JPH07115244A - 半導体レーザー及びその製造方法 - Google Patents

半導体レーザー及びその製造方法

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JPH07115244A
JPH07115244A JP5261086A JP26108693A JPH07115244A JP H07115244 A JPH07115244 A JP H07115244A JP 5261086 A JP5261086 A JP 5261086A JP 26108693 A JP26108693 A JP 26108693A JP H07115244 A JPH07115244 A JP H07115244A
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laser chip
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semiconductor laser
convex lens
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JP5261086A
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Akinori Seki
章憲 関
Toyokazu Onishi
豊和 大西
Jiro Nakano
次郎 中野
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Toyota Motor Corp
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Toyota Motor Corp
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    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザーチップスタックに固定される
凸レンズの形成と外部光学系の設計を容易にすること。 【構成】 発光部となる活性層１３、２３が厚さ方向の
ほぼ中央に形成され、この活性層１３、２３の両端に互
いに対向する一対の反射面３４、３５が形成された半導
体レーザーチップスタック１と、前記一対の反射面３
４、３５の内一方の一部透過反射面３４に固定され、こ
の反射面３４から放出されるレーザー光を集光する透光
性材料製凸レンズ３６とを具備する半導体レーザー。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー及びそ
の製造方法に関し、特に、製造が容易な半導体レーザー
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザーにおいて、発光効
率を向上させるための技術的工夫がなされている。実開
平２−９２９６１号公報は、この技術的工夫の従来例を
開示している。図１２はこの従来例の断面構造を示す。
図１２において、半導体レーザーチップ８０は、ｎ−Ｇ
ａＡｓ基板８２、ｎ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓクラッド層
８３、アンドープドＧａＡｓ活性層８４、ｐ−Ａｌ0.35
Ｇａ0.65Ａｓクラッド層８５及びｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層８６を積層形成したものである。Ｎ側電極８１はｎ
−ＧａＡｓ基板８２に固定され、Ｐ側電極８７はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層８６に固定されている。絶縁性保護
膜９１は半導体レーザーチップ８０の発光端面９２に固
定されている。この絶縁性保護膜９１の内活性層８４の
端部に対向する部分に突起状凸レンズ９１ａが形成され
ている。以上の構成によって、活性層８４の端部から放
出されるレーザー光を突起状凸レンズ９１ａで集光する
ことができる。このため、実質的な発光効率を向上させ
ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述の従来例に
おいて、活性層８４が半導体レーザーチップ８０の厚さ
方向の中央部分でなく、Ｐ側電極８７に近い部分に形成
されている。なお、図１２において、半導体レーザーチ
ップ８０の厚さ方向の長さの内、ｄｅは２〜２０μｍ、
ｄｓは１００〜２００μｍである。このため、樹脂滴下
法により突起状凸レンズ９１ａを形成したときに、突起
状凸レンズ９１ａの光軸を活性層８４の端部に位置させ
ることが不可能であった。更に、外部光学系において集
光用レンズ等の設計が複雑となった。したがって、本発
明の課題は、上述の従来例の欠点をなくし、突起状凸レ
ンズの形成及び外部光学系の設計が容易な半導体レーザ
ー及びその製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本願の第１の発明は、発光部となる活性層が厚さ方向の
ほぼ中央に形成され、この活性層の両端に互いに対向す
る一対の反射面が形成された半導体レーザーチップスタ
ックと、前記一対の反射面の内一方の一部透過反射面に
固定され、この一部透過反射面から放出されるレーザー
光を集光する透光性材料製凸レンズとを具備することを
特徴とする半導体レーザーである。更に、第２の発明
は、第１クラッド層となる一導電型半導体基板上に、第
１活性層及び第２クラッド層となる他導電型半導体層を
順次積層形成して第１レーザーチップを形成する工程
と、第３クラッド層となる他導電型半導体基板上に、第
２活性層及び第４クラッド層となる一導電型半導体層を
順次積層形成して第２レーザーチップを形成する工程
と、前記他導電型半導体層の表面と前記一導電型半導体
層の表面とを接合して半導体レーザーチップスタックを
形成する工程と、前記第１活性層及び第２活性層の両端
に形成された互いに対向する一対の反射面の内一方の一
部透過反射面に透光性材料製凸レンズを固定する工程と
を具備することを特徴とする半導体レーザーの製造方法
である。
【０００５】
【作用】上記第１の発明によって、発光部となる活性層
が半導体レーザーチップスタックの厚さ方向のほぼ中央
に形成されているので、この活性層の一方の端に形成さ
れた一部透過反射面にレーザー光を集光する透光性材料
製凸レンズを固定することが容易である。更に、外部光
学系の設計も容易になる。更に、第２の発明によって、
第１レーザーチップの第２クラッド層となる他導電型半
導体層と第２レーザーチップの第４クラッド層となる一
導電型半導体層とを接合しているので、第１レーザーチ
ップの厚さの大部分を占める一導電型半導体基板と第２
レーザーチップの厚さの大部分を占める他導電型半導体
基板とが第１及び第２活性層の外側に配置されることに
なる。このため、第１及び第２活性層は、半導体レーザ
ーチップスタックの厚さ方向のほぼ中央に配置されるこ
とになる。したがって、第１及び第２活性層からのレー
ザー光を集光する透光性材料製凸レンズを第１及び第２
活性層の一方の端に形成された一部透過反射面に固定す
ることが容易となり、更に、外部光学系の設計も容易と
なる。
【０００６】
【実施例】次に、本願の第１及び第２の発明の実施例を
図面を参照して説明する。図１は第１及び第２の発明の
一実施例の断面構造を示す。図１において、第１レーザ
ーチップ１０は、ｐ+ −ＧａＡｓ第１基板１１、ｐ−Ａ
ｌx Ｇａ1-X Ａｓ第１クラッド層１２、アンドープドＧ
ａＡｓ第１活性層１３、ｎ−Ａｌx Ｇａ1- X Ａｓ第２ク
ラッド層１４及びｎ+ −ＧａＡｓ第１コンタクト層１５
を順次積層形成したものである。また、第２レーザーチ
ップ２０は、ｎ+ −ＧａＡｓ第２基板２１、ｎ−Ａｌx
Ｇａ1-X Ａｓ第３クラッド層２２、アンドープドＧａＡ
ｓ第２活性層２３、ｐ−Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓ第４クラッ
ド層２４及びｐ+ −ＧａＡｓ第２コンタクト層２５を順
次積層形成したものである。半田層３１は、第１レーザ
ーチップ１０のｎ+ −ＧａＡｓ第１コンタクト層１５の
表面と第２レーザーチップ２０のｐ+ −ＧａＡｓ第２コ
ンタクト層２５の表面とを接合して、半導体レーザーチ
ップスタック１を形成している。Ｐ側電極３２はｐ+ −
ＧａＡｓ第１基板１１の表面に固定され、Ｎ側電極３３
はｎ+ −ＧａＡｓ第２基板２１の表面に固定されてい
る。互いに対向する一対の第１反射面３４及び第２反射
面３５は、アンドープドＧａＡｓ第１活性層１３及びア
ンドープドＧａＡｓ第２活性層２３の両端に形成されて
いる。第１反射面３４は一部透過反射面であり、第２反
射面３５は、高反射率薄膜で形成され、第１反射面３４
に比べて十分高い反射率を有する反射面である。透光性
材料製凸レンズ３６は、透明エポキシ樹脂製であり、第
１反射面３４に固定されている。この凸レンズ３６は、
第１反射面３４に透明エポキシ樹脂を滴下すること若し
くは第１反射面３４を透明エポキシ樹脂に浸漬するこ
と、又は成形型を使用する方法によって形成される。な
お、３７はレーザー光の射出方向である。なお、上述の
半導体レーザーチップスタック１及び凸レンズ３６は、
複数個分が同時に形成され、その後カッティングによっ
て１個毎に分離される。また、この場合のカッティング
面は、図１の紙面と平行である。このため、凸レンズ３
６は、半球状ではなく、半円柱状である。
【０００７】以上の構成によって、第１レーザーチップ
１０の第２クラッド層１４と第２レーザーチップ２０の
第４クラッド層２４とを第１コンタクト層１５、半田層
３１及び第２コンタクト層２５を介して接合しているの
で、第１レーザーチップ１０の厚さの大部分を占める第
１基板１１と第２レーザーチップの厚さの大部分を占め
る第２基板２１とが第１活性層１３及び第２活性層２３
の外側に配置されることになる。このため、第１活性層
１３及び第２活性層２３は、半導体レーザーチップスタ
ック１の厚さ方向のほぼ中央に配置されることになる。
したがって、第１活性層１３及び第２活性層２３からの
レーザー光を集光する透光性材料製凸レンズ３６の製造
が容易となる。更に、発光する第１活性層１３及び第２
活性層２３が凸レンズ３６の光軸に対称かつ近接して配
置されるため、凸レンズ３６の光軸に対称な放射パター
ンを持つレーザー光のビームが得られる。このため、外
部に更にレンズを設ける必要がある場合、外部光学系の
設計が簡単になる。なお、上述の実施例において、凸レ
ンズ３６の形状は、半円柱状に限定されず、半球状等の
形状でもよい。
【０００８】図２〜図１１は、第２の発明の一実施例の
製造工程を示す。図２において、半導体レーザーチップ
４０は、ｎ−ＧａＡｓ基板４１、ｎ−ＧａＡｓバッファ
層４２、ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層４３、ｎ
−Ａｌ0. 3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４４、ＧａＡｓ活性
層４５、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４６、ｐ
+ −ＧａＡｓコンタクト層４７をエピタキシャル成長に
より積層形成したものである。更に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／
Ａｕ層からなるＮ用電極４８がｎ−ＧａＡｓ基板４１の
図示下面に固定され、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ層からなるＰ用
電極４９がｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層４７の図示上面
に固定されている。図３において、半導体レーザーチッ
プ５０は、ｐ−ＧａＡｓ基板５１、ｐ+ −ＧａＡｓバッ
ファ層５２、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層５
３、ＧａＡｓ活性層５４、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓク
ラッド層５５、ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6Ａｓクラッド層５
６、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５７をエピタキシャル成
長により積層形成したものである。更に、Ｃｒ／Ｐｔ／
Ａｕ層からなるＰ用電極５８がｐ−ＧａＡｓ基板５１の
図示下面に固定され、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ層からなる
Ｎ用電極５９がｎ−ＧａＡｓコンタクト層５７の図示上
面に固定されている。
【０００９】図４においては、半導体レーザーチップ４
０のＰ用電極４９と半導体レーザーチップ５０のＮ用電
極５９とが半田層６０により接合されている。図５にお
いて、半導体レーザーチップ４０ａは半導体レーザーチ
ップ４０の実際の構造である。各層の厚さは、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板４１が１００μｍ、ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
クラッド層４３が１．５μｍ、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａ
ｓクラッド層４４が０．５μｍ、ＧａＡｓ活性層４５が
０．０５μｍ、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４
６が１．５μｍ、ｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層４７が１
μｍである。ただし、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ層からなる
Ｎ用電極４８ａがｎ−ＧａＡｓ基板４１の図示下面に固
定され、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ層からなるＰ用電極４９ａが
ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層４７の図示上面に固定され
ている。また、電流狭窄用ＳｉＮ絶縁体層４９ｂが層厚
０．５μｍにて形成されている。半導体レーザー４０ａ
の図示横方向の長さＬは４００〜６００μｍである。電
流狭窄用ＳｉＮ絶縁体層４９ｂのために、ＧａＡｓ活性
層４５のうち点線のループ４５ａ内の部分が実際の発光
領域となる。なお、この場合図５の紙面に垂直方向に共
振器長が設定され、この方向にレーザー光が放射され
る。図６は、複数（図６では８個）の半導体レーザーチ
ップを製造するためのレーザーバー６１の正面を示す。
レーザーバー６１において、６１ａ〜６１ｈは電極の形
状である。図７は、レーザーバー６１の平面を示す。レ
ーザーバー６１の両側面は端面コート６４ａ、６４ｂで
覆われている。図８は、レーザーバー６１とレーザーバ
ー６２とを半田層６３で接合したものである。レーザー
バー６２の電極６２ａ〜６２ｈは、レーザーバー６１の
電極６１ａ〜６１ｈに対応している。図９は図８に示す
ものの平面を示す。図９において、端面コート６４ａの
外側に凸レンズ６５が固定されている。図１０は図９に
示すものの側面を示す。図１１は、１個づつの半導体レ
ーザーチップを形成するためのカッティング面６６ａ〜
６６ｇを示す。このようにして、上述の図１に示す半導
体レーザーと同様のものを製造することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体レーザーによれば、半導体レーザーチップスタック
に固定されている凸レンズの形成及び外部光学系の設計
が容易になる。このため、更に半導体レーザーを使用し
た光学系のコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の発明の一実施例の断面図である。
【図２】第２の発明の製造工程を示す断面図である。
【図３】第２の発明の製造工程を示す断面図である。
【図４】第２の発明の製造工程を示す断面図であり、図
２及び図３の続きである。
【図５】図２の半導体レーザーチップの実際の構造を示
す断面図である。
【図６】第２の発明の製造工程を示す正面図である。
【図７】第２の発明の製造工程を示す平面図であり、図
６の続きである。
【図８】第２の発明の製造工程を示す正面図であり、図
７の続きである。
【図９】第２の発明の製造工程を示す平面図であり、図
８の続きである。
【図１０】図９に示すものの側面図である。
【図１１】第２の発明の製造工程を示す平面図であり、
図９の続きである。
【図１２】従来例の断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザーチップスタック １０ 第１レーザーチップ １１ 第１基板 １２ 第１クラッド層 １３ 第１活性層 １４ 第２クラッド層 １５ 第１コンタクト層 ２０ 第２レーザーチップ ２１ 第２基板 ２２ 第３クラッド層 ２３ 第２活性層 ２４ 第４クラッド層 ２５ 第２コンタクト層 ３１ 半田層 ３４ 第１反射面 ３５ 第２反射面 ３６、６５ 凸レンズ ３７ レーザ光射出方向

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光部となる活性層が厚さ方向のほぼ中
    央に形成され、この活性層の両端に互いに対向する一対
    の反射面が形成された半導体レーザーチップスタック
    と、 前記一対の反射面の内一方の一部透過反射面に固定さ
    れ、この一部透過反射面から放出されるレーザー光を集
    光する透光性材料製凸レンズとを具備することを特徴と
    する半導体レーザー。
  2. 【請求項２】 第１クラッド層となる一導電型半導体基
    板上に、第１活性層及び第２クラッド層となる他導電型
    半導体層を順次積層形成して第１レーザーチップを形成
    する工程と、 第３クラッド層となる他導電型半導体基板上に、第２活
    性層及び第４クラッド層となる一導電型半導体層を順次
    積層形成して第２レーザーチップを形成する工程と、 前記他導電型半導体層の表面と前記一導電型半導体層の
    表面とを接合して半導体レーザーチップスタックを形成
    する工程と、 前記第１活性層及び第２活性層の両端に形成された互い
    に対向する一対の反射面の内一方の一部透過反射面に透
    光性材料製凸レンズを固定する工程とを具備することを
    特徴とする半導体レーザーの製造方法。
