WO2019072759A1 - Halbleiterlaser und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile - Google Patents

Halbleiterlaser und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile Download PDF

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WO2019072759A1
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laser
facet
protective cover
radiation
adhesive
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Jörg Erich SORG
Harald KÖNIG
Alfred Lell
Florian Peskoller
Karsten Auen
Roland Schulz
Herbert Brunner
Frank Singer
Roland Hüttinger
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • An object to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor device which is efficiently encapsulated and efficiently manufacturable.
  • the carrier may be a so-called submount. It is possible that the carrier comprises a driver with which the semiconductor laser can be driven. Alternatively, it is possible that the carrier is an electronically passive component and serves only as a mounting plane.
  • the at least one laser diode is preferably an edge-emitting laser diode. This means, in particular, that a laser radiation generated during operation is emitted in the direction parallel to an active zone of the laser diode.
  • the laser diode comprises a facet. The facet is preferably oriented perpendicular or approximately perpendicular to the active zone. At the facet is a radiation exit area. At the radiation exit region, the laser radiation generated during operation emerges from the laser diode.
  • Radiation exit area is in particular a partial region of the facet and thus limited to the facet. According to at least one embodiment, the
  • the protective cover is preferably an optic for beam forming or
  • Beam deflection can also be optically inactive
  • Body like a disk, like a plane-parallel plate.
  • the protective cover is a lens which is preferred for collimation or focusing of the
  • the lens can
  • the protective cover may be a collecting lens.
  • the protective cover can be designed approximately as a plano-convex lens or biconvex lens. Likewise, a version is possible as a Fresnel lens.
  • the protective cover can be a prism, for example for a beam deflection.
  • the protective cover is made of an inorganic material such as a glass or sapphire or SiC.
  • an inorganic material such as a glass or sapphire or SiC.
  • Alternative and less preferred is the
  • Protective cover made of an organic material such as a plastic, for example a silicone or an epoxy or a hybrid material thereof, or a polymer such as polycarbonate. If the protective cover is made of an organic material, this organic material preferably forms a core of the protective cover, which in particular
  • Protective layer such as a diffusion barrier against oxygen and / or water vapor, can be designed.
  • the protective cover is attached to the facet and optionally also to a side surface of the carrier.
  • the side surface of the carrier may be parallel or approximately parallel to
  • the side surface of the carrier is set back relative to the facet, along a beam direction of the laser radiation.
  • the adhesive is preferably an inorganic material such as a glass or at least one metal.
  • the adhesive is a plastic such as a
  • Poly-siloxane means, for example, that the material is composed of - [0-SiR2] n ⁇ , in the case of poly-silazane - [NH-S1R2] n - 'where in each case different radicals R may be present.
  • Lower organic means, for example, that a proportion of organic constituents of the silicone, siloxane or
  • Siliazane is at most 30% by mass or 20% by mass
  • Silazans a quotient of a number of carbon-containing radicals R and from n at most 0.75 or 0.25 is.
  • the mass fraction of the organics is determined in particular by ashing of the material.
  • the adhesive may be made of an organic material such as an epoxy and / or a polymer
  • an average distance between a light entry side is
  • Protective cover and the facet at most 5 ym or 15 ym or 30 ym or 60 ym or 0.1 mm. Alternatively or additionally, this average distance is at least 0.1 ym or 0.5 ym. Preferably, the average distance is in the range between 0.5 ym and 5 ym. In other words, the
  • the semiconductor laser is configured to be operated in a normal atmosphere without additional gas-tight encapsulation. That is, encapsulation and protection of the facet, in particular the
  • the semiconductor laser can preferably be operated in normal ambient air, wherein the ambient air may contain an oxygen content in the range of 21% and water vapor.
  • Semiconductor laser a carrier and an edge emitting laser diode, which is mounted on the carrier and which comprises an active zone for generating a laser radiation and a facet with a radiation exit region.
  • the semiconductor laser further comprises a protective cover, preferably a lens for collimating the laser radiation.
  • Protective cover is attached to the facet and to a side surface of the carrier with an adhesive.
  • Protective cover and the facet is at most 60 ym.
  • the semiconductor laser is adapted to be operated in a normal atmosphere without additional gas-tight encapsulation.
  • semiconductor lasers with a high power output for example above 0.2 W or 1 W optical
  • the protective cover in particular together with the
  • Adhesive protects the facet from environmental influences and reduces beam divergence of the laser radiation.
  • the protective cover such as in the form of a lens, an enlargement of a surface, where possible decomposition products can be deposited.
  • the protective cover prevents accumulation of particles and / or inorganic molecules directly on the laser facet and on the radiation exit region.
  • Deposits on the facet can in particular by
  • Faceted area mounted protective cover prevents deposition of particles and / or molecules on the facet, while simplifying the design of the semiconductor laser and reduced space requirements.
  • the divergence of the emitted laser radiation is reduced by the facet-near lens.
  • an interface with the atmosphere is increased by the protective cover, that is preferably by the lens. Increasing the interface decreases the amount of potential deposits per unit area.
  • the protective cover that is preferably by the lens. Increasing the interface decreases the amount of potential deposits per unit area.
  • the laser diode is hermetically sealed by the adhesive and the protective cover. That is, there is no significant exchange of substances such as oxygen or water vapor between an interior and an exterior of the encapsulant formed from the adhesive together with the protective cover.
  • Hermetically sealed means, for example, that a leak rate is at most 5 ⁇ 10 -5 am / s , in particular at
  • a minimum distance between the protective cover and the facet is 0.1 ym or 0.2 ym. Alternatively or additionally, this minimum distance is at most 10 ym or 5 ym or 3 ym. That is, the minimum distance may be on the order of magnitude
  • Wavelength of the laser radiation are located. This makes it possible for the area between the protective cover and the facet to act as an undesired additional resonator. On the other hand, through this little minimal
  • Radiation exit area in particular through the adhesive occur.
  • a cavity is formed in the region of the active zone on the facet.
  • the cavity is enclosed around the adhesive.
  • Radiation exit region in which the laser radiation leaves the laser diode, be free of the adhesive. This does not create potentially damaging the facet
  • the cavity is
  • a gas pressure in the cavity can be close to a normal atmospheric pressure, in particular between 0.8 bar and 1.1 bar, for example at one
  • the cavity has a central view when viewed from above the facet
  • the cavity can be rotationally symmetric to the
  • Radiation exit area be shaped or itself
  • a distance between the adhesive and the radiation exit region is preferably at least 2 ⁇ m or 5 ⁇ m or 10 ⁇ m.
  • a thickness of the cavity is between 0.5 ym and 20 ym inclusive. The thickness of the cavity perpendicular to the facet can be the mean distance between the radiation exit region and / or the
  • a width of the adhesive around the cavity is at least 100% or 150% or 250% of the mean diameter of the cavity.
  • the width of the adhesive is at least 20 ym or 30 ym or 50 ym and / or at most 0.1 mm or 50 ym or 20 ym.
  • the cavity has curved side walls towards the adhesive.
  • the cavity has a biconvex shape in cross-section perpendicular to the facet in the radiation exit region. That is, viewed in this cross section and starting from a maximum extension in the direction parallel to the facet, the cavity narrows in the direction of the facet and in the direction of the light entry side of the protective cover.
  • the laser radiation does not reach the adhesive. This does not exclude that possibly at the Light entrance side reflected laser radiation to the
  • Adhesive is performed.
  • the adhesive covers the light entrance side and optionally the side surface of the support partially or completely as well as the whole
  • Radiation exit area directly and directly. That is, between the facet and the light entrance side, a continuous, seamless connection alone through the
  • Light entrance side covered by the adhesive.
  • the entire facet may be covered by the adhesive.
  • the side surface of the carrier is preferably only partially covered by the adhesive, but may alternatively be completely covered by the adhesive.
  • Refractive index difference between the protective cover and the adhesive at most 0.2 or 0.1 or 0.05 or 0.02.
  • Refractive index difference can be reflections on one
  • the protective cover is made of at least one of the following materials or consists of one or more of these materials: glass, sapphire, silicon carbide.
  • the protective cover is preferably made of sapphire.
  • the wavelength of maximum intensity is that generated by the laser diode
  • Laser radiation at at least 365 nm or 400 nm.
  • the wavelength of maximum intensity is at most 530 nm or 460 nm or 440 nm. That is, the laser radiation is relatively shortwave.
  • the adhesive consists of one or more metals, in particular of a solder, also in combination with metal layers on the
  • the adhesive may be homogeneous or even
  • the light entry side is planar.
  • the light entrance side is inclined to the Facet. For example, an angle between the
  • Light entrance side and the facet at least 5 ° or 10 ° and / or at most 35 ° or 25 ° or 15 °. As a result, laser radiation reflected at the light entry side is emitted from the radiation exit region on the facet
  • the protective cover is shaped as a lens and biconvex, so that the
  • Light entrance side is curved, in particular
  • a maximum bulge of the light entrance side is preferably outside an optical axis of the laser radiation, so that at the
  • Light entrance side possibly reflected laser radiation is kept away from the radiation exit area.
  • Laser radiation has a reflectivity of at most 0.5% or 0.1% or 0.01%. Also by such
  • Antireflective coating are repercussions of the area between the facet and the protective cover on the
  • the light exit side of the protective cover facing away from the facet is provided with a catalytic, preferably a photocatalytic coating. This coating is about set up by means of laser radiation deposits on the
  • the coating is in particular by a metal oxide such as
  • Titanium dioxide or zirconium oxide formed.
  • the coating of at least one metal such as platinum or
  • Palladium or rhodium In the case of a metal coating for the catalytic coating, this preferably has a thickness of at most 10 nm or 5 nm or 3 nm, so that the laser radiation without significant losses due to the
  • Non-stick coating provided.
  • the non-stick coating is designed to prevent deposits on the outside of the protective cover.
  • the non-stick coating is, for example, a plastic coating, in particular with a fluorine-carbon compound or a fluorine-silicon compound.
  • the non-stick coating is
  • the active zone is located on a side of the carrier facing the carrier
  • a distance between the active region and the laser diode is at most 5 ym or 10 ym or 3 ym.
  • the thickness of the laser diode is, for example, at least 20 ym or 50 ym or 100 ym and / or at most 0.5 mm or 0.2 mm.
  • the facet projects beyond the carrier along a running direction of the laser radiation.
  • a supernatant of the laser diode across the carrier is for example at least 50 ym or 0.1 mm and alternatively or
  • Semiconductor laser one or more phosphor elements.
  • the at least one phosphor element is arranged for a partial or complete conversion of the laser radiation and comprises one or more phosphors.
  • one or more of the following phosphors are used: Eu 2+ -doped nitrides such as
  • Chlorosilicates such as CagMg (S1O4) 4C1 2 : Eu 2+ ; Chlorophosphates such as (Sr, Ba, Ca, Mg) 10 (PO4) g Cl 2 : Eu 2+ ; BAM phosphors from the BaO-MgO-Al 2 O 3 system such as BaMgAl] _QO] _7: Eu 2 + ; Halophosphates such as M 5 (PO 4 ) 3 (Cl, F): (Eu 2+ , Sb 2+ , Mn 2+ ); SCAP phosphors like
  • Quantum dots are introduced as a converter material.
  • Quantum dots in the form of nanocrystalline materials which include a Group II-VI compound and / or a Group III-V compounds and / or a Group IV-VI compound and / or metal nanocrystals are preferred herein.
  • Fluorescent element directly on the light exit side of the protective cover may be completely or only partially covered by the phosphor element. Direct means in this context that the
  • Fluorescent element touches the light exit side or that between the light exit side and the
  • Phosphor element is only one connecting means for attaching the phosphor element is located.
  • a distance between the phosphor element and the light exit side is preferably at most 10 ⁇ m or 5 ⁇ m or 2 ⁇ m.
  • Optoelectronic semiconductor device as a semiconductor laser specified. Characteristics of the laser diode, the support, the protective cover, the phosphor element, the roughening, the anti-reflection coating, the catalytic coating and / or the non-stick coating, as described above in connection with the semiconductor laser, are therefore also disclosed for the manufacturing process and vice versa.
  • this includes
  • the semiconductor device is preferably made of a glass and is produced by means of hot stamping, and the semiconductor device is adapted to be operated in a normal atmosphere without additional gas-tight encapsulation.
  • the semiconductor chip is a laser diode, as explained above, alternatively a light-emitting diode chip, in short LED chip.
  • the semiconductor chip is preferably mounted on a carrier.
  • the protective cover may be a lens for collimating the radiation, in particular the laser radiation. According to at least one embodiment of the method, the protective cover touches the side surface of the carrier, the
  • the facet may be completely covered by the protective cover which
  • Figure 1B is a schematic plan view of a facet of a
  • Figures 11 and 12 are schematic sectional views of
  • FIG. 1A shows a sectional illustration and in FIG. 1B a plan view of an exemplary embodiment of a semiconductor laser 1.
  • the semiconductor laser 1 is preferably mounted on a heat sink 11 and forms an assembly 10 together with the heat sink 11.
  • the assembly 10 is in normal ambient air 12. Thus, the assembly 10 is not further encapsulated against ambient air 12 or hermetically sealed.
  • the semiconductor laser 1 comprises a carrier 2, in particular a so-called submount.
  • a laser diode 3 for generating a laser radiation L, which is, for example, blue light.
  • the laser diode 3 has an active zone 33.
  • the laser radiation L is emitted.
  • a preferably flat facet 30 the laser diode 3 is oriented approximately perpendicular to the active zone 33.
  • the protective cover is attached.
  • the protective cover is designed as a lens 4, preferably as a spherical lens, and has a light entry side 41 facing the facet 30 and a light exit side 42 facing away from the facet 30.
  • the elliptical radiation exit region 31, for example, is enclosed in a closed path around in a top view by the adhesive 5, see FIG. 1B.
  • the lens 4 is not shown in Figure 1B to simplify the illustration, the protective cover 4 can be congruent with an outer contour of the adhesive 5, as in all other embodiments possible.
  • the cavity 6 is evacuated or filled with a protective gas.
  • Side walls 65 of the cavity 6, which face the radiation exit region 31, are curved in cross-section, so that the cavity 6 appears biconvex, see FIG. 1A.
  • the radiation exit region 31 can be arranged centrally in the cavity 6, as seen in plan view, see FIG. 1B.
  • the adhesive 5 may have different widths around the radiation exit region 31 in different directions. In this case, the adhesive 5 is preferably thin
  • an anti-reflection coating 44 for the laser radiation L is optionally located at the light entry side 41 .
  • the encapsulation is thus limited locally on the area of the laser facet 30 itself and a surrounding mounting surface.
  • the encapsulation forms the cavity 6.
  • the cavity 6 thus formed is hermetically sealed against environmental influences.
  • the optional inert gas or gas mixture is, for example, H2, He, 2, He / 02- Der
  • Radiation exit area 31 is during assembly of the
  • Protective cover 4 can potentially return reflections of the emitted laser radiation L in a resonator of
  • Laser diode 3 occur and lead to disturbances of the resonator. To suppress this interaction is
  • the anti-reflection coating 44 is provided for alternative or additional prevention possibilities of such interactions, see also the following FIGS. 2 and 3.
  • the protective cover 4 are preferably the carrier 2 and the
  • Laser diode 3 brought to the required processing temperature.
  • the joining takes place under the action of temperature and preferably by pressure.
  • protective cover 4 which forms the adhesive 5.
  • a glass powder binder mixture is applied to the protective cover 4 by processes such as printing or dispensing. Subsequent temperature treatment removes the binder and sinters the glass powder, also called neck formation. The so prepared
  • Protective cover 4 is then applied by means of temperature and optionally pressure on the structure of the carrier 2 and the laser diode 3.
  • a glass sponge for the adhesive 5 may be prepared by chemical processes. This will be
  • annular structure of a specially adapted glass is applied to the protective cover 4.
  • the glass is made by targeted temperature storage in the
  • the demixed microscopic scale preferably in two or more phases.
  • One of the phases can be wet-chemically dissolved out of the remaining matrix.
  • the sponge-like structure thus formed may as described previously on the carrier 2 and / or the laser diode 3 or on the Protective cover 4 are mounted. The joining takes place
  • Laser diode 3 to apply structured metallizations.
  • a metallic joining element is attached.
  • the joining element is, for example, a solder, a metal sponge or a prefabricated metal ring.
  • the joining takes place under the influence of temperature and optionally with pressure.
  • Radiation exit region 31 is no mechanical contact between the radiation exit region 31 and the protective cover 4. This chip-near encapsulation can be compared to so-called TO packages a significant
  • the protective cover 4 is tilted relative to the laser diode 3 applied.
  • An angle between the light entrance side 41 and the facet 30 is for example 10 °.
  • Light entrance side 41 present level and their
  • Light exit side 42 is designed hemispherical, for example, between 0.2 mm and 0.8 mm, in particular by 0.4 mm. The same applies to all other embodiments.
  • the exemplary embodiment of FIG. 2 preferably corresponds to that of FIG. 1.
  • the protective cover 4 of the reflected laser radiation L In order to prevent influences of the reflected laser radiation L, the protective cover 4 of the
  • Embodiment of Figure 3 at the light entrance side 41 a roughening 43.
  • the roughening 43 may be regular or irregular.
  • the roughening 43 may extend over the entire light entry side 41 or be limited to a central region of the protective cover 4, which is associated with the cavity 6.
  • An average structure size of the roughening 43 is preferably at least 0.2 ⁇ m and / or at most 3 ⁇ m.
  • Laser diode 3 are also explained in connection with FIGS. 4 to 8.
  • Laser diode 3 can get. This is done by the
  • between the facet 30 and the light entrance side 41 is preferably between 5 ° and 15 ° inclusive.
  • the antireflection coating 44 is formed for example by an alternating sequence of layers with high and low refractive index, indicated only schematically in FIG.
  • the antireflection coating 44 can be used both on the light entry side 41 and on the light exit side 42 be attached and thus the actual body of the
  • the adhesive 5 is thus, as is possible in all other embodiments, an inorganic component.
  • FIG. 6 illustrates that the roughening 43 is present on the light entry side 41, analogously to FIG. 3, wherein the roughening 43 can only partially cover the light entry side 41, deviating from the representation in FIGS. 3 and 6.
  • the explanations concerning FIG 3 and also to FIG. 1 apply correspondingly to FIG. 6, except for the omission of the cavity.
  • Light entrance side 41 and the light exit side 42 seen in cross-section has a straight side surface.
  • the page area represents one
  • Cylinder surface is.
  • the light entry side 41 is specifically designed to prevent disturbing back reflections.
  • the protective cover 4 in FIG. 7 it is shown that the light entry side 41 is specifically designed to prevent disturbing back reflections.
  • the protective cover 4 in FIG. 7 is shown that the light entry side 41 is specifically designed to prevent disturbing back reflections.
  • the adhesive 5 is designed as a refractive index matching layer 47. Thus, there is no or no significant refractive index jump between the adhesive 5 and the protective cover 4,
  • the roughening 43 or the curved light entry side 41 can be combined with an oblique position of the light entry side 41.
  • an antireflection coating 44 may additionally be present in each case.
  • a refractive index matching layer 47 can also be used in the exemplary embodiments, in particular FIGS. 5 to 7.
  • the adhesive 5 and the protective cover 4 are made of the same or very similar materials.
  • the adhesive 5 preferably has a lower processing temperature than the protective cover 4.
  • Embodiments may be the case.
  • the adhesive 5 may extend to the heat sink 11 and in this case as well
  • the light exit side 42 is preferably entirely from a photocatalytic
  • Coating 45 and / or a non-stick coating 46 is covered.
  • the photocatalytic coating 45 is
  • a thin platinum layer for example, a thin platinum layer or a
  • Titanium dioxide layer By such a coating 45, the thermodynamic equilibrium of the deposition of
  • Non-stick coating 46 is for the laser radiation L
  • the non-stick coating 46 is exemplified by a fluoropolymer such as
  • Non-stick coating 46 Polytetrafluoroethylene formed.
  • Other possible materials for the non-stick coating 46 are perylene derivatives such as perylene HT or sulfur compounds such as thiols-R-D-H or layer structures of carbon nanotubes.
  • the manufacture of the semiconductor components such as those in FIGS. 9 or 10 is preferably carried out by adhering the protective cover 4 with a suitable adhesive 5 and optionally with
  • silicone-based adhesives of very high purity and low hydrocarbon content are optionally expelled by a temperature storage, in particular in the range of 180 ° C to 300 ° C.
  • Remaining hydrocarbons are in turn optionally by a
  • the protective cover 4 by means of a glass as the adhesive 5. It will preferably a medium-melting glass used.
  • the glass is applied either on one of the two surfaces to be joined or on both surfaces.
  • the application of the glass by liquid dispersion occurs in
  • the protective cover 4 for example, by means of a gripping process, as a pick and place
  • FIG. 11 shows a production method for
  • a raw material 48 is preferably applied from a glass on the facet 30 and / or on the side surface 20 of the carrier 2, in particular in liquid
  • the application of a glass powder also referred to as slip takes place, wherein the glass powder is preferably in a binder solution.
  • the application may be by dispensing, spraying, printing or jetting and is preferably followed by a temperature storage step for delivery and densification.
  • a glass bead is applied, followed by a targeted local temperature treatment for attachment analogous to a laser welding process, also referred to as Laser Melting Process.
  • a targeted adjustment of the energy density distribution in the beam profile for example by means of a Gaussian profile or a so-called top hat profile, the shape of the glass drop by local melting
  • glasses in particular from the group of optical glasses, especially glasses with a low glass transition temperature of at most 400 ° C or glasses with a very low
  • Such glasses are preferably based on glass formers is tellurium oxide, Te2Ü5, boron trioxide, B2O3, silica, S1O2, or bismuth oxide, B12O3.
  • Suitable glass compositions preferably have a high proportion of network breakers, for example ZnO
  • Such glasses can also for the adhesive 5
  • the embossing process with a hot embossing tool 49 which can preferably be heated, see Figure IIB, preferably takes place at viscosities of the adhesive 5 in the range of 10 ⁇ dPa / s to 10 ⁇ dPa-s, preferably in the range 10 ⁇ dPa-s to 10 ⁇ dPa-s.
  • the embossing tool 49 is for example made of platinum, gold, a platinum-gold alloys or graphite.
  • carbide tools 49 are suitable. Examples These are tungsten carbide or titanium carbide, especially in a matrix of cobalt.
  • the hot stamping tool 49 may have a coating to prevent adhesion of the adhesive 5.
  • Coating is for example made of TiN, AlN and / or TiAlN.
  • surface-coated or surface-compressed graphite is suitable.
  • the applied protective cover 4 can serve for a targeted beam shaping.
  • the protective cover 4 as refractive optics, as diffractive optics or as
  • An optically effective structure of the protective cover 4 can be used as a structure for
  • the finished semiconductor device 1 is illustrated in FIG. In this case, it is possible that the entire facet 30 and the entire side surface 20 of the carrier 2 are covered by the protective cover 4.
  • FIG. 12 The method of FIG. 12 is that in FIG.
  • Optoelectronic semiconductor chip 3 to an LED chip, preferably with an integrated carrier 2 or alternatively with a separate carrier, not shown.
  • the semiconductor chip 3 is attached to a carrier 11 via connecting means 14, for example adhesive dots or soldering points.
  • the protective cover 4 is thus at the light exit side 42 with a roughening 43rd
  • the protective cover 4 can for this purpose have a similar refractive index as the semiconductor chip 3,
  • the protective cover 4 is designed as a plane-parallel, round disc and not as a lens.
  • the facet 30 is only partially covered by the adhesive 5 and terminates flush with the side surface 20.
  • Phosphor element 7 attached, for example in the form of a plane-parallel ceramic plate. Between the example, plane-parallel protective cover 4 and the phosphor element 7 is only the connecting means 14, for
  • Example a thin layer of a silicone adhesive
  • the at least one phosphor for wavelength conversion may be restricted to a region of the phosphor element 7 in which the laser radiation L generated during operation impinges on the phosphor element 7.
  • Phosphor element 7 is a dichroic coating 73, the the laser radiation L passes, however, reflected radiation in the phosphor element 7.
  • the protective cover 4 may be turned away from the carrier 2 and extend obliquely to the carrier 2.
  • Fluorescent element 7 is present. Here it is
  • Fluorescent element 7 applied directly and in particular over the entire surface on the light exit side 42, preferably with a constant, constant thickness.
  • Such phosphor elements 7, as explained in FIGS. 14 and 15, can also be present in all other exemplary embodiments, preferably together with the dichroic coating 73.

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Abstract

In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.

Description

Beschreibung
HALBLEITERLASER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUTEILE
Es wird ein Halbleiterlaser angegeben. Darüber hinaus wird ein Herstellungsverfahren für optoelektronische
Halbleiterbauteile angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das effizient gekapselt und effizient herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch einen Halbleiterlaser und durch ein Herstellungsverfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte
Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterlaser einen Träger. Bei dem Träger kann es sich um ein sogenanntes Submount handeln. Es ist möglich, dass der Träger einen Treiber umfasst, mit dem der Halbleiterlaser angesteuert werden kann. Alternativ ist es möglich, dass der Träger eine elektronisch passive Komponente darstellt und lediglich als Montageebene dient.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterlaser eine oder mehrere Laserdioden. Bei der mindestens einen Laserdiode handelt es sich bevorzugt um eine kantenemittierende Laserdiode. Dies bedeutet insbesondere, dass eine im Betrieb erzeugte Laserstrahlung in Richtung parallel zu einer aktiven Zone der Laserdiode emittiert wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiode eine Facette. Die Facette ist bevorzugt senkrecht oder näherungsweise senkrecht zur aktiven Zone orientiert. An der Facette befindet sich ein Strahlungsaustrittsbereich. An den Strahlungsaustrittsbereich tritt die im Betrieb erzeugte Laserstrahlung aus der Laserdiode heraus. Der
Strahlungsaustrittsbereich ist insbesondere eine Teilregion der Facette und damit auf die Facette beschränkt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterlaser eine oder mehrere Schutzabdeckungen,
insbesondere genau eine Schutzabdeckung. Die Schutzabdeckung ist bevorzugt eine Optik zu einer Strahlformung oder
Strahlumlenkung, kann jedoch auch ein optisch inaktiver
Körper wie eine Scheibe, etwa eine planparallele Platte, sein .
Insbesondere ist die Schutzabdeckung eine Linse, welche bevorzugt zu einer Kollimation oder Fokussierung der
erzeugten Strahlung eingerichtet ist. Die Linse kann
sphärisch, asphärisch oder als Freiform gestaltet sein.
Weiter ist eine Zylinderlinse oder Halbzylinderlinse möglich. Es kann sich bei der Schutzabdeckung um eine Sammellinse handeln. Die Schutzabdeckung kann etwa als Plankonvexlinse oder Bikonvexlinse gestaltet sein. Ebenso ist eine Ausführung als Fresnel-Linse möglich. Weiterhin kann die Schutzabdeckung ein Prisma, beispielsweise zu einer Strahlumlenkung, sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Schutzabdeckung aus einem anorganischen Material wie einem Glas oder Saphir oder SiC. Alternativ und weniger bevorzugt ist die
Schutzabdeckung aus einem organischen Material wie einem Kunststoff, zum Beispiel einem Silikon oder einem Epoxid oder einem Hybridmaterial hieraus, oder auch aus einem Polymer wie Polycarbonat . Ist die Schutzabdeckung aus einem organischen Material, so bildet dieses organische Material bevorzugt einen Kern der Schutzabdeckung, welcher insbesondere
ganzflächig und ringsum von einer anorganischen
Schutzschicht, etwa als Diffusionssperre gegen Sauerstoff und/oder Wasserdampf, gestaltet sein kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterlaser ein Klebemittel. Mit dem Klebemittel ist die Schutzabdeckung an der Facette und optional auch an einer Seitenfläche des Trägers befestigt. Die Seitenfläche des Trägers kann parallel oder näherungsweise parallel zur
Facette orientiert sein. Bevorzugt ist die Seitenfläche des Trägers gegenüber der Facette zurückversetzt, entlang einer Strahlrichtung der Laserstrahlung. Somit wird die
Schutzabdeckung bevorzugt an der Facette und an dem Träger mit dem Klebemittel befestigt. Bevorzugt handelt es sich bei dem Klebemittel um ein anorganisches Material wie ein Glas oder zumindest ein Metall.
Alternativ ist das Klebemittel ein Kunststoff wie ein
Silikon, Poly-Siloxan, Poly-Silizan oder ein Silikon- Hybridmaterial, bevorzugt ein niederorganischer Kunststoff. Poly-Siloxan bedeutet etwa, dass das Material aus -[0-SiR2]n ~ aufgebaut ist, im Falle von Poly-Silazan aus - [NH-S1R2 ] n-' wobei jeweils verschiedene Reste R vorhanden sein können. Niederorganisch bedeutet beispielsweise, dass ein Anteil von organischen Bestandteilen an dem Silikon, Siloxan oder
Siliazan höchstens 30 Masse-% oder 20 Masse-% beträgt
und/oder dass insbesondere im Falle eines Siloxans oder
Silazans ein Quotient aus einer Anzahl von Kohlenstoff enthaltenden Resten R und aus n höchstens 0,75 oder 0,25 beträgt. Der Masseanteil der Organik wird insbesondere durch Veraschung des Materials bestimmt.
Weniger bevorzugt kann das Klebemittel aus einem organischen Material wie einem Epoxid und/oder einem Polymer aus
kohlenstoffenthaltenden Struktureinheiten sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite der
Schutzabdeckung und der Facette höchstens 5 ym oder 15 ym oder 30 ym oder 60 ym oder 0,1 mm. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser mittlere Abstand bei mindestens 0,1 ym oder 0,5 ym. Bevorzugt liegt der mittlere Abstand im Bereich zwischen 0,5 ym und 5 ym. Mit anderen Worten kann sich die
Schutzabdeckung nahe an der Facette befinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterlaser dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden. Das heißt, eine Kapselung und ein Schutz der Facette, insbesondere des
Strahlungsaustrittsbereichs, erfolgt durch das Klebemittel zusammen mit der Schutzabdeckung. Aufgrund des Klebemittels zusammen mit der Schutzabdeckung kann der Halbleiterlaser bevorzugt in normaler Umgebungsluft betrieben werden, wobei die Umgebungsluft einen Sauerstoffgehalt im Bereich um 21 % und Wasserdampf enthalten kann.
In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet der
Halbleiterlaser einen Träger sowie eine kantenemittierende Laserdiode, die auf dem Träger angebracht ist und die eine aktive Zone zur Erzeugung einer Laserstrahlung sowie eine Facette mit einem Strahlungsaustrittsbereich umfasst. Der Halbleiterlaser weist ferner eine Schutzabdeckung, bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung, auf. Die
Schutzabdeckung ist mit einem Klebemittel an der Facette und an einer Seitenfläche des Trägers befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite der
Schutzabdeckung und der Facette beträgt höchstens 60 ym. Der Halbleiterlaser ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.
Insbesondere Halbleiterlaser mit einer hohen Leistungsabgabe, beispielsweise oberhalb von 0,2 W oder 1 W optischer
Ausgangsleistung, die kurzwellig im nahen ultravioletten oder im blauen Spektralbereich emittieren, sind gegen
Umwelteinflüsse zu schützen und zu kapseln. Um langfristig einen stabilen Betrieb gewährleisten zu können, müssen entsprechende Laserdioden in einer sauberen, hermetisch gekapselten Atmosphäre betrieben werden oder von jeglicher Atmosphäre ferngehalten werden.
Bei dem hier beschriebenen Halbleiterlaser erfolgt eine hermetische Abschottung des Strahlungsaustrittsbereichs durch eine facettennahe Kapselung. Durch die facettennahe
Kapselung, gebildet durch die Schutzabdeckung zusammen mit dem Klebemittel, ist ein ansonsten erforderliches, hermetisch dichtes Gehäuse entbehrlich. Hierdurch kann der
Halbleiterlaser kostengünstiger gefertigt und mit
verringertem Platzbedarf verbaut werden.
Die Schutzabdeckung, insbesondere zusammen mit dem
Klebemittel, schützt dabei die Facette vor Umwelteinflüssen und reduziert eine Strahldivergenz der Laserstrahlung. Ebenso erfolgt durch die Schutzabdeckung, etwa in Form einer Linse, eine Vergrößerung einer Oberfläche, an der sich mögliche Zersetzungsprodukte ablagern können. Weiter erfolgt durch die Vergrößerung der Oberfläche des Halbleiterlasers, die einer Atmosphäre ausgesetzt ist, eine Verringerung einer optischen Leistungsdichte, einhergehend mit einer Reduzierung eines Effekts einer optischen Pinzette. Insbesondere wird durch die Schutzabdeckung eine Akkumulierung von Partikeln und/oder anorganischen Molekülen direkt an der Laserfacette und am Strahlungsaustrittsbereich verhindert .
Ablagerungen an der Facette können insbesondere durch
kurzwellige Strahlung zersetzt werden und können einbrennen. Durch solche Veränderungen im Bereich der Facette sinkt eine Auskoppeleffizienz des Lasers und es kann zu Beschädigungen einer Facettenbeschichtung kommen, etwa durch optische
Absorption in den Ablagerungen, was wiederum zu einer
Überhitzung und damit zur Zerstörung des gesamten
Laserfacettenbereichs führen kann. Dies wird auch als katastrophaler optischer Schaden, englisch catastrophic optical damage, kurz COD, bezeichnet. Durch die im
Facettenbereich montierte Schutzabdeckung ist eine Ablagerung von Partikeln und/oder Molekülen an der Facette verhindert, bei gleichzeitig einfachem Aufbau des Halbleiterlasers und reduziertem Platzbedarf.
Außerdem wird durch die facettennahe Linse die Divergenz der emittierten Laserstrahlung reduziert. Ebenso wird die
Feldstärke im Bereich des an der Atmosphäre laufenden
Laserstrahls reduziert. Die Feldstärke im divergenten Strahl könnte ansonsten potentielle Kontaminationen in der Umgebung der Facette ansaugen und deren Ablagerung auf der Facette bewirken, entsprechend einer optischen Pinzette. Somit führt eine Reduzierung der Strahldivergenz direkt zu einer
Verminderung der Ablagerungen. Ferner wird durch die Schutzabdeckung, also bevorzugt durch die Linse, eine Grenzfläche zur Atmosphäre vergrößert. Durch die Vergrößerung der Grenzfläche nimmt die Menge potentieller Ablagerungen pro Flächeneinheit ab. Außerdem ist die
Energiedichte an dieser Grenzfläche gegenüber direkt an der Facette reduziert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Laserdiode durch das Klebemittel und die Schutzabdeckung hermetisch dicht gekapselt. Das heißt, zwischen einem Inneren und einem Äußeren der Verkapselung, gebildet aus dem Klebemittel zusammen mit der Schutzabdeckung, findet kein signifikanter Austausch von Stoffen wie Sauerstoff oder Wasserdampf statt. Hermetisch dicht bedeutet zum Beispiel, dass eine Leck-Rate höchstens 5 x lO-^ pa m/s beträgt, insbesondere bei
Raumtemperatur .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein minimaler Abstand zwischen der Schutzabdeckung und der Facette 0,1 ym oder 0,2 ym. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser minimale Abstand bei höchstens 10 ym oder 5 ym oder 3 ym. Das heißt, der minimale Abstand kann sich in der Größenordnung der
Wellenlänge der Laserstrahlung befinden. Dadurch ist es möglich, dass der Bereich zwischen der Schutzabdeckung und der Facette als unerwünschter, zusätzlicher Resonator wirken kann. Andererseits wird durch diesen kleinen minimalen
Abstand erreicht, dass nur kleine
Diffusionsquerschnittsflächen hin zum
Strahlungsaustrittsbereich insbesondere durch das Klebemittel hindurch auftreten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist im Bereich der aktiven Zone an der Facette eine Kavität gebildet. In Draufsicht auf die Facette gesehen ist die Kavität ringsum von dem Klebemittel umschlossen. Somit kann der
Strahlungsaustrittsbereich, in dem die Laserstrahlung die Laserdiode verlässt, frei von dem Klebemittel sein. Damit entsteht keine potentiell die Facette schädigende
Wechselwirkung zwischen der Laserstrahlung und dem
Klebemittel direkt an dem Strahlungsaustrittsbereich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Kavität
evakuiert oder mit einem oder mehreren Schutzgasen gefüllt. Bei einem entsprechenden Schutzgas handelt es sich
beispielsweise um ein Edelgas wie Argon oder Helium oder um ein inertes Gas wie Stickstoff. Ist die Kavität mit Schutzgas gefüllt, so kann ein Gasdruck in der Kavität nahe an einem normalen Atmosphärendruck liegen, insbesondere zwischen einschließlich 0,8 bar und 1,1 bar, etwa bei einer
bestimmungsgemäßen Betriebstemperatur des Halbleiterlasers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Kavität in Draufsicht auf die Facette gesehen einen mittleren
Durchmesser von mindestens 3 ym oder 5 ym oder 10 ym und/oder von höchstens 0,1 mm oder 50 ym oder 20 ym oder 10 ym auf. Mit anderen Worten kann die Kavität in Draufsicht gesehen vergleichsweise klein sein.
Die Kavität kann rotationssymmetrisch zum
Strahlungsaustrittsbereich geformt sein oder sich
asymmetrisch um den Strahlungsaustrittsbereich herum
erstrecken. Ein Abstand zwischen dem Klebemittel und dem Strahlungsaustrittsbereich beträgt bevorzugt mindestens 2 ym oder 5 ym oder 10 ym. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt eine Dicke der Kavität zwischen einschließlich 0,5 ym und 20 ym. Die Dicke der Kavität senkrecht zur Facette kann dem mittleren Abstand zwischen dem Strahlungsaustrittsbereich und/oder der
Seitenfläche des Trägers einerseits und der
Lichteintrittsseite der Schutzabdeckung andererseits
entsprechen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt in Draufsicht auf die Facette gesehen eine Breite des Klebemittels um die Kavität herum mindestens 100 % oder 150 % oder 250 % des mittleren Durchmessers der Kavität. Alternativ oder
zusätzlich liegt die Breite des Klebemittels bei mindestens 20 ym oder 30 ym oder 50 ym und/oder bei höchstens 0,1 mm oder 50 ym oder 20 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Kavität hin zum Klebemittel gekrümmte Seitenwände auf. Beispielsweise weist die Kavität im Querschnitt senkrecht zur Facette gesehen in dem Strahlungsaustrittsbereich eine bikonvexe Gestalt auf. Das heißt, in diesem Querschnitt gesehen und ausgehend von einer maximalen Ausdehnung in Richtung parallel zur Facette verschmälert sich die Kavität in Richtung hin zur Facette sowie in Richtung hin zur Lichteintrittsseite der Schutzabdeckung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verläuft die
Laserstrahlung beabstandet von dem Klebemittel hin zur
Lichteintrittsseite. Das heißt, auf direktem
bestimmungsgemäßen Weg vom Strahlungsaustrittsbereich hin zur Lichteintrittsseite gelangt die Laserstrahlung nicht zum Klebemittel. Dies schließt nicht aus, dass eventuell an der Lichteintrittsseite reflektierte Laserstrahlung zu dem
Klebemittel geführt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt das Klebemittel die Lichteintrittsseite und optional die Seitenfläche des Trägers teilweise oder vollständig sowie den gesamten
Strahlungsaustrittsbereich unmittelbar und direkt. Das heißt, zwischen der Facette und der Lichteintrittsseite kann eine durchgehende, lückenlose Verbindung alleine durch das
Klebemittel gebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die gesamte
Lichteintrittsseite von dem Klebemittel bedeckt. Ebenso kann die gesamte Facette von dem Klebemittel bedeckt sein. Die Seitenfläche des Trägers ist bevorzugt lediglich teilweise von dem Klebemittel bedeckt, kann alternativ aber auch vollständig von dem Klebemittel bedeckt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein
Brechungsindexunterschied zwischen der Schutzabdeckung und dem Klebemittel höchstens 0,2 oder 0,1 oder 0,05 oder 0,02.
Dies gilt insbesondere bei einer Wellenlänge maximaler
Intensität der Laserstrahlung sowie bei einer Temperatur von
300 K. Durch einen entsprechend geringen
Brechungsindexunterschied lassen sich Reflexionen an einer
Grenzfläche zwischen der Schutzabdeckung und dem Klebemittel reduzieren .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Schutzabdeckung aus mindestens einem der folgenden Materialien oder besteht aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Glas, Saphir, Siliziumcarbid. Bevorzugt ist die Schutzabdeckung aus Saphir. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt die Wellenlänge maximaler Intensität der von der Laserdiode erzeugten
Laserstrahlung bei mindestens 365 nm oder 400 nm. Alternativ oder zusätzlich liegt die Wellenlänge maximaler Intensität bei höchstens 530 nm oder 460 nm oder 440 nm. Das heißt, die Laserstrahlung ist vergleichsweise kurzwellig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht das Klebemittel aus einem oder mehreren Metallen, insbesondere aus einem Lot, auch in Kombination mit Metallschichten an der
Schutzabdeckung und/oder an der Facette und der Seitenfläche, an denen das Lot aufgebracht wird. Alternativ wird mindestens ein Glas für das Klebemittel verwendet. Das Klebemittel kann homogen aufgebaut sein oder auch
inhomogen. Beispielsweise im Falle eines Glases ist es möglich, dass in eine Glasmatrix weitere Partikel eingebracht sind, beispielsweise als Abstandshalter und/oder zur
Einstellung thermischer Ausdehnungskoeffizienten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die
Lichteintrittsseite der Schutzabdeckung mit einer Aufrauung versehen. Die Lichteintrittsseite ist somit dazu
eingerichtet, an der Lichteintrittsseite reflektierte
Strahlung diffus zu streuen, sodass die reflektierte
Laserstrahlung nicht oder nur abgeschwächt zum
Strahlungsaustrittsbereich gelangt. Damit ist eine
Rückkopplung des Bereichs zwischen der Facette und der
Schutzabdeckung auf einen Resonator der Laserdiode
verringerbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist Lichteintrittsseite eben geformt. Dabei liegt die Lichteintrittsseite schräg zur Facette. Beispielsweise liegt ein Winkel zwischen der
Lichteintrittsseite und der Facette bei mindestens 5° oder 10° und/oder bei höchstens 35° oder 25° oder 15°. Hierdurch wird an der Lichteintrittsseite reflektierte Laserstrahlung von dem Strahlungsaustrittsbereich an der Facette
ferngehalten. Der Winkel liegt bevorzugt unterhalb eines Brewster-Winkels , um eine Angriffsfläche für Diffusion an dem Klebemittel gering zu halten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Schutzabdeckung als Linse und bikonvex geformt, sodass die
Lichteintrittsseite gekrümmt verläuft, insbesondere
zusammenhängend gekrümmt verläuft. Dabei liegt bevorzugt eine maximale Auswölbung der Lichteintrittsseite außerhalb einer optischen Achse der Laserstrahlung, sodass an der
Lichteintrittsseite eventuell reflektierte Laserstrahlung von dem Strahlungsaustrittsbereich ferngehalten wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Lichteintrittsseite und/oder die Lichtaustrittsseite der Schutzabdeckung teilweise oder vollständig mit einer
Antireflexbeschichtung für die Laserstrahlung versehen. Damit weist insbesondere die Lichteintrittsseite für die
Laserstrahlung eine Reflektivität von höchstens 0,5 % oder 0,1 % oder 0,01 % auf. Auch durch eine solche
Antireflexbeschichtung sind Rückwirkungen des Bereichs zwischen der Facette und der Schutzabdeckung auf den
Resonator der Laserdiode reduzierbar oder verhinderbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die der Facette abgewandte Lichtaustrittsseite der Schutzabdeckung mit einer katalytischen, bevorzugt einer fotokatalytischen Beschichtung versehen. Diese Beschichtung ist etwa dazu eingerichtet, mittels der Laserstrahlung Ablagerungen an der
Lichtaustrittsseite zu entfernen und/oder zu zersetzen. Die Beschichtung ist insbesondere durch ein Metalloxid wie
Titandioxid oder Zirkoniumoxid gebildet. Alternativ ist die Beschichtung aus mindestens einem Metall wie Platin oder
Palladium oder Rhodium. Im Falle einer Metallbeschichtung für die katalytische Beschichtung weist diese bevorzugt eine Dicke von höchstens 10 nm oder 5 nm oder 3 nm auf, sodass die Laserstrahlung ohne signifikante Verluste durch die
katalytische Beschichtung hindurch gelangen kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die
Lichtaustrittsseite der Schutzabdeckung mit einer
Antihaftbeschichtung versehen. Die Antihaftbeschichtung ist dazu eingerichtet, Ablagerungen außen an der Schutzabdeckung zu unterbinden. Bei der Antihaftbeschichtung handelt es sich beispielsweise um eine Kunststoffbeschichtung, insbesondere mit einer Fluor-Kohlenstoff-Verbindung oder einer Fluor- Silizium-Verbindung. Die Antihaftbeschichtung ist
beispielsweise aus einem fluorierten oder perfluorierten
Polymer und/oder aus einem fluorierten oder perfluorierten Siloxan oder Silazan. Bevorzugt ist die gesamte
Lichtaustrittsseite entsprechend beschichtet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die aktive Zone an einer dem Träger zugewandten Seite der
Laserdiode. Beispielsweise beträgt ein Abstand zwischen der aktiven Zone und der Laserdiode höchstens 5 ym oder 10 ym oder 3 ym. Demgegenüber liegt die Dicke der Laserdiode beispielsweise bei mindestens 20 ym oder 50 ym oder 100 ym und/oder bei höchstens 0,5 mm oder 0,2 mm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt die Facette den Träger entlang einer Laufrichtung der Laserstrahlung. Ein Überstand der Laserdiode über den Träger liegt beispielsweise bei mindestens 50 ym oder 0,1 mm und alternativ oder
zusätzlich bei höchstens 0,3 mm oder 0,15 mm oder 50 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterlaser ein oder mehrere Leuchtstoffelemente . Das mindestens eine Leuchtstoffelement ist zu einer teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Laserstrahlung eingerichtet und umfasst einen oder mehrere Leuchtstoffe.
Insbesondere wird einer oder werden mehrere der folgenden Leuchtstoffe verwendet: Eu2+-dotierte Nitride wie
(Ca, Sr) AlSiN3:Eu2+, Sr (Ca, Sr) Si2Al2N6 : Eu2+,
(Sr, Ca) AlSiN3*Si2N20:Eu2+, (Ca,Ba, Sr) 2Si5N8 :Eu2+,
(Sr,Ca) [L1AI3N4] :Eu2+; Granate aus dem allgemeinen System (Gd, Lu, Tb, Y) 3 (AI, Ga, D) 5 (0, X) 12 :RE mit X = Halogenid, N oder zweiwertiges Element, D = dreiwertiges oder vierwertiges Element und RE = Seltenerdmetalle wie LU3 (Al]__xGax) 50]_2 : Ce^+ , Y3 (Al]__xGax) 5θι2 :Ce3 + ; Eu2 +-dotierte Sulfide wie
(Ca, Sr, Ba) S :Eu2+; Eu2+-dotierte SiONe wie
(Ba, Sr, Ca) Si202N2 :Eu2+; SiAlONe etwa aus dem System
LixMyLnzSi]_2_ (m+n) AI (m+n) OnN]_ g_n; beta-SiAlONe aus dem System Sig_xAlzOyNg_y :REZ mit RE = Seltenerdmetalle; Nitrido- Orthosilikate wie AE2_x_aRExEuaSi04_xNx oder
AE2_x_aRExEuaSii_y04_x_2yNx mit RE = Seltenerdmetall und AE = Erdalkalimetall oder wie (Ba, Sr , Ca, Mg) 2Si04 : Eu2+ ;
Chlorosilikate wie CagMg ( S1O4 ) 4C12 : Eu2+ ; Chlorophosphate wie (Sr,Ba,Ca,Mg) 10 (PO4) gCl2:Eu2+; BAM-Leuchtstoffe aus dem BaO- MgO-Al203-System wie BaMgAl]_QO]_7 :Eu2 + ; Halophosphate wie M5 (P04) 3 (Cl, F) : (Eu2 + , Sb2 + ,Mn2 + ) ; SCAP-LeuchtStoffe wie
( Sr , Ba, Ca) 5 ( PO4 ) 3CI : Eu2+ . Außerdem können auch sogenannte Quantenpunkte als Konvertermaterial eingebracht werden.
Quantenpunkte in der Form nanokristalliner Materialien, welche eine Gruppe II-VI-Verbindung und/oder eine Gruppe III- V-Verbindungen und/oder eine Gruppe IV-VI-Verbindung und/oder Metall-Nanokristalle beinhalten, sind hierbei bevorzugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich das
Leuchtstoffelement direkt an der Lichtaustrittsseite der Schutzabdeckung. Die Lichtaustrittsseite kann vollständig oder nur zum Teil von dem Leuchtstoffelement bedeckt sein. Direkt bedeutet in diesem Zusammenhang, dass das
Leuchtstoffelement die Lichtaustrittsseite berührt oder dass sich zwischen der Lichtaustrittsseite und dem
Leuchtstoffelement nur ein Verbindungsmittel zum Anbringen des Leuchtstoffelements befindet. Ein Abstand zwischen dem Leuchtstoffelement und der Lichtaustrittsseite beträgt bevorzugt höchstens 10 ym oder 5 ym oder 2 ym.
Darüber hinaus wird ein Herstellungsverfahren für ein
optoelektronisches Halbleiterbauteil wie ein Halbleiterlaser angegeben. Merkmale hinsichtlich der Laserdiode, des Trägers, der Schutzabdeckung, des Leuchtstoffelements , der Aufrauung, der Antireflexbeschichtung, der katalytischen Beschichtung und/oder der Antihaftbeschichtung, wie in Verbindung mit dem Halbleiterlaser vorangehend beschrieben, sind daher auch für das Herstellungsverfahren offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das
Herstellungsverfahren für das optoelektronische
Halbleiterbauteil die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips, der eine aktive Zone zur Erzeugung einer Strahlung sowie einen Strahlungsaustrittsbereich aufweist, und - nachfolgend Erzeugen einer Schutzabdeckung direkt an dem Strahlungsaustrittsbereich, wobei die Schutzabdeckung
bevorzugt aus einem Glas ist und mittels Heißprägen erzeugt wird, und das Halbleiterbauteil dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.
Insbesondere handelt es sich bei dem Halbleiterchip um eine Laserdiode, wie vorstehend erläutert, alternativ um einen Leuchtdiodenchip, kurz LED-Chip. Der Halbleiterchip ist bevorzugt auf einem Träger angebracht. Die Schutzabdeckung kann eine Linse zur Kollimation der Strahlung, insbesondere der Laserstrahlung, sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens berührt die Schutzabdeckung die Seitenfläche des Trägers, die
bevorzugt mit einer Toleranz von höchstens 15° oder 5° parallel zur Facette verläuft, unmittelbar. Die Facette kann vollständig von der Schutzabdeckung bedeckt sein, die
Seitenfläche des Trägers wird teilweise oder vollständig von der Schutzabdeckung bedeckt.
Nachfolgend werden ein hier beschriebener Halbleiterlaser und ein hier beschriebenes Herstellungsverfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß
dargestellt sein. Es zeigen:
Figuren 1A, 2 bis 10 und 13 bis 15 schematische
Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Halbleiterlasern,
Figur 1B eine schematische Draufsicht auf eine Facette eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen
Halbleiterlasers, und
Figuren 11 und 12 schematische Schnittdarstellungen von
Verfahrensschritten zur Herstellung von hier beschriebenen Halbleiterlasern und
optoelektronischen Halbleiterbauteilen.
In Figur 1A ist eine Schnittdarstellung und in Figur 1B eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterlasers 1 gezeigt. Der Halbleiterlaser 1 ist dabei bevorzugt auf einer Wärmesenke 11 angebracht und bildet zusammen mit der Wärmesenke 11 eine Anordnung 10. Die Anordnung 10 befindet sich in normaler Umgebungsluft 12. Damit ist die Anordnung 10 nicht weiter gegen Umgebungsluft 12 gekapselt oder hermetisch abgeschlossen .
Der Halbleiterlaser 1 umfasst einen Träger 2, insbesondere ein sogenanntes Submount . An dem Träger 2 befindet sich eine Laserdiode 3 zur Erzeugung einer Laserstrahlung L, welche beispielsweise blaues Licht ist. Hierzu weist die Laserdiode 3 eine aktive Zone 33 auf. An einem
Strahlungsaustrittsbereich 31 an der aktiven Zone 33 wird die Laserstrahlung L emittiert. Eine bevorzugt ebene Facette 30 der Laserdiode 3 ist näherungsweise senkrecht zur aktiven Zone 33 orientiert.
An der Facette 30 sowie an einer Seitenfläche 20 des Trägers 2 befindet sich ein Klebemittel 5, mit dem eine
Schutzabdeckung befestigt ist. Die Schutzabdeckung ist als Linse 4, bevorzugt als sphärische Linse, gestaltet und weist eine der Facette 30 zugewandte Lichteintrittsseite 41 und eine der Facette 30 abgewandte Lichtaustrittsseite 42 auf.
Der beispielsweise ellipsenförmige Strahlungsaustrittsbereich 31 ist in Draufsicht ringsum von dem Klebemittel 5 in einer geschlossenen Bahn umschlossen, siehe Figur IB. Dabei ist in Figur 1B zur Vereinfachung der Darstellung die Linse 4 nicht eingezeichnet, wobei die Schutzabdeckung 4 deckungsgleich mit einer Außenkontur des Klebemittels 5 abschließen kann, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich.
Somit wird von dem Klebemittel 5 an der Facette 30 eine
Kavität 6 definiert, die von der Schutzabdeckung 4
abgeschlossen wird. Die Kavität 6 ist evakuiert oder mit einem Schutzgas gefüllt. Seitenwände 65 der Kavität 6, die dem Strahlungsaustrittsbereich 31 zugewandt sind, sind im Querschnitt gesehen gekrümmt, sodass die Kavität 6 bikonvex erscheint, siehe Figur 1A.
Der Strahlungsaustrittsbereich 31 kann in Draufsicht gesehen mittig in der Kavität 6 angeordnet sein, siehe Figur IB. Das Klebemittel 5 kann in unterschiedlichen Richtungen um den Strahlungsaustrittsbereich 31 herum verschiedene Breiten aufweisen. Dabei ist das Klebemittel 5 bevorzugt dünn
gestaltet, sodass ein mittlerer Abstand zwischen der Facette 30 und der Lichteintrittsseite 41 bevorzugt höchstens 5 ym beträgt. Optional befindet sich an der Lichteintrittsseite 41 eine Antireflexbeschichtung 44 für die Laserstrahlung L.
Entsprechendes gilt bevorzugt auch für alle anderen
Ausführungsbeispiele .
Durch die Kavität 6 zusammen mit dem Klebemittel 5 und der Schutzabdeckung 4 erfolgt eine facettennahe Kapselung der Laserdiode 3. Diese Verkapselung schützt den
Strahlungsaustrittsbereich 31 der Laserdiode 3 vor
Umwelteinflüssen und Kontaminationen. Die Verkapselung ist somit lokal auf dem Bereich der Laserfacette 30 selbst und eine umgebende Montagefläche beschränkt.
Im Bereich der Facette 30 bildet die Verkapselung die Kavität 6. Die so gebildete Kavität 6 ist gegenüber Umwelteinflüssen hermetisch gekapselt. Das optionale Schutzgas oder Gasgemisch ist beispielsweise H2, He, 2, He/02- Der
Strahlungsaustrittsbereich 31 ist bei der Montage der
Schutzabdeckung 4 durch eine Ausnehmung in dem Klebemittel 5 ausgespart. Es gibt somit keinen physischen Kontakt zwischen dem Verkapselungselement , gebildet aus der Schutzabdeckung 4 und dem Klebemittel 5, und dem Strahlungsaustrittsbereich 31, weder bei der Montage noch im Betrieb des Halbleiterlasers 1. Durch die facettennahe Kapselung und einen
Brechungsindexsprung zwischen der Kavität 6 und der
Schutzabdeckung 4 können potentiell Rückreflexionen der emittierten Laserstrahlung L in einem Resonator der
Laserdiode 3 auftreten und zu Störungen des Resonators führen. Um diese Wechselwirkung zu unterdrücken, ist
insbesondere die Antireflexbeschichtung 44 vorgesehen, für alternative oder zusätzliche Verhinderungsmöglichkeiten solcher Wechselwirkungen siehe auch die nachfolgenden Figuren 2 und 3.
Zum Herstellen der Kavität 6 wird beispielsweise eine
Ringstruktur aus Glas auf die Laserdiode 3 und den Träger 2, oder alternativ auf die Schutzabdeckung 4, insbesondere auf die Lichteintrittsseite 41, aufgebracht. Zum Fügen mit der Schutzabdeckung 4 werden bevorzugt der Träger 2 und die
Laserdiode 3 auf die erforderliche Verarbeitungstemperatur gebracht. Das Fügen erfolgt unter Einwirkung von Temperatur und bevorzugt von Druck.
Weiterhin ist es möglich, einen Glasschwamm auf die
Schutzabdeckung 4 aufzubringen, welcher das Klebemittel 5 bildet. Dazu wird durch Prozesse wie Drucken oder Dispensen eine Glaspulver-Binder-Mischung auf die Schutzabdeckung 4 aufgebracht. Durch eine nachgeschaltete Temperaturbehandlung wird der Binder entfernt und das Glaspulver angesintert, auch als Neck-Bildung bezeichnet. Die so vorbereitete
Schutzabdeckung 4 wird dann mittels Temperatur und optional Druck auf die Struktur aus dem Träger 2 und der Laserdiode 3 aufgebracht .
Alternativ kann ein Glasschwamm für das Klebemittel 5 durch chemische Prozesse hergestellt werden. Dazu wird
beispielsweise eine ringförmige Struktur eines speziell angepassten Glases auf die Schutzabdeckung 4 aufgebracht. Das Glas wird durch gezielte Temperaturlagerung im
mikroskopischen Maßstab entmischt, bevorzugt in zwei oder in mehr Phasen. Eine der Phasen kann nasschemisch aus der verbleibenden Matrix herausgelöst werden. Die so gebildete schwammartige Struktur kann wie vorhergehend beschrieben auf den Träger 2 und/oder der Laserdiode 3 oder auch auf der Schutzabdeckung 4 montiert werden. Das Fügen erfolgt
entsprechend .
Weiterhin ist es möglich, insbesondere auf der
Schutzabdeckung 4 und dem Verbund aus dem Träger 2 und der
Laserdiode 3 strukturierte Metallisierungen aufzubringen. Zum Fügen wird ein metallisches Fügeelement angebracht. Das Fügeelement ist beispielsweise ein Lot, ein Metallschwamm oder ein vorgefertigter Metallring. Das Fügen erfolgt unter Temperatureinwirkung und optional mit Druck.
Durch die Ausformung der Mikrokavität 6 im Bereich des
Strahlungsaustrittsbereichs 31 entsteht kein mechanischer Kontakt zwischen dem Strahlungsaustrittsbereich 31 und der Schutzabdeckung 4. Durch diese chipnahe Verkapselung kann im Vergleich zu sogenannten TO-Gehäusen eine signifikante
Miniaturisierung erreicht werden.
Beim Ausführungsbeispiel der Figur 2 ist die Schutzabdeckung 4 gegenüber der Laserdiode 3 gekippt aufgebracht. Ein Winkel zwischen der Lichteintrittsseite 41 und der Facette 30 liegt beispielsweise bei 10°.
Ein Durchmesser der Schutzabdeckung 4, deren
Lichteintrittsseite 41 vorliegend eben und deren
Lichtaustrittsseite 42 halbkugelförmig gestaltet ist, beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 0,2 mm und 0,8 mm, insbesondere um 0,4 mm. Entsprechendes gilt für alle anderen Ausführungsbeispiele .
Im Übrigen entspricht das Ausführungsbeispiel der Figur 2 bevorzugt dem der Figur 1. Zur Verhinderung von Einflüssen der reflektierten Laserstrahlung L weist die Schutzabdeckung 4 des
Ausführungsbeispiels der Figur 3 an der Lichteintrittsseite 41 eine Aufrauung 43 auf. Die Aufrauung 43 kann regelmäßig oder auch unregelmäßig gestaltet sein. Die Aufrauung 43 kann sich über die gesamte Lichteintrittsseite 41 hin erstrecken oder auf einen Zentralbereich der Schutzabdeckung 4, der der Kavität 6 zugeordnet ist, beschränkt sein. Eine mittlere Strukturgröße der Aufrauung 43 liegt bevorzugt bei mindestens 0,2 ym und/oder bei höchstens 3 ym.
Möglichkeiten zur Verhinderung von Einflüssen durch
rückreflektierte Laserstrahlung L auf den Resonator der
Laserdiode 3 sind auch in Verbindung mit den Figuren 4 bis 8 erläutert.
In Figur 4, linke Seite, ist dargestellt, dass bei einer parallel zur Facette 30 stehenden Lichteintrittsseite 41 rückreflektierte Laserstrahlung R in den Resonator der
Laserdiode 3 gelangen kann. Dies wird durch die
Schrägstellung der Schutzabdeckung 4 gegenüber der Laserdiode 3 verhindert, siehe Figur 4, rechte Seite. Der Winkel
zwischen der Facette 30 und der Lichteintrittsseite 41 liegt bevorzugt zwischen einschließlich 5° und 15°.
In Figur 5 ist illustriert, dass die Rückreflektion R, die in der linken Seite der Figur 5 auftritt, in der rechten Seite der Figur 5 durch die Antireflexbeschichtung 44 verhindert wird. Die Antireflexbeschichtung 44 ist beispielsweise durch eine alternierende Abfolge von Schichten mit hohem und niedrigen Brechungsindex gebildet, in Figur 5 nur schematisch angedeutet. Die Antireflexbeschichtung 44 kann sowohl an der Lichteintrittsseite 41 als auch an der Lichtaustrittsseite 42 angebracht sein und damit den eigentlichen Körper der
Schutzabdeckung 4 vollständig umschließen. Entsprechendes ist auch beim Ausführungsbeispiel der Figur 1 möglich. Wie auch in den Figuren 4 und 5 bedeckt das Klebemittel 5 den Strahlungsaustrittsbereich 31 vollständig, anders als in den Figuren 1 bis 3. Somit ist keine Kavität gebildet. Damit ist das Klebemittel 5 bevorzugt durchlässig für die
Laserstrahlung L und insbesondere aus einem Glas oder aus einer Glasmischung geformt. Beim dem Klebemittel 5 handelt es sich somit, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich, um eine anorganische Komponente.
In Figur 6 ist illustriert, dass die Aufrauung 43 an der Lichteintrittsseite 41 vorhanden ist, analog zu Figur 3, wobei die Aufrauung 43 die Lichteintrittsseite 41 auch nur teilweise bedecken kann, abweichend von der Darstellung in den Figuren 3 und 6. Die Ausführungen zur Figur 3 und auch zur Figur 1 gelten für Figur 6 entsprechend, bis auf das Wegfallen der Kavität.
Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass die Schutzabdeckung 4 zwischen der
Lichteintrittsseite 41 und der Lichtaustrittsseite 42 im Querschnitt gesehen eine gerade verlaufende Seitenfläche aufweist. Die Seitenfläche stellt beispielsweise eine
Zylindermantelfläche dar.
In Figur 7 ist gezeigt, dass die Lichteintrittsseite 41 gezielt zur Verhinderung der störenden Rückreflektionen gestaltet ist. Dazu weist die Schutzabdeckung 4 im
Querschnitt gesehen näherungsweise eine bikonvexe Gestalt auf. Ein Bereich einer maximalen Auswölbung der Lichteintrittsseite 41 ist gegenüber der aktiven Zone 33 und damit gegenüber den Strahlungsaustrittsbereich 31 versetzt, so dass an dem Strahlungsaustrittsbereich 31 die
Lichteintrittsseite 41 nicht parallel zur Facette 30
orientiert ist.
Beim Ausführungsbeispiel der Figur 8 ist das Klebemittel 5 als Brechungsindexanpassungsschicht 47 gestaltet. Somit besteht zwischen dem Klebemittel 5 und der Schutzabdeckung 4 kein oder kein signifikanter Brechungsindexsprung,
symbolisiert durch eine Strich-Punkt-Linie. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den vorhergehenden Ausführungsbeispielen entsprechend . In den bisherigen Figuren ist je nur eine Maßnahme zur
Verhinderung von Rückreflektionen in den Resonator der
Laserdiode 3 gezeichnet. Diese Maßnahmen können auch
kombiniert auftreten. So kann etwa die Aufrauung 43 oder die gekrümmte Lichteintrittsseite 41 mit einer Schrägstellung der Lichteintrittsseite 41 kombiniert werden. Ebenso kann jeweils zusätzlich eine Antireflexbeschichtung 44 vorhanden sein. Auch eine Brechungsindexanpassungsschicht 47 kann in den Ausführungsbeispielen, insbesondere der Figuren 5 bis 7, Verwendung finden.
Speziell bei der Gestaltung der Figur 8 ist es auch möglich, dass das Klebemittel 5 und die Schutzabdeckung 4 aus dem gleichen oder aus sehr ähnlichen Materialien sind. Dabei weist das Klebemittel 5 bevorzugt jedoch eine niedrigere Verarbeitungstemperatur auf als die Schutzabdeckung 4.
Durch die Reduzierung oder Eliminierung der optischen
Wechselwirkung zwischen der Schutzabdeckung 4 und dem Resonator der Laserdiode 3 bei der facettennahen Kapselung werden zusätzliche Freiheitsgrade beim Design erzielt. Dabei wird eine miniaturisierte Bauform beibehalten. Im Ausführungsbeispiel der Figur 9 ist gezeigt, dass die Laserdiode 3 über Bonddrähte 13 mit der Wärmesenke 11 verbunden ist, wie dies auch in allen anderen
Ausführungsbeispielen der Fall sein kann. Wie ebenso in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich, kann das Klebemittel 5 bis zur Wärmesenke 11 reichen und in diesem Fall auch
beabstandet zu dem Träger 2 verlaufen oder der Träger 2 ist in der Laserdiode 3 integriert.
Durch die facettennah aufgebrauchte Schutzabdeckung 4 wird eine der Umgebungsluft 12 zugängliche Grenzfläche, an der die Laserstrahlung L austritt, signifikant vergrößert. Damit werden Effekte wie eine optische Pinzette verringert und die Intensität der Laserstrahlung L an der Grenzfläche, also an der Lichtaustrittsseite 42, ist verringert.
Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 8 für Figur 9 entsprechend.
In Figur 10 ist gezeigt, dass die Lichtaustrittsseite 42 bevorzugt vollständig von einer fotokatalytischen
Beschichtung 45 und/oder einer Antihaftbeschichtung 46 bedeckt ist. Die fotokatalytische Beschichtung 45 ist
beispielsweise eine dünne Platinschicht oder eine
Titandioxidschicht. Durch eine solche Beschichtung 45 kann das thermodynamische Gleichgewicht der Abscheidung von
Kontaminationen auf der Lichtaustrittsseite 42 der
Schutzabdeckung 4 und der Zersetzung potentieller
Ablagerungen in der Art und Weise verschoben werden, sodass über die Betriebsdauer des Halbleiterlasers 1 hinweg
zuverlässig eine Akkumulation von Abscheidungen vermindert wird . Durch das Aufbringen der Antihaftbeschichtung 46 ist es möglich, dass an der Lichtaustrittsseite 42 keine oder keine signifikante Akkumulierung von Verunreinigungen oder ein Einbrennen von Verunreinigungen erfolgt. Die
Antihaftbeschichtung 46 ist für die Laserstrahlung L
bevorzugt transparent. Die Antihaftbeschichtung 46 ist beispielsweise durch ein Fluorpolymer wie
Polytetrafluorethylen gebildet. Weitere mögliche Materialien für die Antihaftbeschichtung 46 sind Perylenderivate wie Perylen HT oder Schwefelverbindungen wie Thiole-R-D-H oder Schichtstrukturen aus Kohlenstoffnanoröhren .
Das herstellen der Halbleiterbauteile etwa der Figuren 9 oder 10 erfolgt bevorzugt durch Aufkleben der Schutzabdeckung 4 mit einem geeigneten Klebemittel 5 und optional mit
nachfolgenden Aufheizprozessen und/oder Einbrennprozessen. Für das Aufkleben der Schutzabdeckung 4 kommen etwa
silikonbasierte Klebstoffe mit einer sehr hohen Reinheit und mit niedrigem Kohlenwasserstoffgehalt in Frage. Eventuell in einem solchen Klebemittel 5 vorhandene flüchtige Additive werden optional durch eine Temperaturlagerung, insbesondere im Bereich von 180 °C bis 300 °C, ausgetrieben. Verbleibende Kohlenwasserstoffe werden wiederum optional durch einen
Einbrennprozess unter definierten Bedingungen hinsichtlich einer Leistung der Laserstrahlung L und einer
Umgebungstemperatur ausgetrieben.
Alternativ ist es möglich, die Schutzabdeckung 4 mittels eines Glases als Klebemittel 5 aufzukleben. Dabei wird bevorzugt ein mittelschmelzendes Glas verwendet. Das Glas wird dabei entweder auf einer der beiden zu fügenden Flächen oder auf beide Fläche aufgetragen. Vorzugsweise geschieht das Aufbringen des Glases durch Flüssigdispersion im
Temperaturbereich von 300 °C bis 450 °C. Im Anschluss an ein solches Dispensen wird die Schutzabdeckung 4 beispielsweise mittels eines Greifprozesses , auch als Pick and Place
bezeichnet, auf die Facette 30 der Laserdiode 3 montiert. In Figur 11 ist ein Herstellungsverfahren für
optoelektronische Halbleiterbauteile 1 gezeigt, wobei gemäß Figur 11 ein Halbleiterlaser 1 hergestellt wird. Dabei ist es möglich, auf das Klebemittel 5, wie in Verbindung mit den Figuren 1 bis 10 verwendet, gänzlich zu verzichten und dennoch eine hermetische Kapselung des
Strahlungsaustrittsbereichs 31 zu gewährleisten.
Dazu wird, siehe Figur IIA, eine Rohmasse 48 bevorzugt aus einem Glas auf die Facette 30 und/oder auf die Seitenfläche 20 des Trägers 2 aufgebracht, insbesondere in flüssigem
Zustand mittels Dispensen. Alternativ erfolgt das Aufbringen eines Glaspulvers, auch als Schlicker bezeichnet, wobei das Glaspulver sich bevorzugt in einer Binderlösung befindet. Das Aufbringen kann durch Dispensen, Sprühen, Drucken oder Jetten erfolgen und wird bevorzugt von einem Temperaturlagerschritt für die Entbindung und Verdichtung gefolgt.
Alternativ wird eine Glasperle aufgelegt, gefolgt von einer gezielten lokalen Temperaturbehandlung zur Befestigung analog eines Laserschweißprozesses, auch als Laser Melting Process bezeichnet. Beim Laserschmelzen kann durch eine gezielte Einstellung der Energiedichteverteilung im Strahlprofil, etwa durch ein Gauß-Profil oder ein sogenanntes Top Hat-Profil, die Form des Glastropfens durch lokales Aufschmelzen
beeinflusst werden.
Beispiele für geeignete Glaszusammensetzungen kommen
insbesondere aus der Gruppe der optischen Gläser, speziell Gläser mit einer niedrigen Glasübergangstemperatur von höchstens 400 °C oder Gläser mit einer sehr niedrigen
Glasübergangstemperatur von weniger als 300 °C. Solche Gläser basieren bevorzugt auf Glasbildnern wird Telluroxid, Te2Ü5, Bortrioxid, B2O3, Silica, S1O2, oder Bismutoxid, B12O3.
Geeignete Glaszusammensetzungen weisen bevorzugt einen hohen Anteil an Netzwerkunterbrechern auf, zum Beispiel ZnO
und/oder CaO. Um derartige Glaszusammensetzungen zu
stabilisieren oder eine Kristallisationsneigung gering zu halten, kann optional Aluminiumoxid, AI2O3, zugegeben werden.
Derartige Gläser können auch für das Klebemittel 5
insbesondere der Figuren 1 bis 3 verwendet werden, ebenso als Klebemittel 5 etwa für die Figuren 4 bis 8.
Alternativ oder zusätzlich erfolgt ein Aufheizen der
Laserdiode 3 und/oder des Trägers 2 mit dem darauf
angebrachten Klebemittel 5 auf eine Temperatur, bei der insbesondere das Glas eine für die Formgebung durch Prägen hinreichend niedrige Viskosität aufweist. Der Prägeprozess mit einem Heißprägewerkzeug 49, das bevorzugt geheizt werden kann, siehe Figur IIB, findet vorzugsweise bei Viskositäten des Klebemittels 5 im Bereich von 10^ dPa/s bis 10^ dPa-s statt, bevorzugt im Bereich 10^ dPa-s bis 10^ dPa-s.
Das Prägewerkzeug 49 ist beispielsweise aus Platin, Gold, einer Platin-Gold-Legierungen oder Graphit. Darüber hinaus sind Werkzeuge 49 aus Hartmetallen geeignet. Beispiele hierfür sind Wolframcarbid oder Titancarbid, insbesondere in einer Matrix aus Kobalt.
Das Heißprägewerkzeug 49 kann eine Beschichtung aufweisen, um ein Anhaften des Klebemittels 5 zu vermeiden. Eine solche
Beschichtung ist beispielsweise aus TiN, A1N und/oder TiAlN. Vorzugsweise werden Prägewerkzeuge 49 mit einer geringen Oberflächenrauigkeit eingesetzt, beispielsweise mit einer Rauheit Ra von höchstens 100 nm. Hierzu ist insbesondere oberflächenbeschichtetes oder oberflächenverdichtetes Graphit geeignet .
Die aufgebrachte Schutzabdeckung 4 kann zu einer gezielten Strahlformung dienen. Alternativ kann die Schutzabdeckung 4 auch als refraktive Optik, als diffraktive Optik oder als
Kombination von beidem ausgeführt sein. Eine optisch wirksame Struktur der Schutzabdeckung 4 kann als Struktur zur
Steigerung einer Lichtauskopplung gestaltet sein, siehe auch Figur 12.
Das fertige Halbleiterbauteil 1 ist in Figur HC illustriert. Dabei ist es möglich, dass die gesamte Facette 30 und die gesamte Seitenfläche 20 des Trägers 2 von der Schutzabdeckung 4 bedeckt werden.
Beim Verfahren der Figur 12 handelt es sich bei dem
optoelektronischen Halbleiterchip 3 um einen LED-Chip, bevorzugt mit einem integrierten Träger 2 oder alternativ mit einem separaten Träger, nicht gezeichnet. Optional ist der Halbleiterchip 3 über Verbindungsmittel 14, beispielsweise Klebepunkte oder Lotpunkte, an einem Träger 11 angebracht. Gemäß Figur 12A wird das Rohmaterial 48 für die
Schutzabdeckung 4 aufgebracht. Nachfolgend, siehe Figur 12B, erfolgt das Prägen mit dem Prägewerkzeug 49, sodass wie in Figur 12C illustriert, die Schutzabdeckung 4 etwa zur Verbesserung einer
Lichtauskopplung resultiert. Die Schutzabdeckung 4 ist somit an der Lichtaustrittsseite 42 mit einer Aufrauung 43
gestaltet. Die Schutzabdeckung 4 kann hierzu einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen wie der Halbleiterchip 3,
beispielsweise mit einem Brechungsindexunterschied von höchstens 0,3, sodass hochbrechende Rohmaterialien 48 für die Schutzabdeckung 4 verwendet werden können.
Beim Ausführungsbeispiel der Figur 13 ist die Schutzabdeckung 4 als planparallele, runde Scheibe gestaltet und nicht als Linse. Die Facette 30 ist nur zum Teil von dem Klebemittel 5 bedeckt und schließt bündig mit der Seitenfläche 20 ab.
Gleiches ist in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich.
Gemäß Figur 14 ist an der Schutzabdeckung 4 ein
Leuchtstoffelement 7 angebracht, beispielsweise in Form einer planparallelen Keramikplatte. Zwischen der beispielsweise planparallelen Schutzabdeckung 4 und dem Leuchtstoffelement 7 befindet sich lediglich das Verbindungsmittel 14, zum
Beispiel eine dünne Schicht aus einem Silikonkleber,
insbesondere mit einer Dicke zwischen einschließlich 0,2 ym und 3 ym.
Der mindestens eine Leuchtstoff zur Wellenlängenkonversion kann auf eine Region des Leuchtstoffelements 7 beschränkt sein, in der die im Betrieb erzeugte Laserstrahlung L auf das Leuchtstoffelement 7 trifft. Optional befindet sich an einer der Laserdiode 3 zugewandten Eintrittsseite 72 des
Leuchtstoffelements 7 eine dichroitische Beschichtung 73, die die Laserstrahlung L hindurchlässt , in dem Leuchtstoffelement 7 erzeugte Strahlung jedoch reflektiert.
Weiter ist es möglich, dass der Träger 2 über die Facette 30 übersteht. Damit kann die Schutzabdeckung 4 von dem Träger 2 weg gewandt sein und schräg zum Träger 2 verlaufen.
Entsprechendes kann in allen anderen Ausführungsbeispielen der Fall sein. Ebenso ist beim Ausführungsbeispiel der Figur 15 das
Leuchtstoffelement 7 vorhanden. Hierbei ist das
Leuchtstoffelement 7 unmittelbar und insbesondere ganzflächig auf der Lichtaustrittsseite 42 aufgebracht, vorzugsweise mit einer gleichbleibenden, konstanten Dicke.
Solche Leuchtstoffelemente 7, wie in den Figuren 14 und 15 erläutert, können auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein, bevorzugt zusammen mit der dichroitischen Beschichtung 73.
Auch bei den Gestaltungen der Figuren 13 bis 15 können
Maßnahmen zur Verhinderung von Rückreflexen in den Resonator der Laserdiode 3 getroffen werden, in gleicher Weise wie bei den Figuren 1 bis 8, einzeln oder miteinander kombiniert.
Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen, sofern nicht anders kenntlich gemacht, bevorzugt in der angegebenen
Reihenfolge jeweils unmittelbar aufeinander. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind bevorzugt voneinander beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls, soweit nicht anders kenntlich gemacht, sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben .
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 123 798.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 Halbleiterlaser und optoelektronisches Halbleiterbautei
2 Träger
20 TrägerSeitenfläche
3 Laserdiode und optoelektronischer Halbleiterchip
30 Facette
31 Strahlungsaustrittsbereich
33 aktive Zone
4 Schutzabdeckung/Linse
41 Lichteintrittsseite
42 Lichtaustrittsseite
43 Aufrauung
44 AntireflexbeSchichtung
45 fotokatalytische Beschichtung
46 AntihaftbeSchichtung
47 BrechungsindexanpassungsSchicht
48 Linsenrohmaterial
49 Heißprägewerkzeug
5 Klebemittel
6 Kavität
65 Seitenwand der Kavität
7 Leuchtstoffelement
72 Eintrittsseite
73 dichroitische Beschichtung
10 Anordnung
11 Wärmesenke
12 Umgebungsluft
13 Bonddraht
14 Verbindungsmittel
L LaserStrahlung
R an der Linse reflektierte Laserstrahlung
□ Winkel zwischen der Facette und der Lichteintrittsseite

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterlaser (1) mit
- einem Träger (2),
- einer kantenemittierenden Laserdiode (3) , die auf dem
Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,
- einer Schutzabdeckung (4), und
- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist,
wobei
- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens
60 ym beträgt, und
- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden .
2. Halbleiterlaser (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist und einen minimalen Abstand zur Facette (30) von 0,1 ym aufweist,
wobei im Bereich der aktiven Zone (33) an der Facette (30) eine Kavität (6) gebildet ist, die in Draufsicht auf die Facette (30) gesehen ringsum von dem Klebemittel (5)
umschlossen ist, sodass der Strahlungsaustrittsbereich (31), in dem die Laserstrahlung (L) die Laserdiode (3) verlässt, frei von dem Klebemittel (5) ist.
3. Halbleiterlaser (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Kavität (6) evakuiert oder mit mindestens einem Schutzgas gefüllt ist,
wobei die Kavität (6) in Draufsicht auf die Facette (30) gesehen einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 3 ym und 100 ym aufweist und eine Dicke der Kavität (6) zwischen einschließlich 0,5 ym und 20 ym liegt, und
wobei in Draufsicht auf die Facette (30) gesehen eine Breite des Klebemittels (5) um die Kavität (6) herum mindestens 150 % des mittleren Durchmessers der Kavität (6) und außerdem mindestens 30 ym beträgt.
4. Halbleiterlaser (1) nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kavität (6) hin zum Klebemittel (5) gekrümmte Seitenwände (65) aufweist, sodass die Kavität (6) im
Querschnitt senkrecht zur Facette (30) gesehen in dem
Strahlungsaustrittsbereich (31) eine bikonvexe Gestalt aufweist,
wobei die Laserstrahlung (L) beabstandet vom Klebemittel (5) hin zur Lichteintrittsseite (41) verläuft.
5. Halbleiterlaser (1) nach Anspruch 1,
bei dem das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten
Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der
Laserstrahlung (L) ist,
wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 ym und 15 ym beträgt.
6. Halbleiterlaser (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die gesamte Lichteintrittsseite (41) von dem
Klebemittel (5) bedeckt ist, wobei ein Brechungsindexunterschied zwischen der Schutzabdeckung (4) und dem Klebemittel (5) bei einer
Wellenlänge maximaler Intensität der Laserstrahlung (L) und bei 300 K höchstens 0,1 beträgt.
7. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
bei dem die Schutzabdeckung (4) mindestens eines der
folgenden Materialien aufweist oder aus mindestens einem dieser Materialien besteht: Saphir, SiC,
wobei eine Wellenlänge maximaler Intensität der
Laserstrahlung (L) zwischen einschließlich 365 nm und 460 nm liegt .
8. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
bei dem das Klebemittel (5) anorganisch ist und mindestens ein Metall und/oder mindestens ein Glas umfasst oder hieraus besteht .
9. Halbleiterlaser (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Klebemittel (5) ein niederorganisches Silikon, Silazan und/oder Siloxan umfasst oder hieraus besteht.
10. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
bei dem die Lichteintrittsseite (41) mit einer Aufrauung (43) versehen ist, sodass die Lichteintrittsseite (41) dazu eingerichtet ist, reflektierte Laserstrahlung (L) diffus zu streuen und die reflektierte Laserstrahlung (L) nicht oder nur abgeschwächt zum Strahlungsaustrittsbereich (31) gelangt und/oder sodass ein Resonator der Laserdiode (3) von der reflektierten Laserstrahlung (L) ungestört bleibt.
11. Halbleiterlaser (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die eben geformte Lichteintrittsseite (41) schräg zur Facette (30) ausgerichtet ist, sodass an der
Lichteintrittsseite (41) reflektierte Laserstrahlung (L) vom Strahlungsaustrittsbereich (31) ferngehalten wird und/oder sodass ein Resonator der Laserdiode (3) von der reflektierten Laserstrahlung (L) ungestört bleibt,
wobei ein Winkel (□) zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 5° und 25° liegt.
12. Halbleiterlaser (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Schutzabdeckung (4) als bikonvexe Linse geformt ist,
wobei eine maximale Auswölbung der Lichteintrittsseite (41) hin zur Facette (30) außerhalb einer optischen Achse der
Laserstrahlung (L) liegt, sodass an der Lichteintrittsseite (41) reflektierte Laserstrahlung (L) vom
Strahlungsaustrittsbereich (31) ferngehalten wird und/oder sodass ein Resonator der Laserdiode (3) von der reflektierten Laserstrahlung (L) ungestört bleibt.
13. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
bei dem zumindest die Lichteintrittsseite (41) mit einer Antireflexbeschichtung (44) für die Laserstrahlung (L) versehen ist, sodass die Lichteintrittsseite (41) für die Laserstrahlung (L) eine Reflektivität von höchstens 0,5 % aufweist und/oder sodass ein Resonator der Laserdiode (3) von der reflektierten Laserstrahlung (L) ungestört bleibt.
14. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, bei dem zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist,
wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu
eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L)
Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen.
15. Halbleiterlaser (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem zumindest eine der Facette (30) abgewandte
Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer Antihaftbeschichtung (46) versehen ist,
wobei die Antihaftbeschichtung dazu eingerichtet ist,
Ablagerungen außen an der Schutzabdeckung (4) zu unterbinden.
16. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
bei dem sich die aktive Zone (33) an einer dem Träger (2) zugewandten Seite der Laserdiode (3) befindet,
wobei die Facette (30) den Träger (2) entlang einer
Laufrichtung der Laserstrahlung (L) überragt.
17. Halbleiterlaser (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
ferner umfassend ein Leuchtstoffelement (7) zur teilweisen Umwandlung der Laserstrahlung (L) , sodass der Halbleiterlaser (1) im Betrieb weißes Mischlicht abstrahlt,
wobei sich das Leuchtstoffelement (7) direkt an der
Lichtaustrittsseite (42) befindet.
18. Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches
Halbleiterbauteil (1) mit den Schritten:
- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (3) , der eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Strahlung (L) sowie einen Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist, und
- nachfolgend Erzeugen einer Schutzabdeckung (4) direkt an dem Strahlungsaustrittsbereich (31),
wobei
- die Schutzabdeckung (4) aus einem Glas ist und mittels Heißprägen erzeugt wird, und
- das Halbleiterbauteil (1) dazu eingerichtet ist, in
normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.
19. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (3) eine
Laserdiode mit einer Facette (30), die den
Strahlungsaustrittsbereich (31) beinhaltet, ist, und
wobei die Schutzabdeckung (4) eine Sammellinse ist und eine Seitenfläche (20) des Trägers (2), die mit einer Toleranz von höchstens 15° parallel zur Facette (30) verläuft, unmittelbar berührt .
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KR1020207013145A KR102425947B1 (ko) 2017-10-12 2018-10-08 반도체 레이저 및 광전자 반도체 소자들의 제조 방법
JP2022002276A JP7256302B2 (ja) 2017-10-12 2022-01-11 半導体レーザ
US17/971,156 US11870214B2 (en) 2017-10-12 2022-10-21 Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102344931B1 (ko) * 2020-08-14 2021-12-31 주식회사 레신저스 방출광을 대칭형 광으로 쉐이핑하는 폴리머 로드
WO2022084105A1 (de) * 2020-10-19 2022-04-28 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
US11749959B2 (en) 2018-07-19 2023-09-05 Osram Oled Gmbh Semiconductor laser

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018113711A1 (de) 2018-06-08 2019-12-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Apparat und scheinwerfer
DE102020118159A1 (de) 2020-07-09 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laservorrichtung
DE102022103260A1 (de) * 2022-02-11 2023-08-17 Ams-Osram International Gmbh Laserbauelement
WO2024074254A1 (en) 2022-10-05 2024-04-11 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic light source and data glasses

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334387A (ja) * 1989-06-29 1991-02-14 Nec Corp 半導体レーザ装置
US20070086501A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Nlight Photonics Corporation Diode laser array coupling optic and system
WO2014154662A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4001719A (en) * 1975-08-13 1977-01-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of a self-aligned mirror on a solid-state laser for controlling filamentation
JPS5923479B2 (ja) 1978-06-22 1984-06-02 三菱電機株式会社 半導体発光装置の製造方法
JPH0744313B2 (ja) * 1989-02-24 1995-05-15 日本電信電話株式会社 半導体レーザ装置
JPH02262389A (ja) * 1989-03-31 1990-10-25 Toshiba Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH043989A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Omron Corp 発光装置
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
WO1992006521A1 (en) * 1990-10-01 1992-04-16 United States Department Of Energy Laser diode assembly including a cylindrical lens
US5081639A (en) * 1990-10-01 1992-01-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser diode assembly including a cylindrical lens
US5206878A (en) * 1991-10-11 1993-04-27 At&T Bell Laboratories Wide strip diode laser employing a lens
JPH05134150A (ja) 1991-11-11 1993-05-28 Fujitsu Ltd 発光素子用集光レンズの製造方法
JP3197034B2 (ja) * 1991-12-04 2001-08-13 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
US5274732A (en) * 1992-01-06 1993-12-28 Eastman Kodak Company Mount for linear lens array
EP0562754A1 (de) * 1992-03-26 1993-09-29 Hewlett-Packard Company Optisches System für Laser
US5465265A (en) * 1992-06-24 1995-11-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Multi-beam laser light source and multi-beam semiconductor laser array
JP3381073B2 (ja) * 1992-09-28 2003-02-24 ソニー株式会社 半導体レーザ装置とその製造方法
US5414293A (en) * 1992-10-14 1995-05-09 International Business Machines Corporation Encapsulated light emitting diodes
ATE156275T1 (de) * 1993-01-04 1997-08-15 Philips Electronics Nv Strahlformendes optisches element, strahlungsquelle und abtasteinheit mit diesem element
JPH07115244A (ja) * 1993-10-19 1995-05-02 Toyota Motor Corp 半導体レーザー及びその製造方法
US5420722A (en) * 1993-10-25 1995-05-30 Creo Products Inc. Self-registering microlens for laser diodes
US5544184A (en) * 1994-06-10 1996-08-06 Sdl, Inc. Semiconductor illumination system with expansion matched components
JPH08191172A (ja) * 1995-01-12 1996-07-23 Ricoh Opt Ind Co Ltd 微小光学素子付き発光素子および微小光学素子
US5636059A (en) * 1995-02-08 1997-06-03 Blue Sky Research, Incorporated Cylindrical microlens external cavity for laser diode frequency control
US5757830A (en) * 1996-02-07 1998-05-26 Massachusetts Institute Of Technology Compact micro-optical edge-emitting semiconductor laser assembly
DE19640423C1 (de) 1996-09-30 1998-03-26 Siemens Ag Optoelektronisches Modul zur bidirektionalen optischen Datenübertragung
DE19706276B4 (de) * 1997-02-18 2011-01-13 Siemens Ag Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaser-Vorrichtung
KR100413791B1 (ko) * 1997-05-30 2004-02-14 삼성전자주식회사 굴곡 반사경을 부착한 청색 반도체 레이저 장치
US6636538B1 (en) * 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
DE19963805B4 (de) * 1999-12-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Weißlichtquelle auf der Basis nichtlinear-optischer Prozesse
JP2001242357A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Alps Electric Co Ltd 光半導体装置
DE10042904C2 (de) * 2000-08-31 2003-03-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterlaserchip mit integriertem Strahlformer und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaserchips mit integriertem Strahlformer
US20030007257A1 (en) * 2001-07-06 2003-01-09 Bell Bernard W. Facial contact lens system for laser diode
JP2003059087A (ja) 2001-08-15 2003-02-28 Sony Corp 光学素子、半導体レーザ、光検出器、光学ヘッドおよび光ディスク再生装置
JP3975066B2 (ja) * 2001-10-12 2007-09-12 株式会社トプコン レーザ発振装置
JP2003207601A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Ricoh Co Ltd 対物レンズ、光ピックアップモジュール及び光ディスク装置
US7295592B2 (en) 2002-03-08 2007-11-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light source device and optical communication module employing the device
US20030219211A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Yu-Sik Kim Method for aligning optical axis of an optical module
JP2004072004A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Keiji Tanaka マイクロレンズ付発光素子およびその形成方法
US7146106B2 (en) * 2002-08-23 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Optic semiconductor module and manufacturing method
JP4146196B2 (ja) * 2002-09-09 2008-09-03 株式会社リコー 複合光学装置およびその製造方法
EP1548475B1 (de) * 2003-12-26 2011-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Optische Halbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
CN100428590C (zh) * 2004-03-10 2008-10-22 松下电器产业株式会社 相干光源以及光学系统
DE102004014355B4 (de) * 2004-03-24 2010-07-29 Odelo Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements durch Ur- und Umformen
CA2502266A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-26 Kyocera Corporation External resonator and semiconductor laser module using the same
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
JP4961733B2 (ja) 2005-12-05 2012-06-27 ソニー株式会社 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
JP2008146750A (ja) 2006-12-11 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置に対する光学部材接着方法
US7764722B2 (en) * 2007-02-26 2010-07-27 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser element
CN102545055A (zh) * 2007-09-28 2012-07-04 三洋电机株式会社 氮化物类半导体发光二极管及其制造方法
JP2009088066A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Panasonic Corp 半導体装置
JP5228434B2 (ja) 2007-10-15 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102007063438A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Eagleyard Photonics Gmbh Lasermodul mit Kollimationsoptik, mit geringem Wärmewiderstand und spannungsarmen Aufbau
JP2009251224A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール及びその組立方法
JP2009260118A (ja) 2008-04-18 2009-11-05 Konica Minolta Opto Inc 光学モジュール
US8619832B2 (en) * 2008-05-08 2013-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Lens coupled quantum cascade laser
WO2010005027A1 (ja) 2008-07-10 2010-01-14 浜岡東芝エレクトロニクス株式会社 半導体レーザ装置
JP4982469B2 (ja) * 2008-10-31 2012-07-25 株式会社日立製作所 光モジュール
JP2010147359A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Hitachi Ltd 光モジュール
JP2011003889A (ja) * 2009-05-21 2011-01-06 Nichia Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
DE102009040834B4 (de) * 2009-09-09 2013-10-31 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung zum Schutz eines kantenemittierenden Laserdiodenelementes
JP5707862B2 (ja) 2009-11-05 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPWO2011074215A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 パナソニック株式会社 波長変換レーザ光源、光学素子及び画像表示装置
DE102010015197A1 (de) * 2010-04-16 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserlichtquelle
JP5765619B2 (ja) * 2010-04-19 2015-08-19 東芝ライテック株式会社 発光装置
JP2012212734A (ja) 2011-03-30 2012-11-01 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ装置
JP5996215B2 (ja) * 2012-02-28 2016-09-21 オリンパス株式会社 光電変換モジュールおよび光伝送ユニット
CN102872779B (zh) 2012-07-27 2014-12-17 深圳大学 用于光催化反应的光子晶体光纤的制备方法
DE102012106943B4 (de) * 2012-07-30 2019-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiode
KR20140021483A (ko) * 2012-08-09 2014-02-20 한국전자통신연구원 광송신기 및 이를 포함한 광송수신기
US20140044436A1 (en) 2012-08-09 2014-02-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical transmitter and optical transceiver comprising optical transmitter
DE102012215684A1 (de) * 2012-09-04 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012217652B4 (de) * 2012-09-27 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil
JP5616471B2 (ja) * 2013-03-05 2014-10-29 株式会社フジクラ 半導体レーザモジュール及びその製造方法
EP2720326A1 (de) 2013-03-12 2014-04-16 Axetris AG Gasdetektions-Laserlichtquelle mit reduzierter optischer Rückkopplung
JP2014232790A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 パナソニック株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
WO2014192939A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 古河電気工業株式会社 光学モジュール
US11646549B2 (en) * 2014-08-27 2023-05-09 Nuburu, Inc. Multi kW class blue laser system
WO2016060615A1 (en) * 2014-10-14 2016-04-21 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical element stack assemblies
JP6508466B2 (ja) 2015-05-29 2019-05-08 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US10033151B2 (en) * 2015-12-15 2018-07-24 Nlight, Inc. Laser module with meniscus collimating lens
JP7024410B2 (ja) * 2016-01-28 2022-02-24 ソニーグループ株式会社 半導体発光装置
DE102016101942B4 (de) * 2016-02-04 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung
US10048498B2 (en) * 2016-03-25 2018-08-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module
US10551596B2 (en) * 2016-06-29 2020-02-04 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical and optoelectronic assemblies including micro-spacers, and methods of manufacturing the same
EP3602703A1 (de) * 2017-04-07 2020-02-05 Huawei Technologies Co., Ltd. Laser
US10404038B2 (en) * 2017-06-22 2019-09-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quantum cascade laser
DE102018106959A1 (de) * 2018-03-23 2019-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
CN108400520B (zh) * 2018-03-28 2024-04-09 赵智亮 波长连续可调谐单纵模半导体激光器
DE102018117518A1 (de) * 2018-07-19 2020-01-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser
DE102018128751A1 (de) * 2018-11-15 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334387A (ja) * 1989-06-29 1991-02-14 Nec Corp 半導体レーザ装置
US20070086501A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Nlight Photonics Corporation Diode laser array coupling optic and system
WO2014154662A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11749959B2 (en) 2018-07-19 2023-09-05 Osram Oled Gmbh Semiconductor laser
KR102344931B1 (ko) * 2020-08-14 2021-12-31 주식회사 레신저스 방출광을 대칭형 광으로 쉐이핑하는 폴리머 로드
WO2022035112A1 (ko) * 2020-08-14 2022-02-17 주식회사 레신저스 방출광을 대칭형 광으로 쉐이핑하는 폴리머 로드
WO2022084105A1 (de) * 2020-10-19 2022-04-28 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
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