JPS59208886A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
- Publication number
- JPS59208886A JPS59208886A JP58082750A JP8275083A JPS59208886A JP S59208886 A JPS59208886 A JP S59208886A JP 58082750 A JP58082750 A JP 58082750A JP 8275083 A JP8275083 A JP 8275083A JP S59208886 A JPS59208886 A JP S59208886A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- semiconductor device
- transparent plate
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光半導体装置、特にパッケージの透明板を透
過させて外部にレーザー元を放出する構造の発光半導体
装置に関する。
過させて外部にレーザー元を放出する構造の発光半導体
装置に関する。
オーディオディスク、ビデオディスク、光通信等の発光
源として、発光半導体装置である半導体レーザー装置が
開発されている。
源として、発光半導体装置である半導体レーザー装置が
開発されている。
しかし、このような半導体レーザー装置はシングルモー
ドの場合、半導体レーザー素子（チップ）から発光され
た光がディスクやレンズ等で反射され、その戻り元が再
びチップの光導波路端面（共振器端面）に達すると縦モ
ードの跳びゃモード数の変化が起こって雑音が発生する
ことが、たとえば１９８１年９月１４日付発行の日経エ
レクトロニクスの１４８および１４９頁に記載されてい
る。
ドの場合、半導体レーザー素子（チップ）から発光され
た光がディスクやレンズ等で反射され、その戻り元が再
びチップの光導波路端面（共振器端面）に達すると縦モ
ードの跳びゃモード数の変化が起こって雑音が発生する
ことが、たとえば１９８１年９月１４日付発行の日経エ
レクトロニクスの１４８および１４９頁に記載されてい
る。
この雑音はオーディオ・ディスクの場合にはあまり影響
はないが、ビデオ・ディスクの場合、はっきりと目に見
える雑音として画面に現れる。この対策としては、シン
グルモード発振の場合には未だ良い解決策が見い出され
ていない（前記資料）。
はないが、ビデオ・ディスクの場合、はっきりと目に見
える雑音として画面に現れる。この対策としては、シン
グルモード発振の場合には未だ良い解決策が見い出され
ていない（前記資料）。
本発明は戻り元に起因するノイズの発生を低減できる発
光半導体装置を提供することにある。
光半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体レーザ素子の端面から放出されるレー
ザー光の光軸に対してノ（ツケージに取り付けられかつ
レーザー光が透過するガラス板（透明板）を傾斜させて
おくことによって、戻り光カミパッケージ内に入る前に
前記ガラス板面で反射させて戻り光の半導体レーザー素
子共振器内への侵入を防止し、これによりノイズ発生の
低減化を達成するものである。
ザー光の光軸に対してノ（ツケージに取り付けられかつ
レーザー光が透過するガラス板（透明板）を傾斜させて
おくことによって、戻り光カミパッケージ内に入る前に
前記ガラス板面で反射させて戻り光の半導体レーザー素
子共振器内への侵入を防止し、これによりノイズ発生の
低減化を達成するものである。
第１図は本発明の一実施例による発光半導体装置の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
発光半導体装置は同図に示すように、熱伝導性の良好な
金属からなるステム１の上面中央に垂設した熱伝導性の
良好な金属からなるヒ−トフ゛ロック２の右面（主面）
にサブマウント３を介して半導体レーザー素子（チップ
）４を固定した構造となっている。前記サブマウント３
−はチ・ツブ４とヒートブロック２とによって生じる熱
スト１／スの吸収板として作用する。レーザー光５はチ
ップ４の上端および下端の共振器端面（ミラー面）から
発振される。また、チップ４の下端ミラー面カ・ら発振
するレーザー光５をモニターする受光素子６がステム１
上に傾斜して固定されている。これは受光素子６０表面
で反射したレーザー光が後述する透明窓から装置外部に
出ないようにするためである。また、ステム１の主面側
には金属製のキャップ７がリングウェルドによって気密
的に封屯されている。キャップ７の上部は開口され、こ
の開口部には透明板８、たとえばガラス板が気密的に取
り付けられ透明窓９を形成している。透明＆８は低融点
ガラス１０によってキャップ７に気密的に固定されてい
る。また、前記低融点ガラス１０は一万が薄く他方に向
かうＫつれて徐々に厚くなっているため、透明板８０両
面はレーザー光５の光軸に対して傾斜、換言するならば
、レーザー光５０光軸に垂直となる面に対して傾斜して
いる。この傾斜度はチップ４から出射され１こレーザー
光５の戻り元１１の透明板面での反射光１２が再びレー
ザー光５を受ける受光系に入らない程度の傾斜度であり
、小さいことがレーザー光出力低下の観点から望ましい
。また、透明板８をキャップ７に傾斜させる方法として
は、低融点ガラス１０が軟化状態にある時に、キャップ
７に相対的に傾め方向に押圧力を加える方法、あるいは
あらかじめ低融点ガラス１０の厚さを変えておく方法が
考えられる。
金属からなるステム１の上面中央に垂設した熱伝導性の
良好な金属からなるヒ−トフ゛ロック２の右面（主面）
にサブマウント３を介して半導体レーザー素子（チップ
）４を固定した構造となっている。前記サブマウント３
−はチ・ツブ４とヒートブロック２とによって生じる熱
スト１／スの吸収板として作用する。レーザー光５はチ
ップ４の上端および下端の共振器端面（ミラー面）から
発振される。また、チップ４の下端ミラー面カ・ら発振
するレーザー光５をモニターする受光素子６がステム１
上に傾斜して固定されている。これは受光素子６０表面
で反射したレーザー光が後述する透明窓から装置外部に
出ないようにするためである。また、ステム１の主面側
には金属製のキャップ７がリングウェルドによって気密
的に封屯されている。キャップ７の上部は開口され、こ
の開口部には透明板８、たとえばガラス板が気密的に取
