JP2004207763A - 窒化ガリウム系化合物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【構成】 単層または多層からなる量子井戸構造の活性層に接してn側に、アンドープの窒化物半導体を5000オングストローム以下で形成し、同じく活性層に接してp側に、アンドープの窒化物半導体を1000オングストローム以下の膜厚で形成する。
【選択図】図1
Description
図1は基板1上に、バッファ層2、アンドープのGaN層3、n型不純物を含むn型コンタクト層4、アンドープからなる第1の窒化物半導体層5、単一量子井戸構造の活性層6、アンドープからなる第2の窒化物半導体層7、p型不純物を含むp型クラッド層8、p型不純物を含むp型コンタクト層9が順に積層された構造を有する。さらに、n型クラッド層4上にn電極10、p型コンタクト層9上にp電極11がそれぞれ形成されている。
(アンドープGaN層3)バッファ層2成長後、TMGのみ止めて、温度を1050℃まで昇温させる。続いて1050℃で、同じく原料ガスに、TMG、アンモニアを用い、アンドープGaN層3を1.5μmの膜厚で成長させる。
(活性層6)次に、温度を800℃まで下げ、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、アンドープIn0.35Ga0.65Nよりなる活性層6を30オングストロームの膜厚で成長させる。
(活性層6)1050℃でアンドープのGaNよりなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にしてTMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、アンドープIn0.35Ga0.65Nよりなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸+・・・+障壁の順で障壁層を5層、井戸層を4層交互に積層して総膜厚1120オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層6を成長させる。その結果、このLED素子は順方向電圧20mAにおいて、順方向電圧3.6V、470nmの青色発光を示し、発光出力は6.0mWであった。
(活性層6)800℃で、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、アンドープIn0.45Ga0.55Nよりなる活性層6を30オングストロームの膜厚で成長させる。その結果、このLED素子は順方向電圧20mAにおいて、順方向電圧3.4V、500nmの青緑色発光を示し、発光出力は2.5mWであった。
(p型クラッド層8)1050℃で、TMG、TMA、アンモニア、Cp2Mgを用い、Mgを1×1020/cm3ドープしたAlGaNよりなるp型クラッド層8を250オングストロームの膜厚で成長させた。その他は実施例1と同様にしてLED素子を作製したところ、実施例1よりは少し劣るが同等の特性を有するLED素子が得られた。
2・・・バッファ層
3・・・GaN層
4・・・n型コンタクト層
5・・・n側窒化物半導体層
6・・・活性層
7・・・p側窒化物半導体層
8・・・p型クラッド層
9・・・p型コンタクト層
10・・・p電極
11・・・n電極
Claims (5)
- n型GaNを含んでなるn型コンタクト層と、In、Gaを含み量子井戸を有する活性層と、p型AlGaNを含んでなるp型クラッド層と、p型GaNを含んでなるp型コンタクト層とを順に有する窒化物半導体素子において、
前記n型コンタクト層と活性層との間にアンドープの第1の窒化物半導体層が形成され、さらに前記p型クラッド層と活性層との間にアンドープの第2の窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記n型コンタクト層はn型不純物として、Siが1×1018/cm3以上、1×1021/cm3以下でドープされていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記n側のアンドープからなる第1の窒化物半導体層の膜厚は、0.5μm以下であることを特徴とする請求項1および請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記p側のアンドープからなる第2の窒化物半導体層の膜厚は、0.1μm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記p型クラッド層はMgドープのAlbGa1-bN(0≦b<1)とMgドープのIncGa1-cN(0≦c<1)との超格子からなる層であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
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- 2004-04-12 JP JP2004117211A patent/JP2004207763A/ja active Pending
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