JP3084173B2 - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
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- JP3084173B2 JP3084173B2 JP05125751A JP12575193A JP3084173B2 JP 3084173 B2 JP3084173 B2 JP 3084173B2 JP 05125751 A JP05125751 A JP 05125751A JP 12575193 A JP12575193 A JP 12575193A JP 3084173 B2 JP3084173 B2 JP 3084173B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク等のピッ
クアップに使用される半導体レーザー装置に関する。
クアップに使用される半導体レーザー装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザー装置としては、図
４に示すようなメタルパッケージタイプのものがある。
この半導体レーザー装置は、ステム基体２１と、上記ス
テム基体２１上に固定されたステム２２と、上記ステム
２２の側面２２ａにマウントされた半導体レーザーチッ
プ２３と、上記ステム２２の側面２２ａにマウントされ
たモニタ用フォトダイオードチップ２４と、上記ステム
２２の上面２２ｂにマウントされた検出用フォトダイオ
ードチップ２５とを備えている。上記ステム基体２１上
には、上記ステム２２を囲うように金属製のキャップ２
６を固定して、このキャップ２６の上面にガラス窓３０
を取り付けている。そして、上記キャップ２６上に、ガ
ラス窓３０を覆うように、ガラス２７を固定している。
このガラス２７の上面にホログラム２７ａを形成してい
る。
４に示すようなメタルパッケージタイプのものがある。
この半導体レーザー装置は、ステム基体２１と、上記ス
テム基体２１上に固定されたステム２２と、上記ステム
２２の側面２２ａにマウントされた半導体レーザーチッ
プ２３と、上記ステム２２の側面２２ａにマウントされ
たモニタ用フォトダイオードチップ２４と、上記ステム
２２の上面２２ｂにマウントされた検出用フォトダイオ
ードチップ２５とを備えている。上記ステム基体２１上
には、上記ステム２２を囲うように金属製のキャップ２
６を固定して、このキャップ２６の上面にガラス窓３０
を取り付けている。そして、上記キャップ２６上に、ガ
ラス窓３０を覆うように、ガラス２７を固定している。
このガラス２７の上面にホログラム２７ａを形成してい
る。
【０００３】上記構成の半導体レーザー装置は、上記半
導体レーザーチップ２３からモニタ用フォトダイオード
チップ２４に向けて第１のレーザー光（図示せず）を出
射する一方、キャップ２６のガラス窓３０に向けて第２
のレーザー光（図示せず）を出射する。そして、上記第
２のレーザー光は、上記ガラス窓３０とガラス２７内と
を通過して、ホログラム２７ａから外部に出る。そし
て、この第２のレーザー光は外部の光ディスク等に反射
され、再びホログラム２７ａに入射し、このホログラム
２７ａによって回折された反射光が検出用フォトダイオ
ードチップ２５に入射する。
導体レーザーチップ２３からモニタ用フォトダイオード
チップ２４に向けて第１のレーザー光（図示せず）を出
射する一方、キャップ２６のガラス窓３０に向けて第２
のレーザー光（図示せず）を出射する。そして、上記第
２のレーザー光は、上記ガラス窓３０とガラス２７内と
を通過して、ホログラム２７ａから外部に出る。そし
て、この第２のレーザー光は外部の光ディスク等に反射
され、再びホログラム２７ａに入射し、このホログラム
２７ａによって回折された反射光が検出用フォトダイオ
ードチップ２５に入射する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体レーザー装置の半導体レーザーチップ２３は、外
気に含まれる水分等によって表面が変化して、特性が劣
化するため、上記金属製のキャップ２６の内部に不活性
ガスを充填して、金属製のキャップ２６を用いて密封し
ている。したがって、この半導体レーザー装置は、高価
な不活性ガスやガラス窓３０を有する金属製のキャップ
２６を使用し、不活性ガスの充填や金属製のキャップ２
６のガラス窓３０の取付け等の面倒な組立作業を必要と
するので、コストが高くなるという欠点がある。
半導体レーザー装置の半導体レーザーチップ２３は、外
気に含まれる水分等によって表面が変化して、特性が劣
化するため、上記金属製のキャップ２６の内部に不活性
ガスを充填して、金属製のキャップ２６を用いて密封し
ている。したがって、この半導体レーザー装置は、高価
な不活性ガスやガラス窓３０を有する金属製のキャップ
