KR100773540B1 - 광펌핑 방식의 면발광 레이저 - Google Patents

광펌핑 방식의 면발광 레이저 Download PDF

Info

Publication number
KR100773540B1
KR100773540B1 KR1020050048859A KR20050048859A KR100773540B1 KR 100773540 B1 KR100773540 B1 KR 100773540B1 KR 1020050048859 A KR1020050048859 A KR 1020050048859A KR 20050048859 A KR20050048859 A KR 20050048859A KR 100773540 B1 KR100773540 B1 KR 100773540B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength
light
laser chip
laser
mirror
Prior art date
Application number
KR1020050048859A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060127636A (ko
Inventor
유재령
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050048859A priority Critical patent/KR100773540B1/ko
Priority to US11/431,666 priority patent/US20060280220A1/en
Priority to JP2006158778A priority patent/JP2006344973A/ja
Publication of KR20060127636A publication Critical patent/KR20060127636A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100773540B1 publication Critical patent/KR100773540B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H01S5/02484—Sapphire or diamond heat spreaders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/041—Optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon

Abstract

광펌핑용 빔을 레이저칩에 수직으로 입사시킬 수 있는 수직 외부 공진기형 면발광 레이저를 개시한다. 본 발명에 따른 면발광 레이저는, 광펌핑 방식에 의해 제 1 파장의 광을 방출시키는 레이저칩; 상기 레이저칩으로부터 소정의 거리만큼 이격되어 위치하며, 상기 레이저칩에서 발생한 제 1 파장의 광을 상기 레이저칩으로 다시 반사하는 외부 미러; 상기 레이저칩을 발진시키기 위한 제 2 파장의 광을 방출하는 펌프 레이저; 상기 레이저칩과 외부 미러 사이에 배치된 것으로, 상기 펌프 레이저에서 방출된 제 2 파장의 광을 레이저칩으로 반사시키고, 상기 레이저칩에서 방출된 제 1 파장의 광을 투과시키는 파장 선택성 미러; 및 상기 파장 선택성 미러와 레이저칩 사이에 배치된 것으로, 제 1 파장의 광을 상기 외부 미러와 파장 선택성 미러 사이의 광경로 상에 포커싱하고, 제 2 파장의 광을 상기 레이저칩 상에 포커싱하는 광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

광펌핑 방식의 면발광 레이저{Optically-pumped vertical external cavity surface emitting laser}
도 1은 종래의 광펌핑 방식의 수직 외부 공진기형 면발광 레이저(vertical external cavity surface emitting laser; VECSEL)의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2는 종래의 VECSEL의 공진기 내부에서 빔 반경의 크기를 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 종래의 또 다른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 VECSEL의 공진기 내부에서 빔 반경의 크기를 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
30.....VECSEL 31.....히트싱크
32.....레이저칩 33.....열확산기(heat spreader)
34.....펌프 레이저 35.....렌즈
36.....파장 선택성 미러 37.....SHG 결정
38.....외부 미러
본 발명은 광펌핑 방식의 면발광 레이저에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광펌핑용 빔을 레이저칩에 수직으로 입사시킬 수 있는 수직 외부 공진기형 면발광 레이저(vertical external cavity surface emitting laser; VECSEL)에 관한 것이다.
수직 외부 공진기형 면발광 레이저(VECSEL)는 수직 공진기형 면발광 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser; VCSEL)의 상부 미러를 외부의 미러(External Mirror)로 대체하여 이득 영역(Gain Region)을 증가시킴으로써 수~수십W 이상의 고출력을 얻도록 하는 레이저 소자이다.
도 1은 종래의 광펌핑 방식의 수직 외부 공진기형 면발광 레이저(VECSEL)의 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하여 종래의 광펌핑 방식의 VECSEL(10)의 구조를 살펴보면, 레이저 발진을 위한 레이저칩(13)이 열확산기(heat spreader)(12)를 통해 히트 싱크(Heat sink)(11)에 부착되어 있으며, 상기 레이저칩(laser chip)(13)과 소정의 간격을 두고 외부 미러(16)가 배치되어 있다. 그리고, 상기 레이저칩(13)에 광펌핑용 빔을 제공하기 위한 펌프 레이저(14)가 비스듬하게 배치되어 있 다. 상기 레이저칩(13)은 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector; DBR)층(13a)과 활성층(13b)이 순차적으로 적층된 구조이다. 상기 활성층(13b)은, 예컨대, 다중 양자우물 구조이고, 광펌핑용 빔에 의해 여기되어 소정의 파장을 갖는 광을 방출한다. 또한, 펌프 레이저(14)는 상기 레이저칩(13)의 발진 파장 보다 짧은 파장의 광을 렌즈(15)를 통해 레이저칩(13)에 입사시켜, 상기 레이저칩(13) 내의 활성층(13b)을 여기시키는 역할을 한다.
또한, 상기 레이저칩(13)과 외부 미러(16) 사이에 특정 파장의 광만을 통과시키는 필터(17)와 광의 주파수를 2배로 만드는 SHG(Second Harmonic Generation) 결정(18)을 더 배치할 수 있다. SHG 결정(18)을 사용할 경우, 예컨대, 레이저칩(13)에서 방출되는 적외선 영역의 광을 가시광선 영역의 파장을 갖는 레이저빔으로 출력할 수 있다.
이러한 구조에서, 펌프 레이저(pump laser)(14)에서 방출된 광빔이 렌즈(15)를 통해 레이저칩(13)에 입사하면, 상기 레이저칩(13) 내의 활성층(13b)이 여기되면서 특정 파장의 광을 방출한다. 이렇게 발생한 광은, 레이저칩(13) 내의 DBR층(13a)과 외부 미러(16) 사이에서 반사를 되풀이하면서, 활성층(13b)을 왕복한다. 이러한 과정을 통해 상기 레이저칩(13) 내에서 증폭된 광의 일부는 상기 외부 미러(16)를 통해 레이저빔으로서 외부로 출력된다.
그런데, 상술한 구조의 종래의 VECSEL(10)의 경우, 레이저칩(13)을 발진시키기 위한 펌프 레이저(14)가 비스듬하게 배열되어 있기 때문에, 전체적인 부품들의 정렬이 어렵다. 또한, 광펌핑용 빔이 히트 싱크(11)에 의해 차단되지 않도록 하기 위해서는 히트 싱크(11)의 상면에 형성된 개구(aperture)의 크기를 크게 하여야 하는데, 이 경우 열확산기(12)의 크기도 커져야 하기 때문에 제조비용이 증가하게 된다. 더욱이, 펌프 레이저(14)에서 방출된 광펌핑용 빔이 레이저칩(13)에 비스듬하게 입사하기 때문에 레이저칩(13)의 발진효율이 떨어지는 문제가 있다.
한편, SHG 결정(18)의 광파장 변환 효율이 입사하는 광의 에너지 밀도에 비례하는 특성이 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 레이저칩(13)으로부터 멀어질수록 빔 반경이 커지므로, 가능한 상기 SHG 결정(18)은 가급적 레이저칩(13)에 가까이 배치되는 것이 바람직하다. 그러나, 필터(17) 및 펌프 레이저(14)의 존재로 인하여, SHG 결정(18)을 상기 레이저칩(13)에 밀착시킬 수 없다. 따라서, SHG 결정(18)의 효율성 역시 저하될 수밖에 없다.
