JP2001284725A - 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザおよびその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18388—Lenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高レーザ出力が得られ、かつレーザ放射角が
狭い面発光型半導体レーザおよびその製法方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ１００
は、柱状部１１０を含む共振器１２０が形成され、凸レ
ンズ形状を有する出射部１１１が柱状部１１０の上面に
形成される。柱状部１１０は埋め込み構造を有し、柱状
部１１０の周囲が埋込層１０６によって埋め込まれて形
成される。埋込層１０６は、出射部１１１を形成するた
めに用いる材料に対して非親和性を有する物質からな
る。
狭い面発光型半導体レーザおよびその製法方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ１００
は、柱状部１１０を含む共振器１２０が形成され、凸レ
ンズ形状を有する出射部１１１が柱状部１１０の上面に
形成される。柱状部１１０は埋め込み構造を有し、柱状
部１１０の周囲が埋込層１０６によって埋め込まれて形
成される。埋込層１０６は、出射部１１１を形成するた
めに用いる材料に対して非親和性を有する物質からな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に対し
て垂直にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザおよ
びその製造方法に関する。
て垂直にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】面発光型半導体レーザは、半導体基板に対
して垂直にレーザ光を出射する半導体レーザであり、半
導体基板上に垂直方向に共振器が設けられている。この
共振器は、レーザ光を発振させた後出射させるものであ
り、反射層、活性層、反射層が順に積層されて構成され
る。
して垂直にレーザ光を出射する半導体レーザであり、半
導体基板上に垂直方向に共振器が設けられている。この
共振器は、レーザ光を発振させた後出射させるものであ
り、反射層、活性層、反射層が順に積層されて構成され
る。
【０００３】面発光型半導体レーザの優れた特徴の一つ
として、端面レーザに比べてレーザ放射角が等方的であ
り、かつ小さいため、光学素子との結合効率が良いこと
が挙げられる。このため、面発光型半導体レーザは、た
とえば、末端系の大コア径の光ファイバを用いた光ファ
イバ通信において、光源としての応用が期待されてい
る。
として、端面レーザに比べてレーザ放射角が等方的であ
り、かつ小さいため、光学素子との結合効率が良いこと
が挙げられる。このため、面発光型半導体レーザは、た
とえば、末端系の大コア径の光ファイバを用いた光ファ
イバ通信において、光源としての応用が期待されてい
る。
【０００４】また、末端系の光ファイバ通信において
は、光送信モジュールの構成の簡略化、設置の容易化、
および低コスト化が要求されている。そこで、面発光型
半導体レーザを大コア径の光ファイバ、たとえばプラス
チック光ファイバ等に適用することにより、光ファイバ
と光源との間にレンズを介さずにレーザ光を光ファイバ
に直接入射させて、光効率の向上を図る方法が検討され
ている。この方法によれば、効率良く光ファイバにレー
ザ光を入射することができるため、きわめて簡単な構成
の光送信モジュールを実現することができる。
は、光送信モジュールの構成の簡略化、設置の容易化、
および低コスト化が要求されている。そこで、面発光型
半導体レーザを大コア径の光ファイバ、たとえばプラス
チック光ファイバ等に適用することにより、光ファイバ
と光源との間にレンズを介さずにレーザ光を光ファイバ
に直接入射させて、光効率の向上を図る方法が検討され
ている。この方法によれば、効率良く光ファイバにレー
ザ光を入射することができるため、きわめて簡単な構成
の光送信モジュールを実現することができる。
【０００５】しかしながら、プラスチック光ファイバに
は伝達損失が大きいという欠点があるため、伝達距離を
長くする必要がある場合には、レーザ光出力の大きな光
源が必要になる。面発光型半導体レーザのレーザ光出力
を増やすための一手法として、レーザ光の出射口径を大
きくすることが挙げられる。しかしながら、レーザ光の
出射口径を大きくするとレーザ光の放射角が大きくなる
という問題が生じる。レーザ光の放射角の増大は、結合
効率の低下および取りつけマージンの減少などを招く結
果となり、光通信モジュールの構成を簡略化することが
難しくなる。すなわち、伝送距離の長さを確保すること
と、光通信モジュールの構成を簡略化することとの両立
が難しいという問題があった。
は伝達損失が大きいという欠点があるため、伝達距離を
長くする必要がある場合には、レーザ光出力の大きな光
源が必要になる。面発光型半導体レーザのレーザ光出力
を増やすための一手法として、レーザ光の出射口径を大
きくすることが挙げられる。しかしながら、レーザ光の
出射口径を大きくするとレーザ光の放射角が大きくなる
という問題が生じる。レーザ光の放射角の増大は、結合
効率の低下および取りつけマージンの減少などを招く結
果となり、光通信モジュールの構成を簡略化することが
難しくなる。すなわち、伝送距離の長さを確保すること
と、光通信モジュールの構成を簡略化することとの両立
が難しいという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高レ
ーザ出力が得られ、かつレーザ放射角が狭い面発光型半
導体レーザおよびその製法方法を提供することにある。
ーザ出力が得られ、かつレーザ放射角が狭い面発光型半
導体レーザおよびその製法方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】（Ａ）本発明にかかる面
発光型半導体レーザは、共振器が半導体基板上に垂直方
向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向
へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、
前記共振器は、少なくとも一部に柱状の半導体堆積体を
含み、凸レンズ形状を有する出射部が前記半導体堆積体
の上面に形成され、前記半導体堆積体は埋め込み構造を
有し、その周囲が埋込層によって埋め込まれており、前
記埋込層は、前記出射部を形成するために用いる材料に
対して非親和性を有する物質から形成されることを特徴
とする。
発光型半導体レーザは、共振器が半導体基板上に垂直方
向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向
へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、
前記共振器は、少なくとも一部に柱状の半導体堆積体を
含み、凸レンズ形状を有する出射部が前記半導体堆積体
の上面に形成され、前記半導体堆積体は埋め込み構造を
有し、その周囲が埋込層によって埋め込まれており、前
記埋込層は、前記出射部を形成するために用いる材料に
対して非親和性を有する物質から形成されることを特徴
とする。
【０００８】ここで、前記出射部を形成するために用い
る材料に対して非親和性を有する物質とは、前記出射部
を形成するために用いる材料を撥液する性質を有する物
質をいう。したがって、前記出射部を形成するために用
いる材料は、前記物質に対して濡れ性が低い。
る材料に対して非親和性を有する物質とは、前記出射部
を形成するために用いる材料を撥液する性質を有する物
質をいう。したがって、前記出射部を形成するために用
いる材料は、前記物質に対して濡れ性が低い。
【０００９】前記出射部を形成するために用いる材料に
対して非親和性を有する物質としては、無機材料や樹脂
が挙げられる。たとえば、樹脂の場合には、フッ素系樹
脂であることが望ましい。
対して非親和性を有する物質としては、無機材料や樹脂
が挙げられる。たとえば、樹脂の場合には、フッ素系樹
脂であることが望ましい。
【００１０】この構成によれば、高レーザ出力が得ら
れ、かつレーザ放射角が狭い面発光型半導体レーザとす
ることができる。詳しくは、本実施の形態の欄で述べ
る。
れ、かつレーザ放射角が狭い面発光型半導体レーザとす
ることができる。詳しくは、本実施の形態の欄で述べ
る。
【００１１】前記面発光型半導体レーザの好ましい態様
としては、（１）〜（４）を例示できる。
としては、（１）〜（４）を例示できる。
【００１２】（１）前記共振器に電流を注入するための
電極を、前記半導体堆積体の上面に形成することができ
る。
電極を、前記半導体堆積体の上面に形成することができ
る。
【００１３】（２）前記半導体堆積体と前記出射部との
接合面における該出射部の径を、前記半導体堆積体の上
面の径とほぼ等しくすることができる。この構成によれ
ば、前記半導体堆積体と前記出射部との接合面における
該出射部の径を前記半導体堆積体の上面の径に揃えるこ
とができるため、特に面発光型半導体レーザをアレイ化
して形成する場合には、大きさの揃った出射部を形成す
ることができる。また、前記半導体堆積体の上面の径
と、前記半導体堆積体と前記出射部との接合面における
該出射部の径とがほぼ一致することにより、前記出射部
の光軸と、前記半導体堆積体の中心を通り該半導体堆積
体の上面に垂直な軸とがほぼ一致する。さらに、出射さ
れるレーザ光の光軸は、前記半導体堆積体の中心を通り
該半導体堆積体の上面に垂直な軸とほぼ一致している。
したがって、前記出射部の光軸と、レーザ光の光軸と、
前記半導体堆積体の中心を通り該半導体堆積体の上面に
垂直な軸とがほぼ一致するため、光軸ずれが少ない面発
光型半導体レーザを得ることができる。
接合面における該出射部の径を、前記半導体堆積体の上
面の径とほぼ等しくすることができる。この構成によれ
ば、前記半導体堆積体と前記出射部との接合面における
該出射部の径を前記半導体堆積体の上面の径に揃えるこ
とができるため、特に面発光型半導体レーザをアレイ化
して形成する場合には、大きさの揃った出射部を形成す
ることができる。また、前記半導体堆積体の上面の径
と、前記半導体堆積体と前記出射部との接合面における
該出射部の径とがほぼ一致することにより、前記出射部
の光軸と、前記半導体堆積体の中心を通り該半導体堆積
体の上面に垂直な軸とがほぼ一致する。さらに、出射さ
れるレーザ光の光軸は、前記半導体堆積体の中心を通り
該半導体堆積体の上面に垂直な軸とほぼ一致している。
したがって、前記出射部の光軸と、レーザ光の光軸と、
前記半導体堆積体の中心を通り該半導体堆積体の上面に
垂直な軸とがほぼ一致するため、光軸ずれが少ない面発
光型半導体レーザを得ることができる。
【００１４】（３）前記電極は金属からなることが望ま
しい。
しい。
【００１５】（４）前記出射部は、高分子化合物からな
ることが望ましい。
ることが望ましい。
【００１６】（Ｂ）本発明にかかる面発光型半導体レー
ザの製造方法は、以下の工程（ａ）〜（ｅ）により形成
することができる。
ザの製造方法は、以下の工程（ａ）〜（ｅ）により形成
することができる。
【００１７】（ａ）半導体基板上に、柱状の半導体堆積
体を含む共振器を形成する工程、（ｂ）前記半導体堆積
体の上面の所定領域が露出した状態で、前記共振器に電
流を注入するための電極を形成する工程、（ｃ）硬化さ
せると凸レンズ形状を有する出射部を形成するための液
状物に対して非親和性を有する物質によって前記半導体
堆積体の周囲を埋め込むことにより、該半導体堆積体の
周囲に埋込層を形成して、該半導体堆積体を埋め込み構
造とする工程、（ｄ）前記半導体堆積体の上面に前記液
状物を配置する工程、および（ｅ）前記液状物を硬化さ
せて、前記出射部を形成する工程。
体を含む共振器を形成する工程、（ｂ）前記半導体堆積
体の上面の所定領域が露出した状態で、前記共振器に電
流を注入するための電極を形成する工程、（ｃ）硬化さ
せると凸レンズ形状を有する出射部を形成するための液
状物に対して非親和性を有する物質によって前記半導体
堆積体の周囲を埋め込むことにより、該半導体堆積体の
周囲に埋込層を形成して、該半導体堆積体を埋め込み構
造とする工程、（ｄ）前記半導体堆積体の上面に前記液
状物を配置する工程、および（ｅ）前記液状物を硬化さ
せて、前記出射部を形成する工程。
【００１８】ここで、液状物とは、前記出射部を形成す
るために用いる材料をいい、前記液状物に対して非親和
性を有する物質とは、前記液状物を撥液する性質を有す
る物質をいう。すなわち、前記液状物は前記物質に対し
て濡れ性が低いという性質を有する。
るために用いる材料をいい、前記液状物に対して非親和
性を有する物質とは、前記液状物を撥液する性質を有す
る物質をいう。すなわち、前記液状物は前記物質に対し
て濡れ性が低いという性質を有する。
【００１９】この方法によれば、前記液状物に対して非
親和性を有する物質によって前記半導体堆積体の周囲を
埋め込むことにより、該半導体堆積体の周囲に埋込層を
形成して、前記共振器を埋め込み構造とし、さらに、該
半導体堆積体の上面に前記液状物を供給してやり、該液
状物を硬化させることのみで、マイクロレンズとして機
能する出射部をセルフアラインで形成することができ
る。すなわち、前記半導体堆積体の上面および前記埋込
層の表面それぞれに対する前記液状物の濡れ性に差をも
たせることにより、前記液状物が表面張力によって自発
的に凸レンズ状の形状になり、これを硬化させることで
凸レンズ状の形状を有する出射部が得られる。以上のよ
うに、本発明の面発光型半導体レーザによれば、前記出
射部をセルフアラインで形成することができるため、光
軸合わせが不要で光軸ずれのないレーザ出射部をきわめ
て簡単な工程で形成することができる。
親和性を有する物質によって前記半導体堆積体の周囲を
埋め込むことにより、該半導体堆積体の周囲に埋込層を
形成して、前記共振器を埋め込み構造とし、さらに、該
半導体堆積体の上面に前記液状物を供給してやり、該液
状物を硬化させることのみで、マイクロレンズとして機
能する出射部をセルフアラインで形成することができ
る。すなわち、前記半導体堆積体の上面および前記埋込
層の表面それぞれに対する前記液状物の濡れ性に差をも
たせることにより、前記液状物が表面張力によって自発
的に凸レンズ状の形状になり、これを硬化させることで
凸レンズ状の形状を有する出射部が得られる。以上のよ
うに、本発明の面発光型半導体レーザによれば、前記出
射部をセルフアラインで形成することができるため、光
軸合わせが不要で光軸ずれのないレーザ出射部をきわめ
て簡単な工程で形成することができる。
【００２０】前記工程において、前記物質が樹脂である
ことが望ましい。
ことが望ましい。
【００２１】また、この場合、前記樹脂がフッ素系樹脂
であることがより望ましい。フッ素系樹脂は、ほとんど
の種類の樹脂液に対して非親和性を有する。一方、面発
光型半導体レーザを構成する半導体層や電極の表面は、
ほとんどの種類の樹脂液に対して親和性を有する。した
がって、前記樹脂としてフッ素系樹脂を用いることによ
り、前記半導体堆積体の上面に対する前記液状物の濡れ
性と、前記樹脂からなる前記埋込層の表面に対する前記
液状物の濡れ性との差を大きくすることができ、前記液
状物が前記半導体堆積体の上面にのみ付着することにな
る。その結果、大きさが制御され、かつ、光軸ずれがよ
り少ない出射部を得ることができる。
であることがより望ましい。フッ素系樹脂は、ほとんど
の種類の樹脂液に対して非親和性を有する。一方、面発
光型半導体レーザを構成する半導体層や電極の表面は、
ほとんどの種類の樹脂液に対して親和性を有する。した
がって、前記樹脂としてフッ素系樹脂を用いることによ
り、前記半導体堆積体の上面に対する前記液状物の濡れ
性と、前記樹脂からなる前記埋込層の表面に対する前記
液状物の濡れ性との差を大きくすることができ、前記液
状物が前記半導体堆積体の上面にのみ付着することにな
る。その結果、大きさが制御され、かつ、光軸ずれがよ
り少ない出射部を得ることができる。
【００２２】前記工程（ｄ）において、上述の半導体堆
積体の上面に前記液状物を供給する手段として、たとえ
ば、以下の２つの方法を挙げることができる。
積体の上面に前記液状物を供給する手段として、たとえ
ば、以下の２つの方法を挙げることができる。
【００２３】第１に、ディスペンサノズルの先端に前記
液状物の液滴を作り、前記液滴を前記半導体堆積体の上
面に接触させることにより、該液状物を該上面に配置す
る方法である。
液状物の液滴を作り、前記液滴を前記半導体堆積体の上
面に接触させることにより、該液状物を該上面に配置す
る方法である。
【００２４】この方法によれば、前記ノズルを用いるこ
とで、液状物の粘度、ノズル径、およびノズル先端の液
適量などを調整したり、ノズル先端の表面処理などによ
り、出射部の厚さを容易に制御することができる。ま
た、ノズルによる液状物の供給方法は、液状物の粘度に
よる影響を受けにくいため、使用可能な液状物の範囲が
広い。さらに、必要なところのみ液状物を確実に供給す
ることができるため、無駄がなく、余計な部分に液状物
が付着することもない。
とで、液状物の粘度、ノズル径、およびノズル先端の液
適量などを調整したり、ノズル先端の表面処理などによ
り、出射部の厚さを容易に制御することができる。ま
た、ノズルによる液状物の供給方法は、液状物の粘度に
よる影響を受けにくいため、使用可能な液状物の範囲が
広い。さらに、必要なところのみ液状物を確実に供給す
ることができるため、無駄がなく、余計な部分に液状物
が付着することもない。
【００２５】第２に、インクジェットヘッドを用いて前
記液状物を前記半導体堆積体の上面に射出し、該液状物
を該上面に配置する方法である。
記液状物を前記半導体堆積体の上面に射出し、該液状物
を該上面に配置する方法である。
【００２６】かかるインクジェットヘッドを用いた方法
によれば、短時間で液状物を前記表面に供給することが
でき、生産性が高いという特徴を有する。
によれば、短時間で液状物を前記表面に供給することが
でき、生産性が高いという特徴を有する。
【００２７】また、前述した工程において、前記液状物
は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化型樹脂、あるいは前記熱
硬化性樹脂または紫外線硬化型樹脂の前駆体を含む液状
物であることが望ましい。
は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化型樹脂、あるいは前記熱
硬化性樹脂または紫外線硬化型樹脂の前駆体を含む液状
物であることが望ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００２９】（デバイスの構造）図１は、本発明の一実
施の形態にかかる面発光レーザを模式的に示す断面図で
ある。
施の形態にかかる面発光レーザを模式的に示す断面図で
ある。
【００３０】図１に示す面発光レーザ１００は、柱状部
１１０を含む共振器１２０が半導体基板１０１上に形成
されて構成されている。共振器１２０は下部ミラー１０
２、活性層１０３、上部ミラー１０４、およびコンタク
ト層１０５が積層されて形成されている。共振器１２０
は、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１０１上に、ｎ型
ＧａＡｓからなるバッファ層（図示せず）、ｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交互に積
層した３０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「下
部ミラー」という）１０２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓか
らなるｎ型クラッド層（図示せず）、厚さ４ｎｍのＧａ
Ａｓウエル層と厚さ４ｎｍのＡｌ0.3Ｇａ0 .7Ａｓとのバ
リア層からなり、該ウエル層が３層で構成される量子井
戸構造の活性層１０３、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ
型クラッド層（図示せず）、Ａｌ0. 2Ｇａ0.8ＡｓとＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交互に積層した３０ペアの分布反射
型多層膜ミラー（以下、「上部ミラー」という）１０
４、およびコンタクト層１０５が順次積層されて形成さ
れている。
１１０を含む共振器１２０が半導体基板１０１上に形成
されて構成されている。共振器１２０は下部ミラー１０
２、活性層１０３、上部ミラー１０４、およびコンタク
ト層１０５が積層されて形成されている。共振器１２０
は、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１０１上に、ｎ型
ＧａＡｓからなるバッファ層（図示せず）、ｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交互に積
層した３０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「下
部ミラー」という）１０２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓか
らなるｎ型クラッド層（図示せず）、厚さ４ｎｍのＧａ
Ａｓウエル層と厚さ４ｎｍのＡｌ0.3Ｇａ0 .7Ａｓとのバ
リア層からなり、該ウエル層が３層で構成される量子井
戸構造の活性層１０３、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ
型クラッド層（図示せず）、Ａｌ0. 2Ｇａ0.8ＡｓとＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交互に積層した３０ペアの分布反射
型多層膜ミラー（以下、「上部ミラー」という）１０
４、およびコンタクト層１０５が順次積層されて形成さ
れている。
【００３１】上部ミラー１０４は、Ｚｎがドーピングさ
れることにより、ｐ型にされ、下部ミラー１０２は、Ｓ
ｅがドーピングされることにより、ｎ型とされている。
したがって、上部ミラー１０４、不純物がドーピングさ
れていない活性層１０３、および下部ミラー１０２とで
ｐｉｎダイオードが形成される。
れることにより、ｐ型にされ、下部ミラー１０２は、Ｓ
ｅがドーピングされることにより、ｎ型とされている。
したがって、上部ミラー１０４、不純物がドーピングさ
れていない活性層１０３、および下部ミラー１０２とで
ｐｉｎダイオードが形成される。
【００３２】コンタクト層１０５は、後述する液状物を
はじかない性質を有している。すなわち、後述する液状
物は、コンタクト層１０５に対して濡れ性が高い。ま
た、コンタクト層１０５は、上部電極１１３とオーミッ
ク接触可能な材質であることが必要で、ＡｌＧａＡｓ系
材料の場合、たとえば、５×１０18ｃｍ-3以上の高濃度
の不純物がドーピングされたＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓからな
る。
はじかない性質を有している。すなわち、後述する液状
物は、コンタクト層１０５に対して濡れ性が高い。ま
た、コンタクト層１０５は、上部電極１１３とオーミッ
ク接触可能な材質であることが必要で、ＡｌＧａＡｓ系
材料の場合、たとえば、５×１０18ｃｍ-3以上の高濃度
の不純物がドーピングされたＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓからな
る。
【００３３】共振器１２０には、前述したように、コン
タクト層１０５、上部ミラー１０４、および活性層１０
３を含む柱状部１１０が形成されている。ここで、柱状
部とは、共振器１２０に形成された柱状の半導体堆積体
をいう。また、柱状部１１０の上面には、レーザ光の出
射部１１１が設けられている。
タクト層１０５、上部ミラー１０４、および活性層１０
３を含む柱状部１１０が形成されている。ここで、柱状
部とは、共振器１２０に形成された柱状の半導体堆積体
をいう。また、柱状部１１０の上面には、レーザ光の出
射部１１１が設けられている。
【００３４】柱状部１１０は埋め込み構造を有する。す
なわち、柱状部１１０はその周囲が埋込層１０６によっ
て埋め込まれている。埋込層１０６は、後述する出射部
１１１を形成するために用いる材料に対して非親和性を
有する物質から形成されたものである。かかる物質とし
ては、たとえば無機材料や樹脂が挙げられる。前記物質
が樹脂の場合、フッ素系樹脂が望ましい。本実施の形態
においては、出射部１１１を形成するために用いる材料
に対して非親和性を有する前記物質が樹脂である場合を
示す。
なわち、柱状部１１０はその周囲が埋込層１０６によっ
て埋め込まれている。埋込層１０６は、後述する出射部
１１１を形成するために用いる材料に対して非親和性を
有する物質から形成されたものである。かかる物質とし
ては、たとえば無機材料や樹脂が挙げられる。前記物質
が樹脂の場合、フッ素系樹脂が望ましい。本実施の形態
においては、出射部１１１を形成するために用いる材料
に対して非親和性を有する前記物質が樹脂である場合を
示す。
【００３５】さらに、絶縁層１１２は、柱状部１１０の
側面の一部分および下部ミラー１０２の上面を覆うよう
にして形成されている。
側面の一部分および下部ミラー１０２の上面を覆うよう
にして形成されている。
【００３６】そして、上部電極１１３は、たとえば、チ
タン，白金，金を順次積層した金属層、あるいは、クロ
ム，金−亜鉛合金，金を順次積層した金属層などからな
り、柱状部１１０の上面において、コンタクト層１０５
とリング状に接触し、露出した柱状部１１０の側面、お
よび絶縁層１１２の表面を覆うようにして形成されてい
る。また、上部電極１１３がコンタクト層１０５とリン
グ状に接触していることにより、柱状部１１０の上面に
は開口部１１６が形成されている。開口部１１６におい
て、コンタクト層１０５と後述する出射部１１１が接し
ている。なお、本実施の形態においては、上部電極１１
３を構成する金属層の表面が金層である場合について述
べたが、埋込層１０６と密着するものであれば、特に限
定されるものではない。
タン，白金，金を順次積層した金属層、あるいは、クロ
ム，金−亜鉛合金，金を順次積層した金属層などからな
り、柱状部１１０の上面において、コンタクト層１０５
とリング状に接触し、露出した柱状部１１０の側面、お
よび絶縁層１１２の表面を覆うようにして形成されてい
る。また、上部電極１１３がコンタクト層１０５とリン
グ状に接触していることにより、柱状部１１０の上面に
は開口部１１６が形成されている。開口部１１６におい
て、コンタクト層１０５と後述する出射部１１１が接し
ている。なお、本実施の形態においては、上部電極１１
３を構成する金属層の表面が金層である場合について述
べたが、埋込層１０６と密着するものであれば、特に限
定されるものではない。
【００３７】また、半導体基板１０１の裏面（半導体基
板１０１において共振器１２０が形成される面と反対側
の面）には、たとえば、Ａｕ−Ｇｅ合金、ニッケル、金
を順次積層した下部電極１１５が形成されている。
板１０１において共振器１２０が形成される面と反対側
の面）には、たとえば、Ａｕ−Ｇｅ合金、ニッケル、金
を順次積層した下部電極１１５が形成されている。
【００３８】さらに、出射部１１１は、柱状部１１０の
上面に、上部電極１１３で取り囲まれるようにして設け
られている。出射部１１１は透明であり、かつ凸レンズ
形状を有する。すなわち、出射部１１１の上面は凸レン
ズ面を構成し、レーザビームを屈折させる機能が付与さ
れている。出射部１１１の材質は、特に限定されるもの
ではないが、たとえば、ポリイミド系樹脂、紫外線硬化
型アクリル系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂などの
高分子化合物から形成されることが望ましく、ポリイミ
ド系樹脂から形成されているのがより望ましい。
上面に、上部電極１１３で取り囲まれるようにして設け
られている。出射部１１１は透明であり、かつ凸レンズ
形状を有する。すなわち、出射部１１１の上面は凸レン
ズ面を構成し、レーザビームを屈折させる機能が付与さ
れている。出射部１１１の材質は、特に限定されるもの
ではないが、たとえば、ポリイミド系樹脂、紫外線硬化
型アクリル系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂などの
高分子化合物から形成されることが望ましく、ポリイミ
ド系樹脂から形成されているのがより望ましい。
【００３９】（デバイスの動作）以下に、面発光レーザ
１００の動作を説明する。
１００の動作を説明する。
【００４０】上部電極１１３と下部電極１１５とで、ｐ
ｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１
０３において、電子と正孔との再結合が起こり、再結合
発光が生じる。そこで生じた光が上部ミラー１０４と下
部ミラー１０２との間を往復する際、誘導放出が起こ
り、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわる
とレーザ発振が起こり、開口部１１６から出射部１１１
を経て、半導体基板１０１に対して垂直方向にレーザ光
が出射される。
ｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１
０３において、電子と正孔との再結合が起こり、再結合
発光が生じる。そこで生じた光が上部ミラー１０４と下
部ミラー１０２との間を往復する際、誘導放出が起こ
り、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわる
とレーザ発振が起こり、開口部１１６から出射部１１１
を経て、半導体基板１０１に対して垂直方向にレーザ光
が出射される。
【００４１】（デバイスの製造プロセス）次に、図１に
示す面発光レーザ１００の製造プロセスについて説明す
る。図２〜図５は、面発光レーザ１００の製造工程を示
す図である。
示す面発光レーザ１００の製造プロセスについて説明す
る。図２〜図５は、面発光レーザ１００の製造工程を示
す図である。
【００４２】本実施の形態にかかる面発光レーザ１００
の製造方法は、主に以下の工程（ａ）〜（ｅ）からな
る。工程（ａ）は、半導体基板１０１上に、柱状部１１
０を含む共振器１２０を形成する工程である。工程
（ｂ）は、柱状部１１０の上面の所定領域が露出した状
態で、共振器１２０に電流を注入するための上部電極１
１３を形成する工程である。工程（ｃ）は、硬化させる
と凸レンズ形状を有する出射部１１１を形成するための
液状物１１９に対して非親和性を有する物質を用いて、
柱状部１１０の周囲を埋め込むことにより、柱状部１１
０の周囲に埋込層１０６を形成して、柱状部１１０を埋
め込み構造とする工程である。本実施の形態において
は、埋込層１０６を形成するための前記物質として樹脂
を用いた場合を示す。工程（ｄ）は、柱状部１１０の上
面に液状物１１９を配置する工程である。工程（ｅ）
は、液状物１１９を硬化させて、出射部１１１を形成す
る工程である。
の製造方法は、主に以下の工程（ａ）〜（ｅ）からな
る。工程（ａ）は、半導体基板１０１上に、柱状部１１
０を含む共振器１２０を形成する工程である。工程
（ｂ）は、柱状部１１０の上面の所定領域が露出した状
態で、共振器１２０に電流を注入するための上部電極１
１３を形成する工程である。工程（ｃ）は、硬化させる
と凸レンズ形状を有する出射部１１１を形成するための
液状物１１９に対して非親和性を有する物質を用いて、
柱状部１１０の周囲を埋め込むことにより、柱状部１１
０の周囲に埋込層１０６を形成して、柱状部１１０を埋
め込み構造とする工程である。本実施の形態において
は、埋込層１０６を形成するための前記物質として樹脂
を用いた場合を示す。工程（ｄ）は、柱状部１１０の上
面に液状物１１９を配置する工程である。工程（ｅ）
は、液状物１１９を硬化させて、出射部１１１を形成す
る工程である。
【００４３】まず、図２を参照しながら、工程（ａ）に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００４４】（ａ）ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１
０１上に、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層（図示せ
ず）、Ａｌ0.2Ｇａ0.8ＡｓとＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交
互に積層し、Ｓｅをドーピングした３０ペアの下部ミラ
ー１０２を形成する。次に、下部ミラー１０２ａ上に、
ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型クラッド層（図示
せず）、および厚さ４ｎｍのＧａＡｓウエル層と、厚さ
４ｎｍのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、該ウエ
ル層が３層で構成される活性層１０３ａを形成する。さ
らに、活性層１０３ａ上に、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからな
るｐ型クラッド層（図示せず）、およびＡｌ0.2Ｇａ0.8
ＡｓとＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交互に積層し、Ｚｎをド
ーピングした３０ペアの上部ミラー１０４ａを形成す
る。その後、上部ミラー１０４ａ上に、ｐ型ＧａＡｓか
らなるコンタクト層１０５ａを積層する。
０１上に、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層（図示せ
ず）、Ａｌ0.2Ｇａ0.8ＡｓとＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交
互に積層し、Ｓｅをドーピングした３０ペアの下部ミラ
ー１０２を形成する。次に、下部ミラー１０２ａ上に、
ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型クラッド層（図示
せず）、および厚さ４ｎｍのＧａＡｓウエル層と、厚さ
４ｎｍのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、該ウエ
ル層が３層で構成される活性層１０３ａを形成する。さ
らに、活性層１０３ａ上に、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからな
るｐ型クラッド層（図示せず）、およびＡｌ0.2Ｇａ0.8
ＡｓとＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓとを交互に積層し、Ｚｎをド
ーピングした３０ペアの上部ミラー１０４ａを形成す
る。その後、上部ミラー１０４ａ上に、ｐ型ＧａＡｓか
らなるコンタクト層１０５ａを積層する。
【００４５】上記の各層は、有機金属気相成長（ＭＯＶ
ＰＥ：Ｍｅｔａｌ−ＯｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒ Ｐｈａ
ｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法でエピタキシャル成長させる
ことができる。このとき、たとえば、成長温度は、７５
０℃、成長圧力は、２×１０４Ｐａで、III族原料にＴ
ＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリメチル
アルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡｓＨ
3 、ｎ型ドーパントにＨ2Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥ
Ｚｎ（ジエチル亜鉛）を用いることができる。
ＰＥ：Ｍｅｔａｌ−ＯｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒ Ｐｈａ
ｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法でエピタキシャル成長させる
ことができる。このとき、たとえば、成長温度は、７５
０℃、成長圧力は、２×１０４Ｐａで、III族原料にＴ
ＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリメチル
アルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡｓＨ
3 、ｎ型ドーパントにＨ2Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥ
Ｚｎ（ジエチル亜鉛）を用いることができる。
【００４６】次に、コンタクト層１０５上に、フォトレ
ジストを塗布した後、フォトリソグラフィにより、フォ
トレジストをパターニングすることにより、図２に示す
ように、所定のパターンのレジスト層５００を形成す
る。
ジストを塗布した後、フォトリソグラフィにより、フォ
トレジストをパターニングすることにより、図２に示す
ように、所定のパターンのレジスト層５００を形成す
る。
【００４７】次いで、図３に示すように、レジスト層５
００をマスクとして、反応性イオンエッチング法によ
り、コンタクト層１０５ａ、上部ミラー１０４ａ、およ
び活性層１０３ａまでメサ状にエッチングし、柱状部１
１０を形成する。このエッチングには、通常、エッチン
グガスとして塩素または塩素系ガス（塩化水素，ＢＣｌ
3）を用いる反応性イオンビームエッチング法が用いら
れる。なお、この工程において、エッチングされる層は
これらに限定されず、目的とする共振器の形状によって
適宜決定されるものである。以上の工程により、コンタ
クト層１０５、上部ミラー１０４、および活性層１０３
を含む柱状部１１０が形成される。
００をマスクとして、反応性イオンエッチング法によ
り、コンタクト層１０５ａ、上部ミラー１０４ａ、およ
び活性層１０３ａまでメサ状にエッチングし、柱状部１
１０を形成する。このエッチングには、通常、エッチン
グガスとして塩素または塩素系ガス（塩化水素，ＢＣｌ
3）を用いる反応性イオンビームエッチング法が用いら
れる。なお、この工程において、エッチングされる層は
これらに限定されず、目的とする共振器の形状によって
適宜決定されるものである。以上の工程により、コンタ
クト層１０５、上部ミラー１０４、および活性層１０３
を含む柱状部１１０が形成される。
【００４８】次に、工程（ｂ）について説明する。
【００４９】（ｂ）図４に示すように、ＳｉＨ4（モノ
シラン）ガスおよびＯ2（酸素）ガスを用い、Ｎ2（窒
素）ガスをキャリアガスとする常圧熱ＣＶＤ法により、
共振器１２０の表面に、たとえば膜厚１００〜３００ｎ
ｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯＸ膜）を形成する。その
後、フォトリソグラフィとドライエッチングにより、図
４に示すように、柱状部１１０の側面の一部および下部
ミラー１０２の上面を除き、シリコン酸化膜をエッチン
グ除去して、絶縁層１１２を形成する。
シラン）ガスおよびＯ2（酸素）ガスを用い、Ｎ2（窒
素）ガスをキャリアガスとする常圧熱ＣＶＤ法により、
共振器１２０の表面に、たとえば膜厚１００〜３００ｎ
ｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯＸ膜）を形成する。その
後、フォトリソグラフィとドライエッチングにより、図
４に示すように、柱状部１１０の側面の一部および下部
ミラー１０２の上面を除き、シリコン酸化膜をエッチン
グ除去して、絶縁層１１２を形成する。
【００５０】次いで、半導体基板１０１の裏面に、真空
蒸着法により、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ｎｉ，Ａｕを順次積層
した下部電極１１５を形成する。
蒸着法により、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ｎｉ，Ａｕを順次積層
した下部電極１１５を形成する。
【００５１】さらに、図４に示すように、柱状部１１０
の上面においてコンタクト層１０５とリング状に接触
し、かつ、柱状部１１０の側面および絶縁層１１２を覆
うように、上部電極１１３をリフトオフ法により形成す
る。上部電極１１３は、チタン，白金，金を順次積層し
た金属層を用いて形成することができる。
の上面においてコンタクト層１０５とリング状に接触
し、かつ、柱状部１１０の側面および絶縁層１１２を覆
うように、上部電極１１３をリフトオフ法により形成す
る。上部電極１１３は、チタン，白金，金を順次積層し
た金属層を用いて形成することができる。
【００５２】次に、図５を参照して、工程（ｃ）につい
て説明する。
て説明する。
【００５３】（ｃ）柱状部１１０の上面だけが露出する
ように、柱状部１１０の周囲を樹脂で埋め込み、埋込層
１０６を得る。埋込層１０６を構成する樹脂は、後述す
る工程において出射部１１１を形成するために用いる液
状物に対して非親和性を有するものを用いる。かかる樹
脂としてはフッ素系樹脂が望ましい。フッ素系樹脂とし
ては、紫外線硬化型フッ素系樹脂、あるいは熱硬化型フ
ッ素系樹脂、２液混合化学反応型フッ素系樹脂が例示で
きるが、取扱いが簡便である点で、紫外線硬化型フッ素
系樹脂が望ましい。
ように、柱状部１１０の周囲を樹脂で埋め込み、埋込層
１０６を得る。埋込層１０６を構成する樹脂は、後述す
る工程において出射部１１１を形成するために用いる液
状物に対して非親和性を有するものを用いる。かかる樹
脂としてはフッ素系樹脂が望ましい。フッ素系樹脂とし
ては、紫外線硬化型フッ素系樹脂、あるいは熱硬化型フ
ッ素系樹脂、２液混合化学反応型フッ素系樹脂が例示で
きるが、取扱いが簡便である点で、紫外線硬化型フッ素
系樹脂が望ましい。
【００５４】なお、埋込層１０６を形成するための物質
はフッ素系樹脂に限定されるわけではなく、上部電極１
１３に吸着し、かつ、後述する液状物に対して非親和性
を有する物質であれば、埋込層１０６を形成するための
物質として適用することができる。
はフッ素系樹脂に限定されるわけではなく、上部電極１
１３に吸着し、かつ、後述する液状物に対して非親和性
を有する物質であれば、埋込層１０６を形成するための
物質として適用することができる。
【００５５】以上の工程により、柱状部１１０の周囲に
埋込層１０６を形成して、柱状部１１０を埋め込み構造
とする。
埋込層１０６を形成して、柱状部１１０を埋め込み構造
とする。
【００５６】次に、工程（ｄ）について説明する。
【００５７】（ｄ）まず、ノズルにより液状物を柱状部
１１０上面に供給する。この供給法を、図６〜図８を参
照しながら説明する。図６〜図８は、ノズルにより液状
物１１９を柱状部１１０上面に供給する方法を経時的に
表した模式図である。
１１０上面に供給する。この供給法を、図６〜図８を参
照しながら説明する。図６〜図８は、ノズルにより液状
物１１９を柱状部１１０上面に供給する方法を経時的に
表した模式図である。
【００５８】レーザ出射部の構成材質となる樹脂または
その樹脂の前駆体の液状物１１９をノズル１１７に注入
する。ノズル１１７の先端に、図６に示すように、この
液状物の液滴を作る。次に、図７に示すように、この液
滴を柱状部１１０の上面に接触させる。そして、液滴を
柱状部１１０の上面、特にコンタクト層１０５の露出面
および上部電極１１３のうち柱状部１１０の上面に形成
された部分に移した後、図８に示すように、ノズル１１
７を離す。
その樹脂の前駆体の液状物１１９をノズル１１７に注入
する。ノズル１１７の先端に、図６に示すように、この
液状物の液滴を作る。次に、図７に示すように、この液
滴を柱状部１１０の上面に接触させる。そして、液滴を
柱状部１１０の上面、特にコンタクト層１０５の露出面
および上部電極１１３のうち柱状部１１０の上面に形成
された部分に移した後、図８に示すように、ノズル１１
７を離す。
【００５９】コンタクト層１０５および上部電極１１３
は、液状物１１９に対して親和性を有する材質からな
る。すなわち、コンタクト層１０５および上部電極１１
３は液状物１１９をはじかない材質からなる。これによ
り、柱状部１１０の上面に移された液状物１１９は、露
出したコンタクト層１０５および上部電極１１３の一部
から構成される柱状部１１０の上面に安定して存在する
ことができる。また、埋込層１０６は、液状物１１９に
対して非親和性を有する樹脂から形成されているため、
埋込層１０６上に液状物１１９がはみだしたとしても、
埋込層１０６によりはじかれる。はじかれた液状物は、
柱状部１１０の上面に形成された液状物に吸収され、そ
の結果、液状物１１９は柱状部１１０の上面に残る。残
った液状物１１９は、表面張力により、レーザ出射部１
１１の原形となるレンズ形状を形作る。
は、液状物１１９に対して親和性を有する材質からな
る。すなわち、コンタクト層１０５および上部電極１１
３は液状物１１９をはじかない材質からなる。これによ
り、柱状部１１０の上面に移された液状物１１９は、露
出したコンタクト層１０５および上部電極１１３の一部
から構成される柱状部１１０の上面に安定して存在する
ことができる。また、埋込層１０６は、液状物１１９に
対して非親和性を有する樹脂から形成されているため、
埋込層１０６上に液状物１１９がはみだしたとしても、
埋込層１０６によりはじかれる。はじかれた液状物は、
柱状部１１０の上面に形成された液状物に吸収され、そ
の結果、液状物１１９は柱状部１１０の上面に残る。残
った液状物１１９は、表面張力により、レーザ出射部１
１１の原形となるレンズ形状を形作る。
【００６０】このように、ノズルにより液状物を柱状部
１１０上面に供給する方法によれば、液状物の粘度、ノ
ズル径およびノズル先端の液滴量などを調整したり、ノ
ズル先端の表面処理などにより、レーザ出射部１１１の
厚さを容易に制御することができる。また、ノズルによ
る液状物の供給方法は、液状物の粘度による影響を受け
にくいため、使用可能な液状物の範囲が広い。さらに、
必要なところのみ液状物を確実に供給することができる
ため、無駄がなく、余計なところに液状物が付着するこ
ともない。
１１０上面に供給する方法によれば、液状物の粘度、ノ
ズル径およびノズル先端の液滴量などを調整したり、ノ
ズル先端の表面処理などにより、レーザ出射部１１１の
厚さを容易に制御することができる。また、ノズルによ
る液状物の供給方法は、液状物の粘度による影響を受け
にくいため、使用可能な液状物の範囲が広い。さらに、
必要なところのみ液状物を確実に供給することができる
ため、無駄がなく、余計なところに液状物が付着するこ
ともない。
【００６１】樹脂の液状物としては、たとえば、紫外線
硬化型アクリル系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂な
どを挙げることができる。前駆体の液状物としては、ポ
リイミド前駆体の液状物、紫外線硬化型アクリル系樹脂
および紫外線硬化型エポキシ系樹脂のモノマーを含む液
状物などを挙げることができる。
硬化型アクリル系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂な
どを挙げることができる。前駆体の液状物としては、ポ
リイミド前駆体の液状物、紫外線硬化型アクリル系樹脂
および紫外線硬化型エポキシ系樹脂のモノマーを含む液
状物などを挙げることができる。
【００６２】紫外線硬化型樹脂は、紫外線照射のみで硬
化することができるため、素子への熱によるダメージ
や、熱硬化させた場合に生じる半導体層と樹脂との熱膨
張差によるレーザ出射部の剥離などの心配がない。
化することができるため、素子への熱によるダメージ
や、熱硬化させた場合に生じる半導体層と樹脂との熱膨
張差によるレーザ出射部の剥離などの心配がない。
【００６３】紫外線硬化型樹脂は、プレポリマー、オリ
ゴマーおよびモノマーのうち少なくとも１種と光重合開
始剤を含んだものからなる。
ゴマーおよびモノマーのうち少なくとも１種と光重合開
始剤を含んだものからなる。
【００６４】紫外線硬化型アクリル系樹脂の具体例とし
ては、プレポリマーまたはオリゴマーとしては、たとえ
ば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート
類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアクリ
レート類、スピロアセタール系アクリレート類等のアク
リレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメタ
クリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリエ
ーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利用
できる。
ては、プレポリマーまたはオリゴマーとしては、たとえ
ば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート
類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアクリ
レート類、スピロアセタール系アクリレート類等のアク
リレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメタ
クリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリエ
ーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利用
できる。
【００６５】モノマーとしては、たとえば、２−エチル
ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、１，３−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリ
トールジアクリレート等の二官能性モノマー、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト等の多官能性モノマーが挙げられる。
ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、１，３−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリ
トールジアクリレート等の二官能性モノマー、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト等の多官能性モノマーが挙げられる。
【００６６】光重合開始剤としては、たとえば、２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどのアセ
トフェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ｐ
−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノンな
どのブチルフェノン類、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロ
アセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセ
トフェノン、α，α−ジクロル−４−フェノキシアセト
フェノンなどのハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフ
ェノン、Ｎ，Ｎ−テトラエチル−４，４−ジアミノベン
ゾフェノンなどのベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジ
ルジメチルケタールなどのベンジル類、ベンゾイン、ベ
ンゾインアルキルエーテルなどのベンゾイン類、１−フ
ェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシ
カルボニル）オキシムなどのオキシム類、２−メチルチ
オキサントン、２−クロロチオキサントンなどのキサン
トン類、ベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエ
ーテルなどのベンゾインエーテル類、ミヒラーケトン類
のラジカル発生化合物を挙げることができる。紫外線硬
化型アクリル系樹脂を硬化した後の樹脂は、透明度が高
いという利点を有している。
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどのアセ
トフェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ｐ
−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノンな
どのブチルフェノン類、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロ
アセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセ
トフェノン、α，α−ジクロル−４−フェノキシアセト
フェノンなどのハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフ
ェノン、Ｎ，Ｎ−テトラエチル−４，４−ジアミノベン
ゾフェノンなどのベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジ
ルジメチルケタールなどのベンジル類、ベンゾイン、ベ
ンゾインアルキルエーテルなどのベンゾイン類、１−フ
ェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシ
カルボニル）オキシムなどのオキシム類、２−メチルチ
オキサントン、２−クロロチオキサントンなどのキサン
トン類、ベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエ
ーテルなどのベンゾインエーテル類、ミヒラーケトン類
のラジカル発生化合物を挙げることができる。紫外線硬
化型アクリル系樹脂を硬化した後の樹脂は、透明度が高
いという利点を有している。
【００６７】ポリイミド前駆体としては、ポリアミック
酸、ポリアミック酸の長鎖アルキルエステルなどを挙げ
ることができる。ポリイミド前駆体を熱硬化させて得ら
れたポリイミド系樹脂は可視光領域において、８０％以
上の透過率を有し、屈折率が１．７〜１．９と高いた
め、大きなレンズ効果が得られる。
酸、ポリアミック酸の長鎖アルキルエステルなどを挙げ
ることができる。ポリイミド前駆体を熱硬化させて得ら
れたポリイミド系樹脂は可視光領域において、８０％以
上の透過率を有し、屈折率が１．７〜１．９と高いた
め、大きなレンズ効果が得られる。
【００６８】次に、工程（ｅ）について説明する。
【００６９】（ｅ）柱状部１１０の上面の液状物を硬化
させ、図１に示すような面発光レーザが完成する。液状
物が前述の紫外線硬化型樹脂の場合には、紫外線を照射
することにより、硬化させることができる。
させ、図１に示すような面発光レーザが完成する。液状
物が前述の紫外線硬化型樹脂の場合には、紫外線を照射
することにより、硬化させることができる。
【００７０】また、液状物として、ポリイミド前駆体の
液状物を用いた場合には、ポリイミド前駆体の液状物を
加熱キュア処理してイミド化反応を起こしポリイミド系
樹脂を生成させることにより、硬化させることができ
る。キュア温度は、前駆体の種類によって異なるが、素
子への熱によるダメージ、埋込層１０６を構成する樹脂
へのダメージ、基板とポリイミド系樹脂との熱膨張差、
および電極のアロイングの防止などの観点から、１５０
℃程度が適当である。加熱時間としては、電極を構成す
る金属原子が半導体層の内部に異常拡散が生じない程度
に設定される。
液状物を用いた場合には、ポリイミド前駆体の液状物を
加熱キュア処理してイミド化反応を起こしポリイミド系
樹脂を生成させることにより、硬化させることができ
る。キュア温度は、前駆体の種類によって異なるが、素
子への熱によるダメージ、埋込層１０６を構成する樹脂
へのダメージ、基板とポリイミド系樹脂との熱膨張差、
および電極のアロイングの防止などの観点から、１５０
℃程度が適当である。加熱時間としては、電極を構成す
る金属原子が半導体層の内部に異常拡散が生じない程度
に設定される。
【００７１】前記工程（ｄ）において、液状物を柱状部
１１０の上面に供給する方法として、ディスペンサノズ
ル１１７による供給方法を例示したが、図８および図９
に示すように、インクジェットヘッド１１８を用いて、
液状物１１９を柱状部１１０の上面に射出して供給する
方法なども適用することができる。インクジェットヘッ
ド１１８を用いた方法は、短時間で液状物を柱状部１１
０の上面に供給することができ、生産性が高いという利
点がある。液状物をインクジェットする際、液状物の液
粘度は、重要な要素であるが、希釈溶剤を液状物に添加
することにより、適当な液粘度に調整することもでき
る。
１１０の上面に供給する方法として、ディスペンサノズ
ル１１７による供給方法を例示したが、図８および図９
に示すように、インクジェットヘッド１１８を用いて、
液状物１１９を柱状部１１０の上面に射出して供給する
方法なども適用することができる。インクジェットヘッ
ド１１８を用いた方法は、短時間で液状物を柱状部１１
０の上面に供給することができ、生産性が高いという利
点がある。液状物をインクジェットする際、液状物の液
粘度は、重要な要素であるが、希釈溶剤を液状物に添加
することにより、適当な液粘度に調整することもでき
る。
【００７２】紫外線硬化型樹脂の液状物に適用可能な希
釈溶剤としては、特に限定されるものではないが、たと
えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メ
トキシメチルプロピオネート、メトキシエチルプロピオ
ネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテー
ト、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルア
ミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、
ブチルアセテートなどを挙げることができ、単独で、ま
たは、２種以上を混合して使用することができる。
釈溶剤としては、特に限定されるものではないが、たと
えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メ
トキシメチルプロピオネート、メトキシエチルプロピオ
ネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテー
ト、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルア
ミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、
ブチルアセテートなどを挙げることができ、単独で、ま
たは、２種以上を混合して使用することができる。
【００７３】ポリイミドの前駆体の液状物に適用可能な
希釈溶剤としては、たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンを挙げることができる。
希釈溶剤としては、たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンを挙げることができる。
【００７４】さらに、この他に、前記液状物を柱状部１
１０の上面に供給する方法としては、適宜、スピンコー
ト法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコー
ト法、バーコート法などを利用することができる。
１０の上面に供給する方法としては、適宜、スピンコー
ト法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコー
ト法、バーコート法などを利用することができる。
【００７５】（作用および効果）次に、本実施の形態に
かかる面発光レーザ１００およびその製造方法における
主な作用および効果を説明する。
かかる面発光レーザ１００およびその製造方法における
主な作用および効果を説明する。
【００７６】（１）本実施の形態にかかる面発光レーザ
１００においては、図１に示すように、柱状部１１０の
上面に出射部１１１が設けられ、さらに、出射部１１１
の上面、すなわち、レーザ出射面が凸レンズ形状に形成
されている。レーザ出射面が凸レンズ形状に形成されて
いることにより、レーザ出射面において、レーザビーム
を屈折させ、その放射角を狭めることができる。また、
この構成によれば、レーザ出射面において放射角を制御
できるため、レーザ出射口径を大きくしたとしても放射
角を小さく設定することも可能となる。
１００においては、図１に示すように、柱状部１１０の
上面に出射部１１１が設けられ、さらに、出射部１１１
の上面、すなわち、レーザ出射面が凸レンズ形状に形成
されている。レーザ出射面が凸レンズ形状に形成されて
いることにより、レーザ出射面において、レーザビーム
を屈折させ、その放射角を狭めることができる。また、
この構成によれば、レーザ出射面において放射角を制御
できるため、レーザ出射口径を大きくしたとしても放射
角を小さく設定することも可能となる。
【００７７】（２）本実施の形態にかかる面発光レーザ
１００の製造方法においては、出射部１１１を形成する
ための液状物に対して非親和性を有する物質で柱状部１
１０の周囲を埋め込んで、埋込層１０６を形成すること
により、埋込層１０６の表面および柱状部１１０の上面
それぞれに対する前記液状物の濡れ性に差をもたせるこ
とができる。したがって、液状物を柱状部１１０の上面
に供給してやり、前記液状物を硬化することのみで、マ
イクロレンズとして機能するレーザ出射部１１１をセル
フアラインで形成することができる。以上の工程によ
り、光軸合わせが不要で光軸ずれのないレーザ出射部１
１１をきわめて簡単な工程で形成することができる。
１００の製造方法においては、出射部１１１を形成する
ための液状物に対して非親和性を有する物質で柱状部１
１０の周囲を埋め込んで、埋込層１０６を形成すること
により、埋込層１０６の表面および柱状部１１０の上面
それぞれに対する前記液状物の濡れ性に差をもたせるこ
とができる。したがって、液状物を柱状部１１０の上面
に供給してやり、前記液状物を硬化することのみで、マ
イクロレンズとして機能するレーザ出射部１１１をセル
フアラインで形成することができる。以上の工程によ
り、光軸合わせが不要で光軸ずれのないレーザ出射部１
１１をきわめて簡単な工程で形成することができる。
【００７８】特に、埋込層１０６を形成するための物質
として、フッ素系樹脂を用いる場合には、柱状部１１０
の上面に対する前記液状物の濡れ性と、前記埋込層の表
面に対する前記液状物の濡れ性との差をより大きくする
ことができる。したがって、埋込層１０６を形成するた
めの前記物質としてフッ素系樹脂を用いることにより、
大きさの制御をより確実に行なうことができるため、光
軸ずれがより少ない出射部を得ることができる。
として、フッ素系樹脂を用いる場合には、柱状部１１０
の上面に対する前記液状物の濡れ性と、前記埋込層の表
面に対する前記液状物の濡れ性との差をより大きくする
ことができる。したがって、埋込層１０６を形成するた
めの前記物質としてフッ素系樹脂を用いることにより、
大きさの制御をより確実に行なうことができるため、光
軸ずれがより少ない出射部を得ることができる。
【００７９】（３）柱状部１１０と出射部１１１との接
合面における出射部１１１の径を、柱状部１１０の上面
の径とほぼ等しくすることができる。これにより、特に
面発光レーザ１００をアレイ化して形成する場合には、
大きさの揃った出射部１１１を形成することができる。
また、柱状部１１０と出射部１１１との接合面における
出射部１１１の径と、柱状部１１０の上面の径とがほぼ
一致することにより、出射部１１１の光軸と、柱状部１
１０の中心を通り柱状部１１０の上面に垂直な軸とがほ
ぼ一致する。また、出射されるレーザ光の光軸は、柱状
部１１０の中心を通り柱状部１１０の上面に垂直な軸と
ほぼ一致している。したがって、面発光レーザ１００に
おいては、出射部１１１の光軸と、出射されるレーザ光
の光軸と、柱状部１１０の中心を通り柱状部１１０の上
面に垂直な軸とがほぼ一致するため、光軸ずれが少ない
面発光型半導体レーザを得ることができる。
合面における出射部１１１の径を、柱状部１１０の上面
の径とほぼ等しくすることができる。これにより、特に
面発光レーザ１００をアレイ化して形成する場合には、
大きさの揃った出射部１１１を形成することができる。
また、柱状部１１０と出射部１１１との接合面における
出射部１１１の径と、柱状部１１０の上面の径とがほぼ
一致することにより、出射部１１１の光軸と、柱状部１
１０の中心を通り柱状部１１０の上面に垂直な軸とがほ
ぼ一致する。また、出射されるレーザ光の光軸は、柱状
部１１０の中心を通り柱状部１１０の上面に垂直な軸と
ほぼ一致している。したがって、面発光レーザ１００に
おいては、出射部１１１の光軸と、出射されるレーザ光
の光軸と、柱状部１１０の中心を通り柱状部１１０の上
面に垂直な軸とがほぼ一致するため、光軸ずれが少ない
面発光型半導体レーザを得ることができる。
【００８０】なお、上記の実施の形態において、各半導
体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨
を逸脱するものではない。上記の実施の形態では、Ａｌ
−Ｇａ−Ａｓ系のものについて説明したが、発振波長に
応じてその他の材料系、たとえば、Ｉｎ−Ｐ系、Ｉｎ−
Ａｌ−Ａｓ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ｎ
系、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ｐ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ｎ−Ａｓ
系、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ
系等の半導体材料を用いることも可能である。
体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨
を逸脱するものではない。上記の実施の形態では、Ａｌ
−Ｇａ−Ａｓ系のものについて説明したが、発振波長に
応じてその他の材料系、たとえば、Ｉｎ−Ｐ系、Ｉｎ−
Ａｌ−Ａｓ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ｎ
系、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ｐ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ｎ−Ａｓ
系、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ系、Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ
系等の半導体材料を用いることも可能である。
【００８１】また、上記の実施の形態における面発光レ
ーザの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しな
い限り、種々の変更が可能である。また、上記の実施の
形態では、柱状部が一つである面発光レーザを示してい
るが、基板面内で柱状部が複数個あっても本発明の形態
は損なわれない。
ーザの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しな
い限り、種々の変更が可能である。また、上記の実施の
形態では、柱状部が一つである面発光レーザを示してい
るが、基板面内で柱状部が複数個あっても本発明の形態
は損なわれない。
【図１】本発明の一実施の形態にかかる面発光型半導体
レーザの断面を模式的に示す図である。
レーザの断面を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態にかかる面発光型半導体
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
【図３】本発明の一実施の形態にかかる面発光型半導体
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
【図４】本発明の一実施の形態にかかる面発光型半導体
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
【図５】本発明の一実施の形態にかかる面発光型半導体
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
レーザの製造方法の一製造工程を模式的に示す断面図で
ある。
【図６】ノズルを用いて液状物を柱状部の上面に供給す
る方法を経時的に表した模式図である。
る方法を経時的に表した模式図である。
【図７】図６に示す工程に引き続いて、ノズルを用いて
液状物を柱状部の上面に供給する方法を示す模式図であ
る。
液状物を柱状部の上面に供給する方法を示す模式図であ
る。
【図８】図７に示す工程に引き続いて、ノズルを用いて
液状物を柱状部の上面に供給する方法を示す模式図であ
る。
液状物を柱状部の上面に供給する方法を示す模式図であ
る。
【図９】インクジェットヘッドを用いて液状物を柱状部
の上面に供給する方法を経時的に表した模式図である。
の上面に供給する方法を経時的に表した模式図である。
【図１０】図９に示す工程に引き続いて、インクジェッ
トヘッドを用いて液状物を柱状部の上面に供給する方法
を示す模式図である。
トヘッドを用いて液状物を柱状部の上面に供給する方法
を示す模式図である。
１００ 面発光型半導体レーザ（面発光レーザ） １０１ 半導体基板 １０２ 下部ミラー １０３，１０３ａ 活性層 １０４，１０４ａ 上部ミラー １０５，１０５ａ コンタクト層 １０６ 埋込層 １１０ 柱状部 １１１ 出射部 １１２ 絶縁層 １１３ 上部電極 １１５ 下部電極 １１６ 開口部 １１７ ノズル １１８ インクジェットヘッド １１９ 液状物 １２０ 共振器 ５００ レジスト層
Claims (13)
- 【請求項１】 共振器が半導体基板上に垂直方向に形成
され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ
光を出射する面発光型半導体レーザであって、 前記共振器は、少なくとも一部に柱状の半導体堆積体を
含み、 凸レンズ形状を有する出射部が前記半導体堆積体の上面
に形成され、 前記半導体堆積体は埋め込み構造を有し、その周囲が埋
込層によって埋め込まれており、 前記埋込層は、前記出射部を形成するために用いる材料
に対して非親和性を有する物質から形成される、面発光
型半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記物質が樹脂である、面発光型半導体レーザ。
- 【請求項３】 請求項２において、 前記樹脂がフッ素系樹脂である、面発光型半導体レー
ザ。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記共振器に電流を注入するための電極が、前記半導体
堆積体の上面に形成されている、面発光型半導体レー
ザ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、 前記半導体堆積体と前記出射部との接合面における該出
射部の径が、前記半導体堆積体の上面の径とほぼ等し
い、面発光型半導体レーザ。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかにおいて、 前記電極は金属からなる、面発光型半導体レーザ。
- 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかにおいて、 前記出射部は、高分子化合物からなる、面発光型半導体
レーザ。 - 【請求項８】 以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む面発光
型半導体レーザの製造方法。 （ａ）半導体基板上に、柱状の半導体堆積体を含む共振
器を形成する工程、 （ｂ）前記半導体堆積体の上面の所定領域が露出した状
態で、前記共振器に電流を注入するための電極を形成す
る工程、 （ｃ）硬化させると凸レンズ形状を有する出射部を形成
するための液状物に対して非親和性を有する物質によっ
て前記半導体堆積体の周囲を埋め込むことにより、該半
導体堆積体の周囲に埋込層を形成して、該半導体堆積体
を埋め込み構造とする工程、 （ｄ）前記半導体堆積体の上面に前記液状物を配置する
工程、および （ｅ）前記液状物を硬化させて、前記出射部を形成する
工程。 - 【請求項９】 請求項８において、 前記物質が樹脂である、面発光型半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項９において、 前記樹脂がフッ素系樹脂である、面発光型半導体レーザ
の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項８〜１０のいずれかにおいて、 前記工程（ｄ）は、ディスペンサノズルの先端に前記液
状物の液滴を作り、前記液滴を前記半導体堆積体の上面
に接触させることにより、該液状物を該上面に配置する
工程である、面発光型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項８〜１１のいずれかにおいて、 前記工程（ｄ）は、インクジェットヘッドを用いて前記
液状物を前記半導体堆積体の上面に射出し、該液状物を
該上面に配置する工程である、面発光型半導体レーザの
製造方法。 - 【請求項１３】 請求項８〜１２のいずれかにおいて、 前記液状物は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化型樹脂、ある
いは前記熱硬化性樹脂または紫外線硬化型樹脂の前駆体
を含む液状物である、面発光型半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098766A JP2001284725A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| US09/820,730 US6597720B2 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-30 | Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098766A JP2001284725A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284725A true JP2001284725A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18613215
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000098766A Withdrawn JP2001284725A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6597720B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001284725A (ja) |
Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
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| US7187702B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-03-06 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting light emitting device, manufacturing method for the same, optical module, and optical transmission apparatus |
| JP2007234990A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小光学素子およびその製造方法 |
| US7307250B2 (en) | 2003-02-06 | 2007-12-11 | Seiko Epson Corporation | Light-receiving element and manufacturing method of the same, optical module and optical transmitting device |
| JP2008085161A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム |
| US7483469B2 (en) | 2004-11-01 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser and its manufacturing method, optical module, and light transmission device |
| JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| JP2014116417A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体ウエハー、半導体発光装置、光伝送装置、情報処理装置および半導体発光素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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