JPS62296593A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62296593A JPS62296593A JP14234286A JP14234286A JPS62296593A JP S62296593 A JPS62296593 A JP S62296593A JP 14234286 A JP14234286 A JP 14234286A JP 14234286 A JP14234286 A JP 14234286A JP S62296593 A JPS62296593 A JP S62296593A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- optical axis
- sealing resin
- lead frame
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ装置に関するものである。
[従来の技術〕
従来半導体レーザ装置は第3図に示すようにガラス窓1
0の付いた金属製パッケージに実装されていた。またそ
の内部は第4図に示すように半導体レーザ素子1より出
射されたレーザビームはガラス窓10を通して外部に出
射され、その一部はモニター用受光素子2で受光される
構造となっていた。
0の付いた金属製パッケージに実装されていた。またそ
の内部は第4図に示すように半導体レーザ素子1より出
射されたレーザビームはガラス窓10を通して外部に出
射され、その一部はモニター用受光素子2で受光される
構造となっていた。
しかしながら、」−述した従来の半導体レーザ装置にお
いては、次の様な問題点がある。
いては、次の様な問題点がある。
まず第1にIC等で多用されているパッケージと比較し
て立体的であり、極めて特殊な形状をしている。第2に
レーザビームの出射位置及び方向の精度が厳しいためパ
ッケージの寸法精度の要求が高い。そのためパッケージ
の製造単価が高い。
て立体的であり、極めて特殊な形状をしている。第2に
レーザビームの出射位置及び方向の精度が厳しいためパ
ッケージの寸法精度の要求が高い。そのためパッケージ
の製造単価が高い。
さらに、パッケージ形状の特殊性のために従来の組立技
術が生かしに<<、自動化がしにくいため半導体レーザ
装置の製造単価が高くなるという問題点もある。
術が生かしに<<、自動化がしにくいため半導体レーザ
装置の製造単価が高くなるという問題点もある。
本発明の目的は廉価な半導体レーザ装置を提供すること
にある。
にある。
本発明の半導体レーザ装置は、リードフレームの先端部
に固定された半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
の後方光軸」二のリードフレームに受光面を傾斜して固
定された受光素子と、前記半導体レーザ素子と受光素子
とをモールド封止しがつ半導体レーザ素子の光軸に対し
てレーザビーム出射方向のモールド面が傾斜した透明な
封止樹脂とを含んで構成される。
に固定された半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
の後方光軸」二のリードフレームに受光面を傾斜して固
定された受光素子と、前記半導体レーザ素子と受光素子
とをモールド封止しがつ半導体レーザ素子の光軸に対し
てレーザビーム出射方向のモールド面が傾斜した透明な
封止樹脂とを含んで構成される。
次に本発明の実施例について、図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の斜視図である。
第1図において、AlGaAsよりなる半導体レーザ素
子1はリードフレーム4Aの先端部に放熱板3を介して
マウントされている。この半導体レーザ素子1の後方光
軸」二のリードフレーム4Bにモニター用受光素子2が
傾斜してマウントしである。
子1はリードフレーム4Aの先端部に放熱板3を介して
マウントされている。この半導体レーザ素子1の後方光
軸」二のリードフレーム4Bにモニター用受光素子2が
傾斜してマウントしである。
さらに全体が透明な封止樹脂5でモールド封止されてお
り、半導体レーザ素子]のレーザビーム出射方向の透明
な封止樹脂5のモールド面6には適当な傾斜がつけられ
ている。
り、半導体レーザ素子]のレーザビーム出射方向の透明
な封止樹脂5のモールド面6には適当な傾斜がつけられ
ている。
さて半導体レーザ装置は特に乱れのないI/−ザビーム
の形状と戻り光雑音発生防止のため反射光が半導体レー
ザに戻らない構造が要求される。
の形状と戻り光雑音発生防止のため反射光が半導体レー
ザに戻らない構造が要求される。
第5図に示す様に半導体レーザ素子1からのレーザビー
ム12の形状を劣化させる原因は前方反射光13と後方
反射光14である。この前方反射光13の発生を抑制す
るために本実施例では、第1図に示したように、半導体
レーザ素子1をリードフレーム4Aの先端部にマウン1
〜しである。また後方反射光14によるレーザビーム1
2の乱れを抑制するために本実施例ではモニター用受光
素子2の受光面が傾斜してマウン1〜されており、受光
素子面での反射光14とレーザビーム12の方向が一致
しない構造となっている。
ム12の形状を劣化させる原因は前方反射光13と後方
反射光14である。この前方反射光13の発生を抑制す
るために本実施例では、第1図に示したように、半導体
レーザ素子1をリードフレーム4Aの先端部にマウン1
〜しである。また後方反射光14によるレーザビーム1
2の乱れを抑制するために本実施例ではモニター用受光
素子2の受光面が傾斜してマウン1〜されており、受光
素子面での反射光14とレーザビーム12の方向が一致
しない構造となっている。
この受光素子2の傾斜角度、すなわち第2図に示す半導
体レーザ素子1の光軸11と受光素子2表面とがなす角
度θ1は45〜80°であれば、反射光】4によりレー
ザビーム12の形状が乱されたり、また傾斜をつけすぎ
てモニター出力が極端に小さくなったりすることはない
。
体レーザ素子1の光軸11と受光素子2表面とがなす角
度θ1は45〜80°であれば、反射光】4によりレー
ザビーム12の形状が乱されたり、また傾斜をつけすぎ
てモニター出力が極端に小さくなったりすることはない
。
次に戻り光雑音について述べる。戻り光雑音の発生に関
係しているのは特に時間的に変動する戻り光である。
係しているのは特に時間的に変動する戻り光である。
第2図に示すようにこれらの戻り光は、半導体レーザ素
子1から前方に出射されたレーザビーム12が外部光学
系でで反射された反射光15か、またはさらにその反射
光15が半導体レーザ素子後方の受光素子2で反射され
た反射光である。
子1から前方に出射されたレーザビーム12が外部光学
系でで反射された反射光15か、またはさらにその反射
光15が半導体レーザ素子後方の受光素子2で反射され
た反射光である。
これらの反射光を防止するために、本実施例では第1図
及び第2図に示したように半導体レーザ素子1の前面の
モールド面6を傾斜させてあり、反射光15の一部を反
射させて半導体レーザ素子1に戻る光を弱めている。ま
たモニター用受光素子2を傾斜させていることはすでに
述べた通りである。モールド面6の傾斜角度、すなわち
半導体レーザ素子1の光軸11と透明な封止樹脂5のモ
ールド面6とがなす角度θ2は45〜80°であれば、
戻り光雑音の発生を十分に抑制することができる。
及び第2図に示したように半導体レーザ素子1の前面の
モールド面6を傾斜させてあり、反射光15の一部を反
射させて半導体レーザ素子1に戻る光を弱めている。ま