도 3은 SHG 결정(18)의 효율성을 높이기 위한 종래의 VECSEL의 구조를 개략적으로 도시한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 종래의 VECSEL(20)의 경우, 레이저칩(21)에서 발생한 광은 필터(23)를 거친 후, 제 1 외부 미러(24)에 의해 반사되어 제 2 외부 미러(25)로 향한다. 그런 다음, 상기 제 2 외부 미러(25)에 의해 반사된 광은 제 1 외부 미러(24)를 통해 레이저칩(21)으로 다시 입사한다. SHG 결정(26)은 상기 제 1 및 제 2 외부 미러(24,25) 사이에 배치되며, 상기 SHG 결정(26)에 의해 파장이 변환된 광은 제 1 외부 미러(24)를 통해 외부로 출력된다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 외부 미러(24,25)를 모두 오목 미러로 구성함으로써 상기 SHG 결정(26)의 위치에서 광이 수렴되도록 하면, SHG 결정(26)의 효율을 높일 수 있다.
그러나, 상기 종래의 VECSEL(20)의 경우, 외부 미러를 하나 더 사용할 뿐만 아니라, 두 개의 외부 미러를 비스듬하게 배치하여야 하기 때문에 정렬이 더욱 어렵게 된다. 따라서, 전체적인 레이저 시스템의 크기 역시 커질 수밖에 없다. 더욱이, 레이저빔이 비스듬하게 출력되는 문제도 있다. 또한, 펌프 레이저(22) 및 렌즈(27)가 비스듬하게 정렬됨으로써 발생하는 앞서 언급한 문제들은 전혀 해결하지 못하고 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 개선하기 위한 것이다. 따라서, 본 발명의 목적은 광펌핑용 빔을 레이저칩에 수직으로 입사시킴으로써 높은 발진효율을 가지며 정렬이 용이한 수직 외부 공진기형 면발광 레이저를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 레이저칩에서 발생한 광빔을 SHG 결정에 포커싱함으로써 SHG 결정의 광변환 효율을 높인 수직 외부 공진기형 면발광 레이저를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 면발광 레이저는, 광펌핑 방식에 의해 제 1 파장의 광을 방출시키는 레이저칩; 상기 레이저칩으로부터 소정의 거리만큼 이격되어 위치하며, 상기 레이저칩에서 발생한 제 1 파장의 광을 상기 레이저칩으로 다시 반사하는 외부 미러; 상기 레이저칩을 발진시키기 위한 제 2 파장의 광을 방출하는 펌프 레이저; 상기 레이저칩과 외부 미러 사이에 배치된 것으로, 상기 펌프 레이저에서 방출된 제 2 파장의 광을 레이저칩으로 반사시키고, 상기 레이저칩에서 방출된 제 1 파장의 광을 투과시키는 파장 선택성 미러; 및 상기 파장 선 택성 미러와 레이저칩 사이에 배치된 것으로, 제 1 파장의 광을 상기 외부 미러와 파장 선택성 미러 사이의 광경로 상에 포커싱하고, 제 2 파장의 광을 상기 레이저칩 상에 포커싱하는 광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 면발광 레이저는, 상기 외부 미러와 파장 선택성 미러 사이에서 제 1 파장의 광이 포커싱되는 위치에 배치된 것으로, 상기 레이저칩에서 방출된 제 1 파장의 광의 주파수를 2배로 변경하여 제 3 파장의 광을 만드는 SHG 결정을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 파장 선택성 미러는 제 1 파장의 광만을 통과시키는 복굴절 필터이며, 상기 파장 선택성 미러의 레이저칩측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 파장 선택성 미러의 SHG 결정측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성됨으로써, 제 3 파장의 광이 광경로에 수직하게 외부로 출력된다.
이 경우, 상기 SHG 결정의 양측 표면에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 외부 미러는 오목한 반사면을 가지며, 상기 외부 미러의 오목한 반사면에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 파장 선택성 미러의 SHG 결정측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 SHG 결정의 파장 선택성 미러측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있으며, 외부 미러측 표면에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성된다.
또한, 상기 외부 미러는 오목한 반사면을 가지며, 상기 외부 미러의 오목한 반사면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성됨으로써, 제 3 파장의 광이 상기 외부 미러를 통해 외부로 출력된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 파장 선택성 미러는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 레이저칩측 표면에 형성되어 있는 빔 스플리터(beam splitter)인 것을 특징으로 한다. 이 경우, 상기 외부 미러는 평탄한 표면을 가지며, 상기 외부 미러의 평탄한 표면은 제 1 파장의 광의 일부를 투과시켜 외부로 출력하고 나머지 일부를 상기 레이저칩을 향해 반사하도록 코팅층이 형성되어 있다.