２６を使用し、不活性ガスの充填や金属製のキャップ２
６のガラス窓３０の取付け等の面倒な組立作業を必要と
するので、コストが高くなるという欠点がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、半導体レーザ
ーを透明樹脂で被覆することによって、低コストで、か
つ、耐環境性のよい半導体レーザー装置を提供すること
にある。
ーを透明樹脂で被覆することによって、低コストで、か
つ、耐環境性のよい半導体レーザー装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の半導体レーザー装置は、半導体レーザー
と、上記半導体レーザーのレーザー光をモニタするモニ
タ用フォトダイオードと、上記半導体レーザーのレーザ
ー光の反射した光を検出する検出用フォトダイオード
と、上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光を上
記検出用フォトダイオードに入射させるホログラムとを
備えた半導体レーザー装置において、上記半導体レーザ
ー、上記モニタ用フォトダイオードまたは上記検出用フ
ォトダイオードのうちの少なくとも上記半導体レーザー
の周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆し、かつ、上記半
導体レーザー、上記モニタ用フォトダイオード及び上記
検出用フォトダイオードの全体を樹脂中に浸漬していな
いと、共に、前記半導体レーザーの光出射端面における
前記透明樹脂の厚みは10μm以上500μm以下であること
を特徴としている。
め、この発明の半導体レーザー装置は、半導体レーザー
と、上記半導体レーザーのレーザー光をモニタするモニ
タ用フォトダイオードと、上記半導体レーザーのレーザ
ー光の反射した光を検出する検出用フォトダイオード
と、上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光を上
記検出用フォトダイオードに入射させるホログラムとを
備えた半導体レーザー装置において、上記半導体レーザ
ー、上記モニタ用フォトダイオードまたは上記検出用フ
ォトダイオードのうちの少なくとも上記半導体レーザー
の周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆し、かつ、上記半
導体レーザー、上記モニタ用フォトダイオード及び上記
検出用フォトダイオードの全体を樹脂中に浸漬していな
いと、共に、前記半導体レーザーの光出射端面における
前記透明樹脂の厚みは10μm以上500μm以下であること
を特徴としている。
【０００７】
【作用】上記構成の半導体レーザー装置は、上記半導体
レーザー,モニタ用フォトダイオードおよび検出用フォ
トダイオードの全体を樹脂中に浸漬せずに、半導体レー
ザーの周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆して、外気を
遮断するから、半導体レーザーのレーザー光が出射され
る表面の状態が変化することがなく、特性の劣化を防止
できる。したがって、高価な不活性ガスや金属製のガラ
ス窓を有するキャップを使用せず、不活性ガスの充填や
金属製のキャップのガラス窓の取付け等の面倒な組立作
業もなくなるから、従来に比して低コストで、かつ耐環
境性が向上した半導体レーザー装置を実現できる。
レーザー,モニタ用フォトダイオードおよび検出用フォ
トダイオードの全体を樹脂中に浸漬せずに、半導体レー
ザーの周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆して、外気を
遮断するから、半導体レーザーのレーザー光が出射され
る表面の状態が変化することがなく、特性の劣化を防止
できる。したがって、高価な不活性ガスや金属製のガラ
ス窓を有するキャップを使用せず、不活性ガスの充填や
金属製のキャップのガラス窓の取付け等の面倒な組立作
業もなくなるから、従来に比して低コストで、かつ耐環
境性が向上した半導体レーザー装置を実現できる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の半導体レーザー装置を実施
例により詳細に説明する。
例により詳細に説明する。
【０００９】図１はこの発明の一実施例の半導体レーザ
ー装置の断面図を示しており、１はステム基体、２は上
記ステム基体１上に固定されたステム、３は上記ステム
２の側面２ａにマウントされた半導体レーザーチップ、
４は上記ステム２の側面２ａにマウントされたモニタ用
フォトダイオードチップ、５は上記ステム２の上面２ｂ
にマウントされた検出用フォトダイオードチップであ
る。
ー装置の断面図を示しており、１はステム基体、２は上
記ステム基体１上に固定されたステム、３は上記ステム
