JPH02191389A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光情報処理装置や光通信などの光源として用い
ることができる半導体レーザ装置に関するものである。
ることができる半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置はコンパクトディスクやビデオ
ディスクなどの光情報処理装置や光通信などの光源とし
て、広く使用されている。このような半導体レーザ装置
は、ＬＥＤや他の半導体デバイスに比べてコストダウン
が図りにくいという問題がある。Ｋ、 Ｅ Ｄや他の半
導体デバイスにくらべて、半導体レーザ装置のコストダ
ウンが難しいのは、歩留まりの問題だけでなく、材料・
部品なとが高価であることも主な原因として挙げられる
。
ディスクなどの光情報処理装置や光通信などの光源とし
て、広く使用されている。このような半導体レーザ装置
は、ＬＥＤや他の半導体デバイスに比べてコストダウン
が図りにくいという問題がある。Ｋ、 Ｅ Ｄや他の半
導体デバイスにくらべて、半導体レーザ装置のコストダ
ウンが難しいのは、歩留まりの問題だけでなく、材料・
部品なとが高価であることも主な原因として挙げられる
。
従来の半導体レーザ装置は、第 図に示すようなキャン
タイプであり、約１μｍ厚の金メツキをほどこしたステ
ム３１上にシリコンサブマウント３２およびレーザチッ
プ３３が配置されるとともに、この七から反射防止膜、
いわゆる、ＡＲコートがほどこされた窓ガラス３４を有
するキャップ３５が被せられた構成にされていた。なお
、キャップ３５内にはＮ２ガスが封入されている。
タイプであり、約１μｍ厚の金メツキをほどこしたステ
ム３１上にシリコンサブマウント３２およびレーザチッ
プ３３が配置されるとともに、この七から反射防止膜、
いわゆる、ＡＲコートがほどこされた窓ガラス３４を有
するキャップ３５が被せられた構成にされていた。なお
、キャップ３５内にはＮ２ガスが封入されている。
発明が解決しようとする課題
上記従来の半導体レーザ装置では、レーザチップ以外の
部品であるステムやキャップが高価なため、コストダウ
ンに限界があり、さらに半導体レーザ装置は、構造−Ｆ
出射ビームが広がりを持つため、それを補正するレンズ
系が必要となり、光学系を構成する光ピツクアップ装置
全体も高価なものになるという課題があった。
部品であるステムやキャップが高価なため、コストダウ
ンに限界があり、さらに半導体レーザ装置は、構造−Ｆ
出射ビームが広がりを持つため、それを補正するレンズ
系が必要となり、光学系を構成する光ピツクアップ装置
全体も高価なものになるという課題があった。
本発明の第１の目的は、高価な部品を必要とせず、通常
のプラスチック封止型のＬＥＤなどと同じ材料および同
し、プロセスを用いることによ−】で、安価に製造でき
る半導体レーザ装置を提供することにある。
のプラスチック封止型のＬＥＤなどと同じ材料および同
し、プロセスを用いることによ−】で、安価に製造でき
る半導体レーザ装置を提供することにある。
本発明の第２の［」的は、Ｎ２ガスの影響を受けること
なく、レーザ光の反射率制御の容易な半導体レーザ装置
を提供することにある。
なく、レーザ光の反射率制御の容易な半導体レーザ装置
を提供することにある。
本発明の第３の目的は、反射率が低く、出力の高い半導
体レーザ装置を提供することにある。
体レーザ装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明の半導体レーザ装置は、要約すると、キャビティ
端面が高反射率皮膜で覆われたレーザチップをマウント
部材を介してチップ支持部に配置するとともに、Ｌ記各
チップおよびマウント部材全体を透光性のプラスチック
で覆ったものである。。
端面が高反射率皮膜で覆われたレーザチップをマウント
部材を介してチップ支持部に配置するとともに、Ｌ記各
チップおよびマウント部材全体を透光性のプラスチック
で覆ったものである。。
作用
上記の構成によると、レーザチップをマウント部材を介
して直接チップ支持部に配置したので、従来のようなＡ
ｕメツキのステムやＡＲコートがほどこされた窓ガラス
付キャップといった高価な部品を必要とせず、通常のプ
ラスチック封止型のＬＥＤなどと同じ材料および間じプ
ロセスを用いて作ることができる。さらに、プラスチッ
クの外形をレンズ状や傾斜型に整形できるため、補正用
レンズ系を使用しなくても出射ビームの平行化や非点収
差の補正が可能となる。
して直接チップ支持部に配置したので、従来のようなＡ
ｕメツキのステムやＡＲコートがほどこされた窓ガラス
付キャップといった高価な部品を必要とせず、通常のプ
ラスチック封止型のＬＥＤなどと同じ材料および間じプ
ロセスを用いて作ることができる。さらに、プラスチッ
クの外形をレンズ状や傾斜型に整形できるため、補正用
レンズ系を使用しなくても出射ビームの平行化や非点収
差の補正が可能となる。
実施例
以下、本発明の第１の実施例を図面に基づき説明する。
まず、第１図、第２図に基づき半導体レーザ装置の構造
について説明する。
について説明する。
第１図、第２図において、３本の金属リード１のうち、
中央のり−ドＩＡの先端には、幅の広いマウント１１Ａ
’が一体に形成されている。このマウント部ＩＡ’の上
面の先端付近には、シリコンサブマウント２が取付けら
れており、このシリコンサブマウント２の表面にレーザ
チップ３が配置されている。マウント部ＩＡ’の上面の
後方にはフォトダイオードチップが配置されている。こ
れらのレーザチップ３およびフォトダイオードチップ４
と、両側のリードＩＢ、ＩＣとはそれぞれ金属ワイヤ５
を介して電気的に接続されている。そして、３本のリー
ドＩＡ〜ＩＣの他端部を除く全体、すなわち各チップ３
，４、シリコンサブマウント２゜マウント部ＩＡ“およ
び３本のリードＩＡ〜ＩＣの一端部は、透明のプラスチ
ック樹脂６によって覆われている。したがって、チップ
３，４の外周面はプラスチック６に接触していることに
なる。
中央のり−ドＩＡの先端には、幅の広いマウント１１Ａ
’が一体に形成されている。このマウント部ＩＡ’の上
面の先端付近には、シリコンサブマウント２が取付けら
れており、このシリコンサブマウント２の表面にレーザ
チップ３が配置されている。マウント部ＩＡ’の上面の
後方にはフォトダイオードチップが配置されている。こ
れらのレーザチップ３およびフォトダイオードチップ４
と、両側のリードＩＢ、ＩＣとはそれぞれ金属ワイヤ５
を介して電気的に接続されている。そして、３本のリー
ドＩＡ〜ＩＣの他端部を除く全体、すなわち各チップ３
，４、シリコンサブマウント２゜マウント部ＩＡ“およ
び３本のリードＩＡ〜ＩＣの一端部は、透明のプラスチ
ック樹脂６によって覆われている。したがって、チップ
３，４の外周面はプラスチック６に接触していることに
なる。
次に、上記半導体レーザ装置の製造方法を、第３図およ
び第４図に基づき説明する。なお、レーザチップ３は一
例として基本構造である電極ストライブ型を用いて説明
する。
び第４図に基づき説明する。なお、レーザチップ３は一
例として基本構造である電極ストライブ型を用いて説明
する。
まず、第３図に示すように、ｎ型ＧａＡｓ （１００）
基板１１上にｎ型Ｇ ａｏ、６Ａ ｌ ｏ、４Ａ ｓク
ラ１１層１２、ＧａＡｓ活性層１３．ｐ型Ｇａｏ、ａＡ
ｊ！ｏ４Ａｓクラッド層１４およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層１５を順次エピタキシャル成長させる。次に、第４
図に示すように、キャップ層１５の表面上にＡ、１＝０
３膜１６を形成し、＜０１１＞方向に並行な方向に幅５
μｍのストライブ状の窓１６ａを形成する。その後、ウ
ェハの表面にｎ型電極１７および裏面にｎ型電極１８を
形成する。そして、このウェハをへき関することによっ
てできるキャビテイ面の両端面に誘電体多層皮膜あるい
は金属から成る高反射率皮膜１９を形成してレーザチッ
プ３を得る。
基板１１上にｎ型Ｇ ａｏ、６Ａ ｌ ｏ、４Ａ ｓク
ラ１１層１２、ＧａＡｓ活性層１３．ｐ型Ｇａｏ、ａＡ
ｊ！ｏ４Ａｓクラッド層１４およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層１５を順次エピタキシャル成長させる。次に、第４
図に示すように、キャップ層１５の表面上にＡ、１＝０
３膜１６を形成し、＜０１１＞方向に並行な方向に幅５
μｍのストライブ状の窓１６ａを形成する。その後、ウ
ェハの表面にｎ型電極１７および裏面にｎ型電極１８を
形成する。そして、このウェハをへき関することによっ
てできるキャビテイ面の両端面に誘電体多層皮膜あるい
は金属から成る高反射率皮膜１９を形成してレーザチッ
プ３を得る。
次に、第５図ａに示すように、このレーザチップ３をシ
リコンサブマウント２を介して、リードフレーム７上に
、すなわち中央のリードＩＡの先端に設けたマウント部
ＩＡ’の上に、フォトダイオード４とともにボンディン
グする。次に、第５図すに示すように、レーザチップ３
とリードＩＢとをワイヤボンディングし、フォトダイオ
ードチップ４とリードＩＣとをワイヤボンディングする
。
リコンサブマウント２を介して、リードフレーム７上に
、すなわち中央のリードＩＡの先端に設けたマウント部
ＩＡ’の上に、フォトダイオード４とともにボンディン
グする。次に、第５図すに示すように、レーザチップ３
とリードＩＢとをワイヤボンディングし、フォトダイオ
ードチップ４とリードＩＣとをワイヤボンディングする
。
その後、第５図Ｃに示すように、リードＬＡ、ＩＢ。
ＩＣの先端部のすべての部品を透明なプラスチック６で
覆い気密封止する。最後にリードフレーム７の各リード
の後端を切断すれば、第５図Ｃに示すような個別の半導
体レーザ装置８が得られる。
覆い気密封止する。最後にリードフレーム７の各リード
の後端を切断すれば、第５図Ｃに示すような個別の半導
体レーザ装置８が得られる。
このように、本実施例の半導体レーザ装置によると、従
来例のようなＡｕメツキのステムや、ＡＲコートがほど
こされた窓ガラス付キャップ等の高価な部品を必要とせ
ず、通常のプラスチック封止型のＬＥＤなどと同じ材料
および同じプロセスを用いて半導体レーザ装置を製造す
ることができるため、大幅なコストダウンが実現できる
。
来例のようなＡｕメツキのステムや、ＡＲコートがほど
こされた窓ガラス付キャップ等の高価な部品を必要とせ
ず、通常のプラスチック封止型のＬＥＤなどと同じ材料
および同じプロセスを用いて半導体レーザ装置を製造す
ることができるため、大幅なコストダウンが実現できる
。
次に、本発明の第２の実施例を第６図〜第８図とともに
説明する。
説明する。
第２の実施例は、第６図に示すように、レーザチップ３
の前端面を誘電体単層皮膜１９で覆い、後端面を誘電体
多層皮膜２０で覆ったものである。
の前端面を誘電体単層皮膜１９で覆い、後端面を誘電体
多層皮膜２０で覆ったものである。
次に、半導体レーザ装置の製造方法を、第７図および第
８図に基づき説明する。なお、レーザチップ３は一例と
して基本構造である電極ストライブ型を用いて説明する
。
８図に基づき説明する。なお、レーザチップ３は一例と
して基本構造である電極ストライブ型を用いて説明する
。
まず、第７図に示すように、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基
板１１上にｎ型Ｇ ａｏ、ａＡ ｉ’ｏ、４Ａ Ｓクラ
ッド層１２．アンドープＧａＡｓ活性層１３゜ｐ型Ｇａ
ｏ６ＡＮｏ４Ａｓクラッド層１４およびｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層１５を順次エピタキシャル成長させる。次に、
第８図に示すように、キャップ層１５の表面上にＡＪ！
２０３膜１６を形成し、＜０１１＞方向に並行な方向に
幅５μｍのストライブ状の窓１６ａを形成する。その後
、ウエノ１の表面にｐ型電極１７、および裏面にｎ型電
極１８を形成する。そして、このウェハをへき関してで
きるキャビティの前端面にａ・λ／２ｎ（ａ：定数、λ
。
板１１上にｎ型Ｇ ａｏ、ａＡ ｉ’ｏ、４Ａ Ｓクラ
ッド層１２．アンドープＧａＡｓ活性層１３゜ｐ型Ｇａ
ｏ６ＡＮｏ４Ａｓクラッド層１４およびｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層１５を順次エピタキシャル成長させる。次に、
第８図に示すように、キャップ層１５の表面上にＡＪ！
２０３膜１６を形成し、＜０１１＞方向に並行な方向に
幅５μｍのストライブ状の窓１６ａを形成する。その後
、ウエノ１の表面にｐ型電極１７、および裏面にｎ型電
極１８を形成する。そして、このウェハをへき関してで
きるキャビティの前端面にａ・λ／２ｎ（ａ：定数、λ
。
発振波長、ｎ：屈折率）の厚さの誘電体単層皮膜１９、
後端面は誘電体多層皮ｌｌｌＩ２０を形成してレーザチ
ップ３を得る。
後端面は誘電体多層皮ｌｌｌＩ２０を形成してレーザチ
ップ３を得る。
次に、このような単体のレーザチップ３をエピタキシャ
ル表面側を下にするいわゆるアップサイドダウンでノリ
コンサブマウント２上にボンディングする。その後は第
１の実施例と同様である。
ル表面側を下にするいわゆるアップサイドダウンでノリ
コンサブマウント２上にボンディングする。その後は第
１の実施例と同様である。
すなわち、第５図ａに示すように、リードフレーム７上
に、すなわち中央のり−ドＩＡの先端に設けたマウント
部ＩＡ’の上に、フォトダイオード４とともにレーザチ
ップ３をボンディングする。
に、すなわち中央のり−ドＩＡの先端に設けたマウント
部ＩＡ’の上に、フォトダイオード４とともにレーザチ
ップ３をボンディングする。
次に、第５図すに示すように、レーザチップ３゜フォト
ダイオードチップ４とリード１．、Ｂ、ＩＣとを金属ワ
イヤ５でボンディングする。その後、第５図Ｃに示すよ
うに、リード１．Ａ、、ＩＢ、ＩＣの先端にあるすべて
の部品を透明なプラスチック６で密着して覆う。最後に
、リードフレーム７の各リードの後端を切断すれば第５
図Ｃに示すような個別の半導体レーザ装置８が得られる
。
ダイオードチップ４とリード１．、Ｂ、ＩＣとを金属ワ
イヤ５でボンディングする。その後、第５図Ｃに示すよ
うに、リード１．Ａ、、ＩＢ、ＩＣの先端にあるすべて
の部品を透明なプラスチック６で密着して覆う。最後に
、リードフレーム７の各リードの後端を切断すれば第５
図Ｃに示すような個別の半導体レーザ装置８が得られる
。
このように、本発明の第２の実施例の半導体レーザ装置
によると、従来例のようなＡｕメ・ツキのステムやＡＲ
コートがほどこされた窓ガラス付キャップといった高価
な部品を必要とせず、通常のプラスチック封止型のＬＥ
Ｄなどと同じ材料および同じプロセスを用いて作ること
ができるため、大幅なコストダウンが実現できる。さら
に、レーザチップの低反射率側をプラスチック樹脂で直
接覆ったので、従来のようにＮ２ガスを封入したものに
比べてＮ、ガスによる反射率の影響を受けず、レーザ光
の反射率制御が容易となる。
によると、従来例のようなＡｕメ・ツキのステムやＡＲ
コートがほどこされた窓ガラス付キャップといった高価
な部品を必要とせず、通常のプラスチック封止型のＬＥ
Ｄなどと同じ材料および同じプロセスを用いて作ること
ができるため、大幅なコストダウンが実現できる。さら
に、レーザチップの低反射率側をプラスチック樹脂で直
接覆ったので、従来のようにＮ２ガスを封入したものに
比べてＮ、ガスによる反射率の影響を受けず、レーザ光
の反射率制御が容易となる。
次に、本発明の第３の実施例について第９図。
第１０図とともに説明する。第３の実施例は、【−記第
２の実施例において、キャビティの前端面に形成した誘
電体多層皮膜１９をなくし、キ４・ビティの後端面に誘
電体多層皮膜または金属からなる高反射率皮膜２０を形
成したものであり、その他の構成は第２の実施例と同一
・である。したが−）て組立後の状態は、第１．第２の
実施例と同様であり、第５図Ｃに示すようにレーザチッ
プ３とその周辺の部品がたとえば屈折率が１，５４のプ
ラスチック６で覆われている。
２の実施例において、キャビティの前端面に形成した誘
電体多層皮膜１９をなくし、キ４・ビティの後端面に誘
電体多層皮膜または金属からなる高反射率皮膜２０を形
成したものであり、その他の構成は第２の実施例と同一
・である。したが−）て組立後の状態は、第１．第２の
実施例と同様であり、第５図Ｃに示すようにレーザチッ
プ３とその周辺の部品がたとえば屈折率が１，５４のプ
ラスチック６で覆われている。
この第３の実施例の構成によると、封止用のブうスチノ
ク６の屈折率が１．５４であるため、前端面にλ／ ２
ｎの厚さの誘電体単層皮膜を付けずに、直接前端面に
プラスチック６を密着させるだけで低反射率化が可能で
、プロセスの簡素化が図れる。このことから、従来にな
く低コストの高出力半導体レーザ装置が実現できる。な
お、第１第２．第３のいずれの実施例においても、プラ
スチック樹脂６の外形をレンズ状や傾斜型に整形できる
ため、補正用レンズ系を使用しなくても出射ビームの平
行化や非点収差の補正が可能となり、全体として大幅な
コストダウンを図ることができる。
ク６の屈折率が１．５４であるため、前端面にλ／ ２
ｎの厚さの誘電体単層皮膜を付けずに、直接前端面に
プラスチック６を密着させるだけで低反射率化が可能で
、プロセスの簡素化が図れる。このことから、従来にな
く低コストの高出力半導体レーザ装置が実現できる。な
お、第１第２．第３のいずれの実施例においても、プラ
スチック樹脂６の外形をレンズ状や傾斜型に整形できる
ため、補正用レンズ系を使用しなくても出射ビームの平
行化や非点収差の補正が可能となり、全体として大幅な
コストダウンを図ることができる。
発明の効果
本発明はリードの先端等のチップ支持部ミニ−ｖつ７
） 手段を介し−Ｃレーザチップを取付け、リードの先
端、レーザチップおよびその周辺の部品を透光性のプラ
スチックで一体に封止したものである。このようにすれ
ば、高価な部品を用いることなく、通常のプラスチック
封止型のＬ Ｅ Ｄなどと同じ材料および同じプロセス
を用いて半導体レーザ装置を製造ｊることかでき、大幅
なコストダウンが図れる。
） 手段を介し−Ｃレーザチップを取付け、リードの先
端、レーザチップおよびその周辺の部品を透光性のプラ
スチックで一体に封止したものである。このようにすれ
ば、高価な部品を用いることなく、通常のプラスチック
封止型のＬ Ｅ Ｄなどと同じ材料および同じプロセス
を用いて半導体レーザ装置を製造ｊることかでき、大幅
なコストダウンが図れる。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体レーザ装
置の斜視図、第２図は第１図のレーザ装置の要部断面図
、第３図および第４図は第１図の半導体レーザ装置にお
ｉ−＋るレーザチップを示す断面図および斜視図９、第
５図ａ、ｂ、ｃは第１図の半導体レーザ装置の製造方法
を説明する斜視図、第６図ＩＪ本発明の第２の実施例に
おける半導体レーザ装置の要部断面図、第７図および第
８図は第６図の半導体レー・ザ装置におけるレーザチッ
プを示す断面図および斜視図、第９図は本発明の第３の
実施例における′１″導体１／−ザ装置の安部断面図、
第１０図は第９図の半導体レーザ装置におけるレーザチ
ップを示す断面図および斜視図、第１１図は従来の半導
体レーザ装置の斜視図である。 １・・・・・・リード、２・・・・・・シリコンサブマ
ウント、３・・・・・・レーザチップ、４・・・・・・
フォトダイオード、５・・・・・・金属ワイヤ、６・・
・・・・プラスチック。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第３図 第４図 第す図 ｒｃｉ−＠電体嚇層波ｊ喚 ２０−一劫電体句層皮應 第７図 輩８図 第９図 第７０図
置の斜視図、第２図は第１図のレーザ装置の要部断面図
、第３図および第４図は第１図の半導体レーザ装置にお
ｉ−＋るレーザチップを示す断面図および斜視図９、第
５図ａ、ｂ、ｃは第１図の半導体レーザ装置の製造方法
を説明する斜視図、第６図ＩＪ本発明の第２の実施例に
おける半導体レーザ装置の要部断面図、第７図および第
８図は第６図の半導体レー・ザ装置におけるレーザチッ
プを示す断面図および斜視図、第９図は本発明の第３の
実施例における′１″導体１／−ザ装置の安部断面図、
第１０図は第９図の半導体レーザ装置におけるレーザチ
ップを示す断面図および斜視図、第１１図は従来の半導
体レーザ装置の斜視図である。 １・・・・・・リード、２・・・・・・シリコンサブマ
ウント、３・・・・・・レーザチップ、４・・・・・・
フォトダイオード、５・・・・・・金属ワイヤ、６・・
・・・・プラスチック。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第３図 第４図 第す図 ｒｃｉ−＠電体嚇層波ｊ喚 ２０−一劫電体句層皮應 第７図 輩８図 第９図 第７０図
Claims (14)
- （１）キャビティ端面が高反射率被膜で覆われたレーザ
チップをマウント部材を介してチップ支持部に取りつけ
るとともに、前記レーザチップおよびマウント部材の全
体を透光性樹脂で封止した半導体レーザ装置。 - （２）高反射率被膜が誘電体被膜または金属被膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
レーザ装置。 - （３）一方のキャビティ端面を覆う高反射率被膜の反射
率と他方のキャビティ端面を覆う高反射率被膜の反射率
とが異なっていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体レーザ装置。 - （４）一方のキャビティ端面を覆う高反射率被膜が誘電
体単層被膜であり、他方のキャビティ端面を覆う高反射
率被膜が誘電体多層被膜もしくは金属被膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
半導体レーザ装置。 - （５）高反射率被膜によるキャビティ端面の被覆が一方
のキャビティ端面にのみ施されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項に記載の半導体レー
ザ装置。 - （６）チップ支持部が金属リードの端部であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の半
導体レーザ装置。 - （７）透光性樹脂の屈折率が１．５４であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体レーザ装置
。 - （８）キャビティ端面が高反射率被膜で覆われたレーザ
チップとフォトダイオードチップをマウント部材を介し
てチップ支持部に取りつけるとともに、前記レーザチッ
プ、フォトダイオードチップおよびマウント部材の全体
を透光性樹脂で封止した半導体レーザ装置。 - （９）高反射率被膜が誘電体被膜または金属被膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の半導体
レーザ装置。 - （１０）一方のキャビティ端面を覆う高反射率被膜の反
射率と他方のキャビティ端面を覆う高反射率被膜の反射
率とが異なっていることを特徴とする特許請求の範囲第
９項に記載の半導体レーザ装置。 - （１１）一方のキャビティ端面を覆う高反射率被膜が誘
電体単層被膜であり、他方のキャビティ端面を覆う高反
射率被膜が誘電体多層被膜もしくは金属被膜であること
を特徴とする特許請求の範囲第８項または第９項に記載
の半導体レーザ装置。 - （１２）高反射率被膜によるキャビティ端面の被覆が一
方のキャビティ端面にのみ施されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第８項または第９項に記載の半導体レ
ーザ装置。 - （１３）チップ支持部が金属リードの端部であることを
特徴とする特許請求の範囲第８項または第９項に記載の
半導体レーザ装置。 - （１４）透光性樹脂の屈折率が１．５４であることを特
徴とする特許請求の範囲第８項に記載の半導体レーザ装
置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27414988 | 1988-10-28 | ||
| JP63-274149 | 1988-10-28 | ||
| JP27414888 | 1988-10-28 | ||
| JP63-274148 | 1988-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191389A true JPH02191389A (ja) | 1990-07-27 |
| JP2930213B2 JP2930213B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=26550914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1280906A Expired - Fee Related JP2930213B2 (ja) | 1988-10-28 | 1989-10-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5068866A (ja) |
| EP (1) | EP0366472B1 (ja) |
| JP (1) | JP2930213B2 (ja) |
| DE (1) | DE68912512T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6181720B1 (en) | 1997-01-16 | 2001-01-30 | Nec Corporation | Semiconductor laser device and method for manufacturing same |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5226052A (en) * | 1990-05-08 | 1993-07-06 | Rohm, Ltd. | Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode |
| US5444726A (en) * | 1990-11-07 | 1995-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| EP0484887B1 (en) * | 1990-11-07 | 1996-04-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Laser diode device having a protective layer on its light-emitting end face |
| US5307362A (en) * | 1991-11-06 | 1994-04-26 | Rohm Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device |
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| EP0664586A1 (en) * | 1994-01-20 | 1995-07-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Resin-sealed laser diode device |
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-
1989
- 1989-10-26 EP EP89311073A patent/EP0366472B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-26 DE DE68912512T patent/DE68912512T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-27 JP JP1280906A patent/JP2930213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-30 US US07/428,517 patent/US5068866A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| EP0366472A3 (en) | 1990-12-05 |
| JP2930213B2 (ja) | 1999-08-03 |
| EP0366472A2 (en) | 1990-05-02 |
| EP0366472B1 (en) | 1994-01-19 |
| DE68912512T2 (de) | 1994-05-26 |
| DE68912512D1 (de) | 1994-03-03 |
| US5068866A (en) | 1991-11-26 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |