JP2010040602A5 - 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 - Google Patents
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本発明は、面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器に関する。
本発明は、高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凸型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、上記面発光レーザの製造方法による面発光レーザで構成される面発光レーザアレイの製造方法、およひ面発光レーザアレイを備えている光学機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記面発光レーザの製造方法による面発光レーザで構成される面発光レーザアレイの製造方法、およひ面発光レーザアレイを備えている光学機器を提供することを目的とする。
本発明は、つぎのように構成した面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器を提供するものである。
本発明の面発光レーザは、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、前記積層構造体中に、バンド間吸収を生じる吸収層が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の光学機器は、上記した面発光レーザを複数個配置して構成されている面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体に光を照射することによって反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記積層構造体の表面層の厚さを調整する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、 前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体の表面に半導体層を形成する工程と、
前記積層構造体の表面に形成された半導体層に光を照射することにより、反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記半導体層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザアレイの製造方法は、上記したいずれかに記載の面発光レーザの製造方法による面発光レーザを複数個配置することを特徴とする。
本発明の面発光レーザは、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、前記積層構造体中に、バンド間吸収を生じる吸収層が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の光学機器は、上記した面発光レーザを複数個配置して構成されている面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体に光を照射することによって反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記積層構造体の表面層の厚さを調整する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、 前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体の表面に半導体層を形成する工程と、
前記積層構造体の表面に形成された半導体層に光を照射することにより、反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記半導体層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザアレイの製造方法は、上記したいずれかに記載の面発光レーザの製造方法による面発光レーザを複数個配置することを特徴とする。
本発明によれば、高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凸型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を実現することができる。
また、本発明によれば、上記面発光レーザの製造方法による面発光レーザで構成される面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器を実現することができる。
また、本発明によれば、上記面発光レーザの製造方法による面発光レーザで構成される面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器を実現することができる。
Claims (17)
- 基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、前記積層構造体中に、バンド間吸収を生じる吸収層が設けられていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記吸収層の吸収係数は、前記波長λに対して5000cm −1 以上であることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記吸収層が、前記積層構造体において真ん中に積層されている層よりも表面側で、且つ、最表面の層以外の層に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記吸収層が、前記積層構造体の表面側から5ペア以内に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記吸収層は、前記多層膜反射鏡の表面側からみて、前記多層膜反射鏡における高屈折率層から低屈折率層へ移る界面に、該吸収層の一部が含まれるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記上部反射ミラーの光出射部における前記凸形状が、選択エッチングによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記吸収層が、少なくともAlを含まない半導体層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 請求項1に記載の面発光レーザを複数個配置して構成されている面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする光学機器。
- 基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体に光を照射することによって反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記積層構造体の表面層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 前記吸収層の吸収係数は、波長λに対して5000cm −1 以上であることを特徴とする請求項9に記載の面発光レーザの製造方法。
- 基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体の表面に半導体層を形成する工程と、
前記積層構造体の表面に形成された半導体層に光を照射することにより、反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記半導体層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 前記吸収層の吸収係数は、前記波長λに対して5000cm −1 以上であることを特徴とする請求項11に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記吸収層を形成するに際し、該吸収層を前記積層構造体において真ん中に積層されている層よりも表面側で、且つ、最表面の層以外の層に形成する工程を有することを特徴とする請求項10または請求項11に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記吸収層を形成するに際し、該吸収層を前記積層構造体の表面側から5ペア以内に形成する工程を有することを特徴とする請求項11または請求項13に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記吸収層を形成するに際し、前記多層膜反射鏡の表面側からみて、前記多層膜反射鏡における高屈折率層から低屈折率層へ移る界面に、
前記吸収層の一部が含まれるように形成する工程を有することを特徴とする請求項11または請求項13に記載の面発光レーザの製造方法。 - 前記上部反射ミラーの光出射部における前記凸形状を形成するに際し、該凸形状を選択エッチングを用いて形成する工程を有することを特徴とする請求項11または請求項13に記載の面発光レーザの製造方法。
- 請求項11または請求項13に記載の面発光レーザの製造方法による面発光レーザを複数個配置することを特徴とする面発光レーザアレイの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198984A JP5279392B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
US12/509,676 US8073035B2 (en) | 2008-07-31 | 2009-07-27 | Surface emitting laser, manufacturing method of surface emitting laser, surface emitting laser array, manufacturing method of surface emitting laser array, and optical apparatus including surface emitting laser array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198984A JP5279392B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040602A JP2010040602A (ja) | 2010-02-18 |
JP2010040602A5 true JP2010040602A5 (ja) | 2012-01-05 |
JP5279392B2 JP5279392B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=41608311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008198984A Expired - Fee Related JP5279392B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8073035B2 (ja) |
JP (1) | JP5279392B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5106487B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、該製造方法による面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP5279393B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP5725804B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2015-05-27 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ、面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、面発光レーザアレイを備えた光学機器 |
DE102010061950A1 (de) * | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren sowie Anordnung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System |
JP2014086565A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP6208051B2 (ja) | 2014-03-06 | 2017-10-04 | 大同特殊鋼株式会社 | 点光源発光ダイオード |
WO2016048268A1 (en) | 2014-09-22 | 2016-03-31 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Single mode vertical-cavity surface-emitting laser |
US10447011B2 (en) | 2014-09-22 | 2019-10-15 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Single mode vertical-cavity surface-emitting laser |
CN110880674A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-13 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5052016A (en) * | 1990-05-18 | 1991-09-24 | University Of New Mexico | Resonant-periodic-gain distributed-feedback surface-emitting semiconductor laser |
JP2001284722A (ja) | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
US6782021B2 (en) * | 2001-03-02 | 2004-08-24 | Xiaodong Huang | Quantum dot vertical cavity surface emitting laser |
JP2003115634A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-04-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子 |
US6927412B2 (en) * | 2002-11-21 | 2005-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
JP4899344B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2012-03-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2007158153A (ja) | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザー素子及びその製造方法及び二次元面発光レーザーアレイ及び光走査装置及び画像形成装置 |
JP5082344B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-11-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4110181B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4974981B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置 |
US7839913B2 (en) * | 2007-11-22 | 2010-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and image forming apparatus including surface emitting laser |
JP5058939B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2012-10-24 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、該面発光レーザによって構成される光学機器 |
JP4621263B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
JP5279393B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
-
2008
- 2008-07-31 JP JP2008198984A patent/JP5279392B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-27 US US12/509,676 patent/US8073035B2/en not_active Expired - Fee Related
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