JP2005026688A - 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射放出半導体チップの明るさを、ウェハの放射放出半導体層列(3)の放射放出特性の測定後の半導体チップの作製期間に、1つまたは複数の吸収性および/または部分絶縁性の明るさ調整設定層(12,6,9)をウェハの放射出力結合面(10)に被着することによって調整設定する。
【選択図】図2A
Description
2 活性層
3 半導体層列
4 接続領域
5 電流注入領域
6 部分絶縁性の明るさ調整設定層
61,611,612 電流通過領域ないし電流通過孔
62 電流阻止領域
7 コンタクト層
9 アイソレーション層
10 放射出力結合面
12 吸収性の明るさ調整設定層
13 不活性層
19 導電性層
Claims (38)
- 電磁放射を生成する少なくとも1つの活性層(2)を含んでいる半導体層列(3)と、接続領域(4)および該接続領域(4)に隣接して間隔をおいて配置されておりかつ該接続領域と電気的に接続されている電流注入領域(5)を含んでいる電気的なコンタクト層(7)とを備えている放射放出半導体チップ(1)において、
接続領域(4)と電流注入領域(5)との間および/または接続領域(4)から見て電流注入領域(5)の外側に、半導体層列(3)の前側の放射出力結合面(10)に半導体層列(3)に生成される放射の一部を意図的に吸収する吸収性の明るさ調整設定層(12)が被着されている
ことを特徴とする放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)は金属または少なくとも2つの金属から成る合金を有している
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)はチタンを有している
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)は白金を有している
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)は、Au、AuGe、AuZn、AuBeおよびTiW(N)から成る属の少なくとも1つの材料を有している
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)の厚さは2nmと30nmとの間でありかつそれは、半導体チップの明るさが前以て決められている目標領域内にあるようにする程度の量の放射が吸収性の明るさ調整設定層(12)によって吸収されるように選択されている
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)の厚さは2nmと10nmとの間でありかつそれは、半導体チップの明るさが前以て決められている目標領域内にあるようにする程度の量の放射が吸収性の明るさ調整設定層(12)によって吸収されるように選択されている
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)の厚さは2nmと10nmとの間でありかつそれは、半導体チップの明るさが前以て決められている目標領域内にあるようにする程度の量の放射が吸収性の明るさ調整設定層(12)によって吸収されるように選択されている
請求項3記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)の厚さは2nmと10nmとの間でありかつそれは、半導体チップの明るさが前以て決められている目標領域内にあるようにする程度の量の放射が吸収性の明るさ調整設定層(12)によって吸収されるように選択されている
請求項4記載の放射放出半導体チップ。 - 接続領域(4)と活性層(2)との間に、少なくとも1つの電気的に絶縁性の電流阻止領域(62)と少なくとも1つの導電性の電流通過領域(61)とを含んでいる部分絶縁性の明るさ調整設定層(6)が配置されており、該電流通過領域を介して接続領域(4)は半導体層列(3)と電気的に接続されていて、半導体チップ(1)の作動中チップに生成される電磁放射の一部が接続領域(4)の下方で生成されかつ該接続領域によって吸収されるようになっている
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 半導体層列(3)はInGaAlPをベースとしている
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 電流注入領域(5)と半導体層列(3)との間に少なくとも部分的に、電気的に絶縁性の層(9)が配置されている
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 吸収性の明るさ調整設定層(12)に不活性層(13)が被着されている
請求項1記載の放射放出半導体チップ。 - 不活性層(13)は窒化シリコン層である
請求項13記載の放射放出半導体チップ。 - 電磁放射を生成する少なくとも1つの活性層(2)を含んでいる半導体層列(3)と、接続領域(4)および該接続領域(4)に隣接して間隔をおいて配置されておりかつ該接続領域と電気的に接続されている電流注入領域(5)を含んでいる電気的なコンタクト層(7)とを備えている放射放出半導体チップ(1)において、
接続領域(4)と活性層(2)との間に部分絶縁性の明るさ調整設定層(6)が配置されており、該明るさ調整設定層は少なくとも1つの電気的に絶縁性の電流阻止領域(62)と少なくとも1つの導電性の電流通過領域(61)とを含んでおり、該電流通過領域を介して接続領域(4)は半導体層列(3)と電気的に接続されていて、半導体チップ(1)の作動中チップに生成される電磁放射の一部が接続領域(4)の下方で生成されかつ該接続領域によって吸収されるようになっている
ことを特徴とする放射放出半導体チップ。 - 接続領域(4)と電流注入領域(5)との間および/または接続領域(4)から見て電流注入領域(5)の外側に、半導体層列(3)の前側の放射出力結合面(10)に半導体層列(3)に生成される放射の一部を意図的に吸収する吸収性の明るさ調整設定層(12)が被着されている
ことを特徴とする放射放出半導体チップ。 - 電流通過領域(61)の大きさおよび位置は、半導体チップの作動電流が半導体チップの放射放出が前以て決められている目標領域内にあるようにする程度、接続領域(4)の下方に注入されかつ結果的に、半導体チップ(1)に生成される、接続領域(4)における放射が相応に吸収されるように選択されている
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 電流阻止領域(62)は窒化シリコンを含んでいる
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 電流阻止領域(62)は半導体層列(3)に被着されている、切り欠きを有する電気的に絶縁性の層を含んでおりかつ
接続領域(4)は該切り欠き内で半導体層列(3)に被着されている
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 電流阻止領域(62)は活性層(2)と接続領域(4)との間に配置されている、半導体層列(3)の電気的に絶縁性の領域である
