JP4622466B2 - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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(a)基板上に、n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、n型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子であって、
前記n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層は、前記基板上にC軸成長され、
前記活性層は、各層内で組成が略一定のIn x Ga 1−x N(0≦x<1)から成る井戸層とIn y Ga 1−y N(0≦y<1、x>y)又はAl z Ga 1−z N(0<z<0.5)から成る障壁層とから成る多重量子井戸構造を有し、
前記活性層に含まれるn型不純物は、Si、Ge、Snの少なくとも1種であり、
前記活性層は、前記n型窒化物半導体層に接する層から数えてj=i/6+2(但し、i≧4、jは小数以下を切り捨てた数字)で表されるj層までのいずれかに5×10 16 cm -3 以上のn型不純物がドープされ、
前記n型不純物の濃度は、n層側の方がp層側よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
(b)前記n型窒化物半導体層のn型コンタクト層と前記活性層との間に、InGaNとGaNとから成る超格子構造の多層膜を有する(a)に記載の窒化物半導体素子。ここで多層膜は、アンドープのInGaNとアンドープのGaNとから成る超格子構造であることが好ましい。
j=i/6+2(但しi≧4、jは少数以下を切り捨てた整数)・・・(1)
このn型不純物が含まれる層が(1)式の範囲を超えると、その層やその上に積層する層の結晶性が悪くなり、発光出力も悪くなってしまう。「n型不純物濃度がn層側の方がp層側よりも大きい」とは例えば、活性層が井戸層と障壁層が交互に積層された合計11層からなる多重量子井戸であれば、n層側の6層にn型不純物が含まれ、p層側の5層にはn型不純物が含まれていない場合や、n層側の6層のうち井戸層のみにn型不純物が含まれている場合などをいい、n層側の方にn型不純物が多く含まれていればこの層数や含まれる層が変わっても良い。
[実施例1]図1を元に実施例1について説明する。
(活性層7)TMG、アンモニアを用いアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームと、Siを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、アンドープからなる障壁層を11層、最初の2層のみSiがドープされ、残りの8層はアンドープからなる井戸層10層を交互に積層して、総数21層、総膜厚2500オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニアを用いアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームと、アンドープのIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、アンドープからなる障壁層を6層、最初の1層のみSiがドープされ、残りの4層はアンドープからなる井戸層5層を交互に積層して、総数11層、総膜厚1350オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニアを用いアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームと、アンドープのIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、アンドープからなる障壁層を3層、最初の1層のみSiがドープされ、残りの1層はアンドープからなる井戸層2層を交互に積層して、総数5層、総膜厚660オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニアを用いアンドープのIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームと、アンドープのIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、最初の3層のみSiがドープされ、残りの13層はアンドープからなる障壁層を16層、アンドープからなる井戸層15層を交互に積層して、総数31層、総膜厚3650オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームとSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、最初の3層のみSiがドープされ、残りの13層はアンドープからなる障壁層を16層、最初の3層のみSiがドープされ、残りの12層はアンドープからなる井戸層を15層交互に積層して、総数31層、総膜厚3650オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用い、Siを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームとSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、最初の2層のみSiドープがドープされ、残りの9層はアンドープからなる障壁層を11層、最初の2層のみSiドープがドープされ、残りの8層はアンドープからなる井戸層を10層交互に積層して、総数21層、総膜厚3650オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用い、Siを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームとアンドープのIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、最初の1層のみSiドープがドープされ、残りの9層はアンドープからなる障壁層を11層、最初の1層のみSiドープがドープされ、残りの8層はアンドープからなる井戸層を10層交互に積層して、総数21層、総膜厚3650オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
(活性層7)TMG、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニアを用いアンドープのIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームを成長させ、単一量子井戸構造からなる活性層7を成長させる。
(第2のアンドープGaN層5)次にシランガスのみを止め、1050℃で同様にして第2のアンドープGaN層5を1500オングストロームの膜厚で成長させる。
(p型アンドープAlGaN層)p型多層膜形成後、アンドープのAl0.05Ga0.95N層を2000オングストロームの膜厚で形成する。この層はp型多層膜層8からのMgの拡散により、p型不純物を含むようになりp型を示す。
(活性層7)TMG、アンモニアを用いアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、さらにTMG、TMI、アンモニア、シランガスを用いSiを5×1017/cm3ドープしたIn0.35Ga0.65Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームと、アンドープのIn0.35Ga0.65Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・・+障壁の順で成長させ、アンドープからなる障壁層を6層、最初の1層のみSiがドープされ、残りの4層はアンドープからなる井戸層5層を交互に積層して、総数11層、総膜厚1350オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層7を成長させる。
2・・・バッファ層
3・・・アンドープGaN層
4・・・n型コンタクト層
5・・・n型第1多層膜層
6・・・n型第2多層膜層
7・・・活性層
8・・・p型多層膜層
9・・・p型コンタクト層
10・・・p電極
11・・・n電極
Claims (7)
- 基板上に、n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、n型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子であって、
前記n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層は、前記基板上にC軸成長され、
前記活性層は、各層内で組成が略一定のIn x Ga 1−x N(0≦x<1)から成る井戸層とIn y Ga 1−y N(0≦y<1、x>y)又はAl z Ga 1−z N(0<z<0.5)から成る障壁層とから成る多重量子井戸構造を有し、
前記活性層に含まれるn型不純物は、Si、Ge、Snの少なくとも1種であり、
前記活性層は、前記n型窒化物半導体層に接する層から数えてj=i/6+2(但し、i≧4、jは小数以下を切り捨てた数字)で表されるj層までのいずれかに5×10 16 cm -3 以上のn型不純物がドープされ、
前記n型不純物の濃度は、n層側の方がp層側よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記n型窒化物半導体層のn型コンタクト層と前記活性層との間に、InGaNとGaNとから成る超格子構造の多層膜を有することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記多層膜は、アンドープのInGaNとアンドープのGaNとから成る超格子構造を有することを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記n型不純物が含まれている位置は、前記活性層中の井戸層であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記n型不純物が含まれている位置は、前記活性層中の障壁層であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記n型不純物が含まれている位置は、前記活性層中の井戸層と障壁層の両方であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記n型不純物は、Siであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の窒化物半導体素子。
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