JPS6063977A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

Info

Publication number
JPS6063977A
JPS6063977A JP58171581A JP17158183A JPS6063977A JP S6063977 A JPS6063977 A JP S6063977A JP 58171581 A JP58171581 A JP 58171581A JP 17158183 A JP17158183 A JP 17158183A JP S6063977 A JPS6063977 A JP S6063977A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
astigmatism
transparent resin
laser chip
laser device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58171581A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeki Horiuchi
堀内　茂樹
Shoichi Kakimoto
柿本　昇一
Seiichi Nagai
永井　精一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58171581A priority Critical patent/JPS6063977A/ja
Publication of JPS6063977A publication Critical patent/JPS6063977A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体レーザ装置の外装に係り、特に安価
で出射レーザ光ビームの指向性がよく、光源としての非
点収差の補正可能な外装構造に関するものである。
〔従来技術〕
結晶の襞間面を利用したファブリベロー共振器を有する
ダブルへテロ接合形半導体レーザでは、回折により出射
されるレーザ光ビームが拡がり遠視野像の半値幅はへテ
ロ接合に垂直方向で４０度、平行方向で１５度程度の値
をとり、指向性が悪ということはよく知られている。ま
た、利得ガイド形と呼ばれる導波機構を有するものでは
へテロ接合に対する垂直と平行との方向で光が最小の幅
に絞られる位ｉ４がずｆＬる非点収差と呼ばれる収差が
犬きく出るので、スポットに絞り込んで使用する用途で
、問題となることが知らノしている。
第１図は上記問題点を解決するために従来から用いられ
ている構造を示す断面図で、この従来構造では、半導体
レーザチップ（ｉ）はステム（２）に装着され、平面状
の窓（３）を有するキャップ（４）で封止されており、
このステム（２）は挿嵌されたレンズ筒（５）によって
、非点収差を補正するためのシリンドリカルレンズ（６
）、およびレーザ光の指向性を改善するための球面レン
ズ（７）を組合わせて構成されている。
ところが、このような従来の構造では構成する部品数が
多く、また、光学系も複雑となり、形状寸法が犬きくな
り、高価になる欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、レ
ーザチップを透明樹脂で封入し、その封止樹脂の表面形
状を適当な曲面形状にすること罠よって非点収差のない
指向性のよい光ビームを出力する半導体レーザ装置を提
供するものである。
〔発明の実施例〕
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す縦断面図で、
図Ａと図Ｂとは互いに直角の面での縦断面図である。こ
の実施例では、半導体レーザチップ（１）ハ放熱性のよ
り金属ステム（２）の上にマウントされ透明樹脂成形体
（８）がその上にモールドされし一ザチツプ（１）を封
止している。そして、この透明樹脂成形体（８）の表面
は第２図Ａ及びＢに示すように互いに直交する方向で異
る曲率を有するように構成されている。すなわち、レー
ザチップ（１）のへテロ接合に垂直な方向と平行な方向
とでレンズ効果が異なるようにしたので、非点収差の補
正分行なうとともに出力レーザ光の指向性を良好にする
ことができる。通常はへテロ接合に平行な方向での表面
曲率を、垂直方向での曲率よりわずかに大きくすること
によって非点収差は補正される。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明ではファプリベロー共撮
器を有するダブルへテロ接合形半導体レーザにおいて、
そのレーザチップをステム上にマウントし、その上を単
に透明樹脂でモールド封止し、その樹脂の表面を上記へ
テロ接合に平行な方向と垂直な方向とで曲率の異なる曲
面としたので、構成部品点数の極めて少ない簡単な構造
で、出力レーザ光の非点収差の補正と良好な指向性が達
成でき、量産性にも優れており、安価に生産するととが
可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体レーザ装置の構造を示す縦断面図
、第２図はこの発明の一実施例の構造を示し、図Ａおよ
びＢは互いに直角な平面での縦断面図である。 図におりで、（１）は半導体レーザチップ、（２）はス
テム、（８）は透明樹脂である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大岩増雄 第１図 第５２図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　ファブリベロー共振器を有するダブルへテロ接
    合形半導体レーザチップをステム上に装着し、その上を
    透明樹脂で覆い上記半導体レーザチップを封止するとと
    もに上記透明樹脂の表面を上記へテロ接合と平行な方向
    と垂直な方向とで曲率の互いに具なる曲面となるように
    したことを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. （２）透明樹脂の表面をへテロ接合に平行な方向の曲率
    が垂直な方向の曲率より大きい曲面となるようにしたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲４↓１項記載の半導体レ
    ーザ装置。
  3. （３）　ステムは熱の良導体からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体レーザ
    装置。
JP58171581A 1983-09-17 1983-09-17 半導体レ−ザ装置 Pending JPS6063977A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58171581A JPS6063977A (ja) 1983-09-17 1983-09-17 半導体レ−ザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58171581A JPS6063977A (ja) 1983-09-17 1983-09-17 半導体レ−ザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6063977A true JPS6063977A (ja) 1985-04-12

Family

ID=15925802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58171581A Pending JPS6063977A (ja) 1983-09-17 1983-09-17 半導体レ−ザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6063977A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276554U (ja) * 1985-11-01 1987-05-16
JPS62150796A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63244895A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザの組立方法
JPH01256188A (ja) * 1988-04-06 1989-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
EP1251607A2 (en) * 2001-04-20 2002-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser module, spatial optical transmission system and electronic appliance
KR20140119492A (ko) * 2013-04-01 2014-10-10 엘지전자 주식회사 레이저 광원장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4997582A (ja) * 1973-01-18 1974-09-14

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4997582A (ja) * 1973-01-18 1974-09-14

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276554U (ja) * 1985-11-01 1987-05-16
JPS62150796A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0440873B2 (ja) * 1985-12-24 1992-07-06 Mitsubishi Electric Corp
JPS63244895A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザの組立方法
JPH01256188A (ja) * 1988-04-06 1989-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
EP1251607A2 (en) * 2001-04-20 2002-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser module, spatial optical transmission system and electronic appliance
EP1251607A3 (en) * 2001-04-20 2003-05-07 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser module, spatial optical transmission system and electronic appliance
US6970489B2 (en) 2001-04-20 2005-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser module, spatial optical transmission system and electronic appliance
EP1681751A1 (en) * 2001-04-20 2006-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser module, spatial optical transmission system and electronic appliance
KR20140119492A (ko) * 2013-04-01 2014-10-10 엘지전자 주식회사 레이저 광원장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6063977A (ja) 半導体レ−ザ装置
US4611883A (en) Two-dimensional optics element for correcting aberrations
US4223316A (en) Antenna structure with relatively offset reflectors for electromagnetic detection and space telecommunication equipment
GB1413437A (en) Semiconductor laser device
JPS5941883A (ja) リングレ−ザジヤイロ
JPS62186219A (ja) 半導体レ−ザ−装置
CN216901167U (zh) 一种半导体激光器准直光路
JPS5925284A (ja) 光半導体装置
CN215895134U (zh) 一种高斯光束的匀化装置
JPH023522Y2 (ja)
JPS6079782A (ja) 光結合器
JPS62196620A (ja) レ−ザモジユ−ル
JP4694677B2 (ja) 光学式エンコーダ
JPH04178604A (ja) 光導波路と光ファイバの接続装置
SU1306422A1 (ru) Лазер (его варианты)
JPS5327347A (en) Array antenna with lens
JPS62221182A (ja) 分布反射型レ−ザ
JP2570280B2 (ja) 光半導体装置
JP2754536B2 (ja) 光束径調整用光学系
JPS61108188A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS61138219A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS62287684A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS608810A (ja) 光コネクタ
JP2968550B2 (ja) 光モジュールの気密構造
JPS6258210A (ja) 半導体レ−ザモジユ−ルの光学的結合構造