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 電流阻止領域(62)は半導体層列(3)のプロトン植え込み領域である
請求項20記載の放射放出半導体チップ。 - 電流通過領域(61)は電流阻止領域(62)より僅かなプロトン濃度を有する半導体層列(3)の領域である
請求項21記載の放射放出半導体チップ。 - 半導体層列(3)における横方向の導電性は、半導体チップ(1)の作動中、接続領域(4)の下方において半導体層列(3)に注入される電流が実質的に接続領域(4)の下方の領域に制限された状態に留まる程度に僅かである
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 半導体層列(3)はInGaAlPをベースとしている
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 電流注入領域(5)と半導体層列(3)との間に少なくとも部分的に電気的に絶縁性の層(9)が配置されている
請求項15記載の放射放出半導体チップ。 - 放射放出半導体チップの明るさの調整設定方法において、
ウェハの放射放出半導体層列の放射放出特性の測定後のプロセスの期間に、明るさ調整設定層(12)を該ウェハの放射出力結合側に被着する
ことを特徴とする放射放出半導体チップの明るさの調整設定方法。 - 明るさ調整設定層は吸収性または部分絶縁性の明るさ調整設定層として実現されている
請求項26記載の放射放出半導体チップの明るさの調整設定方法。 - 請求項1に記載の半導体チップの作製方法において、
活性層(2)を有する半導体層列(3)を基板に作製し、
半導体層列(3)の放射放出特性を測定し、
吸収性の明るさ調整設定層(12)の適当なジオメトリーおよび厚さを割り出し、
吸収性の明るさ調整設定層(12)を実現し、
接続領域(4)および電流注入領域(5)を有するコンタクト層(7)を被着する
ステップを有していることを特徴とする方法。 - 接続領域(4)と活性層(2)との間に部分絶縁性の明るさ調整設定層(6)が配置されており、該部分絶縁性の明るさ調整設定層は少なくとも1つの電気的に絶縁性の電流阻止領域(62)と少なくとも1つの導電性の電流通過領域(61)とを有しており、該電流通過領域を介して接続領域(4)が半導体層列(3)と電気的に接続されていて、半導体チップ(1)の作動中、チップに生成される放射の一部が接続領域(4)の下方に生成されかつ該接続領域によって吸収されるようにする
請求項28記載の方法。 - 電流阻止領域(62)は半導体層列(3)に被着される、切り欠きを備えている電気的に絶縁性の層を有しておりかつ
接続領域は該切り欠き内で半導体層列(3)に被着されている
請求項29記載の方法。 - 半導体層列(3)の測定および電流通過領域(61)に対する切り欠きを有する電流阻止領域(62)としての電気的に絶縁性の層の実現後に、コンタクト層(7)を被着しかつその際に該切り欠きにコンタクト層材料を少なくとも部分的に充填する
請求項30記載の方法。 - 電流阻止領域(62)は、活性層(2)と接続領域(4)との間に配置されている、半導体層列(3)の電気的に絶縁性の領域である
請求項29記載の方法。 - 電流通過領域(61)および電流阻止領域(62)は半導体層列(3)の表面近傍の領域の異なっているドーピングによって生成する
請求項32記載の方法。 - 請求項15に記載の半導体チップの作製方法において、
活性層(2)を有する半導体層列(3)を基板に作製し、
半導体層列(3)の放射放出特性を測定し、
部分絶縁性の明るさ調整設定層(6)の適当なジオメトリーを割り出し、
部分絶縁性の明るさ調整設定層(6)を実現し、
接続領域(4)および電流注入領域(5)を有するコンタクト層(7)を被着する
ステップを有していることを特徴とする方法。 - 電流阻止領域(62)は半導体層列(3)に被着される、切り欠きを備えている電気的に絶縁性の層を有しておりかつ
接続領域は該切り欠き内で半導体層列(3)に被着されている
請求項34記載の方法。 - 半導体層列(3)の測定および電流通過領域(61)に対する切り欠きを有する電流阻止領域(62)としての電気的に絶縁性の層の実現後に、コンタクト層(7)を被着しかつその際に該切り欠きにコンタクト層材料を少なくとも部分的に充填する
請求項35記載の方法。 - 電流阻止領域(62)は、活性層(2)と接続領域(4)との間に配置されている、半導体層列(3)の電気的に絶縁性の領域である
請求項34記載の方法。 - 電流通過領域(61)および電流阻止領域(62)は半導体層列(3)の表面近傍の領域の異なっているドーピングによって生成する
請求項37記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10329398.1A DE10329398B4 (de) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips |
DE10329365.5A DE10329365B4 (de) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010270445A Division JP5455879B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-12-03 | 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005026688A true JP2005026688A (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=34195721
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004191785A Pending JP2005026688A (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 |
JP2010270445A Active JP5455879B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-12-03 | 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010270445A Active JP5455879B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-12-03 | 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7667240B2 (ja) |
JP (2) | JP2005026688A (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7667240B2 (en) | 2010-02-23 |
JP5455879B2 (ja) | 2014-03-26 |
US20050045978A1 (en) | 2005-03-03 |
JP2011044754A (ja) | 2011-03-03 |
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