JPS6039880A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPS6039880A JPS6039880A JP58146524A JP14652483A JPS6039880A JP S6039880 A JPS6039880 A JP S6039880A JP 58146524 A JP58146524 A JP 58146524A JP 14652483 A JP14652483 A JP 14652483A JP S6039880 A JPS6039880 A JP S6039880A
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- laser
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Electromagnetism (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光装置、特に発光する光出力を受光素子でモ
ニタするとともに、透明窓から光を発光する構造の発光
装置、たとえば半導体レーザー装置に適用して有効な技
術に関する。
ニタするとともに、透明窓から光を発光する構造の発光
装置、たとえば半導体レーザー装置に適用して有効な技
術に関する。
オーディオディスク、ビデオディスク、光通信等の発光
臨となる半導体レーザ装置が、たとえば１９８１年９月
１４日付発行の日経エレクトロニクス誌１３８〜１５１
頁にも記載されているように開発市販され又いる。この
半導体レーザ装置はステムの主面中央に設けたヒートシ
ンクにサブマウントを介して半導体レーザ素子（レーザ
チップ）を固定し、かつステムの主面に取り付けた透明
窓を設けたキャップで前記レーザチップ等を気密封止し
た構造となっている。レーザチップは両端面からレーザ
光を発光する。レーザ光の一方は透明窓を透過してステ
ムとキャップとによっ℃形成されるパッケージの外に放
出され、他方はステムの主面に取り付けられた受光素子
面に照射される。
臨となる半導体レーザ装置が、たとえば１９８１年９月
１４日付発行の日経エレクトロニクス誌１３８〜１５１
頁にも記載されているように開発市販され又いる。この
半導体レーザ装置はステムの主面中央に設けたヒートシ
ンクにサブマウントを介して半導体レーザ素子（レーザ
チップ）を固定し、かつステムの主面に取り付けた透明
窓を設けたキャップで前記レーザチップ等を気密封止し
た構造となっている。レーザチップは両端面からレーザ
光を発光する。レーザ光の一方は透明窓を透過してステ
ムとキャップとによっ℃形成されるパッケージの外に放
出され、他方はステムの主面に取り付けられた受光素子
面に照射される。
受光素子はレーザ光の光出力をモニタする役割を果たす
。
。
し、かじ、この構造では、受光素子面で反射した光が透
明窓から外部に放出され、レーザ光の遠視野像が乱れる
欠点がある。そこで、受光素子面での反射光が透明窓に
入らないように、受光素子面が傾斜するように受光素子
をステムに固定する技術が開発（特開昭５５−１４８４
８３号記載の技術）されている。
明窓から外部に放出され、レーザ光の遠視野像が乱れる
欠点がある。そこで、受光素子面での反射光が透明窓に
入らないように、受光素子面が傾斜するように受光素子
をステムに固定する技術が開発（特開昭５５−１４８４
８３号記載の技術）されている。
また、本出願人は受光素子を取り付けるステム周辺部分
な粗面化してレーザ光の乱反射を生じさせ、反射光が直
接透明窓に入らないようにする技術を開発し℃いる。
な粗面化してレーザ光の乱反射を生じさせ、反射光が直
接透明窓に入らないようにする技術を開発し℃いる。
しかし、前記の受光素子を傾斜固定する技術および受光
素子の傾斜固定と粗面化の技術にあっては、レーザ光の
遠視野像の乱れは低減できるが、レーザ光を集光した際
のビームスポットかにじみを生じ、スポットが充分小面
積に絞り込めなくなり、たとえば、書き込みディスク（
ＤＲＡＷ Ｄｉｓｋ）の書き込みができなくなる問題が
生じることが本発明者によってあきらかとされた。また
、第１図に示すように、スポット光１のにじみ部分２（
ハツチングを施した領域）はレーザチップを支持するヒ
ートシンクおよびキャンプならびにステムのパッケージ
内面での反射散乱光（迷光）が透明窓に入って放出され
ることによって生じることも本発明者によってあきらか
とされた。
素子の傾斜固定と粗面化の技術にあっては、レーザ光の
遠視野像の乱れは低減できるが、レーザ光を集光した際
のビームスポットかにじみを生じ、スポットが充分小面
積に絞り込めなくなり、たとえば、書き込みディスク（
ＤＲＡＷ Ｄｉｓｋ）の書き込みができなくなる問題が
生じることが本発明者によってあきらかとされた。また
、第１図に示すように、スポット光１のにじみ部分２（
ハツチングを施した領域）はレーザチップを支持するヒ
ートシンクおよびキャンプならびにステムのパッケージ
内面での反射散乱光（迷光）が透明窓に入って放出され
ることによって生じることも本発明者によってあきらか
とされた。
本発明は発光された光を絞り込んだ際、にじみのない鮮
明なビームスポットが得られる発光装置を提供すること
にある。
明なビームスポットが得られる発光装置を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細各の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細各の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明１−れば、下記のとおりである。
を簡単に説明１−れば、下記のとおりである。
すなわち、ステムの主面に固定したヒートシンクにサブ
マウントを介して固定（−たレーザチップと、このレー
ザチップのステムに対面する端面から発光されるレーザ
光をモニタするステムに傾斜固定された受光素子と、こ
の受光素子およびレーザチップ等を封止するようにステ
ム主面に気密固定されかつ透明窓を有するギャップと、
を有する半導体レーザ装置に２い℃、前記キャンプの内
壁。
マウントを介して固定（−たレーザチップと、このレー
ザチップのステムに対面する端面から発光されるレーザ
光をモニタするステムに傾斜固定された受光素子と、こ
の受光素子およびレーザチップ等を封止するようにステ
ム主面に気密固定されかつ透明窓を有するギャップと、
を有する半導体レーザ装置に２い℃、前記キャンプの内
壁。
ステムの主面、ヒートシンクの一部にそれぞれ黒色の塗
料等からなる反射防止膜を被着させておき、レーザ光の
反射散乱光が透明窓から外部に放出されないようにする
ことによって、絞り込んだ際のビームスポットににじみ
を生じさせることな（鮮明なスポット光が得られるよう
にするものである。
料等からなる反射防止膜を被着させておき、レーザ光の
反射散乱光が透明窓から外部に放出されないようにする
ことによって、絞り込んだ際のビームスポットににじみ
を生じさせることな（鮮明なスポット光が得られるよう
にするものである。
第２図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の要
部を示す断面図、第３図は同じく絞り込んだ際のビーム
スポットを示す説明図である。
部を示す断面図、第３図は同じく絞り込んだ際のビーム
スポットを示す説明図である。
この半導体レーザ装置は円板状の銅製ステム３の主面中
央部に銅製のヒートシンク４を鑞材で固定した構造とな
っている。ヒートシンク４の一側面にはサブマウント５
を介して半導体レーザ素子（レーザチップ）６が固着さ
れている。このレーザチップ６はその上端および下端（
ステム３に対面する面）からそれぞれレーザ光７を発光
する。
央部に銅製のヒートシンク４を鑞材で固定した構造とな
っている。ヒートシンク４の一側面にはサブマウント５
を介して半導体レーザ素子（レーザチップ）６が固着さ
れている。このレーザチップ６はその上端および下端（
ステム３に対面する面）からそれぞれレーザ光７を発光
する。
また、ステム３の主面には下方に向かって発光されるレ
ーザ光７を受光する光出力モニタ用の受光素子８が固定
されている。また、ステム３には３本のり一部９（図で
は２本）が固定されている。
ーザ光７を受光する光出力モニタ用の受光素子８が固定
されている。また、ステム３には３本のり一部９（図で
は２本）が固定されている。
１本のリード９は直接ステム３に固定され電気的にも接
続はれ、他の２本のり一部９は絶縁体を介して貫通固定
されている。ステム３の主面上に突出するリード９はワ
イヤ１０を介してレーザチップ６および受光素子８の電
極に電気的に接続されている。また、ステム３の主面に
は透明カラス板１１を気密的に取り付けて透明窓１２と
した部分を有する金属製のキャップ１３が前記レーザチ
ップ６、受光素子８等を被うように気密的に固定されて
いる。また、前記受光素子８はステム３の傾斜面に固定
され、傾斜している。したがって、受光素子８の受光面
における反射光１４は直接透明窓１２に入らないように
なっ℃いる。また、受光素子８０周辺のレーザ光７が当
たるステム部分は粗面１５となり、レーザ光７が乱反射
を起こし、透明窓１２に入らな（・ようになっている。
続はれ、他の２本のり一部９は絶縁体を介して貫通固定
されている。ステム３の主面上に突出するリード９はワ
イヤ１０を介してレーザチップ６および受光素子８の電
極に電気的に接続されている。また、ステム３の主面に
は透明カラス板１１を気密的に取り付けて透明窓１２と
した部分を有する金属製のキャップ１３が前記レーザチ
ップ６、受光素子８等を被うように気密的に固定されて
いる。また、前記受光素子８はステム３の傾斜面に固定
され、傾斜している。したがって、受光素子８の受光面
における反射光１４は直接透明窓１２に入らないように
なっ℃いる。また、受光素子８０周辺のレーザ光７が当
たるステム部分は粗面１５となり、レーザ光７が乱反射
を起こし、透明窓１２に入らな（・ようになっている。
さらに、キャップ１３の内壁およびステム３の主面なら
びにヒートシンク４の側面等のガラス板１１およびステ
ム３ならびに受光素子８の表面で反射した反射光１４が
当たる表面には黒色の反射防止膜（光吸収膜）１６が被
着されている。この反射防止膜１６は塗料、インク、ワ
ックス（たとえば黒色のアビニシンワックス）等を数千
へ〜数μｍ塗布することによって形成される。また、反
射防止膜１６の表面は粗面化され、反射防止膜表面でわ
ずかに反射する光がある場合、乱反射させて光量な徐々
に小づくするようになっている。したがって、レーザ光
７０反射光１４は反射防止膜１６でそのほとんどが吸収
され、かつ反射された反射光は分散によって微弱となる
。この結果、反射散乱を繰り返す反射散乱光（迷光）は
消滅して透明窓１２からはレーザチップ６から発光され
た直接光のみが透過しかつ放出され、各種機器の光学系
で絞り込んだレーザ光７のビームスポット（スポット光
）■は第３図で示すようににじみのない鮮明な形状とな
る。
びにヒートシンク４の側面等のガラス板１１およびステ
ム３ならびに受光素子８の表面で反射した反射光１４が
当たる表面には黒色の反射防止膜（光吸収膜）１６が被
着されている。この反射防止膜１６は塗料、インク、ワ
ックス（たとえば黒色のアビニシンワックス）等を数千
へ〜数μｍ塗布することによって形成される。また、反
射防止膜１６の表面は粗面化され、反射防止膜表面でわ
ずかに反射する光がある場合、乱反射させて光量な徐々
に小づくするようになっている。したがって、レーザ光
７０反射光１４は反射防止膜１６でそのほとんどが吸収
され、かつ反射された反射光は分散によって微弱となる
。この結果、反射散乱を繰り返す反射散乱光（迷光）は
消滅して透明窓１２からはレーザチップ６から発光され
た直接光のみが透過しかつ放出され、各種機器の光学系
で絞り込んだレーザ光７のビームスポット（スポット光
）■は第３図で示すようににじみのない鮮明な形状とな
る。
（１）、ステム３のレーザ光７が当たる主面部分の粗面
化、受光素子８の傾斜固定によって、反射光が直接透明
窓１２に入ることはほとんどないので、半導体レーザ装
置の遠視野像は乱れない。
化、受光素子８の傾斜固定によって、反射光が直接透明
窓１２に入ることはほとんどないので、半導体レーザ装
置の遠視野像は乱れない。
また、キャップ１３とステム３とで形成されるパッケー
ジの内部にあっては、キャップ１３のガラス面を除く内
壁、ステム３の主面、ヒートシンク４の側面に黒色の反
射防止膜１６を被着させていることから、反射光１４の
再反射は少なくなる。
ジの内部にあっては、キャップ１３のガラス面を除く内
壁、ステム３の主面、ヒートシンク４の側面に黒色の反
射防止膜１６を被着させていることから、反射光１４の
再反射は少なくなる。
また、反射防止膜１６はその表面が粗面化さｔｒｉいる
ことから、反射光１４のわずかな反射も乱反射化するた
め、繰り返し反射散乱を反射散乱光（迷光）は消失し、
迷光の透明窓１２からの放出は防止できる。この結果、
ノくノケージ外に放出されたレーザ光７を一元学系で絞
り込んだ場合、スポット光１はにじみが生じｔ、ｃいた
め、鮮明となり、小面積（小円）化ができ、たとえば、
ディスクへの書き込み光として充分使用することができ
るようになる。
ことから、反射光１４のわずかな反射も乱反射化するた
め、繰り返し反射散乱を反射散乱光（迷光）は消失し、
迷光の透明窓１２からの放出は防止できる。この結果、
ノくノケージ外に放出されたレーザ光７を一元学系で絞
り込んだ場合、スポット光１はにじみが生じｔ、ｃいた
め、鮮明となり、小面積（小円）化ができ、たとえば、
ディスクへの書き込み光として充分使用することができ
るようになる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱し−ない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱し−ない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
たとえば、ザブマウントおよびまたはヒートシンクの端
面に反射防止膜を設け、この部分で反射する迷光の消失
化を図り、さらにスポット光の鮮明化を図ってもよい。
面に反射防止膜を設け、この部分で反射する迷光の消失
化を図り、さらにスポット光の鮮明化を図ってもよい。
なお反射防止膜を設けるかわりにパッケージ構成材料そ
のものに黒色の材料を使用しても前記した効果を得るこ
とができる。
のものに黒色の材料を使用しても前記した効果を得るこ
とができる。
以上の説明では主として本発明者によってなをれた発明
をその背景となった利用分野である半導体レーザ装置技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば発光素子として端面発光型の
発光ダイオードに対しても適用できる。また、単に一方
向からのみ発する面発光型の発光ダイオードに対しても
同様に適用でき同様の効果が得られる。
をその背景となった利用分野である半導体レーザ装置技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば発光素子として端面発光型の
発光ダイオードに対しても適用できる。また、単に一方
向からのみ発する面発光型の発光ダイオードに対しても
同様に適用でき同様の効果が得られる。
第１図はビームスポットかにじんだ状態を示す説明図、
第２図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を示
す断面図、 第３図は同じくビームスポットを示す説明図である。 １・・・スポット光、２・・・にじみ部分、３・・・ス
テム、４・・・ビートシンク、５・・・サブマウント、
６・°“半導体レーザ素子（１／−ザチツブ）、７・・
・レーザブＣ１８・・・受光素子、９・・・リード、１
０・・・ワイヤ、１１・・・ガラス板、１２．・・・透
明窓、１３・・・キャンプ、１４・・・反射光、１５・
・・粗面、１６・・・反射防止膜。
す断面図、 第３図は同じくビームスポットを示す説明図である。 １・・・スポット光、２・・・にじみ部分、３・・・ス
テム、４・・・ビートシンク、５・・・サブマウント、
６・°“半導体レーザ素子（１／−ザチツブ）、７・・
・レーザブＣ１８・・・受光素子、９・・・リード、１
０・・・ワイヤ、１１・・・ガラス板、１２．・・・透
明窓、１３・・・キャンプ、１４・・・反射光、１５・
・・粗面、１６・・・反射防止膜。
Claims (1)
- １、発光素子と該発光素子を気密的に封止する封止体と
を有し前記封止体の内表面の少なくとも一部には光反射
防止膜が形成されていることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146524A JPS6039880A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146524A JPS6039880A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039880A true JPS6039880A (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15409595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58146524A Pending JPS6039880A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039880A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0245712A2 (en) * | 1986-05-01 | 1987-11-19 | Wai-Hon Lee | Semiconductor laser and detector device |
| JPS63102387A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ |
| JPS63124483A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光透過用キヤツプおよびその製造方法 |
| JPH0362983A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2001066525A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Ricoh Co Ltd | 複数ビーム走査装置 |
| EP1480301A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Agilent Technologies | A hermetic casing, for optical and optoelectronic sub-assemblies |
| US6876685B2 (en) | 2002-06-10 | 2005-04-05 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2007294876A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子アレイ |
| JP5157896B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2013-03-06 | 富士ゼロックス株式会社 | マイクロレンズ付き発光素子アレイ及び光書込みヘッド |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP58146524A patent/JPS6039880A/ja active Pending
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