JP2004119582A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザであって、
   前記共振器は、前記基板の上方に設けられた第１ミラーと、活性層と、該活性層を挟んで該第１ミラーに対向するように設けられた第２ミラーとを含み、
   前記出射面の上に反射率調整層が形成され、
   前記レーザ光の波長をλとしたとき、
   前記第２ミラーは、光学的膜厚がｍ_１λ／２（ｍ_１は自然数）である層を含み、
   前記反射率調整層の光学的膜厚が（２ｍ_２−１）λ／４（ｍ_２は自然数）である、面発光型半導体レーザ。
2. 請求項１において、
   前記反射率調整層と、前記第２ミラーにおいて該反射率調整層の下方領域とからなる領域を第１領域とし、前記第２ミラーにおいて前記第１領域以外の領域を第２領域としたとき、
   前記第１領域における前記レーザ光の反射率は、前記第２領域における前記レーザ光の反射率よりも大きい、面発光型半導体レーザ。
3. 基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザであって、
   前記共振器に電流を注入するための第１電極および第２電極を含み、
   前記第１電極は、少なくとも一部が前記共振器の上面に形成され、かつ、該共振器の上面に開口部を有し、
   前記開口部内に前記出射面が設けられ、
   前記出射面の上に反射率調整層が形成されている、面発光型半導体レーザ。
4. 請求項３において、
   前記共振器は、前記基板の上方に設けられた第１ミラーと、活性層と、該活性層を挟んで該第１ミラーに対向するように設けられた第２ミラーとを含み、
   前記反射率調整層と、前記第２ミラーにおいて該反射率調整層の下方領域とからなる領域を第１領域とし、前記第２ミラーにおいて前記第１領域以外の領域を第２領域としたとき、
   前記第１領域における前記レーザ光の反射率は、前記第２領域における前記レーザ光の反射率よりも大きい、面発光型半導体レーザ。
5. 請求項４において、
   前記レーザ光の波長をλとしたとき、
   前記第２ミラーは、光学的膜厚がｍ_１λ／２（ｍ_１は自然数）である層を含み、
   前記反射率調整層の光学的膜厚が（２ｍ_２−１）λ／４（ｍ_２は自然数）である、面発光型半導体レーザ。
6. 請求項１または５において、
   前記光学的膜厚がｍ_１λ／２である層が、前記第２ミラーの最上層を構成する、面発光型半導体レーザ。
7. 請求項１ないし６のいずれかにおいて、
   前記反射率調整層は、前記レーザ光に対して光学的に透明である、面発光型半導体レーザ。
8. 請求項１ないし７のいずれかにおいて、
   前記反射率調整層の平面形状が円形である、面発光型半導体レーザ。
9. 請求項８において、
   前記反射率調整層の直径が６μｍ以下である、面発光型半導体レーザ。
10. 請求項８または９において、
    前記出射面は円形であり、
    前記反射率調整層は、前記出射面の中心軸と同軸上に設けられている、面発光型半導体レーザ。
11. 請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
    前記反射率調整層は、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる、面発光型半導体レーザ。
12. 請求項１ないし１１のいずれかにおいて、
    前記反射率調整層の膜厚が一定でない、面発光型半導体レーザ。
13. 請求項１２において、
    前記反射率調整層の膜厚は、前記第１電極との接触面近傍で大きくなっている、面発光型半導体レーザ。
14. 請求項１、または４ないし１３のいずれかにおいて、
    前記第２ミラーには、さらに、同心円状の平面形状を有する電流狭窄層が形成され、
    前記電流狭窄層の内径円の面積は、前記反射率調整層の断面積より大きい、面発光型半導体レーザ。
15. 請求項１ないし１４のいずれかにおいて、
    前記共振器は、少なくとも一部に柱状部を含む、面発光型半導体レーザ。
16. 請求項１ないし１５のいずれかに記載の面発光型半導体レーザと、
    光導波路とを含む、光モジュール。
17. 請求項１６に記載の光モジュールを含む、光伝達装置。
18. 基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザの製造方法であって、
    （ａ）前記基板上に、上面に出射面を有する共振器を形成し、
    前記共振器には、前記基板の上方に設けられた第１ミラーと、活性層と、該活性層を挟んで該第１ミラーに対向するように設けられた第２ミラーと、を形成し、
    前記第２ミラーには、かつ光学的膜厚がｍ_１λ／２（ｍ_１は自然数）である層を形成し、
    （ｂ）前記出射面に対して液滴をインクジェット法にて吐出して前記反射率調整層の前駆体を形成した後、該前駆体を硬化させることにより、前記出射面の上に、光学的膜厚が（２ｍ_２−１）λ／４（ｍ_２は自然数）である反射率調整層を形成すること、を含む、面発光型半導体レーザの製造方法。
19. 基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザの製造方法であって、
    （ａ）前記基板上に共振器を形成し、
    （ｂ）前記共振器に電流を注入するための第１電極および第２電極を形成し、その際、前記第１電極は、少なくとも一部が前記共振器の上面に形成され、かつ、該共振器の上面に、前記出射面を底面に有する開口部を設けるように形成され、
    （ｃ）前記出射面に対して液滴をインクジェット法にて吐出して前記反射率調整層の前駆体を形成した後、該前駆体を硬化させることにより、前記出射面の上に前記反射率調整層を形成すること、を含む、面発光型半導体レーザの製造方法。