JPS61108188A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61108188A JPS61108188A JP23099084A JP23099084A JPS61108188A JP S61108188 A JPS61108188 A JP S61108188A JP 23099084 A JP23099084 A JP 23099084A JP 23099084 A JP23099084 A JP 23099084A JP S61108188 A JPS61108188 A JP S61108188A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- optical axis
- electrode
- notch
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置に関するものである。
従来の半導体レーザ装置は第11図及び第12図に水石
れている。
れている。
同図において、(11は半導体レーザチップである。
C51は干渉材(図示せず)全弁して半導体レーザチッ
プfil全取付けるフロック、(2)はフロック(15
1’に保持する基台、(4)は半導体レーザチップ(1
)より出射でれたレーザビーム、(5)は半導体レーザ
の出力をモニターする光検知器、αηは半導体レーザチ
ップ(1)ヲ保循する金属カバー、081は金属カバー
anに設けられたレーザビーム(4)の出射窓、(6)
は出射窓08)を覆うように金属カバー(L71に取付
けたカバーガラス、(I9はレーザビーム(4)の出射
する光軸と同一方向に基台(u;+ K rcv付けた
電極である。なお、基台α6)。
プfil全取付けるフロック、(2)はフロック(15
1’に保持する基台、(4)は半導体レーザチップ(1
)より出射でれたレーザビーム、(5)は半導体レーザ
の出力をモニターする光検知器、αηは半導体レーザチ
ップ(1)ヲ保循する金属カバー、081は金属カバー
anに設けられたレーザビーム(4)の出射窓、(6)
は出射窓08)を覆うように金属カバー(L71に取付
けたカバーガラス、(I9はレーザビーム(4)の出射
する光軸と同一方向に基台(u;+ K rcv付けた
電極である。なお、基台α6)。
金属カバー〇η及びカバーガラス(6)によって晋閉芒
れた空間が形成でれており、密閉でれた空間の中にはチ
ッ素ガスのような不活性カスが注入はれている。
れた空間が形成でれており、密閉でれた空間の中にはチ
ッ素ガスのような不活性カスが注入はれている。
従来の半纏体レーザ装置は前記のような構成音している
ので、構造が複雑で、しかも各構成部品の加工精度が高
くなジ、装置自体が高価なものになる問題点を有してい
た。更に、従来の半導体レーザ装置は電極がレーザビー
ムの出射する光軸と同一方向に取付けられているので、
装置を機器に組込む際、電極が専有する光軸方向のスペ
ースが比較的大きくなり9機器の小型薄型化を困難にす
る問題点を有していた。
ので、構造が複雑で、しかも各構成部品の加工精度が高
くなジ、装置自体が高価なものになる問題点を有してい
た。更に、従来の半導体レーザ装置は電極がレーザビー
ムの出射する光軸と同一方向に取付けられているので、
装置を機器に組込む際、電極が専有する光軸方向のスペ
ースが比較的大きくなり9機器の小型薄型化を困難にす
る問題点を有していた。
この発明は上記のような従来のもののもつ問題点を解決
して、構造が簡単で、各構成部品の加工精度が高くなく
てすみ、装置自体が安価になると共に、電極か専有する
スペースが小δくなり1機器の小型薄型化が可能になる
半導体レーザ装置を提供することを目的とするものであ
る。
して、構造が簡単で、各構成部品の加工精度が高くなく
てすみ、装置自体が安価になると共に、電極か専有する
スペースが小δくなり1機器の小型薄型化が可能になる
半導体レーザ装置を提供することを目的とするものであ
る。
この発明に係る半導体レーザ装置は、基台に切欠き部を
設け、この切欠き部に干渉材を介して半導体レーザチッ
プを取付けると共に、この切欠き部を絶縁材で半導体レ
ーザチップより出射されるレーザビームの出射方向のみ
が開口部になるようにモールドし、基台に電極をレーザ
ビームの光軸方向と直交するように固定し、電極の一部
に光検知器を取付け、開口部15會カバーガラスで覆い
、基台と、絶縁材と、カバーガラスとで密閉空間を形成
し、この密閉空間に不活性ガスを注入したものである。
設け、この切欠き部に干渉材を介して半導体レーザチッ
プを取付けると共に、この切欠き部を絶縁材で半導体レ
ーザチップより出射されるレーザビームの出射方向のみ
が開口部になるようにモールドし、基台に電極をレーザ
ビームの光軸方向と直交するように固定し、電極の一部
に光検知器を取付け、開口部15會カバーガラスで覆い
、基台と、絶縁材と、カバーガラスとで密閉空間を形成
し、この密閉空間に不活性ガスを注入したものである。
この発明においては、基台に電極をレーザビームの光軸
方向と直交するように固定しているので。
方向と直交するように固定しているので。
電極が専有するスペースが小さくなる。
以下、この発明の実施例ケ図面に基づいて説明する。
第1図〜第3図はこの発明の第1実施例を示しており、
基台(2)は平板状の金属よジできていて、上面及び下
面が基準面となって機器(図示ゼす〕に組込捷れるよう
になっている。基台(2)には切欠き部(2a〕 が
設けられている。切欠き部(2a)の端面には半導体レ
ーザチップ+11がシリコン基板の干渉材(3)全介し
て取付けられ、半導体レーザチップ(1)より出射式れ
たレーザビーム(4)の光軸が基台(2)の基準面に直
交するようになっている。切欠き部(2a)はレーザビ
ーム(4)の出射方向のみが開口部になるようにカーボ
ンブラック人りエポキシ樹脂の絶縁材(7)でモールド
されている。モールドすることによp電極(sa) 、
(8b) 、 (8c)が基台(2)ニ固定され、電
極(8a) 、 (8b) 、 (8C)がレーザビー
ム(4)の光軸方向と直交する方向に取り出されている
。
基台(2)は平板状の金属よジできていて、上面及び下
面が基準面となって機器(図示ゼす〕に組込捷れるよう
になっている。基台(2)には切欠き部(2a〕 が
設けられている。切欠き部(2a)の端面には半導体レ
ーザチップ+11がシリコン基板の干渉材(3)全介し
て取付けられ、半導体レーザチップ(1)より出射式れ
たレーザビーム(4)の光軸が基台(2)の基準面に直
交するようになっている。切欠き部(2a)はレーザビ
ーム(4)の出射方向のみが開口部になるようにカーボ
ンブラック人りエポキシ樹脂の絶縁材(7)でモールド
されている。モールドすることによp電極(sa) 、
(8b) 、 (8c)が基台(2)ニ固定され、電
極(8a) 、 (8b) 、 (8C)がレーザビー
ム(4)の光軸方向と直交する方向に取り出されている
。
電極(8a) 、 (8b) 、 (8リ は板状の金
属をプレス加工等することによって作られたものである
。電極(8b)の一部には半導体レーザチップ(1)の
出力全モニターする光検知器(5)が取付けられている
。基台(2)の切欠き部(2a) ’に絶縁材(7)
でモールドすることによって形成された開口部にはカバ
ーガラス(6)が憶うように装着でれている。基台(2
)と、カバーガラス(6)と、絶縁材(7)とによって
密閉空間が形成てれ、この密閉空間にはチッ素ガスのよ
うな不活性ガスが注入てれている。なお(2’b) 、
C2Q) は半導体レーザ装置取付用の穴である。
属をプレス加工等することによって作られたものである
。電極(8b)の一部には半導体レーザチップ(1)の
出力全モニターする光検知器(5)が取付けられている
。基台(2)の切欠き部(2a) ’に絶縁材(7)
でモールドすることによって形成された開口部にはカバ
ーガラス(6)が憶うように装着でれている。基台(2
)と、カバーガラス(6)と、絶縁材(7)とによって
密閉空間が形成てれ、この密閉空間にはチッ素ガスのよ
うな不活性ガスが注入てれている。なお(2’b) 、
C2Q) は半導体レーザ装置取付用の穴である。
上記のように電極(8a) 、 (sb) 、 (ac
) がレーザビーム(4)の光軸方向と直交する方向
に取り出されているので、@、極(8a) 、 (8b
) 、 (8c) がレーザビーム(4)の光軸方向
に専有しなくなり、電極(8a)。
) がレーザビーム(4)の光軸方向と直交する方向
に取り出されているので、@、極(8a) 、 (8b
) 、 (8c) がレーザビーム(4)の光軸方向
に専有しなくなり、電極(8a)。
(8b) 、 (8C)か専有するスペースが小さくな
る。
る。
次に、第4図〜第6図は本発明の第2実施例を示してお
り、基台(2)は円形の形状をしている。電極(8a)
、 (8tQ、 (8C) uレーザビーム(4)の
光軸方向と直交する方向に取り出でれたのち、レーザビ
ーム(4)の光軸方向と平行に々るように折り曲げられ
ている。なおその他の符号で第1図〜第3図に示す符号
と同じものは同−又は相当+’ils分ケ示しているの
で、断明を省略する。
り、基台(2)は円形の形状をしている。電極(8a)
、 (8tQ、 (8C) uレーザビーム(4)の
光軸方向と直交する方向に取り出でれたのち、レーザビ
ーム(4)の光軸方向と平行に々るように折り曲げられ
ている。なおその他の符号で第1図〜第3図に示す符号
と同じものは同−又は相当+’ils分ケ示しているの
で、断明を省略する。
次に、第7図〜第10図にこの発明の第3実施例を示し
ており、基台(2)は短円柱の上面より円形の穴をさぐ
ると共に短円柱の下部を切ジ取って半円柱状になってい
る。基台(2)の半円柱状になったところの’4A ’
ft1sに干渉材(3)全弁して半導体レーザチップ(
1)全取付けている。絶縁材(7)は基台(2)の下面
側にモールドされている。基台(2)の上面と接触する
ようにカバーガラス(6)が設けられている。そのため
開口部はカバーガラス(6)により慴閉か容易になる。
ており、基台(2)は短円柱の上面より円形の穴をさぐ
ると共に短円柱の下部を切ジ取って半円柱状になってい
る。基台(2)の半円柱状になったところの’4A ’
ft1sに干渉材(3)全弁して半導体レーザチップ(
1)全取付けている。絶縁材(7)は基台(2)の下面
側にモールドされている。基台(2)の上面と接触する
ようにカバーガラス(6)が設けられている。そのため
開口部はカバーガラス(6)により慴閉か容易になる。
々お、その他の符号で第1図〜第3図に示す符号と同じ
ものは同−又は相当部分を示しているので、説明を省略
する。
ものは同−又は相当部分を示しているので、説明を省略
する。
本発明は前記のような構成音しているので、構造が簡単
で、各構成部品の加工精度が高くなくてすみ装置自体が
安価になる効果を有している。また、この発明は基台に
電極をレーザビームの光軸方向と直交するように固定し
ているので、電極が専有するスペースが小芒くなり9機
器の小型薄型化が可能になる効果を有している。
で、各構成部品の加工精度が高くなくてすみ装置自体が
安価になる効果を有している。また、この発明は基台に
電極をレーザビームの光軸方向と直交するように固定し
ているので、電極が専有するスペースが小芒くなり9機
器の小型薄型化が可能になる効果を有している。
第1図〜第3図はこの発明の41実施例ケ示してお9.
第1図は平面図、第2図は第1図のI−■線による断面
図、第3図は正面図である。第4図〜第6図はこの発明
の第2実施例を示しており。 第4図は平面図、第5図は第4図の■−■絣による断面
図、第6図は正面図である。第7図〜第10図はこの発
明の第3実施例を示しており、第7図は平面図、第8図
1は第7図のト」線による断面図、第9図は背面図、鉋
、10図に正面図である。 第11図は従来の半導体レーザ装置全示す平面図。 第12図は第11図のTV−TV線による断面図である
。 なお1図中(11は半導体レーザチップ、(2)は基台
。 (2a)は切欠き部、(3)は干渉材、(4)はレーザ
ビーム、(5)は光検知器、(6)はカバーガラス、(
7)は絶縁材、 (8a) 、 (8b) 、 (8
C) は電極である。 図中、同一符号は同−又は相当林S分を示す。
第1図は平面図、第2図は第1図のI−■線による断面
図、第3図は正面図である。第4図〜第6図はこの発明
の第2実施例を示しており。 第4図は平面図、第5図は第4図の■−■絣による断面
図、第6図は正面図である。第7図〜第10図はこの発
明の第3実施例を示しており、第7図は平面図、第8図
1は第7図のト」線による断面図、第9図は背面図、鉋
、10図に正面図である。 第11図は従来の半導体レーザ装置全示す平面図。 第12図は第11図のTV−TV線による断面図である
。 なお1図中(11は半導体レーザチップ、(2)は基台
。 (2a)は切欠き部、(3)は干渉材、(4)はレーザ
ビーム、(5)は光検知器、(6)はカバーガラス、(
7)は絶縁材、 (8a) 、 (8b) 、 (8
C) は電極である。 図中、同一符号は同−又は相当林S分を示す。
Claims (5)
- (1)切欠き部を有する基台と、この基台の切欠き部に
干渉材を介して取付けた半導体レーザチップとこの半導
体レーザチップより出射されるレーザビームの出射方向
のみが開口部になるように上記基台の切欠き部をモール
ドした絶縁材と、上記レーザビームの先軸方向と直交す
るように上記基台に固定した電極と、この電極の一部に
取付けた光検知器と、上記開口部を覆うカバーガラスと
を備え、上記基台、上記絶縁材及び上記カバーガラスに
よつて密閉空間を形成し、この密閉空間に不活性ガスを
注入したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - (2)基台の上面及び下面が基準面となり、この基準面
に対しレーザビームの光軸が直交していることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。 - (3)絶縁材でモールドすることにより電極を基台に固
定し、電極をレーザビームの光軸方向と直交する方向に
取り出していることを特徴とする特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の半導体レーザ装置。 - (4)電極はレーザビームの光軸方向と直交する方向に
取り出されたのち、レーザビームの光軸方向と平行にな
るように折り曲げられていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の半導体レ
ーザ装置。 - (5)絶縁材はカーボンブラック入りエポキシ樹脂であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項
のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23099084A JPS61108188A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23099084A JPS61108188A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61108188A true JPS61108188A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16916503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23099084A Pending JPS61108188A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61108188A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
CN106990560A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-07-28 | 陕西科迪健康产业有限公司 | 一种激光头 |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP23099084A patent/JPS61108188A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
CN106990560A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-07-28 | 陕西科迪健康产业有限公司 | 一种激光头 |
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