JP5261086A 1993-10-19 1993-10-19 半導体レーザー及びその製造方法 Pending JPH07115244A (ja)

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DE69402147T DE69402147T2 (de) 1993-10-19 1994-10-18 Halbleiterlaser mit Linse und dessen Herstellungsverfahren
US08/324,706 US5553089A (en) 1993-10-19 1994-10-18 Semiconductor laser stack with lens and method of manufacturing the same
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0983063A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Nec Corp 半導体装置の端面形成方法
WO1997033352A1 (fr) * 1996-03-08 1997-09-12 Nippon Aspherical Lens Co., Ltd. Lentille, element laser a semi-conducteur, dispositif d'usinage de la lentille et de l'element, procede de fabrication de l'element laser a semi-conducteur, element optique et dispositif et procede d'usinage dudit element optique
JP2002232061A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
US6632659B1 (en) * 1999-09-10 2003-10-14 S.M. Sze Apparatus and method for UV oxidation and microbiological decomposition of organic waste air
JP2009277815A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Sony Corp 半導体発光素子

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995035582A2 (en) * 1994-06-20 1995-12-28 Philips Electronics N.V. Radiation-emitting semiconductor index-guided diode
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
KR100298829B1 (ko) 1999-07-21 2001-11-01 윤종용 칩 사이즈 패키지의 솔더 접합 구조 및 방법
US6693033B2 (en) 2000-02-10 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface
JP2001284725A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Seiko Epson Corp 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
US6555946B1 (en) 2000-07-24 2003-04-29 Motorola, Inc. Acoustic wave device and process for forming the same
DE10042904C2 (de) * 2000-08-31 2003-03-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterlaserchip mit integriertem Strahlformer und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaserchips mit integriertem Strahlformer
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7053419B1 (en) * 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6493497B1 (en) 2000-09-26 2002-12-10 Motorola, Inc. Electro-optic structure and process for fabricating same
US6638838B1 (en) 2000-10-02 2003-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same
US6501121B1 (en) 2000-11-15 2002-12-31 Motorola, Inc. Semiconductor structure
US6673646B2 (en) 2001-02-28 2004-01-06 Motorola, Inc. Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6646293B2 (en) 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US6667196B2 (en) 2001-07-25 2003-12-23 Motorola, Inc. Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method
US6589856B2 (en) 2001-08-06 2003-07-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices
US6639249B2 (en) 2001-08-06 2003-10-28 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
US6673667B2 (en) 2001-08-15 2004-01-06 Motorola, Inc. Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials
EP1520203A4 (en) * 2002-06-18 2005-08-24 Nanoopto Corp OPTICAL COMPONENT WITH ADVANCED FUNCTIONALITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US7009213B2 (en) * 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US20080012034A1 (en) * 2006-07-17 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
US7737636B2 (en) * 2006-11-09 2010-06-15 Intematix Corporation LED assembly with an LED and adjacent lens and method of making same
TW200835100A (en) * 2007-02-13 2008-08-16 Aurotek Corp Laser diode
DE102017123798B4 (de) * 2017-10-12 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2046005B (en) * 1979-03-29 1983-02-09 Standard Telephones Cables Ltd Injection laser devices
US4605942A (en) * 1984-10-09 1986-08-12 At&T Bell Laboratories Multiple wavelength light emitting devices
JPS63100790A (ja) * 1986-10-17 1988-05-02 Nec Corp 半導体レ−ザモジユ−ル
US4927870A (en) * 1988-08-25 1990-05-22 The Dow Chemical Company Ignition resistant modified thermoplastic composition
US5081639A (en) * 1990-10-01 1992-01-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser diode assembly including a cylindrical lens
US5086431A (en) * 1990-12-21 1992-02-04 Santa Barbara Research Center Increased intensity laser diode source configuration
US5206878A (en) * 1991-10-11 1993-04-27 At&T Bell Laboratories Wide strip diode laser employing a lens
US5212706A (en) * 1991-12-03 1993-05-18 University Of Connecticut Laser diode assembly with tunnel junctions and providing multiple beams

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0983063A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Nec Corp 半導体装置の端面形成方法
WO1997033352A1 (fr) * 1996-03-08 1997-09-12 Nippon Aspherical Lens Co., Ltd. Lentille, element laser a semi-conducteur, dispositif d'usinage de la lentille et de l'element, procede de fabrication de l'element laser a semi-conducteur, element optique et dispositif et procede d'usinage dudit element optique
US6632659B1 (en) * 1999-09-10 2003-10-14 S.M. Sze Apparatus and method for UV oxidation and microbiological decomposition of organic waste air
JP2002232061A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
JP2009277815A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Sony Corp 半導体発光素子
JP4656183B2 (ja) * 2008-05-14 2011-03-23 ソニー株式会社 半導体発光素子
US7965750B2 (en) 2008-05-14 2011-06-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device
US8102890B2 (en) 2008-05-14 2012-01-24 Sony Corporation Semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0649203A1 (en) 1995-04-19
DE69402147T2 (de) 1997-08-28
EP0649203B1 (en) 1997-03-19
DE69402147D1 (de) 1997-04-24
US5553089A (en) 1996-09-03

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