２の側面２ａにマウントされた半導体レーザーチップ、
４は上記ステム２の側面２ａにマウントされたモニタ用
フォトダイオードチップ、５は上記ステム２の上面２ｂ
にマウントされた検出用フォトダイオードチップであ
る。
【００１０】また、上記半導体レーザーチップ３の周囲
をたとえばシリコーンからなる透明樹脂１１で被覆す
る。なお、上記半導体レーザーチップ３を覆うシリコー
ンからなる透明樹脂１１は、モニタ用フォトダイオード
チップ４側とその反対側に面する両表面を平行な平面に
している。これは、前記両表面が平行な平面でなくなる
と、レンズ効果等による光軸のずれが生じてしまうから
である。また、前記両表面における前記透明樹脂１１の
厚みは５００μｍ以下とする。これは、前記透明樹脂１
１の厚みが厚くなると、前記半導体レーザーチップ３の
レーザー光出射端面と透明樹脂１１との表面との多重反
射の影響によってレーザー光出射特性に乱れが生ずるよ
うになり、光ディスク用光源として使用できなくなるか
らである。以下に、上記半導体レーザーチップ３の前記
レーザー光出射端面に対して樹脂厚が５００μｍ以下で
あって且つその表面が平行になるように樹脂で被覆した
半導体レーザー装置のレーザー光出射特性の一例を図２
に従って説明する。図２から分かるように、上記半導体
レーザーチップ３の上記レーザー光出射端面を１種類の
樹脂によって樹脂厚５００μｍで被覆しているので、レ
ーザー発振する活性層に対して水平方向の光強度分布
“θ‖”も上記活性層に対して垂直方向の光強度分布
“θ⊥”も、単峰の特性を有する。また、上記半導体レ
ーザーチップ３の上記レーザー光出射端面を被覆してい
る上記樹脂の表面は上記レーザー光出射端面に対して平
行になっているので、上記両光強度分布とも光軸がずれ
ていない特性を有する。つまり、上記構成によれば、光
ディスク用光源として使用可能な半導体レーザー装置を
提供できるのである。なお、上記樹脂厚は５００μｍ以
下であればよく、例えば、樹脂厚４００μｍ，３００μ
ｍ，２００μｍ，１００μｍの場合においても良好な特
性が得られている。しかしながら、上記樹脂厚があまり
薄いと周囲の湿度により端面腐食が発生して劣化が生じ
る。そのため、レーザーの動作電流に大きな変動が生じ
レーザーの信頼性に問題があり、上記樹脂厚は少なくと
も１０μｍ以上であることが望ましい。そして、上記ス
テム基体１上には、ステム２を覆うようにプラスチック
製のキャップ６を固定している。このプラスチック製の
キャップ６の上面には、ステム２に対向する穴６ａを設
けている。この穴６ａを覆うように、ガラス７をプラス
チック製のキャップ６上に固定している。このガラス７
のステム２と反対側の平面にホログラム７ａを形成して
いる。したがって、上記プラスチック製のキャップ６
は、上記ガラス７を取り付けるための役割をしているだ
けでガラス窓を取り付ける必要はない。
をたとえばシリコーンからなる透明樹脂１１で被覆す
る。なお、上記半導体レーザーチップ３を覆うシリコー
ンからなる透明樹脂１１は、モニタ用フォトダイオード
チップ４側とその反対側に面する両表面を平行な平面に
している。これは、前記両表面が平行な平面でなくなる
と、レンズ効果等による光軸のずれが生じてしまうから
である。また、前記両表面における前記透明樹脂１１の
厚みは５００μｍ以下とする。これは、前記透明樹脂１
１の厚みが厚くなると、前記半導体レーザーチップ３の
レーザー光出射端面と透明樹脂１１との表面との多重反
射の影響によってレーザー光出射特性に乱れが生ずるよ
うになり、光ディスク用光源として使用できなくなるか
らである。以下に、上記半導体レーザーチップ３の前記
レーザー光出射端面に対して樹脂厚が５００μｍ以下で
あって且つその表面が平行になるように樹脂で被覆した
半導体レーザー装置のレーザー光出射特性の一例を図２
に従って説明する。図２から分かるように、上記半導体
レーザーチップ３の上記レーザー光出射端面を１種類の
樹脂によって樹脂厚５００μｍで被覆しているので、レ
ーザー発振する活性層に対して水平方向の光強度分布
“θ‖”も上記活性層に対して垂直方向の光強度分布
“θ⊥”も、単峰の特性を有する。また、上記半導体レ
ーザーチップ３の上記レーザー光出射端面を被覆してい
る上記樹脂の表面は上記レーザー光出射端面に対して平
行になっているので、上記両光強度分布とも光軸がずれ
ていない特性を有する。つまり、上記構成によれば、光
ディスク用光源として使用可能な半導体レーザー装置を
提供できるのである。なお、上記樹脂厚は５００μｍ以
下であればよく、例えば、樹脂厚４００μｍ，３００μ
ｍ，２００μｍ，１００μｍの場合においても良好な特
性が得られている。しかしながら、上記樹脂厚があまり
薄いと周囲の湿度により端面腐食が発生して劣化が生じ
る。そのため、レーザーの動作電流に大きな変動が生じ
レーザーの信頼性に問題があり、上記樹脂厚は少なくと
も１０μｍ以上であることが望ましい。そして、上記ス
テム基体１上には、ステム２を覆うようにプラスチック
製のキャップ６を固定している。このプラスチック製の
キャップ６の上面には、ステム２に対向する穴６ａを設
けている。この穴６ａを覆うように、ガラス７をプラス
チック製のキャップ６上に固定している。このガラス７
のステム２と反対側の平面にホログラム７ａを形成して
いる。したがって、上記プラスチック製のキャップ６
は、上記ガラス７を取り付けるための役割をしているだ
けでガラス窓を取り付ける必要はない。
【００１１】上記構成の半導体レーザー装置において、
上記半導体レーザーチップ３は、上記モニタ用フォトダ
イオードチップ４に向けて第１のレーザー光（図示せ
ず）を出射する一方、ガラス７に向けて第２のレーザー
光（図示せず）を出射する。そして、このモニタ用フォ
トダイオードチップ４の受光電流に基づいて、半導体レ
ーザーチップ３から出射される第１のレーザー光の強さ
が所定の値になるように制御する。なお、上記第２のレ
ーザー光の強さは、第１のレーザー光の強さに略比例す
るから、第１のレーザー光を制御することによって、間
接的に第２のレーザー光の強さを制御している。一方、
上記第２のレーザー光はガラス７内を通過して、ホログ
ラム７ａから外部に出る。そして、この第２のレーザー
光は外部の図示しない光ディスク等によって反射され、
再びホログラム７ａに入射する。そして、この入射した
反射光はホログラム７ａによって回折され、ガラス７内
を通過して、検出用フォトダイオードチップ５に入射す
る。このようにして、上記第１のレーザー光の強さを制
御して、第２のレーザー光の強さを一定に保つと共に、
第２のレーザー光を光ディスク等に当てて、その反射光
を検出用フォトダイオードチップ５で受光し、光ディス
ク等に記録された情報信号を検出する。こうして、信号
検出機能を有するプラスチックパッケージタイプの半導
体レーザー装置を実現している。
上記半導体レーザーチップ３は、上記モニタ用フォトダ
イオードチップ４に向けて第１のレーザー光（図示せ
ず）を出射する一方、ガラス７に向けて第２のレーザー
光（図示せず）を出射する。そして、このモニタ用フォ
トダイオードチップ４の受光電流に基づいて、半導体レ
ーザーチップ３から出射される第１のレーザー光の強さ
が所定の値になるように制御する。なお、上記第２のレ
ーザー光の強さは、第１のレーザー光の強さに略比例す
るから、第１のレーザー光を制御することによって、間
接的に第２のレーザー光の強さを制御している。一方、
上記第２のレーザー光はガラス７内を通過して、ホログ
ラム７ａから外部に出る。そして、この第２のレーザー
光は外部の図示しない光ディスク等によって反射され、
再びホログラム７ａに入射する。そして、この入射した
反射光はホログラム７ａによって回折され、ガラス７内
を通過して、検出用フォトダイオードチップ５に入射す
る。このようにして、上記第１のレーザー光の強さを制
御して、第２のレーザー光の強さを一定に保つと共に、
第２のレーザー光を光ディスク等に当てて、その反射光
を検出用フォトダイオードチップ５で受光し、光ディス
ク等に記録された情報信号を検出する。こうして、信号
検出機能を有するプラスチックパッケージタイプの半導
体レーザー装置を実現している。
【００１２】このように、上記半導体レーザーチップ３
をシリコーンからなる透明樹脂１１で被覆して、外気を
遮断するから、半導体レーザーチップ３のレーザー光を
出射する表面の状態が湿気などにより変化することがな
く、特性の劣化を防止することができる。したがって、
従来のように、高価な不活性ガスや金属製のキャップを
用いることがなく、不活性ガスの充填や金属製のキャッ
プのガラス窓の取付け等の面倒な組立作業もなくなる。
したがって、従来に比して低コストで、かつ、耐環境性
のすぐれた半導体レーザー装置を実現することができ
る。
をシリコーンからなる透明樹脂１１で被覆して、外気を
遮断するから、半導体レーザーチップ３のレーザー光を
出射する表面の状態が湿気などにより変化することがな
く、特性の劣化を防止することができる。したがって、
従来のように、高価な不活性ガスや金属製のキャップを
用いることがなく、不活性ガスの充填や金属製のキャッ
プのガラス窓の取付け等の面倒な組立作業もなくなる。
したがって、従来に比して低コストで、かつ、耐環境性
のすぐれた半導体レーザー装置を実現することができ
る。
【００１３】また、上記半導体レーザーチップ３を被覆
しているシリコーンからなる透明樹脂１１は、耐熱性を
有するから、この透明樹脂１１が半導体レーザーチップ
３の発熱や周囲温度の上昇により変色したり、変形する
恐れがない。
しているシリコーンからなる透明樹脂１１は、耐熱性を
有するから、この透明樹脂１１が半導体レーザーチップ
３の発熱や周囲温度の上昇により変色したり、変形する
恐れがない。
【００１４】図３はこの発明の他の実施例の半導体レー
ザー装置の断面図を示しており、図１と同一の構成物は
同一の参照番号を付して説明を省略する。
ザー装置の断面図を示しており、図１と同一の構成物は
同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００１５】図３に示す半導体レーザー装置は、シリコ
ーン樹脂からなる透明樹脂１４によって、半導体レーザ
ーチップ３とモニタ用フォトダイオードチップ４と検出
用フォトダイオードチップ５とを個別に被覆している。
なお、上記半導体レーザーチップ３を覆う前記透明樹脂
１４は、モニタ用フォトダイオード４側とその反対側に
面する両表面を平行な平面とし、且つ、前記透明樹脂１
４の厚み５００μｍ以下としている。したがって、外部
からの湿度等による、半導体レーザーチップ３及びモニ
タ用フォトダイオード４並びに検出用フォトダイオード
５の特性劣化を防止できる。
ーン樹脂からなる透明樹脂１４によって、半導体レーザ
ーチップ３とモニタ用フォトダイオードチップ４と検出
用フォトダイオードチップ５とを個別に被覆している。
なお、上記半導体レーザーチップ３を覆う前記透明樹脂
１４は、モニタ用フォトダイオード４側とその反対側に
面する両表面を平行な平面とし、且つ、前記透明樹脂１
４の厚み５００μｍ以下としている。したがって、外部
からの湿度等による、半導体レーザーチップ３及びモニ
タ用フォトダイオード４並びに検出用フォトダイオード
５の特性劣化を防止できる。
【００１６】上記実施例では、半導体レーザーチップ３
を覆う透明樹脂１１，１４にシリコーンからなる透明樹
脂を用いたが、透明樹脂はこれに限らず、エポキシ樹
脂，ポリイミド樹脂，フッ素樹脂またはＵＶ樹脂等を用
いてもよい。
を覆う透明樹脂１１，１４にシリコーンからなる透明樹
脂を用いたが、透明樹脂はこれに限らず、エポキシ樹
脂，ポリイミド樹脂，フッ素樹脂またはＵＶ樹脂等を用
いてもよい。
【００１７】また、上記キャップ６にプラスチック製の
キャップを用いたが、金属やセラミック等からなるキャ
ップを用いてもよいのは勿論である。
キャップを用いたが、金属やセラミック等からなるキャ
ップを用いてもよいのは勿論である。
【００１８】また、上記実施例では、半導体レーザーチ
ップ３等をマウントするのにステム基体１とステム２と
を用いたが、このステム基体とステムとをリードフレー
ムやプリント基板等に置き換えてもよい。この場合、ス
テム基体へのリードの取り付けやステムの固定作業等が
なくなり、生産性はさらに向上する。
ップ３等をマウントするのにステム基体１とステム２と
を用いたが、このステム基体とステムとをリードフレー
ムやプリント基板等に置き換えてもよい。この場合、ス
テム基体へのリードの取り付けやステムの固定作業等が
なくなり、生産性はさらに向上する。
【００１９】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の半
導体レーザー装置は、半導体レーザーと、上記半導体レ
ーザーのレーザー光をモニタするモニタ用フォトダイオ
ードと、上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光
を検出する検出用フォトダイオードと、上記半導体レー
ザーのレーザー光の反射した光を上記検出用フォトダイ
オードに入射させるホログラムとを備え、上記半導体レ
ーザー、上記モニタ用フォトダイオードまたは上記検出
用フォトダイオードのうちの少なくとも上記半導体レー
ザーの周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆し、かつ、上
記半導体レーザー、上記モニタ用フォトダイオード及び
上記検出用フォトダイオードの全体を樹脂中に浸漬して
いないと、共に、前記半導体レーザーの光出射端面にお
ける前記透明樹脂の厚みは10μm以上500μm以下である
ものである。
導体レーザー装置は、半導体レーザーと、上記半導体レ
ーザーのレーザー光をモニタするモニタ用フォトダイオ
ードと、上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光
を検出する検出用フォトダイオードと、上記半導体レー
ザーのレーザー光の反射した光を上記検出用フォトダイ
オードに入射させるホログラムとを備え、上記半導体レ
ーザー、上記モニタ用フォトダイオードまたは上記検出
用フォトダイオードのうちの少なくとも上記半導体レー
ザーの周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆し、かつ、上
記半導体レーザー、上記モニタ用フォトダイオード及び
上記検出用フォトダイオードの全体を樹脂中に浸漬して
いないと、共に、前記半導体レーザーの光出射端面にお
ける前記透明樹脂の厚みは10μm以上500μm以下である
ものである。
【００２０】したがって、この発明の半導体レーザー装
置によれば、上記半導体レーザー,モニタ用フォトダイ
オードおよび検出用フォトダイオードの全体を樹脂中に
浸漬せずに、半導体レーザーの周囲の所定の領域を透明
樹脂で被覆して、外気を遮断するから、半導体レーザー
のレーザー光を出射する表面の状態が水分等により変化
することがなく、特性の劣化を防止することができる。
したがって、高価な不活性ガスや金属製のガラス窓を有
するキャップなどを用いることなく、不活性ガスの充填
や金属製のキャップのガラス窓の取付け等の面倒な組立
作業がなくなるから、従来に比して生産性がよくなり、
低コストで耐環境性の向上した半導体レーザー装置を実
現することができる。
置によれば、上記半導体レーザー,モニタ用フォトダイ
オードおよび検出用フォトダイオードの全体を樹脂中に
浸漬せずに、半導体レーザーの周囲の所定の領域を透明
樹脂で被覆して、外気を遮断するから、半導体レーザー
のレーザー光を出射する表面の状態が水分等により変化
することがなく、特性の劣化を防止することができる。
したがって、高価な不活性ガスや金属製のガラス窓を有
するキャップなどを用いることなく、不活性ガスの充填
や金属製のキャップのガラス窓の取付け等の面倒な組立
作業がなくなるから、従来に比して生産性がよくなり、
低コストで耐環境性の向上した半導体レーザー装置を実
現することができる。
【図１】 図１はこの発明の一実施例の半導体レーザー
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図２】 図２は上記実施例の半導体レーザー装置によ
るレーザー光出射特性の一例を示す図である。
るレーザー光出射特性の一例を示す図である。
【図３】 図３はこの発明の他の実施例の半導体レーザ
ー装置の断面図である。
ー装置の断面図である。
【図４】 図４は従来の半導体レーザー装置の断面図で
ある。
ある。
１…ステム基体、２…ステム、３…半導体レーザーチッ
プ、４…モニタ用フォトダイオードチップ、５…検出用
フォトダイオードチップ、６…キャップ、７…ガラス、
７ａ…ホログラム、１１，１４…透明樹脂。
プ、４…モニタ用フォトダイオードチップ、５…検出用
フォトダイオードチップ、６…キャップ、７…ガラス、
７ａ…ホログラム、１１，１４…透明樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−313988（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−125688（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−48675（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63309（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−280487（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−314847（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザーと、上記半導体レーザーの
レーザー光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、
上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光を検出す
る検出用フォトダイオードと、上記半導体レーザーのレ
ーザー光の反射した光を上記検出用フォトダイオードに
入射させるホログラムとを備えた半導体レーザー装置に
おいて、 上記半導体レーザー、上記モニタ用フォトダイオードま
たは上記検出用フォトダイオードのうちの少なくとも上
記半導体レーザーの周囲の所定の領域を透明樹脂で被覆
し、かつ、上記半導体レーザー、上記モニタ用フォトダ
イオード及び上記検出用フォトダイオードの全体を樹脂
中に浸漬していないと、共に、 前記半導体レーザーの光出射端面における前記透明樹脂
の厚みは10μm以上500μm以下である ことを特徴とする
半導体レーザー装置。
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|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-05-27 JP JP05125751A patent/JP3084173B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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