り付けられ透明窓９を形成している。透明＆８は低融点
ガラス１０によってキャップ７に気密的に固定されてい
る。また、前記低融点ガラス１０は一万が薄く他方に向
かうＫつれて徐々に厚くなっているため、透明板８０両
面はレーザー光５の光軸に対して傾斜、換言するならば
、レーザー光５０光軸に垂直となる面に対して傾斜して
いる。この傾斜度はチップ４から出射され１こレーザー
光５の戻り元１１の透明板面での反射光１２が再びレー
ザー光５を受ける受光系に入らない程度の傾斜度であり
、小さいことがレーザー光出力低下の観点から望ましい
。また、透明板８をキャップ７に傾斜させる方法として
は、低融点ガラス１０が軟化状態にある時に、キャップ
７に相対的に傾め方向に押圧力を加える方法、あるいは
あらかじめ低融点ガラス１０の厚さを変えておく方法が
考えられる。
一万、ステム１には３本のり一ド１３が取り付けられて
いる。２本のリード１３はステム１を貫通し、ガラスを
介してステム１に絶縁的に固定されていて、それぞれ図
示しないワイヤを介して半導体レーザ素子４の上部電極
および受光素子６の上部電極に電気的に接続されている
。また、他の一本のリード１３はステム１に電気的にも
接続され、半導体レーザー素子４および受光素子６０Ｆ
部電極とそれぞれ導通している。
いる。２本のリード１３はステム１を貫通し、ガラスを
介してステム１に絶縁的に固定されていて、それぞれ図
示しないワイヤを介して半導体レーザ素子４の上部電極
および受光素子６の上部電極に電気的に接続されている
。また、他の一本のリード１３はステム１に電気的にも
接続され、半導体レーザー素子４および受光素子６０Ｆ
部電極とそれぞれ導通している。
このような発光半導体装置は戻り元１１があっても、戻
り元１１は傾斜した透明板８で反射されてしまい、再び
半導体レーザー素子４の共振器内には入らなくなる。こ
の結果、戻り光に起因する縦モードの跳びゃモード数の
変化は起きず、雑音の発生低減が可能となる。
り元１１は傾斜した透明板８で反射されてしまい、再び
半導体レーザー素子４の共振器内には入らなくなる。こ
の結果、戻り光に起因する縦モードの跳びゃモード数の
変化は起きず、雑音の発生低減が可能となる。
〔実施例２〕
第２図は本発明の他の実施例による発光半導体装置の要
部を示す断面図である。
部を示す断面図である。
この実施例は前記実施例構造において、キャップ７に取
り付けろガラス板からなる透明板８をその厚さが一端側
に向かうにつれて徐々に厚くなるような構造とすること
によって、発振されたレーザー光５の戻り光１１を透明
板８の内面で反射はせ、戻り光が半導体レーザー素子４
の共振器内に入り込むのを防止するようにした例を示す
。なお、他の構成部分は前記実施例の構造と同一である
ことから説明は省略する。この実施例にあっても、戻り
光１１０反射光１２はチップ４から発振されたレーザー
光５を受ける受光系に再度入り込まないようにし−て発
光源の光強度の安定化を図る。
り付けろガラス板からなる透明板８をその厚さが一端側
に向かうにつれて徐々に厚くなるような構造とすること
によって、発振されたレーザー光５の戻り光１１を透明
板８の内面で反射はせ、戻り光が半導体レーザー素子４
の共振器内に入り込むのを防止するようにした例を示す
。なお、他の構成部分は前記実施例の構造と同一である
ことから説明は省略する。この実施例にあっても、戻り
光１１０反射光１２はチップ４から発振されたレーザー
光５を受ける受光系に再度入り込まないようにし−て発
光源の光強度の安定化を図る。
（１）、本発明によれば、発振するレーザー光５の光軸
に対してレーザー光５が透過する透明板８の少なくとも
一面を傾斜させ、戻り元１１がこの傾斜面で反射し、再
度半導体レーザー素子４の共振器内に入るのを防止でき
ることから、戻り光１１に起因する縦モードの跳び、モ
ード数の変化による雑音発生は防止できる。たとえば、
ノイズは従来の１０”／Ｈｚを越えていたものが本発明
品では１０−”／Ｈｚよりも小さい。したがって、本発
明品はビデオディスクの発光源としても適したものとな
る。
に対してレーザー光５が透過する透明板８の少なくとも
一面を傾斜させ、戻り元１１がこの傾斜面で反射し、再
度半導体レーザー素子４の共振器内に入るのを防止でき
ることから、戻り光１１に起因する縦モードの跳び、モ
ード数の変化による雑音発生は防止できる。たとえば、
ノイズは従来の１０”／Ｈｚを越えていたものが本発明
品では１０−”／Ｈｚよりも小さい。したがって、本発
明品はビデオディスクの発光源としても適したものとな
る。
（２）、本発明によれば、戻り元１１は透明板８で反射
される。また、この反射光１２は再び受光系には入らな
いように透明板面は発振されたレーザー光５の元軸に対
して傾斜している。したがって、受光系に対する発光源
の光強度（出力）は安定する。
される。また、この反射光１２は再び受光系には入らな
いように透明板面は発振されたレーザー光５の元軸に対
して傾斜している。したがって、受光系に対する発光源
の光強度（出力）は安定する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、透明板面を
発振されたし＝−ザー元の光軸に対して傾斜式せるため
に、キャップにおける透明板取付面を傾斜加工して尤・
い工、透明板を傾斜させてもよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、透明板面を
発振されたし＝−ザー元の光軸に対して傾斜式せるため
に、キャップにおける透明板取付面を傾斜加工して尤・
い工、透明板を傾斜させてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるビデオディスク技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、レーザービームプリンター用
、ディスク書込み用等の発光源としても適用できる。
をその背景となった利用分野であるビデオディスク技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、レーザービームプリンター用
、ディスク書込み用等の発光源としても適用できる。
第１図は本発明の一実施例による発光半導体装置の要部
を示す断面図、 第２図は本発明の他の実施例による発光半導体装置の要
部を示す断面図である。 １・・・ステム、２・・・ヒートブロック、３・・・サ
ブマウント、４・・・半導体レーザー素子（チップ）、
５・・・レーザー光、６・・・受光素子、７・・・キャ
ップ、８・・・透明板、９・・・透明窓、１ｏ・・・低
融点ガラス、１１・・・戻り元、１２・・・反射光、１
３・・・リード。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 Ｎ′、ＩＮ、ノ ＼ ・ 第 １ 図 第 ２ 図
を示す断面図、 第２図は本発明の他の実施例による発光半導体装置の要
部を示す断面図である。 １・・・ステム、２・・・ヒートブロック、３・・・サ
ブマウント、４・・・半導体レーザー素子（チップ）、
５・・・レーザー光、６・・・受光素子、７・・・キャ
ップ、８・・・透明板、９・・・透明窓、１ｏ・・・低
融点ガラス、１１・・・戻り元、１２・・・反射光、１
３・・・リード。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 Ｎ′、ＩＮ、ノ ＼ ・ 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体Ｖ−ザー素子と、この半導体レーザー素子の
少なくとも−１の出射面に対面させて設けた透明板と、
を有する発光半導体装置において、少なくとも透明板面
の一面はレーザー元の元軸に対して傾斜して配設されて
いることを特徴とする発光半導体装置。 ２、透明板は透明板を支持するキャップに低融点ガラス
を介して傾斜して固定されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の発光半導体装置。 ３、透明板は一端側に回かうにつれて徐々に厚くなって
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082750A JPS59208886A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082750A JPS59208886A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208886A true JPS59208886A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13783103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082750A Pending JPS59208886A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208886A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142470U (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-03 | ||
| JPS6258066U (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | ||
| JPS62296593A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP1317037A2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier |
| JP2004072072A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| EP1480301A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Agilent Technologies | A hermetic casing, for optical and optoelectronic sub-assemblies |
| JP2021022665A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ光源、光学デバイス、およびレーザ光源の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58082750A patent/JPS59208886A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142470U (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-03 | ||
| JPH0246059Y2 (ja) * | 1985-02-26 | 1990-12-05 | ||
| JPS6258066U (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | ||
| JPS62296593A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP1317037A2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier |
| EP1317037A3 (en) * | 2001-11-27 | 2005-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier |
| JP2004072072A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| US6876685B2 (en) | 2002-06-10 | 2005-04-05 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| JP4645008B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| EP1480301A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Agilent Technologies | A hermetic casing, for optical and optoelectronic sub-assemblies |
| JP2021022665A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ光源、光学デバイス、およびレーザ光源の製造方法 |
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