導体の内面における前記第1分割溝の底部の幅が前記第2分割溝の底部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の多数個取り配線基板。
- 前記傾斜部は、前記第1主面側から前記第1分割溝の底部にかけて、幅が漸次大きいことを特徴とする請求項2に記載の多数個取り配線基板。
- 絶縁基板を含み、第1主面および該第1主面に相対する第2主面と、前記第1主面と前記第2主面との間に位置し、電子部品が搭載される搭載部、および前記電子部品が接続される接続導体が位置した第3主面と、前記絶縁基板の外縁において、前記第1主面から前記第2主面にかけて位置した切欠き部と、前記第1主面において、前記絶縁基板に位置した複数の外部接続導体と、前記絶縁基板の側面に切断面および破断面を備えており、
前記切欠き部の一部に位置し、前記外部接続導体と接続され、前記破断面を有する側面導体を含んでおり、
縦断面視において、前記側面導体は、前記絶縁基板の厚み方向における前記側面導体の中央部に位置した厚部から、前記第3主面側および前記第1主面側に位置した薄部にかけて、厚みが漸次小さくなるように位置しており、
前記絶縁基板の前記切断面と前記側面導体との境界から前記側面導体の内面にかけて、厚みが漸次大きくなるように傾斜部が位置していることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。 - 縦断面視において、前記切断面は、前記第1主面側に位置し、前記破断面側の縁部に第1曲部を有した第1切断面と、前記第2主面側に位置し、前記破断面側の縁部に第2曲部を有した第2切断面とを含み、前記側面導体の内面における前記第1切断面の前記第1曲部の幅が前記第2切断面の前記第2曲部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の電子部品収納用パッケージ。
- 前記傾斜部は前記第1主面側から前記第1切断面の前記第1曲部にかけて、幅が漸次大きいことを特徴とする請求項5に記載の電子部品収納用パッケージ。
- 請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品とを有していることを特徴とする電子装置。
- 請求項7に記載の電子装置と、該電子装置が接続されたモジュール用基板とを有していることを特徴とする電子モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017186552 | 2017-09-27 | ||
JP2017186552 | 2017-09-27 | ||
PCT/JP2018/035662 WO2019065724A1 (ja) | 2017-09-27 | 2018-09-26 | 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019065724A1 JPWO2019065724A1 (ja) | 2020-11-19 |
JP6889269B2 true JP6889269B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=65902458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019545560A Active JP6889269B2 (ja) | 2017-09-27 | 2018-09-26 | 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11264967B2 (ja) |
JP (1) | JP6889269B2 (ja) |
CN (1) | CN111052352B (ja) |
WO (1) | WO2019065724A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021106655A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249589A (ja) | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
JP2006066648A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
JP4712065B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2011-06-29 | 京セラ株式会社 | 多数個取り配線基板、配線基板、ならびに多数個取り配線基板および配線基板の製造方法 |
JP5763962B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2015-08-12 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック配線基板、多数個取りセラミック配線基板、およびその製造方法 |
CN103703871A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-04-02 | 日本特殊陶业株式会社 | 配线基板和多片式配线基板 |
JP2014027219A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 |
JP6495701B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2019-04-03 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法 |
-
2018
- 2018-09-26 JP JP2019545560A patent/JP6889269B2/ja active Active
- 2018-09-26 US US16/650,989 patent/US11264967B2/en active Active
- 2018-09-26 CN CN201880057128.8A patent/CN111052352B/zh active Active
- 2018-09-26 WO PCT/JP2018/035662 patent/WO2019065724A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019065724A1 (ja) | 2019-04-04 |
CN111052352B (zh) | 2023-02-28 |
CN111052352A (zh) | 2020-04-21 |
US20200287517A1 (en) | 2020-09-10 |
JPWO2019065724A1 (ja) | 2020-11-19 |
US11264967B2 (en) | 2022-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10832980B2 (en) | Electronic component housing package, multi-piece wiring substrate, electronic apparatus, and electronic module | |
JP6337142B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板および電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
US10945338B2 (en) | Wiring substrate | |
CN110612780B (zh) | 多连配线基板、电子部件收纳用封装件以及电子装置 | |
JP2014027219A (ja) | 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 | |
JP6317115B2 (ja) | 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 | |
JP6889269B2 (ja) | 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール | |
JP5383407B2 (ja) | 多数個取り配線基板 | |
EP4068347A1 (en) | Package for housing electronic component, electronic device, and electronic module | |
JP2018046266A (ja) | 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 | |
JP6725333B2 (ja) | 多数個取り配線基板および配線基板 | |
JP6933747B2 (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP6374279B2 (ja) | 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 | |
JP6506132B2 (ja) | 多数個取り配線基板および配線基板 | |
JP6130278B2 (ja) | 多数個取り配線基板 | |
JP2018166225A (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP2006041310A (ja) | 多数個取り配線基板 | |
JP2005285866A (ja) | 多数個取り配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6889269 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |