DE10108079A1 - Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

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Abstract

Die Erfindung beschreibt eine optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit mindestens einer strahlungserzeugenden Quantentopfstruktur (11) und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle zum optischen Pumpen der Quantentopfstruktur (11), wobei die Pumpstrahlungsquelle eine kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) aufweist und diese kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) und die Quantentopfstruktur (11) auf ein gemeinsames Substrat (1) epitaktisch aufgebracht sind. Die kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) der Pumpstrahlungsquelle ist dabei in Form eines Halbleiterringlasers ausgebildet.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine optisch gepumpte Halblei­ terlaservorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentan­ spruchs 1 und ein Verfahren zu deren Herstellung.
Die vorliegende Patentanmeldung ist ein Zusatz zum Patent (Patentanmeldung 100 26 734.3-33).
In Patent (Patentanmeldung 100 26 734.3-33) ist eine optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterla­ servorrichtung mit mindestens einer strahlungserzeugenden Quantentopfstruktur und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle zum optischen Pumpen der Quantentopfstruktur offenbart, bei der die Pumpstrahlungsquelle eine kantenemittierende Halblei­ terstruktur aufweist. Die strahlungserzeugende Quantentopf­ struktur und die kantenemittierende Halbleiterstruktur sind dabei auf einem gemeinsamen Substrat epitaktisch aufgebracht.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Pumpstrah­ lungsquelle aus einem oder mehreren Halbleiterlasern. Der Re­ sonator dieser Laser entspricht einem (linearen) Fabry-Perot- Resonator und wird vorzugsweise von zwei hochreflektierenden Spiegelschichten begrenzt. Die Pumpeffizienz dieser Halblei­ terlaser wird maßgeblich von der Qualität der Spiegel beein­ flußt. Eine Verringerung der Reflektivität dieser Spiegel, beispielsweise durch Alterung oder Strahlungsschäden, redu­ ziert zunächst die zur Verfügung stehende optische Pumplei­ stung und führt in der Folge zu einer erheblich geringeren Besetzungsinversionsdichte bzw. Strahlungsausbeute bei der Quantentopfstruktur.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine optisch gepumpte Halblei­ terlaservorrichtung der eingangs genannten Art mit verbesserter Pumpstrahlungsquelle zu schaffen. Weiterhin ist es Auf­ gabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren hierfür anzuge­ ben.
Diese Aufgabe wird durch eine Halbleiterlaservorrichtung nach Patentanspruch 1 bzw. ein Verfahren nach Patentanspruch 8 oder 9 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindungen sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 7 und 10.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß bei einer optisch gepump­ ten oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung gemäß Patent (Patentanmeldung 100 26 734.3-33) mit minde­ stens einer strahlungserzeugenden Quantentopfstruktur und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle zum Pumpen der Quanten­ topfstruktur die Pumpstrahlungsquelle eine kantenemittierende Halbleiterstruktur aufweist, wobei diese Halbleiterstruktur mindestens einen Ringlaser enthält. Unter einem Ringlaser ist dabei eine Laserstruktur zu verstehen, bei der sich im Be­ trieb Ringmoden ausbilden können. Die Ausbildung des Laserre­ sonators in Ringform ist dabei, wie im folgenden noch erläu­ tert wird, vorteilhaft, jedoch nicht zwingend erforderlich.
Der Resonator eines solchen Ringlasers kann mittels totalre­ flektierender Grenzflächen gebildet werden, so daß vorteil­ hafterweise keine hochreflektierenden Spiegel erforderlich sind. Damit wird auch die Gefahr einer geringeren Strahlungs­ ausbeute aufgrund von Schäden an den Spiegeln reduziert. Wei­ terhin zeichnet sich ein Ringlaser durch ein vorteilhaft gro­ ßes Modenvolumen und eine hohe Modenstabilität aus.
Bevorzugt ist die Quantentopfstruktur innerhalb des Ringreso­ nators angeordnet, so daß das gesamte resonatorinterne Strah­ lungsfeld zum Pumpen der Quantentopfstruktur zur Verfügung steht. Besonders vorteilhaft ist es hierbei, die aktive Schicht der kantenemittierenden Halbleiterstruktur und die Quantentopfstruktur in derselben Höhe über dem Substrat anzu­ ordnen, so daß sich ein großer Überlapp zwischen dem zu pumpenden Volumen der Quantentopfstruktur und dem Strahlungsfeld der kantenemittierenden Halbleiterstruktur und damit eine hohe Pumpeffizienz ergibt.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird der Resonator des Ringlasers von einem ringförmig geschlossenen Wellenleiter gebildet. Die Führung des Pumpstrahlungsfeldes erfolgt darin durch Totalreflexion an den Begrenzungen des Wellenleiters, so daß auch hier vorteilhafterweise keine hochreflektierenden Spiegel benötigt werden. Weiterhin kann durch die Formgebung des ringförmig geschlossenen Wellenlei­ ter das Pumpstrahlungsfeld sehr gut an das zu pumpende Volu­ men der Quantentopfstruktur angepaßt werden.
Die kantenemittierende Halbleiterstruktur ist bei einer be­ vorzugten Ausgestaltung der Erfindung von einem Medium umge­ ben, dessen Brechungsindex geringer ist als der Brechungsin­ dex der Halbleiterstruktur. Dadurch entsteht an dem Übergang vom Halbleiter in das optisch dünnere, umgebende Medium eine totalreflektierende Fläche, die als Begrenzung des Laserreso­ nators dient. Zur Bildung eines ringförmig geschlossenen Wel­ lenleiters kann innerhalb der kantenemittierenden Halbleiter­ struktur eine mit einem optisch dünneren Medium gefüllte Aus­ nehmung angeordnet sein.
Als umgebendes Medium eignet sich aufgrund des geringen Bre­ chungsindex insbesondere Luft oder ein anderes gasförmiges Medium. Alternativ kann die kantenemittierende Halbleiter­ struktur auch von einem anderen Material wie beispielsweise einem Halbleitermaterial, einem Halbleiteroxid oder einem Dielektrikum mit geringerem Brechungsindex umschlossen sein.
Bevorzugt ist die Halbleiterstruktur als zylindrischer Stapel kreisförmiger oder ringförmiger Halbleiterschichten gebildet. Der so geformte zylindrische Halbleiterkörper stellt zugleich den Ringlaserresonator dar, an dessen Mantelflächen das Strahlungsfeld totalreflektierend geführt wird.
Alternativ kann die Halbleiterstruktur auch prismatisch als Stapel von Halbleiterschichten in Form von Vielecken oder Vieleckringen gebildet sein. Durch diese Formgebung kann eine weitgehend homogene Strahlungsverteilung und entsprechend eine weitgehend homogene Pumpdichte in der Quantentopfstruk­ tur erzielt werden.
Ein Stapel von Halbleiterschichten der beschriebenen Form kann vergleichsweise einfach, zum Beispiel durch Ätzen aus einer zuvor epitaktisch hergestellten Halbleiterschichten­ folge gebildet werden. Vorteilhafterweise wird so mit der Formung des Halbleiterkörpers zugleich auch der Laserresona­ tor der kantenemittierenden Halbleiterstruktur gebildet, ohne daß zusätzliche Verspiegelungen erforderlich sind.
Bei einem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren wird zu­ nächst entsprechend dem in Patent (Patentanmeldung 100 26 734.3-33) beschriebenen Verfahren auf einem Substrat eine oberflächenemittierende Halbleiterschichtenfolge mit mindestens einer Quantentopfstruktur aufgebracht, die Schich­ tenfolge außerhalb des vorgesehenen Laserbereichs entfernt und die kantenemittierende Halbleiterstruktur der Pumpstrah­ lungsquelle auf den dadurch freigelegten Bereich aufgebracht.
Daraufhin wird der Außenbereich der kantenemittierenden Halb­ leiterstruktur zur Formung des Laserresonators entfernt. Be­ vorzugt wird dabei auch ein zentraler Teilbereich im Inneren der Halbleiterstruktur zur Bildung eines Ringresonators abge­ tragen. Die Entfernung dieser Teilbereiche kann beispiels­ weise mittels eines Trockenätzverfahrens erfolgen. Mit Vor­ teil ist keine aufwendige Nachbearbeitung der geätzten Flä­ chen erforderlich.
Alternativ können bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsver­ fahren die Verfahrensschritte in anderer Reihenfolge angewen­ det werden. Beispielsweise kann auf dem Substrat zunächst eine kantenemittierende Halbleiterstruktur aufgebracht werden, die dann im vorgesehenen Laserbereich der (noch zu bil­ denden) Quantentopfstruktur abgetragen wird. Auf den freige­ legten Bereich wird im nächsten Schritt die oberflächenemit­ tierende Halbleiterschichtenfolge mit mindestens einer Quan­ tentopfstruktur aufgebracht. Abschließend wird wieder der Au­ ßenbereich der kantenemittierenden Halbleiterstruktur zur Formung des Laserresonators entfernt. In einer Variante des Verfahrens kann die Formung des Laserresonators auch vor der Aufbringung der oberflächenemittierenden Halbleiterschichten­ folge stattfinden.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung werden nachfolgend anhand von vier Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 4 erläutert. Es zeigen
Fig. 1a und 1b eine schematische Schnittdarstellung bzw. eine schematische Aufsicht eines ersten Ausführungsbei­ spiels einer erfindungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung,
Fig. 2 eine schematische Aufsicht eines zweiten Ausfüh­ rungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Halbleiterlaservor­ richtung,
Fig. 3 eine schematische Aufsicht eines dritten Ausfüh­ rungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Halbleiterlaservor­ richtung und
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemä­ ßen Herstellungsverfahrens.
Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren der Ausführungsbeispiele mit denselben Bezugszeichen versehen.
In Fig. 1a ist ein Schnitt durch einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip mit einer Laser­ emission bei 1030 nm dargestellt. Bei diesem ist auf einem Substrat 1 eine Bufferschicht 6 aufgebracht. Das Substrat 1 besteht beispielsweise aus GaAs und die Bufferschicht 6 aus undotiertem GaAs.
Auf der Bufferschicht 6 ist in der Schnittdarstellung mittig über dem Substrat 1 eine oberflächenemittierende Halbleiter­ laserstruktur 10 mit einer Quantentopfstruktur 11 aufge­ bracht, die den oberflächenemittierenden Laserbereich 2 fest­ legt. Die Halbleiterlaserstruktur 10 setzt sich zusammen aus einer unmittelbar auf der Bufferschicht befindlichen ersten Confinementschicht 12, einer auf dieser angeordneten Quanten­ topfstruktur 11 und einer auf der Quantentopfstruktur 11 auf­ gebrachten zweiten Confinementschicht 13. Die Confinement­ schichten 12 und 13 bestehen beispielsweise aus undotiertem GaAs und die Quantentopfstruktur 11 weist zum Beispiel eine Mehrzahl (3) von Quantentöpfen (quantum wells) auf, die aus undotiertem InGaAs bestehen und deren Dicke auf die Emission bei 1030 nm eingestellt ist. Zwischen den Quantentöpfen be­ finden sich Barriereschichten aus GaAs.
Über der oberflächenemittierenden Halbleiterlaserstruktur ist ein Bragg-Spiegel 3 mit beispielsweise 28 bis 30 Perioden mit je einer GaAlAs(10%Al)-Schicht und einer GaAlAs(90%Al)- Schicht abgeschieden, der einen hochreflektiven Resonator­ spiegel darstellt.
Der für den Laserbetrieb der oberflächenemittierenden Halb­ leiterlaserstruktur 10 erforderliche zweite Spiegel ist bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel nicht in den Halbleiterkör­ per integriert, sondern als externer Spiegel vorgesehen. Al­ ternativ kann dieser zweite Spiegel auch in ähnlicher Weise wie der Spiegel 3 in nicht dargestellter Weise in dem Halb­ leiterkörper ausgebildet sein. In diesem Fall wäre der zweite Spiegel beispielsweise innerhalb des vorgesehenen Laserbe­ reichs 2 zwischen der Bufferschicht 6 und der Quantentopf­ struktur 11 anzuordnen.
In der Umgebung des Laserbereichs 2 ist auf der Bufferschicht 6 eine kantenemittierende Halbleiterlaserstruktur 30 in Form eines Ringlasers abgeschieden. Die Emissionswellenlänge die­ ses Ringlasers liegt bei etwa 1 µm.
Die Ringlaserstruktur setzt sich im Einzelnen zusammen aus einer ersten Mantelschicht 28 (z. B. n-GaAl0.65As), einer er­ sten Wellenleiterschicht 14 (z. B. n-GaAl0.1As), einer aktiven Schicht 16 (z. B. single quantum well aus undotiertem InGaAs), einer zweiten Wellenleiterschicht 15 (z. B. p-GaAl0.1As) und einer zweiten Mantelschicht 29 (z. B. p-GaAl0.66As).
Auf der zweiten Mantelschicht 29 kann als Deckschicht 17 bei­ spielsweise eine p+-dotierte GaAs-Schicht aufgebracht sein. Im Bereich des Bragg-Spiegels 3 befindet sich auf der Deck­ schicht 17 eine elektrisch isolierende Maskenschicht 7, bei­ spielsweise eine Siliziumnitrid-, Aluminiumoxid- oder eine Siliziumoxidschicht, mit deren Hilfe die Strominjektion in die kantenemittierende Halbleiterstruktur 30 festgelegt wird. Auf der dem Substrat 1 gegenüberliegenden Seite ist die La­ servorrichtung von einer gemeinsamen p-Kontaktschicht 18 ab­ gedeckt.
Die von der Halbleiterstruktur abgewandte Hauptfläche des Substrats 1 ist bis auf ein Austrittsfenster 8 für die von der Quantentopfstruktur 11 erzeugte Strahlung 5 mit einer n- Kontaktschicht 9 versehen.
Sämtliche Halbleiterschichten sind beispielsweise mittels me­ tallorganischer Dampfphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt.
Fig. 1b zeigt eine Aufsicht auf das erste Ausführungsbei­ spiel einer erfindungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung. Die Schnittdarstellung gemäß Fig. 1a entspricht einem senkrech­ ten Schnitt entlang der Linie A-A.
Die kantenemittierende Halbleiterstruktur 30 weist in der Aufsicht eine achteckige Form mit vierzähliger Rotationssym­ metrie sowie eine quadratische zentrale Aussparung 19 auf. Die zu pumpende, in der Aufsicht kreisförmige Quantentopf­ struktur 11 ist vollständig innerhalb des so gebildeten Acht­ eckrings angeordnet. Dieser Achteckring bildet einen Ringre­ sonator in Form eines totalreflektierenden, geschlossenen Wellenleiters.
Im Betrieb schwingen in diesem Wellenleiter zyklisch umlau­ fende Ringmoden, beispielhaft dargestellt anhand der Moden 20a, b, c, an, die die Quantentopfstruktur 11 optisch pumpen. Aufgrund der Totalreflexion an den Außenflächen sind die Aus­ koppelverluste bei diesem Ausführungsbeispiel äußerst gering, so daß mit Vorteil das gesamte resonatorinterne Strahlungs­ feld zum Pumpen der Quantentopfstruktur 11 zur Verfügung steht.
Aufgrund der gezeigten Formgebung des Achteckrings sind die Ringmoden 20a, 20b und 20c im wesentlichen gleichberechtigt und breiten sich gleichförmig aus. Somit ergibt sich in ra­ dialer Richtung (entlang der Linie B-B) ein weitgehend homo­ genes Strahlungsfeld und entsprechend eine weitgehend gleich­ mäßige Pumpdichte in der zu pumpenden Quantentopfstruktur 11.
In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfin­ dungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung in Aufsicht gezeigt. Im Unterschied zu dem vorigen Ausführungsbeispiel ist hier der totalreflektierende Wellenleiter als Kreisring gebildet. Die zu pumpende Quantentopfstruktur 11 ist vollständig inner­ halb des Ringbereichs angeordnet.
Innerhalb des kreisringförmigen Resonators können eine Viel­ zahl von Ringmoden anschwingen. Die dargestellt Mode 21 zeigt lediglich ein mögliches Beispiel. Die Quantentopfstruktur 11 wird daneben von einer Vielzahl weiterer Moden mit hoher Ef­ fizienz gepumpt.
Wie sich aus Fig. 2 ergibt, kann zur Vereinfachung auch auf die zentrale Aussparung 19 verzichtet werden, so daß der Re­ sonator eine Vollkreisfläche als Querschitt aufweist. Dadurch wird mit Vorteil der Herstellungsaufwand reduziert. Aller­ dings können dann bis zu einem gewissen Grad Moden anschwin­ gen, die durch das Resonatorzentrum verlaufen. Diese Moden werden an der Resonatorbegrenzung nicht totalreflektiert und besitzen daher vergleichsweise hohe Auskoppelverluste, die letztendlich die Pumpeffizienz verringern.
In Fig. 3a ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung gezeigt, bei dem die Quantentopfstruktur 11 von zwei voneinander unabhängigen Ringlasern gepumpt wird. Diese sind prinzipiell wie die Ringlaser des ersten Ausführungsbeispiels aufgebaut.
Die zugehörigen Wellenleiter 22, 23 kreuzen sich in zwei Be­ reichen 31a, b, wobei einem Bereich 31a die zu pumpende Quan­ tentopfstruktur 11 angeordnet ist. Mittels dieser Anordnung mit zwei Ringlasern wird die Pumpdichte in der Quantentopf­ struktur 11 weiter erhöht. Die wesentlichen Pumpmoden sind wiederum beispielhaft anhand der Moden 20a, b, c, d, e, f darge­ stellt. Mit Vorteil ergibt sich wie bei dem ersten Ausfüh­ rungbeispiel dargelegt auch hier wieder eine weitgehend homo­ gene Pumpdichte.
In Fig. 3b ist eine vorteilhafte Variante der in Fig. 3a dargestellten Anordnung gezeigt, die sich insbesondere da­ durch auszeichnet, daß die Formgebung der sich kreuzenden, ringförmigen Wellenleiter 22 und 23 vereinfacht ist. Dazu sind die Querschnitte der zentralen Ausnehmungen 24 und 25 auf Dreiecke reduziert. Auf die zentrale Ausnehmung 26 und die in Fig. 3a dargestellten seitlichen Ausnehmungen 32 wird verzichtet. Durch diese Vereinfachung wird mit Vorteil der Herstellungsaufwand verringert, ohne die Laserfunktion we­ sentlich zu beeinträchtigen.
Weitergehend könnte auch, wie in Fig. 3b angedeutet, eine zweite Quantentopfstruktur 27 in dem zweiten Kreuzungsbereich 31b der beiden Ringlaser ausgebildet sein.
In Fig. 4 ist schematisch ein Verfahren zur Herstellung ei­ ner erfindungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung gezeigt. Zu­ nächst werden auf das Substrat 1 nacheinander die Buffer­ schicht 6, die erste Confinementschicht 12, die Quantentopf­ struktur 11, die zweite Confinementschicht 13 und die Bragg- Spiegelschichten 3, beispielsweise mittels MOVPE, aufgebracht (Fig. 4a).
Danach wird auf den vorgesehenen oberflächenemittierenden La­ serbereich 2 dieser Schichtenfolge eine Ätzmaske 4 aufge­ bracht. Nachfolgend werden außerhalb des vorgesehenen ober­ flächenemittierenden Laserbereichs 2 die Bragg-Spiegelschich­ ten 3, die Confinementschichten 12 und 13, die Quantentopf­ struktur 11 und teilweise die Bufferschicht 6 beispielsweise mittels Ätzung entfernt (Fig. 4b).
Auf den freigelegten Bereich der Bufferschicht werden dann die erste Mantelschicht 28, die erste Wellenleiterschicht 14, die aktive Schicht 16, die zweite Wellenleiterschicht 15, die zweite Mantelschicht 29 und die Deckschicht 17 nacheinander, beispielsweise wiederum mittels MOVPE, aufgebracht (Fig. 4c).
Anschließend werden die Außenbereiche und der Zentralbereich (nicht dargestellt) der Halbleiterstruktur zur Bildung des totalreflektierenden, geschlossenen Wellenleiters abgetragen. Dies kann beispielsweise durch reaktives Ionenätzen unter Verwendung einer geeigneten, bekannten Maskentechnik erfolgen (Fig. 4d).
Die so hergestellten Seitenflächen der kantenemittierenden Halbleiterstruktur erfordern keine optische Vergütung und bilden einen nahezu verlustfreien Ringlaserresonator.
Abschließend wird die Ätzmaske 4 entfernt, auf den Braggspie­ gel 3 die elektrisch isolierende Maskenschicht 7 aufgebracht und die Oberfläche mit der p-Kontaktschicht 18 abgedeckt. Das Substrat wird mit den n-Kontaktflächen 9 versehen (Fig. 4e).
Die Erläuterung der Erfindung anhand der beschriebenen Aus­ führungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschrän­ kung der Erfindung hierauf zu verstehen. Insbesondere sind alle in Patentanmeldung (Patentanmeldung 100 26 734.3-33) beschriebenen vorteilhaften Weiterbildungen der Halbleiterlaservorrichtung sowie der Verfahren zu deren Her­ stellung auch bei der vorliegenden Erfindung prinzipiell an­ wendbar.

Claims (10)

1. Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterla­ servorrichtung nach Patent (Patentanmeldung 100 26 734.3-33) mit mindestens einer strahlungserzeugenden Quantentopfstruktur (11) und mindestens einer Pumpstrahlungs­ quelle zum optischen Pumpen der Quantentopfstruktur (11), bei der die Pumpstrahlungsquelle mindestens eine kantenemittie­ rende Halbleiterstruktur (30) aufweist und die mindestens eine kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) und die Quan­ tentopfstruktur (11) auf einem gemeinsamen Substrat (1) epi­ taktisch aufgewachsen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) mindestens einen Ringlaser enthält.
2. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Quantentopfstruktur (11) innerhalb des Resonators des Ringlasers angeordnet ist.
3. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Resonator des Ringlasers von einem ringförmig geschlosse­ nen Wellenleiter gebildet wird.
4. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30) von einem Me­ dium umgeben ist, dessen Brechungsindex geringer ist als der Brechungsindex der kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30).
5. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) von Luft, ei­ nem anderen gasförmigen Medium oder einem Dielektrikum umge­ ben ist.
6. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) als zylindri­ scher Körper mit kreisförmigem oder kreisringförmigem Quer­ schnitt gebildet ist.
7. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) als prismati­ scher Körper mit einem Querschnitt in Form eines Vielecks oder eines Vieleckrings gebildet ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservorrich­ tung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch die Schritte
  • - Aufbringen einer oberflächenemittierenden Halbleiter­ schichtenfolge mit mindestens einer Quantentopfstruktur (11) auf ein Substrat (1),
  • - Entfernen der oberflächenemittierenden Halbleiterschich­ tenfolge außerhalb eines vorgesehenen Laserbereichs (2),
  • - Aufbringen einer kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30) auf den freigelegten Bereich über dem Substrat (1),
  • - Entfernen von Teilbereichen der kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30) zur Ausbildung des Ringlaserresona­ tors.
9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservorrich­ tung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch die Schritte
  • - Aufbringen einer kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30) auf ein Substrat (1),
  • - Entfernen der kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30) innerhalb eines vorgesehenen Laserbereichs (2)
  • - Aufbringen einer oberflächenemittierenden Halbleiter­ schichtenfolge mit mindestens einer Quantentopfstruktur (11) auf das Substrat (1) innerhalb des freigelegten Laserbe­ reichs,
  • - Entfernen von Teilbereichen der kantenemittierenden Halbleiterschichtenfolge (30) zur Ausbildung des Ringlaserre­ sonators.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Entfernung von Teilbereichen der kantenemittierenden Halbleiterstruktur (30) durch Trockenätzen erfolgt.
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