JPH0691296B2 - 半導体レ−ザの組立方法 - Google Patents
半導体レ−ザの組立方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばコンパクトディスク用のピックアップ
装置に使用する半導体レーザの組立方法に関する。
装置に使用する半導体レーザの組立方法に関する。
従来、この種の方法によって組み立てられる半導体レー
ザは第2図に示すように構成されている。これを同図に
基づいて説明すると、同図において、符号1で示すもの
は半導体レーザチップおよびSPD(センシティブ・フォ
ト・ダイオード)用のカソード端子2およびアノード端
子3が挿通する円板状の取付台、4はこの取付台1上に
溶着されレーザ光透過用の窓5を有するコバール製のキ
ャップ、6はこのキャップ4の内部に収納されかつ前記
取付台1上に設けられその表面に金めっき処理が施され
た鉄製のブロックステム、7はこのブロックステム6上
にシリコンサブマウント8を介して取り付けられた半導
体レーザチップ、9はこの半導体レーザチップ7の近傍
に設けられかつ前記取付台1上の所定位置に接合された
モニター用のSPDである。このSPD9の取付面は反射光が
前記半導体レーザチップ7に入射しないように前記取付
台1に対し傾斜する面によって形成されている。また、
10は前記キャップ2の窓5に取り付けられたレンズ、11
は前記半導体レーザチップ7と前記カソード端子2およ
び前記SPD9と前記アノード端子3とを接続する例えばAu
等のワイヤ、12はレーザチップ用のアノード端子であ
る。
ザは第2図に示すように構成されている。これを同図に
基づいて説明すると、同図において、符号1で示すもの
は半導体レーザチップおよびSPD(センシティブ・フォ
ト・ダイオード)用のカソード端子2およびアノード端
子3が挿通する円板状の取付台、4はこの取付台1上に
溶着されレーザ光透過用の窓5を有するコバール製のキ
ャップ、6はこのキャップ4の内部に収納されかつ前記
取付台1上に設けられその表面に金めっき処理が施され
た鉄製のブロックステム、7はこのブロックステム6上
にシリコンサブマウント8を介して取り付けられた半導
体レーザチップ、9はこの半導体レーザチップ7の近傍
に設けられかつ前記取付台1上の所定位置に接合された
モニター用のSPDである。このSPD9の取付面は反射光が
前記半導体レーザチップ7に入射しないように前記取付
台1に対し傾斜する面によって形成されている。また、
10は前記キャップ2の窓5に取り付けられたレンズ、11
は前記半導体レーザチップ7と前記カソード端子2およ
び前記SPD9と前記アノード端子3とを接続する例えばAu
等のワイヤ、12はレーザチップ用のアノード端子であ
る。
このように構成された半導体レーザの組立方法について
説明する。
説明する。
先ず、取付台1の所定位置にブロックステム6に接合す
る。次に、このブロックステム6上にシリコンサブマウ
ント8を介して半導体レーザチップ7を接合すると共
に、SPD用の取付面上にSPD9を接合した後、半導体レー
ザチップ7とカソード端子2およびSPD9とアノード端子
3をワイヤ11によって接続する。そして、取付台1上に
リングプロジェクション溶接によってキャップ4を接合
することにより、半導体レーザチップ7およびSPD9等を
封止する。
る。次に、このブロックステム6上にシリコンサブマウ
ント8を介して半導体レーザチップ7を接合すると共
に、SPD用の取付面上にSPD9を接合した後、半導体レー
ザチップ7とカソード端子2およびSPD9とアノード端子
3をワイヤ11によって接続する。そして、取付台1上に
リングプロジェクション溶接によってキャップ4を接合
することにより、半導体レーザチップ7およびSPD9等を
封止する。
このようにして、半導体レーザを組み立てることができ
る。
る。
ところで、この種半導体レーザの組立方法においては、
ブロックステム6,カソード端子2およびアノード端子3
が別々の部品であるため、また各々のワイヤボンディン
グ面が互いに異なる平面内に位置付けられているため、
さらにリングプロジェクション溶接によってキャップ4
を取付台1上に接合するものであるため、半導体レーザ
の組立作業を煩雑にするばかりか、コスト高になるとい
う問題があった。
ブロックステム6,カソード端子2およびアノード端子3
が別々の部品であるため、また各々のワイヤボンディン
グ面が互いに異なる平面内に位置付けられているため、
さらにリングプロジェクション溶接によってキャップ4
を取付台1上に接合するものであるため、半導体レーザ
の組立作業を煩雑にするばかりか、コスト高になるとい
う問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、組立作
業の簡素化ならびにコストの低廉化を図ることができる
半導体レーザの組立方法を提供するものである。
業の簡素化ならびにコストの低廉化を図ることができる
半導体レーザの組立方法を提供するものである。
本発明に係る半導体レーザの組立方法は、中央部に一方
が本体から厚み方向に折り曲げ可能な2つのダイパット
を有するリードおよびこのリードの両側にタイバーによ
って連結された2つのリードを有するリードフレームを
形成し、次いで半導体レーザチップおよび受光チップを
このリードフレームの中央リードの前記2つのダイパッ
ド上のそれぞれに接合し、受光チップが接合されたダイ
パッドを折り曲げ傾斜させ、半導体レーザチップおよび
受光チップを各リードと同一平面内に位置付け、ワイヤ
によって各リードに接続し、しかる後これらリードの一
部,前記ワイヤおよび前記両チップを透明パッケージに
樹脂封止し、前記リードフレームのタイバーを切断する
ものである。
が本体から厚み方向に折り曲げ可能な2つのダイパット
を有するリードおよびこのリードの両側にタイバーによ
って連結された2つのリードを有するリードフレームを
形成し、次いで半導体レーザチップおよび受光チップを
このリードフレームの中央リードの前記2つのダイパッ
ド上のそれぞれに接合し、受光チップが接合されたダイ
パッドを折り曲げ傾斜させ、半導体レーザチップおよび
受光チップを各リードと同一平面内に位置付け、ワイヤ
によって各リードに接続し、しかる後これらリードの一
部,前記ワイヤおよび前記両チップを透明パッケージに
樹脂封止し、前記リードフレームのタイバーを切断する
ものである。
本発明においては、同一のリードフレーム上に半導体レ
ーザチップおよび受光チップを接合することができると
共に、各ワイヤボンディング面を略同一の平面内に位置
付けることができる。
ーザチップおよび受光チップを接合することができると
共に、各ワイヤボンディング面を略同一の平面内に位置
付けることができる。
第1図(a),(b)および(c)は本発明に係る半導
体レーザの組立方法による組立途中の半導体レーザを示
す平面図と側面図である。同図において、符号21で示す
ものは例えばコバール等の金属からなるリードフレーム
で、中央部に半導体レーザチップ22およびSPD23を接合
するダイパッドとなるリード24と、このリード24の両側
にタイバー25によって連結され半導体レーザチップおよ
びカソード端子およびSPD用のアノード端子としてのリ
ード26,27とを有し、打ち抜きによって所定の形状に形
成されている。第1図(b)はその一実施例の断面形状
を示したものである。28は例えばAu等のワイヤで、前記
半導体レーザチップ22と前記リード26および前記SPD23
と前記リード27に接続されている。29は例えばMG−18樹
脂(東レ・ハイゾール製)からなる透明パッケージで、
前記リードフレーム21,前記半導体レーザチップ22,SPD2
3および前記リード26,27を樹脂封止している。
体レーザの組立方法による組立途中の半導体レーザを示
す平面図と側面図である。同図において、符号21で示す
ものは例えばコバール等の金属からなるリードフレーム
で、中央部に半導体レーザチップ22およびSPD23を接合
するダイパッドとなるリード24と、このリード24の両側
にタイバー25によって連結され半導体レーザチップおよ
びカソード端子およびSPD用のアノード端子としてのリ
ード26,27とを有し、打ち抜きによって所定の形状に形
成されている。第1図(b)はその一実施例の断面形状
を示したものである。28は例えばAu等のワイヤで、前記
半導体レーザチップ22と前記リード26および前記SPD23
と前記リード27に接続されている。29は例えばMG−18樹
脂(東レ・ハイゾール製)からなる透明パッケージで、
前記リードフレーム21,前記半導体レーザチップ22,SPD2
3および前記リード26,27を樹脂封止している。
次に、このように構成された半導体レーザの組立方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
先ず、中央部にダイパッドを有するリード24およびこの
リード24の両側にタイバー25によって連結された2つの
リード26,27を有するリードフレーム21を形成する。次
いで、このリードフレーム21のリード24上の各位置に半
導体レーザチップ22とSPD23を接合する。しかる後、第
1図(b)の状態またはリードフレーム21のリード24を
折り曲げることによりSPDチップ取付面24aをレーザチッ
プ取付面24bに対し所定の角度だけ傾斜させ、最終形状
でSPD23および半導体レーザチップ22をワイヤ28によっ
て各リード27,26に接続する。そして、これらリード26,
27の一部,ワイヤ28,半導体レーザチップ22およびSPD23
をトランスファ形成方法を用いて透明パッケージ29に樹
脂封止し、リードフレーム21のタイバー25を切断する。
リード24の両側にタイバー25によって連結された2つの
リード26,27を有するリードフレーム21を形成する。次
いで、このリードフレーム21のリード24上の各位置に半
導体レーザチップ22とSPD23を接合する。しかる後、第
1図(b)の状態またはリードフレーム21のリード24を
折り曲げることによりSPDチップ取付面24aをレーザチッ
プ取付面24bに対し所定の角度だけ傾斜させ、最終形状
でSPD23および半導体レーザチップ22をワイヤ28によっ
て各リード27,26に接続する。そして、これらリード26,
27の一部,ワイヤ28,半導体レーザチップ22およびSPD23
をトランスファ形成方法を用いて透明パッケージ29に樹
脂封止し、リードフレーム21のタイバー25を切断する。
このようにして、半導体レーザを組み立てることができ
る。
る。
この場合、同一のリードフレーム21上に半導体レーザチ
ップ22およびSPD23を接合することができると共に、各
ワイヤボンディング面を略同一の平面内に位置付けるこ
とができ、ワイヤボンディングの信頼性,作業性を大幅
に向上させることができる。
ップ22およびSPD23を接合することができると共に、各
ワイヤボンディング面を略同一の平面内に位置付けるこ
とができ、ワイヤボンディングの信頼性,作業性を大幅
に向上させることができる。
なお、本実施例においては、単に透明パッケージ29によ
って半導体レーザチップ22,SPD23およびリード26,27の
一部を樹脂封止する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、透明パッケージ29の先端面を凸面
によって形成することによりレンズの機能を備えること
ができ、実施例と比較して一層部品点数を削減すること
ができる。
って半導体レーザチップ22,SPD23およびリード26,27の
一部を樹脂封止する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、透明パッケージ29の先端面を凸面
によって形成することによりレンズの機能を備えること
ができ、実施例と比較して一層部品点数を削減すること
ができる。
また、実施例においては、リード24のSPDチップ取付面2
4aを傾斜させる工程をチップ接合後に行う例を示した
が、本発明はリードフレーム21上に半導体レーザチップ
22およびSPD23を接合する前に行っても勿論よい。
4aを傾斜させる工程をチップ接合後に行う例を示した
が、本発明はリードフレーム21上に半導体レーザチップ
22およびSPD23を接合する前に行っても勿論よい。
さらに、本実施例においては、透明パッケージ29をトラ
ンスファ成形方法によって成形する例を示したが、本発
明はこれに限定されず、例えば常圧あるいは真空注型方
法やポッティング方法によっても成形することが可能で
ある。
ンスファ成形方法によって成形する例を示したが、本発
明はこれに限定されず、例えば常圧あるいは真空注型方
法やポッティング方法によっても成形することが可能で
ある。
以上説明したように本発明によれば、中央部に一方が本
体から厚み方向に折り曲げ可能な2つのダイパッドを有
するリードおよびこのリードの両側にタイバーによって
連結された2つのリードを有するリードフレームを形成
し、次いで半導体レーザチップおよび受光チップをこの
リードフレームの中央リードの前記2つのダイパッド上
のそれぞれに接合し、受光チップが接合されたダイパッ
ドを折り曲げ傾斜させ、半導体レーザチップおよび受光
チップを各リードと同一平面内に位置付け、ワイヤによ
って各リードに接続し、しかる後これらリードの一部,
前記ワイヤおよび前記両チップを透明パッケージに樹脂
封止し、前記リードフレームのタイバーを切断するの
で、従来のようにブロックステム,カソード端子および
アノード端子を別個に必要とせず、また各ワイヤボンデ
ィング面を略同一の平面内に位置付けることができ、ワ
イヤボンディングの信頼性、作業性を大幅に向上させる
ことができ、組立作業の簡素化ならびにコストの低廉化
を図ることができる。さらに、リードフレームの使用に
よって多数の透明パッケージを一挙に成形することがで
きるといった利点もある。
体から厚み方向に折り曲げ可能な2つのダイパッドを有
するリードおよびこのリードの両側にタイバーによって
連結された2つのリードを有するリードフレームを形成
し、次いで半導体レーザチップおよび受光チップをこの
リードフレームの中央リードの前記2つのダイパッド上
のそれぞれに接合し、受光チップが接合されたダイパッ
ドを折り曲げ傾斜させ、半導体レーザチップおよび受光
チップを各リードと同一平面内に位置付け、ワイヤによ
って各リードに接続し、しかる後これらリードの一部,
前記ワイヤおよび前記両チップを透明パッケージに樹脂
封止し、前記リードフレームのタイバーを切断するの
で、従来のようにブロックステム,カソード端子および
アノード端子を別個に必要とせず、また各ワイヤボンデ
ィング面を略同一の平面内に位置付けることができ、ワ
イヤボンディングの信頼性、作業性を大幅に向上させる
ことができ、組立作業の簡素化ならびにコストの低廉化
を図ることができる。さらに、リードフレームの使用に
よって多数の透明パッケージを一挙に成形することがで
きるといった利点もある。
第1図(a),(b)および(c)は本発明に係る半導
体レーザの組立方法による組立途中の半導体レーザを示
す平面図と側面図、第2図は従来の半導体レーザの組立
方法による半導体レーザの一部を破断して示す斜視図で
ある。 21……リードフレーム、22……半導体レーザチップ、23
……SPD、24……リード、25……タイバー、26,27……リ
ード、28……ワイヤ、29……透明パッケージ。
体レーザの組立方法による組立途中の半導体レーザを示
す平面図と側面図、第2図は従来の半導体レーザの組立
方法による半導体レーザの一部を破断して示す斜視図で
ある。 21……リードフレーム、22……半導体レーザチップ、23
……SPD、24……リード、25……タイバー、26,27……リ
ード、28……ワイヤ、29……透明パッケージ。
Claims (4)
- 【請求項1】中央部に一方が本体から厚み方向に折り曲
げ可能な2つのダイパットを有するリードおよびこのリ
ードの両側にタイバーによって連結された2つのリード
を有するリードフレームを形成し、次いで半導体レーザ
チップおよび受光チップをこのリードフレームの中央リ
ードの前記2つのダイパッド上のそれぞれに接合し、受
光チップが接合されたダイパッドを折り曲げ傾斜させ、
半導体レーザチップおよび受光チップを各リードと同一
平面内に位置付け、ワイヤによって各リードに接続し、
しかる後これらリードの一部,前記ワイヤおよび前記両
チップを透明パッケージに樹脂封止し、前記リードフレ
ームのタイバーを切断することを特徴とする半導体レー
ザの組立方法。 - 【請求項2】透明パッケージをトランスファ成形方法に
よって成形する特許請求の範囲第1項記載の半導体レー
ザの組立方法。 - 【請求項3】透明パッケージをポッティング方法によっ
て成形する特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザの
組立方法。 - 【請求項4】透明パッケージを注型方法によって成形す
る特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザの組立方
法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62079935A JPH0691296B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体レ−ザの組立方法 |
KR1019880000010A KR910007042B1 (ko) | 1987-03-31 | 1988-01-05 | 반도체 레이저의 조립방법 |
US07/175,356 US4877756A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Method of packaging a semiconductor laser and photosensitive semiconductor device |
DE3810899A DE3810899A1 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62079935A JPH0691296B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体レ−ザの組立方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63244895A JPS63244895A (ja) | 1988-10-12 |
JPH0691296B2 true JPH0691296B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13704174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62079935A Expired - Lifetime JPH0691296B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体レ−ザの組立方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4877756A (ja) |
JP (1) | JPH0691296B2 (ja) |
KR (1) | KR910007042B1 (ja) |
DE (1) | DE3810899A1 (ja) |
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JPH03109362U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-11 | ||
JPH03274781A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
US5966230A (en) * | 1990-05-29 | 1999-10-12 | Symbol Technologies, Inc. | Integrated scanner on a common substrate |
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US5319182A (en) * | 1992-03-04 | 1994-06-07 | Welch Allyn, Inc. | Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array |
TW289872B (ja) * | 1992-12-24 | 1996-11-01 | Sharp Kk | |
US5389578A (en) * | 1994-01-04 | 1995-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Optical coupler |
US5808325A (en) * | 1996-06-28 | 1998-09-15 | Motorola, Inc. | Optical transmitter package assembly including lead frame having exposed flange with key |
EP0851414A3 (en) * | 1996-12-26 | 2000-09-27 | Sanyo Electric Co. Ltd | Optical pickup device and optical recording medium driving apparatus comprising the same |
JP2001034983A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-02-09 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 光ピックアップ装置用受発光素子 |
US6577656B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-06-10 | Finisar Corporation | System and method of packaging a laser/detector |
JP2003031885A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JP3987716B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
WO2007118364A1 (fr) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Topson Optoelectronics Semi Co | Structure d'éclairage décorative à led |
FR2910286B1 (fr) * | 2006-12-20 | 2009-04-17 | Oreal | Composition comprenant des composes silicones encapsules |
US9166131B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-10-20 | Tai-Yin Huang | Composite LED package and its application to light tubes |
CN114696209A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 新光电气工业株式会社 | 半导体封装用管座 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE1299087B (de) * | 1966-05-10 | 1969-07-10 | Siemens Ag | Feldeffekt-Fototransistor |
US3660669A (en) * | 1970-04-15 | 1972-05-02 | Motorola Inc | Optical coupler made by juxtaposition of lead frame mounted sensor and light emitter |
US3727064A (en) * | 1971-03-17 | 1973-04-10 | Monsanto Co | Opto-isolator devices and method for the fabrication thereof |
US3611061A (en) * | 1971-07-07 | 1971-10-05 | Motorola Inc | Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof |
DE2554626C3 (de) * | 1975-12-04 | 1981-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Abschirmeinrichtung und Verfahren zu deren Aufbringung |
GB1557685A (en) * | 1976-02-02 | 1979-12-12 | Fairchild Camera Instr Co | Optically coupled isolator device |
JPS588968U (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-20 | 日本インタ−ナシヨナル整流器株式会社 | 半導体素子用リ−ドフレ−ム |
US4641418A (en) * | 1982-08-30 | 1987-02-10 | International Rectifier Corporation | Molding process for semiconductor devices and lead frame structure therefor |
JPS6035344A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 発光装置およびこれを用いた光学的信号処理装置 |
JPS6063977A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPS63136684A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Hitachi Ltd | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62079935A patent/JPH0691296B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-05 KR KR1019880000010A patent/KR910007042B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-30 DE DE3810899A patent/DE3810899A1/de active Granted
- 1988-03-30 US US07/175,356 patent/US4877756A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4877756A (en) | 1989-10-31 |
JPS63244895A (ja) | 1988-10-12 |
KR880011939A (ko) | 1988-10-31 |
DE3810899A1 (de) | 1988-10-27 |
DE3810899C2 (ja) | 1993-06-24 |
KR910007042B1 (ko) | 1991-09-16 |
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