CN101005195A - 垂直外腔面发射激光器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。

Description

垂直外腔面发射激光器
技术领域
本发明涉及端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)，特别是，VECSEL具有用改进的面镜形成外腔的改进型光学结构。
背景技术
VECSEL通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)采用外部镜代替上镜增加了增益范围，并且获得了从几瓦到几十瓦(W)或更高的高输出功率。
图1图示了传统的前泵浦VECSEL的光学布置。参照图1，传统的VECSEL包括：泵浦单元，提供泵浦光束；激光器芯片11，其由泵浦光束激发而发射激光束；第一镜17和第二镜19，它们设置在激光器芯片11外，并形成外腔。
泵浦单元包括安装在第一散热件3上的泵浦光源1和准直由泵浦光源1发射出的泵浦光束的准直透镜5，并且给发射出激光束的激光器芯片的一部分提供泵浦光束。
第二散热件13设置在激光器芯片11的一个表面上，并且消散由激光器芯片11产生的热量。
第一镜17与激光器芯片11分隔，并且相对于从激光器芯片11发射的入射光的轴线倾斜设置。第一镜17具有面向激光器芯片11和第二镜19的凹反射面17a。因而，第一镜17防止在第二镜19和激光器芯片11之间的谐振的激光束发散。第二镜19面向第一镜17，并且将来自于第一镜17的光反射回第一镜17。
双折射滤波器15设置在第一镜17和激光器芯片11之间并且仅滤出有预定波长的激光束。倍频发生(SHG)晶体21设置在第一和第二镜17和19之间，并且将由激光器芯片11发出的激光束转换成该激光束的半波长光束。
同时，由于对于具有上述构造的图1所示的传统VECSEL，其外腔镜17具有凹反射面17a，所以难于将外腔镜17和激光器芯片集成，并将VECSEL形成为集成模块。这致使难于把VECSEL的尺寸减小到小于几至几十毫米(mm)。
发明内容
本发明通过改进形成外腔的镜的结构，提供一种采用集成光学元件的紧凑的垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。
根据本发明的一个方面，提供了一种垂直外腔面发射激光器(VECSEL)，包括：散热器，透射由外部发射的预定波长的泵浦光束，并且消散产生的热；激光器芯片，其设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发出第一波长的光束；SHG(倍频发生)晶体，其设置在激光器芯片上，并将由激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有半个第一波长的第二波长的激光束；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并对第二波长的光束有预定的透射率。
根据本发明的另一个实施例，VECSEL包括：激光器芯片，其由外部发射的泵浦光束激发而发射第一波长的光；散热器，其设置在激光器芯片上，并且消散激光器芯片产生的热量；SHG(倍频发生)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将由激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有一半第一波长的第二波长的激光束；平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。
在这种情况下，平面外腔是平面镜或电介质涂层，其将第一波长的光束朝向激光器芯片反射，并且透过一部分的第二波长的光束。
附图说明
参照附图，通过对示范性实施例的详细描述，本发明的上述和其它的特点及优点将变得更为明显，其中：
图1图示了传统的前泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的光学装置；
图2示意性地图示了根据本发明实施例的VECSEL；
图3解释了由图2所示的VECSEL诱发的热透镜效应和从平面外腔获得的输出功率；
图4示意性地图示了根据本发明另一个实施例的VECSEL；
图5图示了由图4所示的VECSEL诱发的热透镜效应产生的激光器输出功率；和
图6图示了微型激光输出设备。
具体实施方式
现在，将参照附图更全面地描述根据本发明优选实施例的垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。
图2是根据本发明实施例的端泵VECSEL的示意性截面图。参照图2，端泵VECSEL包括散热器61、激光器芯片50、倍频发生(SHG)晶体63和平面外腔67。散热器61透射外部发射的预定波长(例如，808纳米)的泵浦光束，同时消散激光器芯片50产生的热量。为了具备这些功能，散热器61可由具有优良的散热性能和对泵浦光束的透光性能的材料制造，例如金刚石、碳化硅(SiC)、蓝宝石、AIN、GaN或者Al2O3。
激光器芯片50包括分布布拉格反射器(DBR)51和激活层53。激活层53为带有谐振周期增益(RPG)的多量子阱结构，并且由泵浦光束激发而发射出第一波长的激光束，第一波长的波长范围为350纳米到几微米。DBR 51是高反射率镜层，将由激活层53发射的激光束向外腔67反射，以便激光束在DBR 51和外腔67之间谐振。
SHG晶体63与激光器芯片50整体形成，并且将由激光器芯片50发射的第一波长的激光束转换成第二波长的激光束，第二波长为第一波长的一半。例如，第一和第二波长可以分别是1064纳米和532纳米。
平面外腔67直接形成在SHG晶体63上，并且对第二波长的激光束有预定的透射率，从而导致第二波长的激光束射出SHG晶体63。
平面外腔67可由平面镜组成，该平面镜将第一波长的激光束朝向激光器芯片50反射，并且透射至少一部分第二波长的激光束。在这种情况下，电介质涂层可形成在平面镜的至少一个表面上，以便将第一波长的激光束朝向激光器芯片50反射，并透射至少部分第二波长的激光束。
平面外腔67也可由直接叠置在SHG晶体63上的电介质涂层组成。由于具有平面结构的外腔67可以集成在SHG晶体63上，因此能够使VECSEL的光学装置紧凑。具有上述结构的外腔67采用热透镜效应，来阻止在激光器芯片50和平面外腔67之间的谐振的激光束发散或者倾斜发射。后面将更详细地描述热透镜效应。
根据当前实施例的VECSEL还包括波长滤波器65，其设置在激光器芯片50和SHG晶体63之间，并且透射第一波长的激光束和将第二波长的激光束朝向外腔67反射。VECSEL还可以包括偏振器(未示出)，其设置在激光器芯片50和SHG晶体63之间，并选择性地透射预定偏振的光。使用偏振器可以在SHG晶体63中改善波长转换的效率
图3图示了图2所示的VECSEL诱发的热透镜效应产生的输出功率。由散热器61透射到激光器芯片50的泵浦激光束具有高斯型强度分布。即泵浦光束的强度在中间最高，而向边缘渐减。因此，激光器芯片50由泵浦光束激发而发射出的激光束受到入射泵浦光束温度分布的影响。也就是说，射出的激光束具有透镜的作用，该透镜用L1表示，形成在激活层53中，这称为热透镜效应。由于热透镜效应，由激光器芯片50发出的光束B11聚焦并通过波长滤波器65和SHG晶体63透射到外腔67。光束B11的一部分当其穿过SHG晶体63一次或者多次时被转换成第二波长的光束。第二波长的光束透射出外腔67。
同时，转换成为第二波长光束的光束B13，当其从外腔67朝着激光器芯片50反射时，没有入射到激光器芯片50上，而是再次从波长滤波器65反射出来。因此，因为光束B13没有受热透镜效应作用和波长转换，所以其向外腔67发散并且通过外腔67很少损耗地输出。
没有经受波长转换的光束B12，当其从外腔67朝着激光器芯片50反射时，透射通过波长滤波器65到达激光器芯片50。光束B12再次从DBR 51反射，从而由于热透镜效应在激光器芯片50内聚焦并且向外腔67传播。
图4是根据本发明另一个实施例的端泵VECSEL的示意性截面图。参照图4，VECSEL包括激光器芯片70、散热器81、SHG晶体83和平面外腔87，它们按照泵浦光束入射的顺序集成设置。
激光器芯片70包括DBR 71和激活层73。激活层73由泵浦光束激发而发射第一波长的激光束，例如1064纳米。DBR 71将激活层73发射出的第一波长的激光反射到外腔87。
散热器81设置在激光器芯片70和SHG晶体83之间，并透射外部发射的预定波长(例如，808纳米)的泵浦光束，同时消散激光器芯片70产生的热量。
SHG晶体83与激光器芯片70整体形成，并且将由激光器芯片70发射的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，第二波长为第一波长的一半。例如，第一波长和第二波长可以分别是1064纳米和532纳米。
平面外腔87直接形成在SHG晶体83上，并且对第二波长的光束有预定的透射率，因而使得第二波长的激光束射出SHG晶体83。
平面外腔87可由平面镜组成，该平面镜将第一波长的激光束朝向激光器芯片70反射，并且透射至少一部分的第二波长的激光束。在这种情况下，电介质涂层可形成在平面镜的至少一个表面上，以便将第一波长的激光束朝向激光器芯片70反射，并透射至少部分第二波长的激光束。
平面外腔87可由直接叠置在SHG晶体83上的电介质涂层组成，而不用平面镜。
根据当前实施例的VECSEL还包括波长滤波器89，波长滤波器89设置在散热器81和SHG晶体83之间，并且透射第一波长的激光束和将第二波长的激光束朝向外腔87反射。VECSEL还可以包括偏振器(未示出)，该偏振器设置在激光器芯片70和SHG晶体83之间，并且选择性地透射预定偏振的光。使用偏振器在SHG晶体83中可以改善波长转换的效率。
VECSEL还可以包括抗反射涂层85，抗反射涂层85设置在泵浦光束入射在其上的激光器芯片70的表面上，即DBR 71的底部表面，并且防止从DBR 71反射的泵浦光束。
图5图示了图4所示的VECSEL诱发的热透镜效应产生的输出功率。发射到激光器芯片70上的泵浦激光束具有高斯强度分布。因此，激光器芯片70由泵浦光束激发而发射出的激光束受到入射泵浦激光束温度分布的影响。更确切的说，射出的激光束具有透镜的作用，该透镜用L2表示，形成在激活层73中，这称为热透镜效应。由于热透镜效应，由激光器芯片70发射的光束B21聚焦，并透射通过波长滤波器89和SHG晶体83到达外腔87。光束B21的一部分当其穿过SHG晶体83一次或者多次时被转换成第二波长的光束。第二波长的光束透射出外腔87。
同时，转换为第二波长光束的光束B23，当其由外腔87向激光器芯片70反射时，没有入射到激光器芯片70上，而是再次从波长滤波器89反射出来。因此，因为光束B23不受热透镜效应作用和波长转换，所以其朝向外腔87发散，并且通过外腔87很少损耗地输出。
没有经受波长转换的光束B22当其由外腔朝向激光器芯片70反射时，透射通过波长滤波器89到达激光器芯片70。光线B22然后再次从DBR 71反射，由于热透镜效应，从而在激光器芯片70内聚焦，并且朝向外腔87传播。
根据本发明实施例的采用平面外腔(67和87)的VECSEL，利用热透镜效应来阻止谐振激光倾斜发射，从而获得与采用带凹面镜的传统VECSEL基本上相同的激光输出功率。
本发明的VECSEL还采用平面外腔，以允许集成散热器、激光器芯片、SHG晶体和平面外腔，从而实现如图6所图示的高度为约5毫米的微型激光输出设备100。
尽管本发明参照其中的示范性实施例已经进行了详细的示出和描述，但是本领域的普通技术人员将认识到，在其上可以进行的形式上和细节上的各种变化，而不脱离权利要求所限定的本发明的精神和范围。

Claims (13)

1、一种垂直外腔面发射激光器，包括：
散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散所产生的热量；
激光器芯片，设置在所述散热器上，并且由所述泵浦光束激发而发射第一波长的光束；
倍频发生晶体，设置在所述激光器芯片上，并且将由所述激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的光束，所述第二波长为第一波长的一半；和
平面外腔，直接形成在所述倍频发生晶体上，并且对所述第二波长的光束具有预定的透射率。
2、如权利要求1所述的垂直外腔面发射激光器，其中，所述平面外腔是平面镜，将所述第一波长的光束朝向所述激光器芯片反射，并且透射部分所述第二波长的光束。
3、如权利要求2所述的垂直外腔面发射激光器，还包括电介质涂层，所述电介质涂层形成在所述平面镜的至少一个表面上，并且将所述第一波长的激光束朝向所述激光器芯片反射和透射至少部分的所述第二波长的激光束。
4、如权利要求1所述的垂直外腔面发射激光器，其中，所述平面外腔是电介质涂层，所述电介质涂层直接形成在所述倍频发生晶体上，并且将所述第一波长的激光束朝向所述激光器芯片反射和透射至少部分的所述第二波长的激光束。
5、如权利要求1所述的垂直外腔面发射激光器，还包括波长滤波器，所述波长滤波器设置在所述激光器芯片和所述倍频发生晶体之间，并且透射所述第一波长的激光束和将所述第二波长的激光束朝向所述外腔反射。
6、如权利要求1所述的垂直外腔面发射激光器，还包括偏振器，所述偏振器设置在所述激光器芯片和所述倍频发生晶体之间，并且选择性地透射预定偏振的光。
7、一种垂直外腔面发射激光器，包括：
激光器芯片，由外部发射的泵浦光束激发而发射第一波长的光；
散热器，设置在所述激光器芯片上，并且消散来自所述激光器芯片的热量；
倍频发生晶体，设置在所述激光器芯片上，并且将从所述激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，所述第二波长是第一波长的一半；和
平面外腔，直接形成在所述倍频发生晶体上，并且对所述第二波长的光束具有预定的透射率。
8、如权利要求7所述的垂直外腔面发射激光器，其中，所述平面外腔是平面镜，将所述第一波长的光束朝向所述激光器芯片反射，并且透射部分的所述第二波长的光束。
9、如权利要求8所述的垂直外腔面发射激光器，还包括电介质涂层，所述电介质涂层形成在所述平面镜的至少一个表面上，并且将所述第一波长的激光束朝向所述激光器芯片反射和透射至少部分的所述第二波长的激光束。
10、如权利要求7所述的垂直外腔面发射激光器，其中，所述平面外腔是电介质涂层，所述电介质涂层直接形成在所述倍频发生晶体上，并且将所述第一波长的激光束朝向所述激光器芯片反射和透射至少部分的所述第二波长的激光束。
11、如权利要求7所述的垂直外腔面发射激光器，还包括波长滤波器，所述波长滤波器设置在所述激光器芯片和所述倍频发生晶体之间，并且透射所述第一波长的激光束和将所述第二波长的激光束朝向所述外腔反射。
12、如权利要求7所述的垂直外腔面发射激光器，还包括偏振器，所述偏振器设置在所述激光器芯片和所述倍频发生晶体之间，并且选择性地透射预定偏振的光。
13、如权利要求7所述的垂直外腔面发射激光器，还包括抗反射涂层，所述反射涂层形成在泵浦光束入射在其上的激光器芯片的一个表面上，并且防止所述泵浦光束被反射。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103036138A (zh) * 2012-12-14 2013-04-10 重庆师范大学 自由空间泵浦外腔面发射绿光激光器
CN116706666A (zh) * 2023-07-31 2023-09-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 提升脉冲稳定性的芯片级垂直集成式被动调q激光器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070052059A (ko) * 2005-11-16 2007-05-21 삼성전자주식회사 펌프 빔의 재활용이 가능한 외부 공진기형 면발광 레이저
KR101100431B1 (ko) * 2005-11-22 2011-12-30 삼성전자주식회사 고효율 2차 조화파 생성 외부 공진기형 면발광 레이저
DE102008009110A1 (de) * 2008-02-14 2009-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlasermodul
DE102008030818B4 (de) * 2008-06-30 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren aktiven Zonen
US8995485B2 (en) * 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. High brightness pulsed VCSEL sources
US8432609B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-30 Northrop Grumman Systems Corporation Photo-pumped semiconductor optical amplifier
US10439360B1 (en) * 2014-12-04 2019-10-08 Ii-Vi Delaware, Inc. VCSEL with emission on substrate side
CN110112653B (zh) * 2019-06-20 2023-11-14 海南师范大学 一种垂直外腔面发射半导体激光器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5436920A (en) * 1993-05-18 1995-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser device
SE510442C2 (sv) * 1996-09-05 1999-05-25 Fredrik Laurell Mikrochipslaser
JPH112849A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 波長変換装置
US6097742A (en) * 1999-03-05 2000-08-01 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
US6370168B1 (en) * 1999-10-20 2002-04-09 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
US6735234B1 (en) * 2000-02-11 2004-05-11 Giga Tera Ag Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser
KR20030023284A (ko) * 2001-09-13 2003-03-19 엘지전자 주식회사 마이크로 칩 레이저
DE10147888A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpter vertikal emittierender Halbleiterlaser
KR20070052059A (ko) * 2005-11-16 2007-05-21 삼성전자주식회사 펌프 빔의 재활용이 가능한 외부 공진기형 면발광 레이저
KR101100431B1 (ko) * 2005-11-22 2011-12-30 삼성전자주식회사 고효율 2차 조화파 생성 외부 공진기형 면발광 레이저

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103036138A (zh) * 2012-12-14 2013-04-10 重庆师范大学 自由空间泵浦外腔面发射绿光激光器
CN116706666A (zh) * 2023-07-31 2023-09-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 提升脉冲稳定性的芯片级垂直集成式被动调q激光器

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