JPH07193333A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH07193333A JPH07193333A JP33322193A JP33322193A JPH07193333A JP H07193333 A JPH07193333 A JP H07193333A JP 33322193 A JP33322193 A JP 33322193A JP 33322193 A JP33322193 A JP 33322193A JP H07193333 A JPH07193333 A JP H07193333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- clad
- active layer
- emitting device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/204—Strongly index guided structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 基板上にクラッド層１０４，１０５で挟まれ
た活性層１０１と、電流狭窄層を有する発光素子におい
て、基板側クラッド層の活性層に接する部分に、超格子
構造を有し、かつ各クラッド層の平均屈折率が、活性層
の平均屈折率よりも小さいことを特徴とする半導体発光
素子。 【効果】 低しきい値電流、高出力動作に適した半導体
発光素子を提供できる。
た活性層１０１と、電流狭窄層を有する発光素子におい
て、基板側クラッド層の活性層に接する部分に、超格子
構造を有し、かつ各クラッド層の平均屈折率が、活性層
の平均屈折率よりも小さいことを特徴とする半導体発光
素子。 【効果】 低しきい値電流、高出力動作に適した半導体
発光素子を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】近年化合物半導体が光半導体素子の材料
として多く利用されている。そしてこの化合物半導体材
料としては、単結晶基板上に所望の層をエピタキシャル
成長させたものを用いている。これは基板として用いら
れる結晶は、欠陥が多く、純度も低いため、そのまま発
光素子として使用することが困難であるためである。従
って基板は土台として使用され、その上に所望の発光波
長を得るための層をエピタキシャル成長させることが行
われている。そしてかかる半導体発光素子は、より安定
した横モード、より高い発光出力等を求めて改良が繰り
返されてきた。
として多く利用されている。そしてこの化合物半導体材
料としては、単結晶基板上に所望の層をエピタキシャル
成長させたものを用いている。これは基板として用いら
れる結晶は、欠陥が多く、純度も低いため、そのまま発
光素子として使用することが困難であるためである。従
って基板は土台として使用され、その上に所望の発光波
長を得るための層をエピタキシャル成長させることが行
われている。そしてかかる半導体発光素子は、より安定
した横モード、より高い発光出力等を求めて改良が繰り
返されてきた。
【０００３】レーザ素子の基本的な構造は図５に示され
るように、基板上に第１クラッド層，活性層，第２クラ
ッド層の順に積層されている。しかしながら高性能化を
目的として横方向の構造としては図６に示すように電流
狭窄層を設ける構造が知られている。又、たて方向の構
造として図７に示すように更に光ガイド層を設けたいわ
ゆるＬＯＣ構造、さらに両側に光ガイド層を設けた構造
（ＳＣＨ構造）、光ガイド層の組成を徐々に変化させ屈
折率を連続的に変化させた構造（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構
造）等が知られている。
るように、基板上に第１クラッド層，活性層，第２クラ
ッド層の順に積層されている。しかしながら高性能化を
目的として横方向の構造としては図６に示すように電流
狭窄層を設ける構造が知られている。又、たて方向の構
造として図７に示すように更に光ガイド層を設けたいわ
ゆるＬＯＣ構造、さらに両側に光ガイド層を設けた構造
（ＳＣＨ構造）、光ガイド層の組成を徐々に変化させ屈
折率を連続的に変化させた構造（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構
造）等が知られている。
【０００４】また活性層を量子井戸構造にした単一量子
井戸（ＳＱＷ）構造や２重量子井戸（ＤＱＷ）構造等活
性層自体を工夫した構造も知られている。そしてこれら
の構造は、液相成長法（ＬＰＥ）、分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ）、又有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等
によって広く実現されており、特にＭＢＥ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法の発展により、数原子層程度の薄い層構造の作成も
可能となっている。
井戸（ＳＱＷ）構造や２重量子井戸（ＤＱＷ）構造等活
性層自体を工夫した構造も知られている。そしてこれら
の構造は、液相成長法（ＬＰＥ）、分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ）、又有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等
によって広く実現されており、特にＭＢＥ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法の発展により、数原子層程度の薄い層構造の作成も
可能となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に層構造に対
して垂直な方向の構造は種々提案されているが、実際に
は層構造の作製に於て以下のような問題がある。例え
ば、近年光ファイバー増幅器の励起用光源に必要な９８
０ｎｍ帯の発光材料として期待されているＧａＡｓ基板
上のＩｎＧａＡｓ系のＭＢＥ成長を例にとると、基板に
対して積層される垂直方向の構造を作製する際、ＡｌＧ
ａＡｓをクラッド層、ＧａＡｓをガイド層、ＩｎＧａＡ
ｓを活性層とする構造が多く採用されている。しかしな
がら本構造を作製する際には、ＡｌＧａＡｓとＩｎＧａ
Ａｓの最適な成長温度に２００−２５０度程度の温度差
があり、ＧａＡｓガイド層を成長する際に成長中断を行
ない基板温度を変化させる等の方法が取られていた。し
かしこの成長中断は結晶性の劣化を引き起こしてきた。
また、ガイド層よりも相対的にＡｌ混晶比の高いＡｌＧ
ａＡｓをクラッド層、クラッド層よりも相対的にＡｌ混
晶比の低いＡｌＧａＡｓをガイド層、ＩｎＧａＡｓを活
性層とする構造においては、ガイド層に於て基板温度を
変化させる際にＡｌＧａＡｓバルク結晶表面が鏡面とな
らない温度領域を通過する。従って理論的には、ＡｌＧ
ａＡｓをガイド層に用いた方が、ＧａＡｓガイド層を用
いるよりもキャリアの閉じ込めが充分におこなわれるた
めに発光効率は上昇することが期待されるが、実際に
は、ＡｌＧａＡｓバルク結晶表面が鏡面とならない温度
領域を通過するために系全体の発光効率が低下してしま
う現象が見られてしまう。この様に従来提案されている
縦方向の構造においても、材料系によっては十分にその
特性を生かすことの出来ない場合が多々存在する。
して垂直な方向の構造は種々提案されているが、実際に
は層構造の作製に於て以下のような問題がある。例え
ば、近年光ファイバー増幅器の励起用光源に必要な９８
０ｎｍ帯の発光材料として期待されているＧａＡｓ基板
上のＩｎＧａＡｓ系のＭＢＥ成長を例にとると、基板に
対して積層される垂直方向の構造を作製する際、ＡｌＧ
ａＡｓをクラッド層、ＧａＡｓをガイド層、ＩｎＧａＡ
ｓを活性層とする構造が多く採用されている。しかしな
がら本構造を作製する際には、ＡｌＧａＡｓとＩｎＧａ
Ａｓの最適な成長温度に２００−２５０度程度の温度差
があり、ＧａＡｓガイド層を成長する際に成長中断を行
ない基板温度を変化させる等の方法が取られていた。し
かしこの成長中断は結晶性の劣化を引き起こしてきた。
また、ガイド層よりも相対的にＡｌ混晶比の高いＡｌＧ
ａＡｓをクラッド層、クラッド層よりも相対的にＡｌ混
晶比の低いＡｌＧａＡｓをガイド層、ＩｎＧａＡｓを活
性層とする構造においては、ガイド層に於て基板温度を
変化させる際にＡｌＧａＡｓバルク結晶表面が鏡面とな
らない温度領域を通過する。従って理論的には、ＡｌＧ
ａＡｓをガイド層に用いた方が、ＧａＡｓガイド層を用
いるよりもキャリアの閉じ込めが充分におこなわれるた
めに発光効率は上昇することが期待されるが、実際に
は、ＡｌＧａＡｓバルク結晶表面が鏡面とならない温度
領域を通過するために系全体の発光効率が低下してしま
う現象が見られてしまう。この様に従来提案されている
縦方向の構造においても、材料系によっては十分にその
特性を生かすことの出来ない場合が多々存在する。
【０００６】さらに、上述の材料系にとどまらず、半導
体発光素子においては、その温度特性は垂直方向の層構
造に大きく依存している。多くの埋め込み構造を有する
半導体発光素子は、そのクラッド層、ガイド層とも単純
なバルク構造の為に、そのバンドギャップ等の物理的性
質で決定される以上の温度特性は期待できず、その特性
温度ＴｏはＡｌＧａＡｓ系で１８０Ｋ程度、ＩｎＧａＡ
ｓ系では９０Ｋ程度であった。これらの値はますます厳
しい条件で使用されることになるであろう半導体発光素
子としては充分なものとは言い難い。
体発光素子においては、その温度特性は垂直方向の層構
造に大きく依存している。多くの埋め込み構造を有する
半導体発光素子は、そのクラッド層、ガイド層とも単純
なバルク構造の為に、そのバンドギャップ等の物理的性
質で決定される以上の温度特性は期待できず、その特性
温度ＴｏはＡｌＧａＡｓ系で１８０Ｋ程度、ＩｎＧａＡ
ｓ系では９０Ｋ程度であった。これらの値はますます厳
しい条件で使用されることになるであろう半導体発光素
子としては充分なものとは言い難い。
【０００７】さらに、層に対して垂直ではなく、平行な
方向に効率良く光を閉じ込める為に、積層された各層に
対して相対的に低い屈折率を持つ層を選択的に埋め込み
成長させることは、従来のＬＰＥやＭＯＣＶＤ等の結晶
成長技術では難しい。特にＡｌＧａＡｓ系の半導体発光
素子では、活性層に対して相対的に低い屈折率を持つ半
導体層を埋め込み層とすることはできても、クラッド層
に対して相対的に低い屈折率を持つ半導体層を埋め込み
層とすることはできなかった。従って、クラッド層の部
分で層に平行な方向への光閉じ込みができず、このた
め、共振器内での損失が大きくなったり、内部量子効率
の低下を来していた。
方向に効率良く光を閉じ込める為に、積層された各層に
対して相対的に低い屈折率を持つ層を選択的に埋め込み
成長させることは、従来のＬＰＥやＭＯＣＶＤ等の結晶
成長技術では難しい。特にＡｌＧａＡｓ系の半導体発光
素子では、活性層に対して相対的に低い屈折率を持つ半
導体層を埋め込み層とすることはできても、クラッド層
に対して相対的に低い屈折率を持つ半導体層を埋め込み
層とすることはできなかった。従って、クラッド層の部
分で層に平行な方向への光閉じ込みができず、このた
め、共振器内での損失が大きくなったり、内部量子効率
の低下を来していた。
【０００８】そこで本発明者らは、先にＬＯＣ構造の発
展形として、図８中横方向の電流狭窄層を、活性層，光
ガイド層，クラッド層に対し屈折率の低いものとして光
を閉じ込める構造を提案している。しかしながら発光素
子の性能は更に高いものが求められており、より以上の
光出力を有する半導体発光素子の開発が求められてい
る。
展形として、図８中横方向の電流狭窄層を、活性層，光
ガイド層，クラッド層に対し屈折率の低いものとして光
を閉じ込める構造を提案している。しかしながら発光素
子の性能は更に高いものが求められており、より以上の
光出力を有する半導体発光素子の開発が求められてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討の結果、かかる課題が、半導体素子を特定の構造
にすることにより解決されることを見いだし本発明に到
達した。すなわち本発明の目的は、より良好な温度特性
を有し、かつ層に対して垂直、水平の両方向に良好な光
閉じ込めが可能である半導体発光素子を提供することに
あり、かかる目的は、基板上に少なくとも第１クラッド
層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層の
共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有
する半導体発光素子において、第１クラッド層を、第１
クラッド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対
以上の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッド
層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれｎ
ｃ１，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），（２）
を満たすことを特徴とする半導体発光素子、
意検討の結果、かかる課題が、半導体素子を特定の構造
にすることにより解決されることを見いだし本発明に到
達した。すなわち本発明の目的は、より良好な温度特性
を有し、かつ層に対して垂直、水平の両方向に良好な光
閉じ込めが可能である半導体発光素子を提供することに
あり、かかる目的は、基板上に少なくとも第１クラッド
層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層の
共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有
する半導体発光素子において、第１クラッド層を、第１
クラッド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対
以上の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッド
層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれｎ
ｃ１，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），（２）
を満たすことを特徴とする半導体発光素子、
【００１０】
【数８】 ｎａ＞ｎｃ１ 式（１） ｎａ＞ｎｃ２ 式（２）
により容易に達成される。
により容易に達成される。
【００１１】以下本発明をより詳細に説明する。本発明
の半導体発光素子に用いられる基板は、単結晶であれ
ば、その構成する元素あるいは化合物の種類、基板の大
きさ等により限定されることはないが、好ましくは化合
物半導体である。基板上には、直接第１クラッド層を設
けてもよいが、より好ましくは基板と同一の組成の層を
バッファ層として積層することが好ましい。これは基板
として使用される単結晶は、通常欠陥が非常に多いた
め、この欠陥の影響がその上に積層される層に表れ、半
導体発光素子としての性能を極端に低下させてしまうこ
とを妨げるためである。
の半導体発光素子に用いられる基板は、単結晶であれ
ば、その構成する元素あるいは化合物の種類、基板の大
きさ等により限定されることはないが、好ましくは化合
物半導体である。基板上には、直接第１クラッド層を設
けてもよいが、より好ましくは基板と同一の組成の層を
バッファ層として積層することが好ましい。これは基板
として使用される単結晶は、通常欠陥が非常に多いた
め、この欠陥の影響がその上に積層される層に表れ、半
導体発光素子としての性能を極端に低下させてしまうこ
とを妨げるためである。
【００１２】バッファ層上には通常第１クラッド層が積
層され、更に必要に応じて第１クラッド層上に第１光ガ
イド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド層が、
この順に積層される。この内必ず必要なのは、活性層と
第２クラッド層である。本発明の特徴の１つは、いずれ
の構造にしても活性層の基板側に隣接して、少なくとも
一対以上の超格子構造を有する層を持つことである。超
格子構造とは、２つ以上の元素又は化合物が、数原子層
分づつ交互に積層された構造である。例えばガイド層を
超格子構造とする場合には、ＧａＡｓ層を数原子層積層
した後、ＡｌＧａＡｓ層（好ましくは混晶比が０．４５
〜１のもの）を同程度の厚さで積層することにより超格
子構造を得ることができる。又、それぞれの層の厚さ、
及び組成を変化させることにより、マクロに見た組成を
連続的に変化させたりするチャープ超格子構造をとるこ
とも可能である。そしてかかる超格子構造を取ることに
より、温度特性が向上するという効果か期待できる。
層され、更に必要に応じて第１クラッド層上に第１光ガ
イド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド層が、
この順に積層される。この内必ず必要なのは、活性層と
第２クラッド層である。本発明の特徴の１つは、いずれ
の構造にしても活性層の基板側に隣接して、少なくとも
一対以上の超格子構造を有する層を持つことである。超
格子構造とは、２つ以上の元素又は化合物が、数原子層
分づつ交互に積層された構造である。例えばガイド層を
超格子構造とする場合には、ＧａＡｓ層を数原子層積層
した後、ＡｌＧａＡｓ層（好ましくは混晶比が０．４５
〜１のもの）を同程度の厚さで積層することにより超格
子構造を得ることができる。又、それぞれの層の厚さ、
及び組成を変化させることにより、マクロに見た組成を
連続的に変化させたりするチャープ超格子構造をとるこ
とも可能である。そしてかかる超格子構造を取ることに
より、温度特性が向上するという効果か期待できる。
【００１３】本発明の他の特徴は、各層の平均屈折率
が、活性層を最大にして活性層から離れた層である程低
くなることであり、より好ましい対応としては、埋め込
み層の平均屈折率が最低となることである。平均屈折率
という言葉は、超格子構造を有する場合には屈折率は超
格子を構成する各数原子層の層の屈折率ではなく、マク
ロな目で見た超格子層としての屈折率のことを言う。こ
の平均屈折率を考慮しなければ、有効な光閉じ込め効果
が得られないのである。
が、活性層を最大にして活性層から離れた層である程低
くなることであり、より好ましい対応としては、埋め込
み層の平均屈折率が最低となることである。平均屈折率
という言葉は、超格子構造を有する場合には屈折率は超
格子を構成する各数原子層の層の屈折率ではなく、マク
ロな目で見た超格子層としての屈折率のことを言う。こ
の平均屈折率を考慮しなければ、有効な光閉じ込め効果
が得られないのである。
【００１４】この超格子層に用いられるドーパントとし
ては、超格子構造を壊しにくいものが好ましい。具体的
には、超格子層がIII −Ｖ族化合物の場合、Ｐ型不純物
としては炭素，マグネシウム，ベリリウムが好ましく、
ｎ型不純物としては、シリコンが好ましい。
ては、超格子構造を壊しにくいものが好ましい。具体的
には、超格子層がIII −Ｖ族化合物の場合、Ｐ型不純物
としては炭素，マグネシウム，ベリリウムが好ましく、
ｎ型不純物としては、シリコンが好ましい。
【００１５】本発明の主要な対様としては、以下に挙げ
る６通りが挙げられる。基板上に少なくとも第１クラッ
ド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層
の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を
有する半導体発光素子において、第１クラッド層を、第
１クラッド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一
対以上の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッ
ド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれ
ｎｃ１，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），
（２）を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
る６通りが挙げられる。基板上に少なくとも第１クラッ
ド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層
の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を
有する半導体発光素子において、第１クラッド層を、第
１クラッド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一
対以上の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッ
ド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれ
ｎｃ１，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），
（２）を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
【００１６】
【数９】 ｎａ＞ｎｃ１ 式（１） ｎａ＞ｎｃ２ 式（２）
【００１７】基板上に少なくとも第１クラッド層，光ガ
イド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性
層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層
を有する半導体発光素子において、光ガイド層を、光ガ
イド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対以上
の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッド層，
光ガイド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそ
れぞれｎｃ１，ｎｇ，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式
（２），（３）を満たすことを特徴とする半導体発光素
子。
イド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性
層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層
を有する半導体発光素子において、光ガイド層を、光ガ
イド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対以上
の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッド層，
光ガイド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそ
れぞれｎｃ１，ｎｇ，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式
（２），（３）を満たすことを特徴とする半導体発光素
子。
【００１８】
【数１０】 ｎａ＞ｎｃ２ 式（２） ｎａ＞ｎｇ＞ｎｃ１ 式（３）
【００１９】基板上に少なくとも第１クラッド層，第１
光ガイド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド層
をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流狭
窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子におい
て、第１光ガイド層を、第１光ガイド層の少なくとも活
性層に隣接した部分に、一対以上の超格子構造を有する
層とし、かつ該第１クラッド層，第１光ガイド層，活性
層，第２光ガイド層，第２クラッド層の平均屈折率をそ
れぞれｎｃ１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場
合、下記式（４），（５）を満たすことを特徴とする半
導体発光素子。
光ガイド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド層
をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流狭
窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子におい
て、第１光ガイド層を、第１光ガイド層の少なくとも活
性層に隣接した部分に、一対以上の超格子構造を有する
層とし、かつ該第１クラッド層，第１光ガイド層，活性
層，第２光ガイド層，第２クラッド層の平均屈折率をそ
れぞれｎｃ１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場
合、下記式（４），（５）を満たすことを特徴とする半
導体発光素子。
【００２０】
【数１１】 ｎａ＞ｎｇ１＞ｎｃ１ 式（４） ｎａ＞ｎｇ２＞ｎｃ２ 式（５）
【００２１】基板上に少なくとも第１クラッド層，活性
層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層の共振器方
向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有する半導
体発光素子において、第１クラッド層及び第２クラッド
層の活性層に隣接する部分に、少なくとも一対以上の超
格子構造を有する層を設け、かつ該第１クラッド層，活
性層，第２クラッド層の屈折率をそれぞれｎｃ１，ｎ
ａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），（２）を満たす
ことを特徴とする半導体発光素子。
層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層の共振器方
向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有する半導
体発光素子において、第１クラッド層及び第２クラッド
層の活性層に隣接する部分に、少なくとも一対以上の超
格子構造を有する層を設け、かつ該第１クラッド層，活
性層，第２クラッド層の屈折率をそれぞれｎｃ１，ｎ
ａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），（２）を満たす
ことを特徴とする半導体発光素子。
【００２２】
【数１２】 ｎａ＞ｎｃｌ 式（１） ｎａ＞ｎｃ２ 式（２）
【００２３】基板上に少なくとも第１クラッド層，光ガ
イド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性
層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層
を有する半導体発光素子において、光ガイド層及び第２
クラッド層の活性層に隣接する部分に、少なくとも一対
以上の超格子構造を有する層を設け、かつ該第１クラッ
ド層，光ガイド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折
率をそれぞれｎｃ１，ｎｇ，ｎａ，ｎｃ２とした場合、
下記式（２），（３）を満たすことを特徴とする半導体
発光素子。
イド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性
層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層
を有する半導体発光素子において、光ガイド層及び第２
クラッド層の活性層に隣接する部分に、少なくとも一対
以上の超格子構造を有する層を設け、かつ該第１クラッ
ド層，光ガイド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折
率をそれぞれｎｃ１，ｎｇ，ｎａ，ｎｃ２とした場合、
下記式（２），（３）を満たすことを特徴とする半導体
発光素子。
【００２４】
【数１３】 ｎａ＞ｎｃ２ 式（２） ｎａ＞ｎｇ＞ｎｃ１ 式（３）
【００２５】基板上に少なくとも第１クラッド層，第１
光ガイド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド層
をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流狭
窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子におい
て、第１光ガイド層及び第２光ガイド層の活性層に隣接
する部分に、少なくとも一対以上の超格子構造を有する
層を設け、かつ該第１クラッド層，第１光ガイド層，活
性層，第２光ガイド層，第２クラッド層の屈折率をそれ
ぞれｎｃ１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場
合、下記式（４），（５）を満たすことを特徴とする半
導体発光素子。
光ガイド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド層
をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流狭
窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子におい
て、第１光ガイド層及び第２光ガイド層の活性層に隣接
する部分に、少なくとも一対以上の超格子構造を有する
層を設け、かつ該第１クラッド層，第１光ガイド層，活
性層，第２光ガイド層，第２クラッド層の屈折率をそれ
ぞれｎｃ１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場
合、下記式（４），（５）を満たすことを特徴とする半
導体発光素子。
【００２６】
【数１４】 ｎａ＞ｎｇ１＞ｎｃ１ 式（４） ｎａ＞ｎｇ２＞ｎｃ２ 式（５）
【００２７】そしてこれらの構造において、水平方向へ
の光閉じ込めのため、より好ましくは、該埋め込み層の
屈折率をｎｘとした場合、下記式（６），（７）を満た
すことである。
の光閉じ込めのため、より好ましくは、該埋め込み層の
屈折率をｎｘとした場合、下記式（６），（７）を満た
すことである。
【００２８】
【数１５】 ｎｃ１＞ｎｘ 式（６） ｎｃ２＞ｎｘ 式（７）
【００２９】本発明に用いられる活性層として特に好ま
しいのは、活性層が量子井戸構造になっていることであ
る。活性層を量子井戸構造にすることにより、通常の半
導体素子でも出力を向上させることができるが、本発明
の場合には、活性層に隣接して超格子構造の層があるた
め、活性層の結晶性が極めて良好であるため、通常のレ
ーザー素子に量子井戸を設けた構造よりしきい値電流密
度ｊｔｈの低下と内部量子効率ηｉの向上に大きな効果
が見込まれるのである。
しいのは、活性層が量子井戸構造になっていることであ
る。活性層を量子井戸構造にすることにより、通常の半
導体素子でも出力を向上させることができるが、本発明
の場合には、活性層に隣接して超格子構造の層があるた
め、活性層の結晶性が極めて良好であるため、通常のレ
ーザー素子に量子井戸を設けた構造よりしきい値電流密
度ｊｔｈの低下と内部量子効率ηｉの向上に大きな効果
が見込まれるのである。
【００３０】尚、本発明の態様において、例えば請求項
１に記載した第１クラッド層の活性層に隣接する一部を
超格子構造にした場合と、請求項２に記載した光ガイド
層全体が超格子構造になっているものは、一見同一の構
造に見えるが、この区別は、超格子構造の層が、第１ク
ラッド層と同一の平均屈折率を有していれば第１クラッ
ド層の一部に超格子構造を設けたことになり、異なれば
光ガイド層の全体が超格子構造を有すると解釈する。
１に記載した第１クラッド層の活性層に隣接する一部を
超格子構造にした場合と、請求項２に記載した光ガイド
層全体が超格子構造になっているものは、一見同一の構
造に見えるが、この区別は、超格子構造の層が、第１ク
ラッド層と同一の平均屈折率を有していれば第１クラッ
ド層の一部に超格子構造を設けたことになり、異なれば
光ガイド層の全体が超格子構造を有すると解釈する。
【００３１】本発明の構造を作成する為には、通常用い
られる各種の方法が用いられるが、経済性よく、効率的
に製造するには、ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法を用いるこ
とが好ましい。特に超格子構造を有するリッジ部分の製
造にはＭＢＥ法を用い、その後埋め込み部分の製造の際
にはＭＯＣＶＤ法を用いるのが好ましい。本発明の発光
素子の製造方法の典型を、請求項１記載の最も簡単な素
子の一例を製造する場合を例にとって説明する。まず常
法に従って、基板上に、第１クラッド層をＭＢＥ法によ
り成長させた後、第１クラッド層の上に、第１クラッド
層の上部として超格子構造を積層する。更に活性層，第
２クラッド層を成長させる。この時、第１クラッド層，
活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれｎｃ
１，ｎａ，ｎｃ２とすると以下の式（１），（２）を満
たすことが必要である。
られる各種の方法が用いられるが、経済性よく、効率的
に製造するには、ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法を用いるこ
とが好ましい。特に超格子構造を有するリッジ部分の製
造にはＭＢＥ法を用い、その後埋め込み部分の製造の際
にはＭＯＣＶＤ法を用いるのが好ましい。本発明の発光
素子の製造方法の典型を、請求項１記載の最も簡単な素
子の一例を製造する場合を例にとって説明する。まず常
法に従って、基板上に、第１クラッド層をＭＢＥ法によ
り成長させた後、第１クラッド層の上に、第１クラッド
層の上部として超格子構造を積層する。更に活性層，第
２クラッド層を成長させる。この時、第１クラッド層，
活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれｎｃ
１，ｎａ，ｎｃ２とすると以下の式（１），（２）を満
たすことが必要である。
【００３２】
【数１６】 ｎａ＞ｎｃｌ 式（１） ｎａ＞ｎｃ２ 式（２）
【００３３】その後、かかるＤＨ構造に対しフォトリソ
グラフィー法によりマスキングを行い、所望の深さまで
エッチングすることによりリッジを形成する。この時の
好ましい深さとしては、第１クラッド層に到達する深さ
である。このエッチングを精度よく行うために、第１ク
ラッド層の上部に成長させた超格子構造を構成する各層
の中に、組成を大きく異ならせるか、あるいは、超格子
構造を構成する材料そのものを変化させることにより、
この層に到達した時点でエッチング速度が極めて遅くな
るため、エッチストップ層として作用し、素子構造が安
定するので好ましい。
グラフィー法によりマスキングを行い、所望の深さまで
エッチングすることによりリッジを形成する。この時の
好ましい深さとしては、第１クラッド層に到達する深さ
である。このエッチングを精度よく行うために、第１ク
ラッド層の上部に成長させた超格子構造を構成する各層
の中に、組成を大きく異ならせるか、あるいは、超格子
構造を構成する材料そのものを変化させることにより、
この層に到達した時点でエッチング速度が極めて遅くな
るため、エッチストップ層として作用し、素子構造が安
定するので好ましい。
【００３４】このようにして得た埋め込み層部分に、リ
ッジ部分に比べて電気抵抗が大きい層を埋め込む。この
層は、横方向への光閉じ込め層として作用することが好
ましいので、屈折率を他のどの層よりも低くすることが
好ましく、この為に例えばIII −Ｖ族の場合にはアルミ
ニウムの混晶比の大きな層が用いられる。又、このよう
なアルミニウムの組成比の高い層を埋め込む際には、塩
化水素等のハロゲン化水素又はハロゲンそのものを原料
ガスと同時に流すとマスク上に多結晶の堆積が生じにく
いため好ましい。
ッジ部分に比べて電気抵抗が大きい層を埋め込む。この
層は、横方向への光閉じ込め層として作用することが好
ましいので、屈折率を他のどの層よりも低くすることが
好ましく、この為に例えばIII −Ｖ族の場合にはアルミ
ニウムの混晶比の大きな層が用いられる。又、このよう
なアルミニウムの組成比の高い層を埋め込む際には、塩
化水素等のハロゲン化水素又はハロゲンそのものを原料
ガスと同時に流すとマスク上に多結晶の堆積が生じにく
いため好ましい。
【００３５】本発明においてはこの最も簡単な構造を基
本とし、これに、光ガイド層を設けたり、或いは超格子
構造を活性層の両端に設けたりすることができる。この
とき各層の屈折率は、光閉じ込めのために、常に活性層
に近い層の方が同じか低いことが好ましい。具体的には
それぞれ第１クラッド層，第１光ガイド層，活性層，第
２光ガイド層，第２クラッド層の屈折率をそれぞれｎｃ
１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場合、下記式
（４），（５）を満たすことが好ましい。
本とし、これに、光ガイド層を設けたり、或いは超格子
構造を活性層の両端に設けたりすることができる。この
とき各層の屈折率は、光閉じ込めのために、常に活性層
に近い層の方が同じか低いことが好ましい。具体的には
それぞれ第１クラッド層，第１光ガイド層，活性層，第
２光ガイド層，第２クラッド層の屈折率をそれぞれｎｃ
１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場合、下記式
（４），（５）を満たすことが好ましい。
【００３６】
【数１７】 ｎａ＞ｎｇ１＞ｎｃ１ 式（４） ｎａ＞ｎｇ２＞ｎｃ２ 式（５）
【００３７】そしてこれらに該当する層がない場合に
は、かかる式は簡略化され、式（３）の形となる。
は、かかる式は簡略化され、式（３）の形となる。
【００３８】
【数１８】 ｎａ＞ｎｇ＞ｎｃ１ 式（３）
【００３９】そしてこの時、超格子構造を構成する各層
の組成又は層の厚さを変化させ、いわゆるＧＲＩＮ−Ｓ
ＣＨ構造としてもよい。そして本発明においては、これ
に加え、更に横方向の光閉じ込めのために、埋め込み層
の屈折率をｎｘとした場合、下記式（６），（７）を満
たすことがより好ましい。
の組成又は層の厚さを変化させ、いわゆるＧＲＩＮ−Ｓ
ＣＨ構造としてもよい。そして本発明においては、これ
に加え、更に横方向の光閉じ込めのために、埋め込み層
の屈折率をｎｘとした場合、下記式（６），（７）を満
たすことがより好ましい。
【００４０】
【数１９】 ｎｃ１＞ｎｘ 式（６） ｎｃ２＞ｎｘ 式（７）
【００４１】この構造にすることにより、光が活性層の
横方向に対しても閉じ込められることになり、高い発光
効率を得ることができる。以下本発明を実施例を用いて
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例
に限定されるものではない。
横方向に対しても閉じ込められることになり、高い発光
効率を得ることができる。以下本発明を実施例を用いて
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例
に限定されるものではない。
【００４２】
実施例１ 実施例１で用いた本発明の半導体発光素子の構造を図１
に示す。（１００）方位を有するｎ−ＧａＡｓ半導体基
板１０９（Ｓｉ＝４ １０18ｃｍ-3）上にｎ−ＧａＡｓ
バッファ層１０８（Ｓｉ＝１ １０18ｃｍ-3、０．７μ
ｍ）、ｎ−Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層１０４
（Ｓｉ＝５ １０17ｃｍ-3、２μｍ）、アンドープＡ１
０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ／ＧａＡｓ超格子光ガイド層
１０２（厚さ１０００Åで（Ａ１０．４５Ｇａ０．５５
Ａｓ−１５Å／ＧａＡｓ−１０Å）４０周期）、アンド
ープｌｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ活性層１０１（６０
Å）、アンドープＡ１０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ／Ｇａ
Ａｓ超格子光ガイド層１０３（１０００Åで（Ａ１０．
４５Ｇａ０．５５Ａｓ−１５Å／ＧａＡｓ−１０Å）４
０周期）、ｐ−Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層１
０５（Ｂｅ＝５ １０17ｃｍ-3、２μｍ）を、連続して
分子線エピタキシー法により形成する。この際、クラッ
ド層と活性層との間には大幅な最適成長温度の差がある
が、これは、成長中断を行なわず超格子ガイド層を作製
している際に成長温度を変化させる。次に、ｐ−ＣＶＤ
法によりクラッド層１０５の上にＳｉＮ膜を２０００Å
堆積させ、フォトリソグラフィー技術を用いて、これ
を、３μｍ幅のストライプ状に加工をする。次に、成長
室に塩化水素ガスをＩＳＣＣｍ導入しながら有機金属気
相成長法を行なうことにより、クラッド層１０４，超格
子光ガイド層１０２，活性層１０１，超格子光ガイド層
１０３，クラッド層１０５，をリッジ状に加工する。引
き続いて塩化水素ガスを導入しながら有機金属気相成長
法により、アンドープＡ１０．９Ｇａ０．１Ａｓ埋め込
み層１０６を成長する。次に、ＳｉＮ膜をプラズマエッ
チング技術により除去する。最後にｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層１０７（Ｃ＝１ １０19ｃｍ-3、１μｍ）を有機金
属気相成長法で成長する。以上により素子の半導体部分
を構成する。さらに、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７側
に、ＡｕＺｎ／Ａｕ１１１また、ｎ−ＧａＡｓ半導体基
板１０９側にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ１１０を真空蒸着法
により積層形成し、熱処理を施して電極となし、素子を
完成する。図１中に水平方向と垂直方向の屈折率分析を
示す。
に示す。（１００）方位を有するｎ−ＧａＡｓ半導体基
板１０９（Ｓｉ＝４ １０18ｃｍ-3）上にｎ−ＧａＡｓ
バッファ層１０８（Ｓｉ＝１ １０18ｃｍ-3、０．７μ
ｍ）、ｎ−Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層１０４
（Ｓｉ＝５ １０17ｃｍ-3、２μｍ）、アンドープＡ１
０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ／ＧａＡｓ超格子光ガイド層
１０２（厚さ１０００Åで（Ａ１０．４５Ｇａ０．５５
Ａｓ−１５Å／ＧａＡｓ−１０Å）４０周期）、アンド
ープｌｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ活性層１０１（６０
Å）、アンドープＡ１０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ／Ｇａ
Ａｓ超格子光ガイド層１０３（１０００Åで（Ａ１０．
４５Ｇａ０．５５Ａｓ−１５Å／ＧａＡｓ−１０Å）４
０周期）、ｐ−Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層１
０５（Ｂｅ＝５ １０17ｃｍ-3、２μｍ）を、連続して
分子線エピタキシー法により形成する。この際、クラッ
ド層と活性層との間には大幅な最適成長温度の差がある
が、これは、成長中断を行なわず超格子ガイド層を作製
している際に成長温度を変化させる。次に、ｐ−ＣＶＤ
法によりクラッド層１０５の上にＳｉＮ膜を２０００Å
堆積させ、フォトリソグラフィー技術を用いて、これ
を、３μｍ幅のストライプ状に加工をする。次に、成長
室に塩化水素ガスをＩＳＣＣｍ導入しながら有機金属気
相成長法を行なうことにより、クラッド層１０４，超格
子光ガイド層１０２，活性層１０１，超格子光ガイド層
１０３，クラッド層１０５，をリッジ状に加工する。引
き続いて塩化水素ガスを導入しながら有機金属気相成長
法により、アンドープＡ１０．９Ｇａ０．１Ａｓ埋め込
み層１０６を成長する。次に、ＳｉＮ膜をプラズマエッ
チング技術により除去する。最後にｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層１０７（Ｃ＝１ １０19ｃｍ-3、１μｍ）を有機金
属気相成長法で成長する。以上により素子の半導体部分
を構成する。さらに、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７側
に、ＡｕＺｎ／Ａｕ１１１また、ｎ−ＧａＡｓ半導体基
板１０９側にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ１１０を真空蒸着法
により積層形成し、熱処理を施して電極となし、素子を
完成する。図１中に水平方向と垂直方向の屈折率分析を
示す。
【００４３】実施例２ 図２に本発明の第２の実施例を示す。（１００）方位を
有するｎ−ＧａＡｓ半導体基板２０９（Ｓｉ＝８ １０
18ｃｍ-3）上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２０８（Ｓｉ＝
１ １０18ｃｍ-3、０．６μｍ）、ｎ−Ａ１０．６Ｇａ
０．４Ａｓクラッド層２０４（Ｓｉ＝３ １０17ｃ
ｍ-3、１．５μｍ）、アンドープＡ１０．４５Ｇａ０．
５５Ａｓ／ＧａＡｓ超格子光ガイド層２０２（１５００
Åで（Ａ１０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ−１５Å／ＧａＡ
ｓ−１０Å）６０周期）、アンドープＧａＡｓ活性層２
０１（３００Å）、ｐ−Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓクラ
ッド層２０５（Ｃ＝５ １０17ｃｍ-3、１．５μｍ）
を、連続して有機金属気相用成長法により形成する。次
に、ｐ−ＣＶＤ法によりクラッド層２０５の上にＳｉＮ
膜を２０００Å堆積させ、フォトリソグラフィー技術を
用いて、これを、４．５μｍ幅のストライプ状に加工を
する。ここで、ＳｉＮをマスクとして酒石酸系のエッチ
ャントを用いてエッチングを行ない、クラッド層２０
４，超格子光ガイド層２０２，活性層２０１，クラッド
層２０５をリッジ状に加工する。引き続いて塩化水素ガ
スをＩＳＣＣｍ導入しながら有機金属気相成長法によ
り、アンドープＡ１０．８Ｇａ０．２Ａｓ埋め込み層２
０６を成長する。次に、ＳｉＮ膜をプラズマエッチング
技術により除去する。最後にｐ−ＧａＡｓキャップ層２
０７（Ｃ＝１ １０19ｃｍ-3、１μｍ）を有機金属気相
成長法で成長する。以上により素子の半導体部分を構成
する。
有するｎ−ＧａＡｓ半導体基板２０９（Ｓｉ＝８ １０
18ｃｍ-3）上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２０８（Ｓｉ＝
１ １０18ｃｍ-3、０．６μｍ）、ｎ−Ａ１０．６Ｇａ
０．４Ａｓクラッド層２０４（Ｓｉ＝３ １０17ｃ
ｍ-3、１．５μｍ）、アンドープＡ１０．４５Ｇａ０．
５５Ａｓ／ＧａＡｓ超格子光ガイド層２０２（１５００
Åで（Ａ１０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ−１５Å／ＧａＡ
ｓ−１０Å）６０周期）、アンドープＧａＡｓ活性層２
０１（３００Å）、ｐ−Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓクラ
ッド層２０５（Ｃ＝５ １０17ｃｍ-3、１．５μｍ）
を、連続して有機金属気相用成長法により形成する。次
に、ｐ−ＣＶＤ法によりクラッド層２０５の上にＳｉＮ
膜を２０００Å堆積させ、フォトリソグラフィー技術を
用いて、これを、４．５μｍ幅のストライプ状に加工を
する。ここで、ＳｉＮをマスクとして酒石酸系のエッチ
ャントを用いてエッチングを行ない、クラッド層２０
４，超格子光ガイド層２０２，活性層２０１，クラッド
層２０５をリッジ状に加工する。引き続いて塩化水素ガ
スをＩＳＣＣｍ導入しながら有機金属気相成長法によ
り、アンドープＡ１０．８Ｇａ０．２Ａｓ埋め込み層２
０６を成長する。次に、ＳｉＮ膜をプラズマエッチング
技術により除去する。最後にｐ−ＧａＡｓキャップ層２
０７（Ｃ＝１ １０19ｃｍ-3、１μｍ）を有機金属気相
成長法で成長する。以上により素子の半導体部分を構成
する。
【００４４】さらに、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２０７側
に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ２１１また、ｎ−ＧａＡｓ半導体
基板２０９側にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ２１０を電子ビーム蒸
着法により形成し、熱処理を施して素子を完成する。図
２中に水平方向の屈折率分布と垂直方向の屈折率分布も
示してある。この素子のＴｏは２７０Ｋであり、温度と
しきい値電流の関係は実施例１とほぼ同等であった。図
３に本実施例の第一の実施例の半導体発光素子の温度と
しきい値電流の関係を示す。
に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ２１１また、ｎ−ＧａＡｓ半導体
基板２０９側にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ２１０を電子ビーム蒸
着法により形成し、熱処理を施して素子を完成する。図
２中に水平方向の屈折率分布と垂直方向の屈折率分布も
示してある。この素子のＴｏは２７０Ｋであり、温度と
しきい値電流の関係は実施例１とほぼ同等であった。図
３に本実施例の第一の実施例の半導体発光素子の温度と
しきい値電流の関係を示す。
【００４５】比較例 活性層両側の光ガイド層を単に厚さ１０００ÅのＡｌ
０．２７Ｇａ０．７３Ａｓにした以外は実施例１と同様
に成長させ、図４に示す構造の素子を作成した。この素
子のＴｏは１２０Ｋであった。さらに、温度としきい値
電流を測定した。この結果を図３に示す。
０．２７Ｇａ０．７３Ａｓにした以外は実施例１と同様
に成長させ、図４に示す構造の素子を作成した。この素
子のＴｏは１２０Ｋであった。さらに、温度としきい値
電流を測定した。この結果を図３に示す。
【００４６】
【発明の効果】本発明により、垂直方向に導入した超格
子構造の効果により、半導体発光素子の温度特性の改善
ができ、クラッド層あるいは、ガイド層への超格子構造
の導入は活性層付近の結晶性を改善できるため、半導体
発光素子全体のしきい値電流密度（ｊｔｈ）の低下や内
部量子効率ηｉの向上等の特性の向上が可能である。さ
らに、導入する不純物のうち、ｎ型不純物としてＳｉ，
ｐ型不純物としてＣ，Ｍｇ，Ｂｅのうちのいずれかを用
いることで素子中に形成された超格子構造を無秩序化す
ることなく、上記構造を再現性良く実現することができ
る。
子構造の効果により、半導体発光素子の温度特性の改善
ができ、クラッド層あるいは、ガイド層への超格子構造
の導入は活性層付近の結晶性を改善できるため、半導体
発光素子全体のしきい値電流密度（ｊｔｈ）の低下や内
部量子効率ηｉの向上等の特性の向上が可能である。さ
らに、導入する不純物のうち、ｎ型不純物としてＳｉ，
ｐ型不純物としてＣ，Ｍｇ，Ｂｅのうちのいずれかを用
いることで素子中に形成された超格子構造を無秩序化す
ることなく、上記構造を再現性良く実現することができ
る。
【００４７】更に、この手段によって、層に対して平行
な方向にも効率良く光を閉じ込めることが可能であり、
共振器での損失を小さくなり、内部量子効率も高くな
る。その結果、低しきい値電流で、高出力動作に適した
レーザの実現が可能である。また、積層構造の各層に垂
直な方向への光の分布と、層に平行な方向への光の分布
を独立に設計できるので、レーザのビームの形状を容易
に制御でき、円形の近視野像や、遠視野像を持つレーザ
を作製できる。
な方向にも効率良く光を閉じ込めることが可能であり、
共振器での損失を小さくなり、内部量子効率も高くな
る。その結果、低しきい値電流で、高出力動作に適した
レーザの実現が可能である。また、積層構造の各層に垂
直な方向への光の分布と、層に平行な方向への光の分布
を独立に設計できるので、レーザのビームの形状を容易
に制御でき、円形の近視野像や、遠視野像を持つレーザ
を作製できる。
【００４８】また、共振器長とストライプの幅を適当に
設計することにより、３０ｍＷ以上の高出力において
も、縦モードがマルチスペクトルで発振しており、戻り
光に対してそのノイズレベルの変動が少ないレーザが作
製できる。
設計することにより、３０ｍＷ以上の高出力において
も、縦モードがマルチスペクトルで発振しており、戻り
光に対してそのノイズレベルの変動が少ないレーザが作
製できる。
【図１】本発明の一態様である第一の実施例の構造と、
屈折率分布を示す素子構造の模式図である。
屈折率分布を示す素子構造の模式図である。
【図２】本発明の一態様である第二の実施例の構造と屈
折率分布を示す素子構造の模式図である。
折率分布を示す素子構造の模式図である。
【図３】電流−光出力の温度変化を示す図である。
【図４】従来の超格子構造を持たない素子の一例を示す
模式図である。
模式図である。
【図５】従来の最も単純なレーザ素子構造の一例を示す
模式図である。
模式図である。
【図６】従来の電流狭窄層を有するレーザ素子の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図７】従来の光ガイド層を有するレーザ素子の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図８】本発明者が、先に提案したレーザ素子の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細井 信行 茨城県牛久市東猯穴町1000番地 三菱化成 株式会社筑波工場内 (72)発明者 後藤 秀樹 茨城県牛久市東猯穴町1000番地 三菱化成 株式会社筑波工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも第１クラッド層，活
性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層の共振器
方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有する半
導体発光素子において、第１クラッド層を、第１クラッ
ド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対以上の
超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラック層、活
性層、第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれｎｃ１，
ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），（２）を満た
すことを特徴とする半導体発光素子。 【数１】 ｎａ＞ｎｃｌ 式（１） ｎａ＞ｎｃ２ 式（２） - 【請求項２】 基板上に少なくとも第１クラッド層，光
ガイド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活
性層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み
層を有する半導体発光素子において、光ガイド層を、光
ガイド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対以
上の超格子構造を有する層とし、かつ該第１クラッド
層，光ガイド層，活性層，第２クラッド層の平均屈折率
をそれぞれｎｃ１，ｎｇ，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下
記式（２），（３）を満たすことを特徴とする半導体発
光素子。 【数２】 ｎａ＞ｎｃ２ 式（２） ｎａ＞ｎｇ＞ｎｃ１ 式（３） - 【請求項３】 基板上に少なくとも第１クラッド層，第
１光ガイド層，活性層，第２光ガイド層，第２クラッド
層をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流
狭窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子におい
て、第１光ガイド層を、第１光ガイド層の少なくとも活
性層に隣接した部分に、一対以上の超格子構造を有する
層とし、かつ該第１クラッド層，第１光ガイド層，活性
層，第２光ガイド層，第２クラッド層の平均屈折率をそ
れぞれｎｃ１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした場
合、下記式（４），（５）を満たすことを特徴とする半
導体発光素子。 【数３】 ｎａ＞ｎｇ１＞ｎｃ１ 式（４） ｎａ＞ｎｇ２＞ｎｃ２ 式（５） - 【請求項４】 基板上に少なくとも第１クラッド層，活
性層，第２クラッド層をこの順に有し、活性層の共振器
方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有する半
導体発光素子において、第１クラッド層及び第２クラッ
ド層の活性層に隣接する部分に、少なくとも一対以上の
超格子構造を有する層を設け、かつ該第１クラッド層，
活性層，第２クラッド層の平均屈折率をそれぞれｎｃ
１，ｎａ，ｎｃ２とした場合、下記式（１），（２）を
満たすことを特徴とする半導体発光素子。 【数４】 ｎａ＞ｎｃｌ 式（１） ｎａ＞ｎｃ２ 式（２） - 【請求項５】 基板上に少なくとも第１クラッド層，光
ガイド層，活性層，第２クラッド層をこの順に有し、活
性層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み
層を有する半導体発光素子において、光ガイド層及び第
２クラッド層の活性層に隣接する部分に、少なくとも一
対以上の超格子構造を有する層を設け、かつ該第１クラ
ッド層，光ガイド層，活性層，第２クラッド層の平均屈
折率をそれぞれｎｃ１，ｎｇ，ｎａ，ｎｃ２とした場
合、下記式（２），（３）を満たすことを特徴とする半
導体発光素子。 【数５】 ｎａ＞ｎｃ２ 式（２） ｎａ＞ｎｇ＞ｎｃ１ 式（３） - 【請求項６】 基板上に少なくとも第１クラッド層，第
１光ガイド層、活性層，第２光ガイド層，第２クラッド
層をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流
狭窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子におい
て、第１光ガイド層及び第２光ガイド層の活性層に隣接
する部分に、少なくとも一対以上の超格子構造を有する
層を設け、かつ該第１クラッド層，第１光ガイド層，活
性層，第２光ガイド層，第２クラッド層の平均屈折率を
それぞれｎｃ１，ｎｇ１，ｎａ，ｎｇ２，ｎｃ２とした
場合、下記式（４），（５）を満たすことを特徴とする
半導体発光素子。 【数６】 ｎａ＞ｎｇ１＞ｎｃ１ 式（４） ｎａ＞ｎｇ２＞ｎｃ２ 式（５） - 【請求項７】 該第１光ガイド層及び／又は該第２光ガ
イド層が、組成を連続的及び／又は断続的に変化させ、
光閉じ込み構造を形成してなる請求項３又は６に記載の
半導体発光素子。 - 【請求項８】 該埋め込み層の平均屈折率をｎｘとした
場合、下記式（６），（７）を満たす請求項１乃至７の
いずれかに記載の半導体発光素子。 【数７】 ｎｃ１＞ｎｘ 式（６） ｎｃ２＞ｎｘ 式（７） - 【請求項９】 該活性層が、量子井戸構造をとる請求項
１乃至８のいずれかに記載の半導体発光素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33322193A JPH07193333A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体発光素子 |
| EP94309789A EP0661784B1 (en) | 1993-12-27 | 1994-12-23 | Semiconductor laser diode |
| DE69432345T DE69432345T2 (de) | 1993-12-27 | 1994-12-23 | Halbleiterdiodenlaser |
| US08/363,261 US5619518A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-23 | Semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33322193A JPH07193333A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193333A true JPH07193333A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18263676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33322193A Pending JPH07193333A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体発光素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5619518A (ja) |
| EP (1) | EP0661784B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07193333A (ja) |
| DE (1) | DE69432345T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057308A (ja) * | 2004-11-12 | 2005-03-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| USRE42008E1 (en) | 1999-06-07 | 2010-12-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2012019040A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811839A (en) * | 1994-09-01 | 1998-09-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting devices |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US5751752A (en) * | 1994-09-14 | 1998-05-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JPH08307003A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP3718548B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2005-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| SE506651C2 (sv) * | 1996-02-27 | 1998-01-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Begravd heterostruktur |
| JPH11163383A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子 |
| GB2346735B (en) * | 1999-02-13 | 2004-03-31 | Sharp Kk | A semiconductor laser device |
| WO2001022545A1 (fr) * | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Element lumineux et module d'element lumineux |
| EP1130724A1 (fr) | 2000-03-03 | 2001-09-05 | Alpes Lasers | Laser à cascade quantique et procédé pour la fabrication d'un tel laser |
| DE10108079A1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US8280533B2 (en) * | 2000-06-20 | 2012-10-02 | Fisher-Rosemount Systems, Inc. | Continuously scheduled model parameter based adaptive controller |
| JP3797151B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2006-07-12 | ソニー株式会社 | レーザダイオード、光学ピックアップ装置、光ディスク装置および光通信装置 |
| US6996149B2 (en) * | 2002-02-19 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and semiconductor laser module |
| US7177336B2 (en) * | 2002-04-04 | 2007-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| GB0306279D0 (en) | 2003-03-19 | 2003-04-23 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser with large optical superlattice waveguide |
| JP2005167137A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP2015412B1 (en) * | 2007-07-06 | 2022-03-09 | Lumentum Operations LLC | Semiconductor laser with narrow beam divergence. |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175887A (ja) * | 1983-03-18 | 1983-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| US4706254A (en) * | 1983-05-12 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and its fabrication |
| JPS60189983A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS62193192A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62257782A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体の加工方法 |
| JPS63150982A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH03119777A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Canon Inc | 埋込みヘテロ型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| CA2055208C (en) * | 1990-11-09 | 2000-07-04 | Michinori Irikawa | A quatum barrier semiconductor optical device |
| US5289486A (en) * | 1991-02-28 | 1994-02-22 | Omron Corporation | Semiconductor luminous element and superlattice structure |
| US5213995A (en) * | 1992-04-16 | 1993-05-25 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising a periodic heteroepitaxial semiconductor structure |
| JP3444610B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2003-09-08 | 三菱化学株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| EP0637862A3 (en) * | 1993-08-05 | 1995-05-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device and manufacturing method. |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33322193A patent/JPH07193333A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-23 DE DE69432345T patent/DE69432345T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-23 EP EP94309789A patent/EP0661784B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-23 US US08/363,261 patent/US5619518A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE42008E1 (en) | 1999-06-07 | 2010-12-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| USRE45672E1 (en) | 1999-06-07 | 2015-09-22 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2005057308A (ja) * | 2004-11-12 | 2005-03-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP4622466B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP2012019040A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5619518A (en) | 1997-04-08 |
| EP0661784A3 (en) | 1995-12-27 |
| EP0661784B1 (en) | 2003-03-26 |
| DE69432345D1 (de) | 2003-04-30 |
| EP0661784A2 (en) | 1995-07-05 |
| DE69432345T2 (de) | 2003-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07193333A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US8519416B2 (en) | Method of fabricating nitride-based semiconductor light-emitting device and nitride-based semiconductor light-emitting device | |
| US20050040384A1 (en) | Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same | |
| US7683392B2 (en) | Semiconductor device with anisotropy-relaxed quantum dots | |
| JPH0738194A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| US5027169A (en) | Semiconductor device with substrate misorientation | |
| US5157679A (en) | Optoelectronic devices | |
| JPH0529713A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| EP1005123B1 (en) | Semiconductor laser, semiconductor device and their manufacturing methods | |
| US6639926B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2011134967A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3869641B2 (ja) | 半導体装置及び半導体レーザ装置 | |
| EP0528439B1 (en) | Semiconductor laser | |
| KR20000077066A (ko) | 반도체 레이저, 그 제조 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4192293B2 (ja) | ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの製造方法、ＡｌＧａＡｓ系半導体装置の製造方法および化合物半導体の成長方法 | |
| JP2611509B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3783244B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH11340585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2643771B2 (ja) | 半導体埋め込み構造とその製造方法 | |
| JPH0567839A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04275479A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP3446344B2 (ja) | Ｖ溝構造を有する半導体発光装置 | |
| JP2002217496A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2821600B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05152675A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031215 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040224 |