JP7014645B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
<半導体発光装置の構成>
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態1に係る半導体発光装置10を示す斜視図である。半導体発光装置10は、放熱板130上に搭載されたキャンタイプの半導体発光素子100を具備している。図2は、半導体発光素子100のキャップ110を外してその内部構造を示した斜視図である。図3は、図1において符号Aで示される方向から観察した半導体発光装置10の局所断面図である。
次に、本実施の形態1に係る半導体発光装置10の製造方法について説明する。
<使用方法>
本実施の形態1に係る半導体発光装置10の使用方法について説明する。
実施の形態2に係る半導体発光装置について、図4および5を用いて説明する。図4は、本実施の形態2に係る半導体発光装置20を示す斜視図であり、図5は、図4において符号Aで示される方向から観察した半導体発光装置20の局所断面図である。
実施の形態3に係る半導体発光装置について、図6を用いて説明する。図6(a)は本実施の形態3に係る半導体発光装置30を示す斜視図であり、図6(b)は半導体発光装置30におけるギャップ内の接続構造を示す断面図である。
実施の形態4に係る半導体発光装置について、図7を用いて説明する。図7(a)は本実施の形態4に係る半導体発光装置40を示す斜視図であり、図7(b)は半導体発光装置40におけるギャップ内の接続構造を示す断面図である。
実施の形態5に係る半導体発光装置について、図8および図9を用いて説明する。図8は、本実施の形態5に係る半導体発光装置50を示す斜視図である。図9は、半導体発光装置50に用いられる半導体発光素子300のキャップ110を外してその内部構造を示した斜視図である。
実施の形態6に係る半導体発光装置について、図10を用いて説明する。図10は、本実施の形態6に係る半導体発光装置60を示す斜視図である。実施の形態6に係る半導体発光装置60は、実施の形態4に係る半導体発光装置40を集積した構成を例示するものであり、1枚の放熱板133上に複数の半導体発光素子100を集積して搭載したものである。尚、1枚の放熱板上に複数の半導体発光素子を集積する場合、半導体発光素子は一列状もしくはマトリクス状に配置されることが考えられるが、以下の説明における半導体発光装置60では、半導体発光素子100をマトリクス状に配置したものを例示する。
100~300 半導体発光素子
101,201 基台
103 貫通穴
105 リード
107,207 基台底面
110 キャップ
121 サブマウント
122 半導体レーザチップ(半導体発光チップ)
123 ミラー(光路折り曲げ部材)
130~134 放熱板
140 ギャップ
150 フレキシブル基板
701 コリメートレンズ
702 集光レンズ
Claims (9)
- 半導体発光素子を、金属からなり前記半導体発光素子の基台より面積の大きい放熱板上に搭載してなる半導体発光装置であって、
前記半導体発光素子は、
板状の金属からなる前記基台と、
光透過性部材からなる窓部を備え、前記基台に載置されたキャップと、
前記基台の上面に搭載された、導波路を備える半導体発光チップと、
前記半導体発光チップの導波路端からの放出光の光路を上方向に変換して前記窓部より出射させる光路折り曲げ部材と、
前記半導体発光チップへ電力を供給するためのリードとを有しており、
前記リードの上端、前記半導体発光チップおよび前記光路折り曲げ部材が、前記キャップと前記基台とによって囲まれる内部空間に収納されているものであり、
前記基台は前記放熱板上に搭載されるとともに、その下面の一部の領域と前記放熱板の上面との間にはギャップが設けられており、
前記半導体発光チップは、前記ギャップが設けられた領域以外の領域に、導波路長手方向が前記基台の上面に略平行となるように配置され、
前記リードは、前記ギャップが設けられた領域に、前記基台を上下に貫通するように配置されており、
前記リードの下端は、前記ギャップ内に位置して、フレキシブル基板に接続されており、
前記基台の平面視形状が略四辺形であり、
前記半導体発光チップは、その導波路長手方向が前記略四辺形の一方の対角線に沿うように設置されており、
前記略四辺形の他方の対角線上の互いに対向する2つの角部付近に前記ギャップが配置されることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置であって、
前記キャップと前記基台とによって囲まれる内部空間は、気密封止されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1または2に記載の半導体発光装置であって、
前記ギャップは、前記放熱板の上面の前記基台が搭載される領域に設けられた段差により構成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1または2に記載の半導体発光装置であって、
前記ギャップは、前記基台の下面に設けられた切り欠け部により構成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から4の何れか1項に記載の半導体発光装置であって、
前記放熱板上に、複数の前記半導体発光素子を搭載していることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項5に記載の半導体発光装置であって、
前記複数の半導体発光素子は、前記放熱板上に一列またはマトリクス状に配置され、
前記一列またはマトリクスの同列に配置された複数の半導体発光素子の各半導体発光チップには、共通の前記フレキシブル基板により電力が供給されることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から6の何れか1項に記載の半導体発光装置であって、
前記ギャップの高さは、0.1mm以上かつ前記基台の厚み以下であることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から6の何れか1項に記載の半導体発光装置であって、
前記ギャップの高さは、0.1mm以上かつ4mm以下であることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から8の何れか1項に記載の半導体発光装置であって、
前記半導体発光チップは、窒化物半導体により構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
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