たモニター用受光素子2を傾斜させていることはすでに
述べた通りである。モールド面6の傾斜角度、すなわち
半導体レーザ素子1の光軸11と透明な封止樹脂5のモ
ールド面6とがなす角度θ2は45〜80°であれば、
戻り光雑音の発生を十分に抑制することができる。
リードフレームに半導体レーザ素子1や受光素子2をマ
ウントして、モールド封止する組立技術は自動化がすす
んでおり、極めて少い工数で大量に生産することができ
る。
ウントして、モールド封止する組立技術は自動化がすす
んでおり、極めて少い工数で大量に生産することができ
る。
以上説明したように本発明は、リードフレーム上に固定
した半導体レーザ素子と受光素子とを透明な封止樹脂で
モールド封止し、しがも半導体レーザ素子の光軸と、受
光素子の受光面及びレーザビーム出射方向の透明樹脂の
モールド面とのなす角度を45〜80°に傾斜させて構
成することにより、従来の半導体レーザ装置の特性を損
うことなしに、大量に廉価な半導体レーザ装置が得られ
る。
した半導体レーザ素子と受光素子とを透明な封止樹脂で
モールド封止し、しがも半導体レーザ素子の光軸と、受
光素子の受光面及びレーザビーム出射方向の透明樹脂の
モールド面とのなす角度を45〜80°に傾斜させて構
成することにより、従来の半導体レーザ装置の特性を損
うことなしに、大量に廉価な半導体レーザ装置が得られ
る。
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は本発明の
一実施例の側面図、第3図及び第4図は従来の半導体レ
ーザ装置の斜視図及び一部切欠き斜視図、第5図はレー
ザビームの乱れと光雑音の発生要因を説明するための図
である。 1・・・半導体レーザ素子、2・・・受光素子、3・・
・放熱板、4A、4B・・・リードフレーム、5・・透
明な封止樹脂、6・・・モールド而、10・・・ガラス
窓、11・・・光軸、12・・・レーザービーム、13
・・前方反射光、14・・・後方反射光、15・・・外
部光学系からの反射光。
一実施例の側面図、第3図及び第4図は従来の半導体レ
ーザ装置の斜視図及び一部切欠き斜視図、第5図はレー
ザビームの乱れと光雑音の発生要因を説明するための図
である。 1・・・半導体レーザ素子、2・・・受光素子、3・・
・放熱板、4A、4B・・・リードフレーム、5・・透
明な封止樹脂、6・・・モールド而、10・・・ガラス
窓、11・・・光軸、12・・・レーザービーム、13
・・前方反射光、14・・・後方反射光、15・・・外
部光学系からの反射光。
Claims (1)
- リードフレームの先端部に固定された半導体レーザ素子
と、該半導体レーザ素子の後方光軸上のリードフレーム
に受光面を傾斜して固定された受光素子と、前記半導体
レーザ素子と受光素子とをモールド封止し、かつ半導体
レーザ素子の光軸に対しレーザビーム出射方向のモール
ド面が傾斜した透明な封止樹脂とを含むことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14234286A JPS62296593A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14234286A JPS62296593A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62296593A true JPS62296593A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15313129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14234286A Pending JPS62296593A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62296593A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH0286161U (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-09 | ||
EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
US5974066A (en) * | 1997-05-09 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit |
JP2005537665A (ja) * | 2002-08-30 | 2005-12-08 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Led平面型光源及びこれを備えた薄型ヘッドライト |
WO2010095760A3 (en) * | 2009-02-19 | 2013-04-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module enclosing lead frame and semiconductor optical device mounted on the lead frame with transparaent mold resin |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208886A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JPS60217687A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-31 | Hitachi Ltd | 発光電子装置 |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14234286A patent/JPS62296593A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208886A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JPS60217687A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-31 | Hitachi Ltd | 発光電子装置 |
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US5974066A (en) * | 1997-05-09 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit |
JP2005537665A (ja) * | 2002-08-30 | 2005-12-08 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Led平面型光源及びこれを備えた薄型ヘッドライト |
WO2010095760A3 (en) * | 2009-02-19 | 2013-04-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module enclosing lead frame and semiconductor optical device mounted on the lead frame with transparaent mold resin |
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