한편, 본 발명에 따른 면발광 레이저는, 상기 레이저칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하기 위하여 상기 레이저칩의 저면에 배치된 히트싱크를 더 포함할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 면발광 레이저는, 상기 레이저칩에서 발생하는 열을 상기 히트싱크로 전달하기 위하여 상기 레이저칩의 상면에 배치된 열확산기를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 면발광 레이저, 특히, 수직 외부 공진기형 면발광 레이저(vertical external cavity surface emitting laser; VECSEL)의 구조 및 동작에 대해 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 히트싱크(31) 위에 레이저칩(32)이 탑재되어 있으며, 상기 레이저칩(32) 위에는 투명한 열확산기(33)가 배치될 수 있다. 열확산기(33)는, 레이저칩(32)에서 발생하는 열을 히트싱크(31)로 전달함으로써 히트싱크(31)를 통해 열이 외부로 방출될 수 있도록 하는 것으로, 다이아몬드와 같이 광투과성과 열도도가 우수한 물질을 사용한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 VECSEL(30)에서 상기 레이저칩(32)은 광펌핑 방식에 의해 활성화되어 제 1 파장의 광을 방출시키는 것으로, 공지된 바와 같이, 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector; DBR)층(32a)과 활성층(32b)이 순차적으로 적층된 구조이다. 상기 활성층(32b)은, 예컨대, 다중 양자우물 구조로서, 광펌핑용 광에 의해 여기되어 소정의 파장을 갖는 광을 방출한다.
상기 레이저칩(32)과 대향하는 위치에 소정의 거리만큼 이격되어서는 외부 미러(38)가 배치되어 있다. 상기 외부 미러(38)는 상기 레이저칩(32)에서 발생한 제 1 파장의 광을 상기 레이저칩(32)으로 다시 반사하는 역할을 한다. 양호하게는, 상기 외부 미러(38)에 의해 반사되는 광을 수렴시키기 위하여, 상기 외부 미러(38)는 오목한 반사면(38a)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 레이저칩(32)을 발진시키기 위한 제 2 파장의 광을 방출하는 펌프 레이저(34)는, 상기 레이저칩(32)에서 방출되는 제 1 파장의 광의 광경로에 대해 거의 수직하게 배치되어 있다. 일반적으로 펌프 레이저(34)의 발진 파장은 레이저칩(32)의 발진 파장에 비해 짧은 것을 사용하여야 한다. 예컨대, 레이저칩(32)에서 발진되는 광의 파장(즉, 제 1 파장)이 1064nm 라면, 펌프 레이저(34)에서 발진되는 광의 파장(즉, 제 2 파장)은 808nm 정도인 것이 적당하다.
펌프 레이저에서 방출되는 광펌핑용 광이 레이저칩으로 직접 입사되는 종래의 기술과는 달리, 본 발명에 따른 VECSEL(30)에서는, 파장 선택성 미러(36)를 통해 광펌핑용 광이 레이저칩(32)으로 입사한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 파장 선택성 미러(36)는 상기 레이저칩(32)과 외부 미러(38) 사이에 배치되어 있으며, 측면에 수직하게 배치된 상기 펌프 레이저(34)와 대향하고 있다. 상기 파장 선택성 미러(36)는 상기 펌프 레이저(34)에서 방출된 제 2 파장의 광을 레이저칩(32)으로 반사시키고, 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광을 투과시키는 역할을 한다. 예컨대, 상기 파장 선택성 미러(36)는, 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층을 글래스(glass)의 표면에 형성함으로써 제작될 수 있다. 보다 양호하게는, 글래스 대신에, 제 1 파장의 광만을 통과시키는 복굴절 필터를 사용하여 파장 선택성 미러(36)를 제작하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 레이저칩(32)에서 방출되는 광은 제 1 파장을 중심 파장으로 하는 비교적 넓은 대역의 스펙트럼을 갖기 때문에, 보다 우수한 품질의 레이저빔을 출력하기 위해서는 복굴절 필터를 이용하여 제 1 파장의 광만을 걸러내거나 적어도 스펙트럼의 대역폭을 좁힐 필요가 있다.
또한, 상기 파장 선택성 미러(36)와 레이저칩(32) 사이의 광경로에는, 상기 펌프 레이저(34)에서 방출된 광펌핑용 제 2 파장의 광을 레이저칩(32) 상에 포커싱하는 광학소자(35)가 배치되어 있다. 예컨대, 상기 광학소자(35)로서 볼록 렌즈를 사용할 수 있으며, 그 밖에 복수의 렌즈로 구성된 렌즈군과 같이 다른 종류의 광학소자를 사용할 수도 있다. 상기 광학소자(35)는, 또한, 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광을 상기 외부 미러(38)와 파장 선택성 미러(36) 사이의 광경로 상에 포커싱하는 역할을 한다. 이 경우, 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광의 빔 반경은 도 5에 도시된 그래프와 같이 된다. 즉, 상기 레이저칩(32)에서 방출된 광은, 약간의 발산성을 갖기 때문에 빔 반경이 점차 커지다가, 상기 광학소자(35)에 의해 수렴되면서 외부 미러(38)와 파장 선택성 미러(36) 사이의 소정의 위치에서 빔 반경이 최소가 된다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광의 빔 반경이 최소가 되는 외부 미러(38)와 파장 선택성 미러(36) 사이의 위치에 SHG 결정(37)을 배치할 수 있다. 이미 설명한 바와 같이, 상기 SHG 결정(37)은 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광의 주파수를 2배로 변경하여 제 3 파장의 광을 만드는 역할을 한다. 예컨대, 상기 레이저칩(32)에서 방출된 광의 파장(즉, 제 1 파장)이 1064nm 인 경우, 상기 SHG 결정(37)에 의해 변경된 광의 파장(즉, 제 3 파장)은 532nm 가 된다. 따라서, 상기 SHG 결정(37)을 이용하면, 적외선 영역의 파장을 가시광선 영역을 파장으로 바꾸어 출력할 수 있다. 일반적으로, 상 기 SHG 결정(37)의 광파장 변환 효율은 입사 광의 에너지 밀도에 비례하는 특성이 있다. 따라서, 본 발명의 양호한 실시예에서와 같이, 제 1 파장의 빔 반경이 최소가 위치에 SHG 결정(37)을 배치함으로써, 상기 SHG 결정(37)의 광파장 변환 효율이 최적이 되도록 할 수 있다.
한편, 본 발명의 양호한 실시예에 따르면, 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광과, 펌프 레이저(34)에서 방출된 제 2 파장의 광과, SHG 결정(37)에서 변화된 제 3 파장이 광이 각각 소정의 광경로를 따라 진행할 수 있도록, 상기 파장 선택성 미러(36), SHG 결정(37) 및 외부 미러(38)의 표면에는 각각 적절한 코팅층이 형성되어 있다. 예컨대, 상기 파장 선택성 미러(36)의 레이저칩측 표면(36a)에는 제 1 파장의 광에 대해서는 반사방지(anti-reflection; AR) 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해서는 고반사(high-reflection; HR) 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있으며, 상기 파장 선택성 미러(36)의 SHG 결정측 표면(36b)에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지(AR) 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 고반사(HR) 특성을 갖는 코팅층이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 SHG 결정(37)의 양측 표면(37a,37b)에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사방지(AR) 특성을 갖는 코팅층이 형성될 수 있으며, 상기 외부 미러(38)의 오목한 반사면(38a)에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 고반사(HR) 특성을 갖는 코팅층이 형성될 수 있다. 이러한 코팅층들은 굴절률이 각각 다른 다수의 재료들을 복층으로 적층하여 형성될 수 있는데, 공지된 기술에 따라 재료의 종류 및 적층 두께 등을 적절히 선택함으로써 필요로 하는 광학적 특성(예컨대, 반사될 광의 파장, 투과될 광의 파장, 반사율, 투과율 등)을 쉽 게 얻을 수 있다.
이러한 구조의 VECSEL(30)에서, 펌프 레이저(34)로부터 방출된 제 2 파장의 광펌핑용 광은 파장 선택성 미러(36)에서 반사된 후, 광학소자(35)를 통해 레이저칩(32) 상에 포커싱된다. 그러면 레이저칩(32)의 활성층(32b)이 여기되면서 제 1 파장의 광을 방출한다. 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광은 광학소자(35)를 통과한 후, 파장 선택성 미러(36)를 투과하여 SHG 결정(37)에 입사한다. 상기 SHG 결정(37)에 입사한 광은 파장이 1/2로 짧아진 제 3 파장으로 변환된다. 이때, 제 1 파장의 광이 모두 제 3 파장으로 변환되는 것은 아니기 때문에, SHG 결정(37)으로부터 출사되는 광은 제 1 파장의 광과 제 3 파장의 광이 혼합된 상태이다. 상기 제 1 및 제 3 파장의 광은 외부 미러(38)에 의해 반사되어, 다시 상기 SHG 결정(37)으로 입사하며, 제 1 파장의 광의 일부가 제 3 파장의 광으로 변환된다. 그런 후, 제 1 및 제 3 파장의 광은 SHG 결정(37)으로부터 출사되어 파장 선택성 미러(36)에 입사한다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장 선택성 미러(36)의 SHG 결정측 표면은 제 1 파장의 광은 투과시키고 제 3 파장의 광은 반사하는 성질을 갖는다. 따라서, 제 3 파장의 광은 상기 파장 선택성 미러(36)에 의해 측면으로 반사되어 레이저빔으로서 외부로 출력된다. 또한, 제 1 파장의 광은 상기 파장 선택성 미러(36)를 투과하여 레이저칩(32)에 입사한 후, DBR층(32a)에 의해 반사되어 다시 외부 미러(38)를 향해 진행한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 VECSEL은 도 4에 도 시된 VECSEL과 동일한 구조를 가지고 있지만, 코팅층의 광학적 특성을 달리함으로써 외부 미러(38)를 통해 레이저빔이 외부로 방출되도록 하고 있다. 즉, 히트싱크(31), 레이저칩(32), 열확산기(33), 펌프 레이저(34), 광학소자(35), 파장 선택성 미러(36), SHG 결정(37) 및 외부 미러(38)의 구조 및 배치는 도 4의 VECSEL과 관련하여 설명한 것과 동일하다.
예컨대, 도 6의 VECSEL에서, 상기 파장 선택성 미러(36)의 레이저칩측 표면(36a)에는 제 1 파장의 광에 대해서는 반사방지(AR) 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해서는 고반사(HR) 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있으며, 상기 파장 선택성 미러(36)의 SHG 결정측 표면(36b)에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지(AR) 특성을 갖는 코팅층이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 SHG 결정(37)의 파장 선택성 미러측 표면(37a)에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지(AR) 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 고반사(HR) 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있으며, 외부 미러측 표면(37b)에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사방지(AR) 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있다. 또한, 상기 외부 미러(38)의 오목한 반사면(38a)에는 제 1 파장의 광에 대해 고반사(HR) 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사방지(AR) 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있다.
도 6의 VECSEL에서, 펌프 레이저(34)로부터 방출된 제 2 파장의 광펌핑용 광은 파장 선택성 미러(36)에서 반사된 후, 광학소자(35)를 통해 레이저칩(32) 상에 포커싱된다. 그러면 레이저칩(32)의 활성층(32b)이 여기되면서 제 1 파장의 광을 방출한다. 상기 레이저칩(32)에서 방출된 제 1 파장의 광은 광학소자(35)를 통과한 후, 파장 선택성 미러(36)를 투과하여 SHG 결정(37)에 입사한다. 상기 SHG 결정(37)에 입사한 광은 파장이 1/2로 짧아진 제 3 파장으로 변환된다. 앞서 설명한 바와 같이, 제 1 파장의 광이 모두 제 3 파장으로 변환되는 것은 아니기 때문에, SHG 결정(37)으로부터 출사되는 광은 제 1 파장의 광과 제 3 파장의 광이 혼합된 상태이다. 그런 후, 상기 SHG 결정(37)으로부터 출사된 제 1 및 제 3 파장의 광은 외부 미러(38)에 입사된다. 코팅층으로 인해, 상기 외부 미러(38)의 반사면(38a)은 제 1 파장의 광에 대해서는 고반사 특성이 있고, 제 3 파장의 광에 대해서는 투과 특성이 있다. 따라서, 제 1 파장의 광은 반사되어 상기 SHG 결정(37)으로 입사하며, 제 3 파장의 광은 레이저빔으로서 외부로 출력된다. 상기 SHG 결정(37)으로 재입사한 제 1 파장의 광의 일부는 다시 제 3 파장의 광으로 변환된다. 한편, 상기 SHG 결정(37)의 파장 선택성 미러측 표면(37a)에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지(AR) 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 고반사(HR) 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있다. 따라서, 제 1 파장의 광은 SHG 결정(37)과 파장 선택성 미러(36)를 투과하여 상기 레이저칩(32)에 입사하며, 제 3 파장의 광은 SHG 결정(37)의 파장 선택성 미러측 표면(37a)에서 반사되어 외부 미러(38)를 통해 외부로 출력된다.
도 7은 본 발명에 또 다른 실시예에 따른 VECSEL의 구조를 도시하는 단면도이다. 앞서 설명한 실시예들의 VECSEL과 비교할 때, 도 7에 도시된 VECSEL은 SHG 결정을 사용하지 않는다는 점에서만 차이가 있고, 다른 구조는 모두 동일하다. 도 7의 VECSEL의 경우에는, SHG 결정을 사용하지 않기 때문에, SHG 결정의 위치로 광을 수렴시킬 필요는 없다. 따라서, 외부 미러(38)의 반사면(38a)이 평탄하게 형성 되어 있더라도 무방하다. 또한, SHG 결정을 사용하지 않기 때문에, 레이저칩(32)에서 발생한 제 1 파장의 광이 그대로 레이저빔으로서 외부로 출력된다. 이를 위하여, 상기 외부 미러(38)의 반사면(38a)에는 제 1 파장의 광의 일부를 투과시켜 외부로 출력하고 나머지 일부를 레이저칩(32)을 향해 반사하는 특성을 갖는 코팅층이 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 파장 선택성 미러(36)로는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있는 빔 스플리터(beam splitter)를 사용할 수 있다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 면발광 레이저, 특히, VECSEL은 파장 선택성 미러를 이용하여 광펌핑용 광을 레이저칩에 수직으로 입사시키기 때문에 높은 발진효율을 얻을 수 있으며, 작은 크기의 열확산기를 사용할 수 있다. 더욱이, 펌프 레이저가 레이저칩을 향해 정밀하게 정렬되지 않아도 되기 때문에 정렬이 비교적 용이하다. 따라서, 제조 비용을 저감시킬 수 있고, 레이저 장치의 전체적인 크기를 줄이는 것도 가능하다.
또한, 본 발명의 양호한 실시예에 따르면, 레이저칩에서 발생한 광을 간단한 방법으로 SHG 결정에 포커싱함으로써 SHG 결정의 광변환 효율을 최적화 하는 것이 가능하다.

Claims (13)

  1. 광펌핑 방식에 의해 제 1 파장의 광을 방출시키는 레이저칩;
    상기 레이저칩과 대향하는 것으로, 상기 레이저칩에서 발생한 제 1 파장의 광을 상기 레이저칩으로 다시 반사하는 외부 미러;
    상기 레이저칩을 발진시키기 위한 제 2 파장의 광을 방출하는 펌프 레이저;
    상기 레이저칩과 외부 미러 사이에 배치된 것으로, 상기 펌프 레이저에서 방출된 제 2 파장의 광을 레이저칩으로 반사시키고, 상기 레이저칩에서 방출된 제 1 파장의 광을 투과시키는 파장 선택성 미러; 및
    상기 파장 선택성 미러와 레이저칩 사이에 배치된 것으로, 제 1 파장의 광을 상기 외부 미러와 파장 선택성 미러 사이의 광경로 상에 포커싱하고, 제 2 파장의 광을 상기 레이저칩 상에 포커싱하는 광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 미러와 파장 선택성 미러 사이에서 제 1 파장의 광이 포커싱되는 위치에 배치된 것으로, 상기 레이저칩에서 방출된 제 1 파장의 광의 주파수를 2배로 변경하여 제 3 파장의 광을 만드는 SHG 결정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 파장 선택성 미러는 제 1 파장의 광만을 통과시키는 복굴절 필터이며, 상기 파장 선택성 미러의 레이저칩측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 파장 선택성 미러의 SHG 결정측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성됨으로써, 제 3 파장의 광을 광경로에 수직한 방향으로 외부로 출력하는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 SHG 결정의 양측 표면에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 외부 미러는 오목한 반사면을 가지며, 상기 외부 미러의 오목한 반사면에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 파장 선택성 미러의 SHG 결정측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 SHG 결정의 파장 선택성 미러측 표면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있으며, 외부 미러측 표면에는 제 1 및 제 3 파장의 광에 대해 모두 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 외부 미러는 오목한 반사면을 가지며, 상기 외부 미러의 오목한 반사면에는 제 1 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖고 제 3 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖는 코팅층이 형성됨으로써, 제 3 파장의 광을 상기 외부 미러를 통해 외부로 출력하는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장 선택성 미러는 제 1 파장의 광에 대해 반사방지 특성을 갖고 제 2 파장의 광에 대해 반사 특성을 갖는 코팅층이 레이저칩측 표면에 형성되어 있는 빔 스플리터(beam splitter)인 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 외부 미러는 평탄한 반사면을 가지며, 상기 외부 미러의 평탄한 반사면에는 제 1 파장의 광의 일부를 투과시켜 외부로 출력하고 나머지 일부를 상기 레이저칩을 향해 반사하도록 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하기 위하여 상기 레이저칩의 저면에 배치된 히트싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 레이저칩에서 발생하는 열을 상기 히트싱크로 전달하기 위하여 상기 레이저칩의 상면에 배치된 열확산기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 레이저.
KR1020050048859A 2005-06-08 2005-06-08 광펌핑 방식의 면발광 레이저 KR100773540B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048859A KR100773540B1 (ko) 2005-06-08 2005-06-08 광펌핑 방식의 면발광 레이저
US11/431,666 US20060280220A1 (en) 2005-06-08 2006-05-11 Optically-pumped vertical external cavity surface emitting laser
JP2006158778A JP2006344973A (ja) 2005-06-08 2006-06-07 光ポンピング方式の面発光レーザー

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048859A KR100773540B1 (ko) 2005-06-08 2005-06-08 광펌핑 방식의 면발광 레이저

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060127636A KR20060127636A (ko) 2006-12-13
KR100773540B1 true KR100773540B1 (ko) 2007-11-05

Family

ID=37524071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050048859A KR100773540B1 (ko) 2005-06-08 2005-06-08 광펌핑 방식의 면발광 레이저

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20060280220A1 (ko)
JP (1) JP2006344973A (ko)
KR (1) KR100773540B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101270166B1 (ko) * 2006-01-17 2013-05-31 삼성전자주식회사 외부 공진기형 면발광 레이저
US7852885B2 (en) * 2006-11-27 2010-12-14 Seiko Epson Corporation Light source device and image display apparatus
JP5213368B2 (ja) * 2007-07-05 2013-06-19 サイバーレーザー株式会社 レーザ光第２高調波発生装置
US8170073B2 (en) * 2009-09-11 2012-05-01 Coherent, Inc. Optically-pumped external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with front-cooled gain-structures
KR101124171B1 (ko) * 2010-03-05 2012-03-27 주식회사 포벨 파장 가변 레이저 장치
US8611383B2 (en) 2011-04-25 2013-12-17 Coherent, Inc. Optically-pumped surface-emitting semiconductor laser with heat-spreading compound mirror-structure
KR20130093704A (ko) * 2011-12-23 2013-08-23 한국전자통신연구원 사용자 선택형 레이저 및 이를 포함하는 광 송신기
JP2014093437A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Ricoh Co Ltd レーザ励起レーザ装置、及びレーザ励起レーザ装置の製造方法
CN112362313B (zh) * 2021-01-11 2021-04-23 深圳市星汉激光科技股份有限公司 一种激光芯片耐回返光能力的光路测试系统及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791631A (en) 1987-08-31 1988-12-13 International Business Machines Corporation Wide tolerance, modulated blue laser source
JPH0922037A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Mitsui Petrochem Ind Ltd レーザビーム発生装置
JPH09326521A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Mitsui Petrochem Ind Ltd 差周波光発生装置およびこれを用いた赤外吸収分析装置
JP2002099011A (ja) 2000-09-21 2002-04-05 Sony Corp レーザ光発生装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3826716A1 (de) * 1987-10-30 1990-02-08 Max Planck Gesellschaft Modengekoppelter laser
JPH0538369A (ja) * 1991-08-05 1993-02-19 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 癌の治療装置
US6275512B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-14 Imra America, Inc. Mode-locked multimode fiber laser pulse source
US6393038B1 (en) * 1999-10-04 2002-05-21 Sandia Corporation Frequency-doubled vertical-external-cavity surface-emitting laser
US6590911B1 (en) * 2000-06-02 2003-07-08 Coherent, Inc. Passively modelocked harmonic-generating laser
US6611546B1 (en) * 2001-08-15 2003-08-26 Blueleaf, Inc. Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser
GB0122670D0 (en) * 2001-09-20 2001-11-14 Karpushko Fedor V Intracavity frequency conversion of laser
US7088749B2 (en) * 2003-01-06 2006-08-08 Miyachi Unitek Corporation Green welding laser
JP2005039093A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Okazaki National Research Institutes レーザ装置
KR101015499B1 (ko) * 2004-06-19 2011-02-16 삼성전자주식회사 복수의 파장을 발생시키는 반도체 레이저 소자 및 상기반도체 레이저 소자용 레이저 펌핑부

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791631A (en) 1987-08-31 1988-12-13 International Business Machines Corporation Wide tolerance, modulated blue laser source
JPH0922037A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Mitsui Petrochem Ind Ltd レーザビーム発生装置
JPH09326521A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Mitsui Petrochem Ind Ltd 差周波光発生装置およびこれを用いた赤外吸収分析装置
JP2002099011A (ja) 2000-09-21 2002-04-05 Sony Corp レーザ光発生装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20060280220A1 (en) 2006-12-14
KR20060127636A (ko) 2006-12-13
JP2006344973A (ja) 2006-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100773540B1 (ko) 광펌핑 방식의 면발광 레이저
EP1222720B1 (en) Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
KR101100431B1 (ko) 고효율 2차 조화파 생성 외부 공진기형 면발광 레이저
KR101270166B1 (ko) 외부 공진기형 면발광 레이저
US7573920B2 (en) Vertical external cavity surface emitting laser
KR100738527B1 (ko) 광펌핑 반도체 레이저
US7548569B2 (en) High-power optically end-pumped external-cavity semiconductor laser
US20050281309A1 (en) Highly efficient surface emitting laser device, laser-pumping unit for the laser device, and method of manufacturing the laser-pumping unit
KR100754402B1 (ko) 수직외부공진기형 면발광 레이저
JP2007134698A (ja) ポンプビーム反射層を有する外部共振器型面発光レーザ
US7688873B2 (en) Laser chips and vertical external cavity surface emitting lasers using the same
KR101100434B1 (ko) 후방 광펌핑 방식의 외부 공진기형 면발광 레이저
CN101005195A (zh) 垂直外腔面发射激光器
US20060274807A1 (en) Surface emitting laser aligned with pump laser on single heat sink
US20080043798A1 (en) Vertical-Cavity Semiconductor Optical Devices
US20070133640A1 (en) Vertical external cavity surface emitting laser with pump beam reflector
KR100790898B1 (ko) 펌프 레이저 일체형 외부 공진기형 면발광 레이저
KR20070074749A (ko) 미러면을 갖는 2차 조화파 발생 결정을 구비하는 외부공진기형 면발광 레이저
KR101100424B1 (ko) 펌프 레이저가 일체로 결합된 수직 외부 공진기형 면발광레이저
KR20070074750A (ko) 외부 공진기형 면발광 레이저
WO2018108251A1 (en) Laser
KR20070058246A (ko) 후방 광펌핑 방식의 외부 공진기형 면발광 레이저
KR101334175B1 (ko) 렌즈 덕트를 구비하는 외부 공진기형 면발광 레이저
KR20070059312A (ko) 수직 외부 공진기형 면발광 레이저 소자 및 이를 구비하는레이저 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111010

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120914

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee