KR100790898B1 - 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저 - Google Patents

펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저 Download PDF

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Abstract

빔 반사기를 이용하여 펌프 레이저가 일체로 결합된 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저를 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저는, 제 1 파장을 갖는 광을 발생시키는 양자우물 구조의 제 1 활성층, 상기 제 1 활성층의 상면에 형성된 반사층 및 상기 제 1 활성층의 하면과 대향하도록 위치하며 상기 반사층과 함께 공진기를 형성하는 외부 미러를 구비하는 면발광 레이저부;와 상기 면발광 레이저부 상면의 일부에 형성된 것으로, 상기 제 1 활성층을 여기시키기 위한 제 2 파장의 펌프 빔을 방출하는 수직한 광방출면을 갖는 측면 발광형 펌프 레이저부;와 상기 펌프 레이저부의 광방출면에 형성된 것으로, 상기 펌프 레이저부로부터 내부로 입사한 펌프 빔을 상기 제 1 활성층으로 전반사하는 빔 반사기;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저{Pump laser integrated vertical external cavity surface emitting laser}
도 1은 일반적인 외부 공진기형 면발광 레이저(vertical external cavity surface emitting laser; VECSEL)의 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 펌프 레이저가 일체로 결합된 종래의 외부 공진기형 면발광 레이저의 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저의 개략적인 구조를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저의 개략적인 구조를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저의 개략적인 구조를 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저의 개략적인 구조를 도시하는 단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
100.....VECSEL 110.....펌프 레이저부
111.....p-컨택 112.....p-클래드층
113.....제 2 활성층 114.....n-클래드층
115.....n-컨택 116.....고반사 미러
118.....빔 반사기 120.....면발광 레이저부
121.....반사층 122.....제 1 활성층
123.....기판 124.....외부 미러
126.....SHG 결정 130.....히트 싱크
본 발명은 외부 공진기형 면발광 레이저(vertical external cavity surface emitting laser; VECSEL)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 빔 반사기를 이용하여 펌프 레이저가 일체로 결합된 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저에 관한 것이다.
일반적으로, 외부 공진기형 면발광 레이저는 수직 공진기형 면발광 레이저(vertical cavity surface emitting laser; VCSEL)의 상부 미러를 외부의 미러로 대체하여 이득 영역(gain region)을 증가시킴으로써 수~수십W 이상의 고출력을 얻도록 하는 레이저 소자이다.
도 1은 일반적인 광펌핑 방식의 외부 공진기형 면발광 레이저(VECSEL)의 개략적인 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 광펌핑 방식의 VECSEL(10)은, 히트 싱크(11) 위에 순차적으로 형성된 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector; DBR)층(12)과 활성층(13), 상기 활성층(13)과 대향하도록 배치된 외부 미러(14) 및 상기 활성층(13)을 여기시키기 위한 펌프 빔을 제공하는 펌프 레이저(16)를 포함한다. 또한, 상기 활성층(13)과 외부 미러(14) 사이에는 광의 주파수를 2배로 만드는 2차 조화파 발생(second harmonic generation; SHG) 결정(15)을 배치할 수 있다. 활성층(13)은, 예컨대, RPG(resonant periodic gain) 구조를 갖는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있으며, 펌프 빔에 의해 여기되어 소정의 파장을 갖는 광을 방출한다. 히트싱크(11)는 활성층(13)에서 발생하는 열을 방출하여, 상기 활성층(13)을 냉각시키는 역할을 한다.
이러한 구조에서, 펌프 레이저(16)는 활성층(13)에서 방출되는 광의 파장 보다 짧은 파장의 광을 렌즈 어레이(17)를 통해 활성층(13)에 입사시킨다. 그러면, 상기 활성층(13)이 여기되면서 특정 파장의 광을 방출한다. 이렇게 발생한 광은, 활성층(13) 하부의 DBR 층(12)과 외부 미러(14) 사이에서 반사를 되풀이하면서 공진하게 된다. 따라서, 공진기는 DBR 층(12)과 외부 미러(14) 사이에 형성된다. 이러한 과정을 통해 활성층(13) 내에서 증폭된 광의 일부는 상기 외부 미러(14)를 통해 레이저빔으로서 외부로 출력된다.
그런데, 상술한 구조의 VECSEL(10)의 경우, 활성층(13) 부분과 펌프 레이저(16) 부분을 별도로 제작한 후 결합하여야 한다. 또한, 펌프 레이저(16)에서 방출된 광이 활성층(13)에 적절한 각도로 입사될 수 있도록 펌프 레이저(16)를 배치하여야 하고, 펌프 레이저(16)와 활성층(13) 사이에 렌즈 어레이(17)를 배치하여야 한다. 따라서, 레이저 소자를 대량으로 생산하기가 어려울 뿐만 아니라, 레이저 소 자의 전체적인 크기가 증가할 수밖에 없다. 이로 인해, 제조 시간 및 제조 비용 역시 증가하게 된다.
이에 따라, 펌프 레이저를 VECSEL 내에 일체화하기 위한 다양한 시도가 있었다. 도 2는 VECSEL 내에 펌프 레이저를 일체화시키기 위한 한 예를 도시한다. 도 2를 참조하면, 종래의 펌프 레이저 일체형 VECSEL(20)은, 통상적인 면발광 레이저부(21) 위에 n-컨택(27)을 형성하고, 그 위에 펌프 레이저부(22)를 적층한 구조이다. 여기서, 펌프 레이저부(22)의 공진기는 일측면의 고반사 미러(24)와 면발광 레이저부(21)의 DBR 층(26) 사이에 형성된다. 그리고, 상기 펌프 레이저부(22)의 공진기는 경사 미러(25)에 의해 폴딩되어 있다.
이러한 구조에서, n-컨택(27)과 p-컨택(28)에 전압이 인가되면, 펌프 레이저부(22)의 활성층(23)이 여기되면서 소정 파장의 광이 발생한다. 활성층(23)에 발생한 광은 경사 미러(25)를 통해 고반사 미러(24)와 DBR 층(26) 사이에서 공진한다. 이렇게 해서 증폭된 광의 일부는 DBR 층(26)을 통과하여 펌프 빔으로서 면발광 레이저부(21)에 제공된다.
그런데, 상기 활성층(23)에서 발생한 광은 활성층(23)의 방향과 완전히 평행하게 진행하는 것은 아니다. 통상적으로, 광은 활성층(23) 내에서 다양한 각도로 전반사되면서 진행하기 때문에, 경사 미러(25)에 의해 반사되어 DBR 층(26)으로 입사하는 광도 역시 상기 DBR 층(26)에 완전히 수직으로 입사하는 것은 아니다. 따라서, DBR 층(26)에 의해 되반사된 광의 일부만이 경사 미러(25)를 통해 활성층(23)으로 재입사 할 수 있으며, 상당 부분의 광은 손실된다. 이로 인해, 펌프 레이저 부(22)의 공진 효율이 좋지 않고, 면발광 레이저부(21)에 충분한 세기의 펌프 빔을 제공하기가 어렵다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 개선하기 위한 것이다. 따라서, 본 발명의 목적은, 펌프 레이저의 효율을 향상시킨 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 유형에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저는, 제 1 파장을 갖는 광을 발생시키는 양자우물 구조의 제 1 활성층, 상기 제 1 활성층의 상면에 형성된 반사층 및 상기 제 1 활성층의 하면과 대향하도록 위치하며 상기 반사층과 함께 공진기를 형성하는 외부 미러를 구비하는 면발광 레이저부;와 상기 면발광 레이저부 상면의 일부에 형성된 것으로, 상기 제 1 활성층을 여기시키기 위한 제 2 파장의 펌프 빔을 방출하는 수직한 광방출면을 갖는 측면 발광형 펌프 레이저부;와 상기 펌프 레이저부의 광방출면에 형성된 것으로, 상기 펌프 레이저부로부터 내부로 입사한 펌프 빔을 상기 제 1 활성층으로 전반사하는 빔 반사기;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 펌프 레이저부는, 상기 반사층 상에 순차적으로 적층된 n-컨택층, n-클래드층, 제 2 파장의 광을 발생시키는 제 2 활성층, p-클래드층 및 p-컨택층을 구비하며, 상기 펌프 레이저부의 광방출면 반대쪽 측면에 미러가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 미러는 상기 제 2 활성층과 빔 반사기의 계면과 함께 제 2 파장의 광이 공진하기 위한 선형 공진기를 형성한다.
본 발명에 따르면, 상기 반사층은 상기 펌프 레이저부로부터 방출된 펌프 빔을 투과시켜 상기 제 1 활성층에 제공하고, 상기 제 1 활성층에서 발생한 광을 상기 외부 미러로 반사하는 것을 특징으로 한다.
이를 위하여, 상기 반사층은 굴절률이 서로 다른 두 종류의 층이 교대로 적층되어 형성된 복층 구조의 분산 브래그 반사기일 수 있다.
예컨대, 상기 빔 반사기는 SiO2 또는 SiNx 를 증착하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 활성층을 지지하는 기판이 상기 제 1 활성층의 하면에 배치되어 있을 수 있다.
이 경우, 상기 제 1 활성층에서 발생한 제 1 파장의 광이 진행하는 광경로와 대응하는 상기 기판 부분이 절개되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저는, 상기 제 1 활성층과 외부 미러 사이에 위치하는 것으로, 상기 제 1 활성층에서 발생한 광의 주파수를 2배로 만드는 SHG 결정을 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 외부 미러는 평평한 반사면을 갖는 평판형 외부 미러일 수 있다.
또한, 상기 면발광 레이저부의 상면 양측에 두 개의 펌프 레이저부가 각각의 광방출면이 서로 대향하도록 형성되어 있으며, 상기 두 개의 펌프 레이저부의 대향 면 사이에 공통의 빔 반사기가 형성될 수도 있다.
한편, 본 발명의 다른 유형에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저는, 제 1 파장을 갖는 광을 발생시키는 양자우물 구조의 제 1 활성층, 상기 제 1 활성층의 상면에 형성된 반사층 및 상기 제 1 활성층의 하면과 대향하도록 위치하며 상기 반사층과 함께 공진기를 형성하는 외부 미러를 구비하는 면발광 레이저부;와 상기 면발광 레이저부의 상면 양측에 서로 대향하도록 각각 형성된 두 개의 측면 발광형 펌프 레이저부;와 상기 두 개의 펌프 레이저부의 상면 위를 가로질러 배치된 하나의 히트 싱크;를 포함하며, 상기 서로 대향하는 두 펌프 레이저부 사이의 공간에 상기 히트 싱크의 저면으로부터 돌출된 반사돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 두 개의 펌프 레이저부는 각각 제 1 활성층을 여기시키기 위한 제 2 파장의 펌프 빔을 방출하는 수직한 광방출면을 가지며, 각각의 광방출면이 서로 대향하고 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 두 개의 펌프 레이저부는, 상기 반사층 상에 순차적으로 적층된 n-컨택층, n-클래드층, 제 2 파장의 광을 발생시키는 제 2 활성층, p-클래드층 및 p-컨택층을 각각 구비하며, 상기 각각의 펌프 레이저부의 광방출면 반대쪽 측면에 미러가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 미러는 상기 제 2 활성층과 외부 공기의 계면과 함께 제 2 파장의 광이 공진하기 위한 선형 공진기를 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 펌프 레이 저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저의 구조 및 동작에 대해 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 양호한 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저의 개략적인 구조를 도시하는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저(100)는 크게 면발광 레이저부(120)와 상기 면발광 레이저부(120)의 상면 일부에 일체로 형성된 펌프 레이저부(110)로 구성되어 있다.
먼저, 면발광 레이저부(120)는 기판(123) 위에 순차적으로 적층된 제 1 활성층(122)과 반사층(121)을 구비하고 있으며, 도면 상에서 기판(123)의 아래 쪽으로 제 1 활성층(122)에 소정의 거리만큼 이격되어 오목한 외부 미러(124)가 배치되어 있다. 기판(123)은, 예컨대, n-GaAs 와 같은 n-도핑된 반도체 기판을 사용할 수 있다. 제 1 활성층(122)은 펌프 레이저부(110)로부터 제공된 펌프 빔에 의해 여기되어 소정의 파장을 갖는 광을 방출하기 위한 것이다. 공지된 바와 같이, 상기 제 1 활성층(122)은, 예컨대, 다수의 양자우물과 장벽이 교대로 적층되어 있는 다중 양자우물 구조를 가질 수 있다.
반사층(121)은 제 1 활성층(122)에서 방출된 광을 외부 미러(124)로 반사하는 역할을 하며, 상기 외부 미러(124)와 함께 공진기를 형성한다. 따라서, 상기 제 1 활성층(122)에서 방출된 광은 반사층(121)과 외부 미러(124) 사이에서 공진한다. 공지된 바와 같이, 상기 반사층(121)은 굴절률이 서로 다른 두 종류의 층이 교대로 적층되어 형성된 복층 구조의 분산 브래그 반사기(distributed brag reflector; DBR) 층일 수 있다. 예컨대, 굴절률이 상대적으로 큰 고굴절률층으로는 GaAs와 같은 화합물 반도체를 사용하고, 굴절률이 상대적으로 낮은 저굴절률층으로는 AlAs와 같은 화합물 반도체를 사용할 수 있다. 또한, 상기 반사층(121)으로서 DBR 층 대신에, 예컨대 TiO2/SiO2와 같은 유전체 재료로 된 복층 구조를 사용할 수도 있다.
한편, 펌프 레이저부(110)는 상기와 같은 면발광 레이저부(120)의 상면 일부 영역에 형성된다. 상기 펌프 레이저부(110)는, 상기 반사층(121) 위에 형성된 n-컨택(115), 상기 n-컨택(115) 위에 형성된 n-클래드층(114), 상기 n-클래드층(114) 위에 형성된 제 2 활성층(113), 상기 제 2 활성층(113) 위에 형성된 p-클래드층(112) 및 상기 p-클래드층(112) 위에 형성된 p-컨택(111)을 포함한다. 여기서, n-컨택(115)과 p-컨택(111)은 제 2 활성층(113)을 여기시킬 전압을 인가하기 위한 것이다. 도 3에서는 n-컨택(115)이 반사층(121)의 상면 전체 위에 형성되고, n-클래드층(114)이 n-컨택(115)의 상면 일부 위에 형성된 것으로 도시되어 있다. 그러나, n-컨택(115)을 반사층(121)의 상면 일부 위에 형성하고, n-클래드층(114)을 상기 n-컨택(115)의 상면 전체에 형성하는 것도 가능하다. 한편, 제 2 활성층(113)은 상기 제 1 활성층(122)을 여기시킬 펌프 빔을 발생시키기 위한 것이다. 또한, n-클래드층(114)과 p-클래드층(112)은 각각 상기 제 2 활성층(113)에 전자와 정공을 공급하기 위한 것이다.
본 발명의 양호한 실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 적어도 상기 n-클래드층(114), 제 2 활성층(113) 및 p-클래드층(112)의 일측 가장자리에는 상기 제 2 활성층(113)에서 발생한 광을 반사시키기 위한 고반사 미러(116)가 수직으로 형성된다. 상기 고반사 미러(116)는 제 2 활성층(113)에서 발생한 광에 대해 가장 높은 반사율을 갖도록 설계될 수 있으며, 예컨대, SiO2와 같은 유전체 미러를 사용할 수 있다. 또한, 적어도 상기 n-클래드층(114), 제 2 활성층(113) 및 p-클래드층(112)의 타측 가장자리는 수직하게 에칭되어 있다. 예컨대, 반사층(121)의 상면 전체 위에 n-컨택(115), n-클래드층(114), 제 2 활성층(113), p-클래드층(112) 및 p-컨택(111)을 연속하여 적층한 후, n-컨택(115)을 에칭 중지층(etching stop layer)으로 하여 n-클래드층(114), 제 2 활성층(113), p-클래드층(112) 및 p-컨택(111)을 수직하게 에칭할 수 있다.
그리고, 수직하게 에칭된 상기 펌프 레이저부(110)의 수직한 타측 가장자리, 즉 상기 펌프 레이저부(110)의 광방출면에는 SiO2, SiNx 와 같이 약 1.4~1.6 정도의 비교적 낮은 굴절률을 갖는 재료로 된 빔 반사기(117)가 형성되어 있다. 상기 빔 반사기(117)는, 예컨대, 플라즈마 화학증착법(PECVD) 또는 E-beam 증착법을 이용하여, n-컨택(115)의 상면과 상기 펌프 레이저부(110)의 수직하게 에칭된 측면(즉, 광방출면)에 SiO2, SiNx 등을 경사 증착함으로써 형성될 수 있다. 이렇게 경사 증착을 할 경우, 빔 반사기(117)의 외부 표면에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 오목하게 경사진 곡면이 자연스럽게 형성된다.
이러한 구조에서, 상기 제 2 활성층(113)과 빔 반사기(117) 사이의 계면은 굴절률의 차이로 인하여 약 20~25% 정도의 반사도를 갖는 미러의 역할을 하게 된 다. 따라서, 상기 제 2 활성층(113)에서 발생한 광은, 상기 제 2 활성층(113)과 빔 반사기(117)의 계면과 상기 고반사 미러(116) 사이에서 공진한다. 즉, 상기 고반사 미러(116)는 제 2 활성층(113)과 빔 반사기(117)의 계면과 함께 상기 펌프 레이저부(110)의 공진기를 형성하게 된다. 이러한 점에서, 상기 펌프 레이저부(110)는 기본적으로 측면 발광형 레이저(edge emitting laser)와 같은 구조를 가진다. 또한, 상기 펌프 레이저부(110)의 공진기는 공진하는 광의 경로가 절곡되지 않은 선형 공진기(linear cavity)로 볼 수 있다.
이하에서는, 상기와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저(100)의 동작에 대해 상세하게 설명한다.
먼저, 펌프 레이저부(110)의 n-컨택(115)과 p-컨택(111)을 통해 전압을 인가하면, n-클래드층(114)과 p-클래드층(112)에서 각각 공급된 전자와 정공이 제 2 활성층(113)에서 재결합하면서 광이 발생한다. 상기 제 2 활성층(113)에서 발생한 광은 상기 제 2 활성층(113)과 빔 반사기(117)의 계면과 상기 고반사 미러(116) 사이에서 반복적으로 반사되면서 공진하게 된다. 이 과정을 통해 제 2 활성층(113)에서 증폭된 광의 일부는, 펌프 빔으로서 제 2 활성층(113)과 빔 반사기(117)의 계면을 통과하여 빔 반사기(117)의 내부로 입사하게 된다. 그리고, 펌프 빔은 상기 빔 반사기(117)의 외부 표면과 공기(air)와의 계면에서 전반사되어 반사층(121)에 입사하게 된다.
반사층(121)으로 입사한 펌프 빔은 상기 반사층(121)을 그대로 투과한다. 이를 위하여, 상기 반사층(121)은 펌프 빔의 파장 대역에서는 반사도가 낮고, 제 1 활성층(122)에서 발생된 광의 파장 대역에서는 반사도가 높도록 설계되는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 반사층(121)은 약 808nm의 파장을 갖는 광에 대해서는 반사도가 낮고, 약 920nm 또는 1060nm의 파장을 갖는 광에 대해서는 반사도가 높도록 설계될 수 있다. 이는, 공지된 기술에 따라 상술한 DBR 층의 복층 구조를 형성하는 두 재료의 두께 및 적층 횟수를 조절함으로써 성취될 수 있다.
반사층(121)을 통과한 펌프 빔은 제 1 활성층(122)에 입사하게 된다. 그러면, 상기 제 1 활성층(122)이 여기되면서 소정의 파장을 갖는 광을 방출하게 된다. 제 1 활성층(122)에서 발생한 광은 상기 반사층(121)과 외부 미러(124) 사이를 반복하면서 공진하게 된다. 그 결과, 제 1 활성층(122)에서 증폭된 광의 일부가 상기 외부 미러(124)를 통해 레이저빔으로서 출력된다.
한편, 본 발명의 경우 제 1 활성층(122)과 외부 미러(124) 사이에 기판(123)이 존재한다. 따라서, 상기 기판(123)에 의한 광 출력의 감소를 방지하기 위해, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 활성층(122)에서 발생한 광이 진행하는 광경로와 대응하는 상기 기판(123)의 일부분을 절개할 수도 있다. 그러나, 실시예에 따라 달리 구성할 수도 있을 것이다. 예컨대, 본 실시예의 경우, 기판(123) 위에 제 1 활성층(122), 반사층(121), n-컨택(115), n-클래드층(114), 제 2 활성층(113), p-클래드층(112) 및 p-컨택(111)을 연속하여 적층한 구조를 예시적으로 도시하였지만, 기판 위에 p-컨택부터 제 1 활성층까지 반대의 순서로 적층하는 것도 가능할 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면 발광 레이저(200)를 도시하고 있다. 도 3에 도시된 실시예의 경우, 면발광 레이저부(120) 위에 단 하나의 펌프 레이저부(110)가 형성되어 있었다. 도 4에 도시된 실시예의 경우에는, 상기 면발광 레이저부(120)의 상면 양측에 두 개의 펌프 레이저부(110a,110b)가 서로 대향하도록 형성된다. 여기서, 상기 두 개의 펌프 레이저부(110a,110b)의 서로 대향하는 면은 광방출면이 되도록 한다. 또한, 실시예에 따라, 상기 면발광 레이저부(120)의 가운데 부분을 중심으로 하여 다수의 펌프 레이저가 방사상으로 배치되는 것도 가능하다. 이렇게 함으로써, 제 1 활성층(121)에 제공되는 펌프 빔의 세기를 용이하게 증가시킬 수 있다.
도 4에 도시된 외부 공진기형 면발광 레이저(200)는, 반사층(121)의 상면 전체 위에 n-컨택(115), n-클래드층(114), 제 2 활성층(113), p-클래드층(112) 및 p-컨택(111)을 연속하여 적층한 후, 예컨대 n-컨택(115)을 에칭 중지층으로 하여 n-클래드층(114), 제 2 활성층(113), p-클래드층(112) 및 p-컨택(111)의 중심부를 수직하게 에칭함으로써 형성될 수 있다. 이때, 두 개의 펌프 레이저부(110a,110b)에 각각 공진기를 형성하기 위하여, 각 펌프 레이저부의 외측벽에 제 1 및 제 2 고반사 미러(116a,116b)를 각각 형성하며, 두 펌프 레이저부(110a,110b)의 대향면 사이에 공통의 빔 반사기(118)를 형성한다. 상기 공통의 빔 반사기(118)는, 예컨대, 플라즈마 화학증착법(PECVD) 또는 E-beam 증착법을 이용하여, n-컨택(115)의 상면과 상기 두 펌프 레이저부(110a,110b)의 두 대향면에 SiO2, SiNx 등을 수직 증착함으로써 형성될 수 있다. 그러면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 빔 반사기(118)의 외 부 표면에 자연스럽게 오목한 곡면이 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저(200')를 도시하고 있다. 도 5에 도시된 외부 공진기형 면발광 레이저(200')의 경우, 도 4에 도시된 외부 공진기형 면발광 레이저(200)의 오목한 외부 미러(124)가 평평한 반사면을 갖는 평판형 외부 미러(125)로 대체되었다. 그리고, 상기 평판형 외부 미러(125)와 기판(123) 사이에 SHG 결정(126)이 배치되어 있다. SHG 결정(126)을 사용하는 경우, 보다 짧은 파장의 광이 레이저빔으로서 방출될 수 있다. 예컨대, 제 1 활성층(122)으로서 질화물 반도체를 이용하는 경우, 주로 900nm 내지 1300nm의 적외선 영역의 광이 발생하는데, SHG 결정(126)을 사용함으로써 약 450nm 내지 650nm의 청색 영역에서 적색 영역에 이르는 가시광을 방출시킬 수 있다. 도 5의 실시예의 경우, 외부 미러로서 평판형 미러를 사용하기 때문에, 외부 미러(125)와 SHG 결정(126)을 포함하는 전체적인 레이저 시스템의 구성이 간단한 공정으로 제조될 수 있으며, 제조 비용이 저렴하고 대량 생산이 가능하다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저(200")를 도시하고 있다. 도 6에 도시된 외부 공진기형 면발광 레이저(200")의 경우, 도 4에 도시된 외부 공진기형 면발광 레이저(200)의 상면에 히트 싱트(130)가 더 배치되어 있다. 보다 구체적으로, 상기 히트 싱크(130)는 두 개의 펌프 레이저부(110a,110b)의 상면 위를 가로질러 배치된다. 상기 히트 싱크(130)는 면발광 레이저부(120) 또는 펌프 레이저부(110)에서 발생하는 열을 외부로 방출시키기 위한 것으로, 예컨대, Al 또는 Cu와 같은 금속으로 이루어진다.
또한, 본 실시예에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저(200")는, 도 4에 도시된 공통의 빔 반사기(118) 대신에 상기 히트 싱크(130)의 저면으로부터 돌출된 반사돌출부(131)를 사용한다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 서로 대향하는 두 펌프 레이저부(110a,110b) 사이의 공간에 상기 히트 싱크(130)의 저면으로부터 돌출된 반사돌출부(131)가 형성되어 있다. 따라서, 플라즈마 화학증착법(PECVD) 또는 E-beam 증착법 등과 같은 복잡한 공정을 사용할 필요가 없이, 반사돌출부(131)가 형성된 히트 싱크(130)와 펌프 레이저부(110)를 플립칩 본딩(flip chip bonding)함으로써, 간단히 외부 공진기형 면발광 레이저를 제조할 수 있다. 이때, 반사돌출부(131)가 입사광을 산란시키지 않고 충분한 반사도를 가질 수 있도록, 상기 반사돌출부(131)의 표면은 매우 매끄럽게 연마되는 것이 바람직하다.
한편, 도 6의 실시예의 경우, 펌프 레이저부(110a,110b)의 공진기는 제 2 활성층(113)과 외부 공기와의 계면(즉, 광방출면)과 고반사 미러(116a,116b) 사이에서 형성된다. 제 2 활성층(113)의 광방출면이 SiO2, SiNx 등으로 이루어진 빔 반사기(117)와 접하지 않는 경우, 상기 제 2 활성층(113)과 외부 공기와의 계면에서 반사율은 약 30% 정도가 된다.
상술한 본 발명에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저에 따르면, 펌프 레이저부와 면발광 레이저부가 단일한 공정을 통해 한꺼번에 제조될 수 있다. 따라서, 펌프 레이저 및 렌즈 어레이를 정밀하게 정렬시키기 위한 복잡한 공정을 필요로 하지 않는다. 그 결과, 레이저 소자의 제조 공정이 매우 간단하며, 저렴한 비용으로 레이저 소자를 대량 생산하는 것이 가능하다. 또한, 종래에 비하여 레이저 소자의 크기를 매우 작게 할 수 있다.
또한, 종래의 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저와는 달리, 본 발명의 경우, 펌프 레이저부가 선형 공진기를 갖기 때문에 펌프 레이저의 효율이 향상될 수 있다. 특히, 다수의 펌프 레이저부를 제공할 수 있으므로, 종래에 비해 높은 입력을 면발광 레이저부에 제공하는 것이 가능하다.

Claims (19)

  1. 제 1 파장을 갖는 광을 발생시키는 양자우물 구조의 제 1 활성층,
    상기 제 1 활성층의 상면에 형성된 반사층, 및
    상기 제 1 활성층의 하면과 대향하도록 위치하며, 상기 반사층과 함께 공진기를 형성하는 외부 미러를 구비하는 면발광 레이저부;와
    상기 면발광 레이저부 상면의 일부에 형성된 것으로, 상기 제 1 활성층을 여기시키기 위한 제 2 파장의 펌프 빔을 방출하는 수직한 광방출면을 갖는 측면 발광형 펌프 레이저부;와
    상기 펌프 레이저부의 광방출면에 형성된 것으로, 상기 펌프 레이저부로부터 내부로 입사한 펌프 빔을 상기 제 1 활성층으로 전반사하는 빔 반사기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 펌프 레이저부는, 상기 반사층 상에 순차적으로 적층된 n-컨택층, n-클래드층, 제 2 파장의 광을 발생시키는 제 2 활성층, p-클래드층 및 p-컨택층을 구비하며, 상기 펌프 레이저부의 광방출면 반대쪽 측면에 미러가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 미러는 상기 제 2 활성층과 빔 반사기의 계면과 함께 제 2 파장의 광이 공진하기 위한 선형 공진기를 형성하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 펌프 레이저부로부터 방출된 펌프 빔을 투과시켜 상기 제 1 활성층에 제공하고, 상기 제 1 활성층에서 발생한 광을 상기 외부 미러로 반사하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반사층은 굴절률이 서로 다른 두 종류의 층이 교대로 적층되어 형성된 복층 구조의 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 빔 반사기는 SiO2 또는 SiNx 를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 활성층을 지지하는 기판이 상기 제 1 활성층의 하면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 활성층에서 발생한 제 1 파장의 광이 진행하는 광경로와 대응하는 상기 기판 부분이 절개되어 있는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 활성층과 외부 미러 사이에 위치하는 것으로, 상기 제 1 활성층에서 발생한 광의 주파수를 2배로 만드는 SHG 결정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 외부 미러는 평평한 반사면을 갖는 평판형 외부 미러인 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 면발광 레이저부의 상면 양측에 두 개의 펌프 레이저부가 각각의 광방출면이 서로 대향하도록 형성되어 있으며, 상기 두 개의 펌프 레이저부의 대향면 사이에 공통의 빔 반사기가 형성된 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 활성층과 외부 미러 사이에 위치하는 것으로, 상기 제 1 활성층에서 발생한 광의 주파수를 2배로 만드는 SHG 결정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 외부 미러는 평평한 반사면을 갖는 평판형 외부 미러인 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  14. 제 1 파장을 갖는 광을 발생시키는 양자우물 구조의 제 1 활성층,
    상기 제 1 활성층의 상면에 형성된 반사층, 및
    상기 제 1 활성층의 하면과 대향하도록 위치하며, 상기 반사층과 함께 공진기를 형성하는 외부 미러를 구비하는 면발광 레이저부;와
    상기 면발광 레이저부의 상면 양측에 서로 대향하도록 각각 형성된 두 개의 측면 발광형 펌프 레이저부;와
    상기 두 개의 펌프 레이저부의 상면 위를 가로질러 배치된 하나의 히트 싱크;를 포함하며,
    상기 서로 대향하는 두 펌프 레이저부 사이의 공간에 상기 히트 싱크의 저면으로부터 돌출된 반사돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 두 개의 펌프 레이저부는 각각 제 1 활성층을 여기시키기 위한 제 2 파장의 펌프 빔을 방출하는 수직한 광방출면을 가지며, 각각의 광방출면이 서로 대향하고 있는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 두 개의 펌프 레이저부는, 상기 반사층 상에 순차적으로 적층된 n-컨택층, n-클래드층, 제 2 파장의 광을 발생시키는 제 2 활성층, p-클래드층 및 p-컨택층을 각각 구비하며, 상기 각각의 펌프 레이저부의 광방출면 반대쪽 측면에 미러가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 미러는 상기 제 2 활성층과 외부 공기의 계면과 함께 제 2 파장의 광이 공진하기 위한 선형 공진기를 형성하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 펌프 레이저부로부터 방출된 펌프 빔을 투과시켜 상기 제 1 활성층에 제공하고, 상기 제 1 활성층에서 발생한 광을 상기 외부 미러로 반사하는 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 반사층은 굴절률이 서로 다른 두 종류의 층이 교대로 적층되어 형성된 복층 구조의 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 외부 공진기형 면발광 레이저.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008048903B4 (de) * 2008-09-25 2021-06-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil
EP2337168B1 (de) * 2009-12-17 2019-12-25 Forschungsverbund Berlin e.V. Oberflächenemittierende Laserstrahlquelle mit zwei Kavitäten
US8194512B2 (en) 2010-11-08 2012-06-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Head structure for thermally-assisted recording (TAR) disk drive
US20120320936A1 (en) * 2011-06-20 2012-12-20 Si-Ware Systems Mems based swept laser source
US9651610B2 (en) * 2013-06-29 2017-05-16 Intel Corporation Visible laser probing for circuit debug and defect analysis
EP4199276A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-21 Twenty-One Semiconductors GmbH Optically pumped semiconductor laser arrangement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249824A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2002270961A (ja) 2000-12-15 2002-09-20 Nortel Networks Ltd 横方向に光ポンピングされる垂直共振器型面発光レーザ
KR20060115100A (ko) * 2005-05-04 2006-11-08 삼성전자주식회사 펌프 레이저가 일체로 결합된 수직 외부 공진기형 면발광레이저

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10108079A1 (de) * 2000-05-30 2002-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10243545B4 (de) * 2002-09-19 2008-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249824A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2002270961A (ja) 2000-12-15 2002-09-20 Nortel Networks Ltd 横方向に光ポンピングされる垂直共振器型面発光レーザ
KR20060115100A (ko) * 2005-05-04 2006-11-08 삼성전자주식회사 펌프 레이저가 일체로 결합된 수직 외부 공진기형 면발광레이저

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