JPH0334387A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0334387A JPH0334387A JP1169520A JP16952089A JPH0334387A JP H0334387 A JPH0334387 A JP H0334387A JP 1169520 A JP1169520 A JP 1169520A JP 16952089 A JP16952089 A JP 16952089A JP H0334387 A JPH0334387 A JP H0334387A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
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- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
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- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は安価で、且つ集光性の良い半導体レーザ装置に
関する。
関する。
従来の半導体レーザ装置は、図２に示すように、レーザ
ダイオードチップを樹脂（２）で封止し、レーザダイオ
ードチップの出射面に対面する樹脂表面部分に、露出す
る面が鏡面のように平坦な透明体（４）が埋め込まれて
いる構造になっている。
ダイオードチップを樹脂（２）で封止し、レーザダイオ
ードチップの出射面に対面する樹脂表面部分に、露出す
る面が鏡面のように平坦な透明体（４）が埋め込まれて
いる構造になっている。
上述した従来の半導体レーザ装置は、レーザ光が出射す
る面が、平面となっているため、図３（ｂ）に示す様に
、出射光（６）の形状は、楕円錐体状となり、レンズを
用いて平行光を得ようとすると、図４ （ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）に示す如く、レンズ（８）に加えて縦横比を修
正するプリズム（９）が必要になる。このように従来の
装置は、余分の光学部品が必要となるために、光学装置
を構成する場合、高価になる。また、光路長が、長くな
り光学装置が、大きくな′るという問題がある。
る面が、平面となっているため、図３（ｂ）に示す様に
、出射光（６）の形状は、楕円錐体状となり、レンズを
用いて平行光を得ようとすると、図４ （ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）に示す如く、レンズ（８）に加えて縦横比を修
正するプリズム（９）が必要になる。このように従来の
装置は、余分の光学部品が必要となるために、光学装置
を構成する場合、高価になる。また、光路長が、長くな
り光学装置が、大きくな′るという問題がある。
本発明は上述の問題点を解決するもので、レンズ１つで
平行光が簡単に得られる半導体レーザ装置とすることを
目的としている。
平行光が簡単に得られる半導体レーザ装置とすることを
目的としている。
本発明の半導体レーザ装置は、レーザダイオードを樹脂
で封止し、この樹脂のレーザダイオードチップの出射面
に対面する表面部分が、半円柱形となっている構成にな
っている。
で封止し、この樹脂のレーザダイオードチップの出射面
に対面する表面部分が、半円柱形となっている構成にな
っている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
図１は本発明の一実施例の鳥馳図である。リード（３）
を有するリードフレーム上にレーザダイオードチップを
取り付け、これを樹脂（２〉で封止し、この樹脂のレー
ザ光出射面に半円柱状レンズ（１〉を固着して構成して
いる。半導体レーザ装置からの出射光は、図３〈ｂ〉に
示す様に従来装置ではその出射光（６）の断面形状が、
レーザダイオードチップの活性層面と垂直方向に広い楕
円形（６）となるのに対し、本発明による半導体レーザ
装置では、図３（ａ）の如く、半円柱状レンズ（１）の
働きにより放射角の広い方向のみ絞られて、断面形状が
ほぼ円形の出射光（５〉となる。そこで、このレーザ光
を応用する場合、本発明による半導体レーザ装置では、
図４（ａ）に示す如く、凸レンズ（７）を使用すれば容
易に平行光または絞られたビームが得られる。一方、従
来装置に於いては図４（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）に示す如
く、−度凸しンズク８）にて平行光を得た後、プリズム
等（９）により縦横比を修正しなければ、平行光又は、
絞られたビームを得ることが出来ない。
を有するリードフレーム上にレーザダイオードチップを
取り付け、これを樹脂（２〉で封止し、この樹脂のレー
ザ光出射面に半円柱状レンズ（１〉を固着して構成して
いる。半導体レーザ装置からの出射光は、図３〈ｂ〉に
示す様に従来装置ではその出射光（６）の断面形状が、
レーザダイオードチップの活性層面と垂直方向に広い楕
円形（６）となるのに対し、本発明による半導体レーザ
装置では、図３（ａ）の如く、半円柱状レンズ（１）の
働きにより放射角の広い方向のみ絞られて、断面形状が
ほぼ円形の出射光（５〉となる。そこで、このレーザ光
を応用する場合、本発明による半導体レーザ装置では、
図４（ａ）に示す如く、凸レンズ（７）を使用すれば容
易に平行光または絞られたビームが得られる。一方、従
来装置に於いては図４（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）に示す如
く、−度凸しンズク８）にて平行光を得た後、プリズム
等（９）により縦横比を修正しなければ、平行光又は、
絞られたビームを得ることが出来ない。
尚、実施例では樹脂表面に半円柱状レンズを固着してい
るが、半円柱状レンズを固着する替りに樹脂表面を半円
柱状レンズ状に加工した構成でもよい。
るが、半円柱状レンズを固着する替りに樹脂表面を半円
柱状レンズ状に加工した構成でもよい。
以上説明したように本発明では、レーザダイオードチッ
プの出射面に対面する樹脂表面部分は、半円柱形になっ
ているため、レーザダイオードチップから出射された楕
円形のレーザ光は放射角の広い方向のみが絞られ半導体
レーザ装置から出射した光は、その断面形状がほぼ円形
の発散光となる。従って平行光線を得るには凸レンズ１
枚のみで良く、小型且つ安価な光学系で、良質なレーザ
光が得られる。
プの出射面に対面する樹脂表面部分は、半円柱形になっ
ているため、レーザダイオードチップから出射された楕
円形のレーザ光は放射角の広い方向のみが絞られ半導体
レーザ装置から出射した光は、その断面形状がほぼ円形
の発散光となる。従って平行光線を得るには凸レンズ１
枚のみで良く、小型且つ安価な光学系で、良質なレーザ
光が得られる。
図１は本発明の一実施例の鳥轍図である。図２は従来装
置の一実施例の鳥瞼図である０図３（ａ＞は本発明の出
射光形状を示す図、図３（ｂ）は、従来装置のレーザ出
射光形状を示す図である０図４（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）
、（ｄ）は本発明及び従来装置に於て、平行光線を得る
ための光学系を示す図である。 １・・・半円柱状レンズ、２・・・樹脂、３・・・リー
ド、４・・・透明体、５・・・出射光、６・・・出射光
、７．８・・・凸レンズ、９・・・プリズム。
置の一実施例の鳥瞼図である０図３（ａ＞は本発明の出
射光形状を示す図、図３（ｂ）は、従来装置のレーザ出
射光形状を示す図である０図４（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）
、（ｄ）は本発明及び従来装置に於て、平行光線を得る
ための光学系を示す図である。 １・・・半円柱状レンズ、２・・・樹脂、３・・・リー
ド、４・・・透明体、５・・・出射光、６・・・出射光
、７．８・・・凸レンズ、９・・・プリズム。
Claims (1)
- レーザダイオードチップを樹脂で封止し、且つ、該レー
ザダイオードチップの出射面に対面する樹脂表面が半円
柱状となっていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169520A JPH0334387A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169520A JPH0334387A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334387A true JPH0334387A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15888029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169520A Pending JPH0334387A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334387A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| JP2016514904A (ja) * | 2013-03-28 | 2016-05-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | レーザ素子およびその製造方法 |
| WO2019072759A1 (de) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1169520A patent/JPH0334387A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| JP2016514904A (ja) * | 2013-03-28 | 2016-05-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | レーザ素子およびその製造方法 |
| US9472923B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-10-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Laser component and method for the production thereof |
| JP2017224849A (ja) * | 2013-03-28 | 2017-12-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | レーザ素子およびその製造方法 |
| WO2019072759A1 (de) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile |
| KR20200103629A (ko) * | 2017-10-12 | 2020-09-02 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 반도체 레이저 및 광전자 반도체 소자들의 제조 방법 |
| US11735887B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-08-22 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts |
| US11870214B2 (en) | 2017-10-12 | 2024-01-09 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts |
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