KR100714627B1 - 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10^-2Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.

플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)

Description

질화물 반도체 발광소자 및 제조방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF OF MANUFACTURING THE SAME}

도1a 및 도1b은 종래의 질화물 발광소자를 나타내는 측단면도 및 상부평면도이다.

도2a 내지 도2d는 각각 본 발명의 질화물 발광소자 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.

도3는 도2d의 질화물 발광소자를 나타내는 상부 평면도이다.

도4a은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 플립칩용 발광소자를 나타내는 측단면도이다.

도4b는 도4a에 도시된 질화물 발광소자를 채용한 플립칩 발광장치를 나타내는 측단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>

30: 질화물 발광소자 31: 사파이어 기판

32: n형 질화물 반도체층 33: 활성층

34: p형 질화물 반도체층 35: 쇼트키 접합영역

37: 오믹콘택층 39a: n측 전극

39b: p측 전극

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 전기적 특성과 우수한 휘도를 갖는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

최근에, 질화물 반도체 발광소자는 청색 또는 녹색 파장대의 광을 얻기 위한 발광소자로서, Al_xIn_yGa_(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체물질로 제조되고 있다.

질화물 반도체 결정은 격자정합을 고려하여 사파이어기판과 같은 질화물 단결정성장용 기판에서 성장된다. 상기 사파이어 기판은 전기적 절연성 기판이므로, 최종 질화물 반도체 발광소자는 p측 전극과 n측 전극이 동일면 상에 형성된 구조를 갖는다. 따라서, 전극사이의 전류흐름이 측방향으로 형성되며, 전류가 전체적으로 균일하게 분포하지 못하고, 그 사이의 영역에 집중되는 문제가 있다.

이러한 전류집중문제를 해결하기 위해서, 본 출원인에 의해 출원된 국내공개특허 2005-76140(공개일: 2005.07.26, 발명명칭: 플립칩용 질화물 반도체 발광소 자)에서, 오믹콘택층을 메쉬형태로 형성함으로써 전체 면적에서 보다 균일하게 전류를 분산시키는 방안을 제안하였다. 도1a 및 도1b는 상기한 문헌에 따른 질화물 발광소자를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.

도1a를 참조하면, 플립칩용 질화물 반도체 발광소자(10)는 사파이어기판과 같은 질화물 반도체 성장용 기판(11)과 그 상면에 순차적으로 적층된 n형 질화물 반도체층(12), 활성층(13) 및 p형 질화물 반도체층(14)을 포함한다.

상기 질화물 반도체 발광소자(10)의 n측 전극(19a)은 메사에칭을 통해 노출된 n형 질화물 반도체층(12) 상면에 형성된다. 상기 질화물 반도체 발광소자(10)에 채용된 p측 전극구조는 고반사성 오믹콘택층(15)과 금속배리어층(16) 및 p측 본딩전극(19b)을 포함한다.

여기서, 상기 고반사성 오믹콘택층(15)은 상기 p형 질화물 반도체층(14) 상에 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층(14)이 부분적으로 노출되도록 다수의 오픈영역을 갖는 메쉬구조로 이루어진다. 따라서, 낮은 비저항을 갖는 고반사성 오믹콘택층(15)을 따라 진행되는 전류는 n측 전극(19a)까지 도달하기 위해서 긴 경로(예; 도1b의 화살표)를 갖게 되므로, 도2a에 도시된 바와 같이, p형 질화물 반도체층(14)으로 직접 향하는 전류의 비중이 상대적으로 증가할 수 있다.

하지만, 이러한 전극구조를 변경하는 방안은 복잡한 전극 패터닝공정을 수반하는 번거로움이 있다. 특히, 이러한 반도체 발광소자를 플립칩 구조에 채용하는 경우에는 메쉬구조로서 충분한 반사효과를 얻기 어려우므로, 추가적인 반사층이 요 구되는 문제가 있다.

본 발명은 상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 p측 전극구조의 변경없이 전류 크라우딩현상이 완화되도록 p형 질화물 반도체층 자체에 분포된 쇼트키 접합영역을 형성하는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은,

질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10^-2Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

바람직하게, 상기 다수의 쇼트키 접합영역을 제외한 상기 p형 질화물 반도체층의 상면영역, 즉 오믹접합영역은 메쉬상 또는 스트라이프상일 수 있다.

바람직하게는, 상기 다수의 쇼트키 접합영역의 두께는 상기 p형 질화물 반도체층의 두께보다 작다. 또한, 상기 다수의 쇼트키 접합영역이 형성된 면적은 상기 p형 질화물 반도체 상면면적의 10∼50%인 것이 바람직하다.

상기 오믹콘택층은 광투과성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 이와 달리 플립칩형태로 구현하기 위해서, 상기 오믹콘택층은 고반사성 오믹콘택층일 수 있다. 상기 고반사성 오믹콘택층은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층일 수 있다.

본 발명은 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 질화물 단결정 성장을 위한 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역이 형성되도록 상기 p형 질화물 반도체층 상면을 선택적으로 플라즈마처리하는 단계와, 상기 다수의 쇼트키 접합영역과 쇼트키 접합을 가지며 상기 p형 질화물 반도체층 상면 중 상기 쇼트키 접합영역을 제외한 영역과 오믹 접합을 갖는 물질을 이용하여 상기 p형 질화물 반도체층 상에 오믹콘택층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 오믹콘택층은 상기 다수의 쇼트키 접합영역과의 접촉저항이 10^-2Ωㆍ㎠ 이상이 된다.

바람직하게, 상기 플라즈마 처리하는 단계는, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 실시될 수 있다. 여기서, 상기 불활성 가스로는 Ar, He, N₂, CF₄ 및 H₂가 사용될 수 있다.

상기 p형 질화물 반도체층 상에 다수의 오픈영역을 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 오픈영역에서 노출된 상기 p형 질화물 반도체층 상면영역의 단결정이 손상되도록 플라즈마 처리하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 상기 마스크는 메쉬상 또는 스트라이프상일 수 있다.

본 발명의 주요한 특징은 p형 오믹콘택구조 자체를 변형하지 않고, p형 질화물 반도체층 상에 선택적으로 플라즈마 처리를 통해 결정성을 손상시켜 다수의 쇼트키 접합영역을 형성하는데 있다. 본 발명에서 채용된 쇼트키 접합영역은 고저항영역으로서 상기한 종래 기술에서 마치 메쉬형 오믹콘택층의 오픈영역과 같은 역할을 한다. 본 발명에서, 쇼트키 접합영역은 플라즈마처리에 의해 결정성을 고의적으로 손상시킨 고저항영역을 말한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 보다 상세히 설명한다.

도2a 내지 도2d는 각각 본 발명의 질화물 발광소자 제조방법의 일예를 설명하기 위한 공정단면도이다.

우선, 본 발명에 따른 질화물 발광소자 제조방법은 도2a에 도시된 바와 같이, 질화물 단결정 성장을 위한 기판(31) 상에 n형 질화물 반도체층(32), 활성층(33) 및 p형 질화물 반도체층(34)을 순차적으로 형성하는 단계로 시작된다. 상기 기판(31)은 사파이어기판일 수 있다.

이어, 도2b와 같이, 선택적인 플라즈마처리를 위해서 다수의 오픈영역을 갖는 마스크(M)를 형성하고 플라즈마 처리를 실시한다. 상기 마스크(M)의 오픈영역은 쇼트키 접합영역이 형성될 영역을 정의한다. 바람직하게, 상기 마스크(M)는 메쉬상 또는 스트라이프상으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 마스크(M)가 메쉬상으로 구현된 경우에, 쇼트키 접합영역은 점패턴으로 형성되는 반면에 오믹콘택영역은 메쉬상으로 얻어질 수 있다. 쇼트키 접합영역을 위한 오픈영역의 총 면적에 대한 적절한 범위는 패턴형상에 따라 달라질 수 있으나, p형 질화물 반도체층(34)의 상면면적에서 10 내지 50%를 점하도록 형성하는 것이 바람직하다. 10% 미만인 경우에는 충분한 전류분산효과를 얻기 어려우며, 50%를 초과하는 경우에는 실질적인 오믹콘택영역이 지나치게 감소하여 직렬저항이 증가하는 문제가 있을 수 있다.

본 공정에서 사용되는 플라즈마 처리는 통상적인 플라즈마를 이용한 건식식각식각공정과 달리 반응성 이온을 사용하지 않으며, 불활성 가스를 이용하여 플라 즈마를 형성한다. 예를 들어, 상기 불활성 가스로는 Ar, He, N₂, CF₄ 및 H₂가 사용될 수 있다.

다음으로, 도2d와 같이, 플라즈마 처리에 의해 다수의 쇼트키 접합영역(35)을 형성한 후에, 마스크(M)를 제거한다. 본 발명에서 채용된 쇼트키 접합영역(35)은 플라즈마에 의해 GaN 단결정에서 N₂성분이 방출되어 N자리에 공공이 형성된 결정손상영역으로 이해할 수 있다. 이러한 쇼트키 접합영역(35)은 결정성을 크게 손상되어 높은 비저항을 나타낸다. 이러한 영역(35)의 깊이는 플라즈마 처리 시간과 플라즈마 형성조건(RF파워, 압력 등)에 의해 조절될 수 있으며, 후속공정에서 형성될 오믹콘택층과의 접촉저항이 10^-2Ωㆍ㎠ 이상이 될 수 있는 깊이면 만족한다. 다만, 활성층(33)영역까지 손상되지 않도록 적어도 p형 질화물 반도체층(34) 두께를 초과하지 않는 것이 바람직하다.

최종적으로, 도2d와 같이, p형 질화물 반도체층(34) 상에 오믹콘택층(37)과 p측 본딩전극(39b)을 형성하고, n형 질화물 반도체층(32) 상에 n측 전극(39a)을 형성함으로써 원하는 질화물 반도체 발광소자를 완성한다. 상기 n측 전극(39a)을 형성하기 전에, n형 질화물 반도체층(32) 상면영역이 노출되도록 메사에칭공정을 실시한다. 또한, 상기 오믹콘택층(37)은 상기 다수의 쇼트키 접합영역(35)과 쇼트키 접합을 가지며, 상기 p형 질화물 반도체층(34) 상면 중 상기 쇼트키 접합영역(35)을 제외한 영역과 오믹 접합을 갖는 적절한 물질로 형성된다. 다행히도, 플라즈마에 의해 결정이 손상된 쇼트키 접합영역(35)은 높은 저항을 가지므로, 이러한 오믹콘택층(37) 물질로는 공지된 통상의 물질을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서 오믹콘택층(37)은 광투과성을 오믹콘택층일 수 있다. 예를 들어, 열처리된 Ni/Au 이중층일 수 있으며, 이와 달리, ITO와 같은 광투과성 전도성 산화물층이 사용될 수도 있다.

도2d에 도시된 발광소자에서는, p측 전극(39b)과 n측 전극(39a) 사이에 전류흐름(화살표로 표시됨)은 오믹콘택층(37)과 접촉저항이 높은 쇼트키 접합영역(35)으로는 거의 형성되지 않으며, 손상되지 않은 다른 p형 질화물 반도체층(34) 부분을 따라 형성되므로, 전체적으로 전류가 균일하게 분산될 수 있다.

도3는 도2d의 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 상부 평면도이며, 도3에 도시된 질화물 반도체 발광소자는 보다 용이한 설명을 위해서 오믹콘택층을 생략한 형태로 이해될 수 있다.

상기 질화물 반도체 발광소자(30)는 도2b의 공정에서 마스크를 메쉬상으로 형성한 제조공정으로부터 얻어진 형태이다. p측과 n측 전극(39a,39b) 사이 영역은 접촉저항이 높은 쇼트키 접합영역(35)에 의해 보다 긴 전류경로가 형성되고(화살표 참조), 높은 저항을 갖는 쇼트키 접합영역(35)의 분포로 인해 전체 면적에서 보다 균일한 전류흐름을 얻을 수 있다.

도2a 내지 도2d에 도시된 질화물 반도체 발광소자는 p측 및 n측 전극이 발광소자의 동일한 방향의 면에 형성된 플래너구조를 예시하였으나, 이에 한정되지는 않으며, 상하면에 각각 p측 및 n측 전극이 형성된 버티컬 구조에서도 유용하게 채용될 수 있다.

본 발명은 p형 질화물 반도체층에 직접 일정한 패턴을 갖는 쇼트키 접합영역을 형성함으로써 전류를 효과적으로 분산시키므로, 전극구조를 변경할 필요가 없다. 따라서, 전극구조를 메쉬상을 채용하지 않고 상면의 거의 전체 면적에 오믹콘택층을 형성되므로, 플립칩구조에서 채용되는 고반사성 오믹콘택층에 의한 반사효과를 높일 수 있다. 이는 도3a 및 도3b에서 보다 상세히 설명한다.

도4a은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 플립칩용 질화물 발광소자(50)를 나타내는 측단면도이다.

도4a와 같이, 상기 플립칩용 질화물 반도체 발광소자(50)는 사파이어 기판과 같은 질화물 반도체 성장용 기판(51)과 그 상면에 순차적으로 적층된 n형 질화물 반도체층(52), 활성층(53) 및 p형 질화물 반도체층(54)을 포함한다.

상기 p형 질화물 반도체층(54) 상면에는 다수의 쇼트키 접합영역(55)이 분포된다. 상기 쇼트키 접합영역(55)은 플라즈마에 의해 결정성이 손상된 고저항영역으로서 전류흐름이 억제되는 영역이다. 앞서 설명된 바와 같이, 이러한 쇼트키 접합영역(55)에 의해 전류는 전체적으로 균일하게 분산될 수 있다.

또한, 상기 질화물 반도체 발광소자(50)의 n측 전극(59a)은 메사에칭을 통해 노출된 n형 질화물 반도체층(52) 상면에 형성되고, 상기 질화물 반도체 발광소자(50)에 채용된 p측 전극구조는 고반사성 오믹콘택층(57)과 금속 배리어층(58) 및 본딩전극(59b)을 포함한다. 상기 금속 배리어층(58)은 상기 고반사성 오믹콘택층(57)의 상면과 측면까지 둘러싸도록 형성된 구조를 가질 수 있다.

상기 고반사성 오믹콘택층(57)은 바람직하게는 70% 이상의 반사율을 가지며, 상기 쇼트키 접합영역을 제외한 상기 p형 질화물 반도체층(54)영역과의 오믹접합을 형성한다. 이러한 고반사성 오믹콘택층(57)은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 바람직하게 상기 고반사성 오믹콘택층(57)은 Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al 또는 Ni/Ag/Pt로 형성될 수 있다.

본 실시형태에서, 상기 고반사성 오믹콘택층(57)은 전체 상면영역에 형성될 수 있으므로, p형 질화물 반도체층의 거의 전체 상면에서 반사효과를 기대할 수 있다. 따라서, p형 질화물 반도체층 상에 분포된 쇼트키 접합영역을 통해 전류를 균일하게 분산시키면서도, 전체 상면에서 반사효과를 기대할 수 있으므로 종래의 형태(도1a)와 비교하여 휘도를 크게 향상시킬 수 있다.

상기 금속 배리어층(58)은 p측 본딩전극(59b)과 고반사성 오믹 콘택층(57) 의 계면에서 Au성분이 믹싱되는 것을 방지하며, 고반사성 오믹콘택층(57)의 원소가 이동하여 누설전류를 발생시키는 것을 방지하는 기능을 한다. 특히, 본 실시형태는 이동성이 큰 Ag를 포함한 고반사성 오믹콘택층(57)을 사용하는 경우에 유익하게 적용될 수 있다.

도3b는 도3a의 질화물 발광소자(50)가 탑재된 칩구조(60)를 나타내는 측단면도이다.

도3b에 도시된 바와 같이, 상기 질화물 반도체 발광소자(50)는 지지체용 기판(61) 상에 각 전극(69a,69b)을 도전성 범프(64a,64b)를 통해 각 리드패턴(62a,62b)상에 융착시킴으로써 탑재될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 플립칩 발광장치(60)에서 상기 발광소자(50)의 사파이어 기판(51)은 투광성이므로 광방출면으로 활용된다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이, 고반사성 오믹콘택층(57)은 거의 전체 면적에서 형성되어 반사성능을 보다 향상시킴으로써, 높은 휘도특성을 기대할 수 있다.

상술한 실시형태 및 첨부된 도면은 바람직한 실시형태의 예시에 불과하며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, p측 전극구조에서 메쉬구조의 고반사성 오믹콘택층을 채용하지 않고, p형 질화물 반도체층 상면에 선택적으로 결정이 손상된 고저항영역인 쇼트키 접합영역을 형성함으로써 n측 전극에 인접한 부분에 집중되는 전류를 감소시키는 동시에, p형 질화물 반도체층 전체면적에서 균일하게 전류를 분산시켜 휘도를 크게 향상시킬 수 있다.

Claims (17)

1. 질화물 단결정 성장을 위한 기판;

   상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;

   상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층;

   상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층; 및

   상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며,

   상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10^-2Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 다수의 쇼트키 접합영역을 제외한 상기 p형 질화물 반도체층의 상면영역은 메쉬상 또는 스트라이프상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 다수의 쇼트키 접합영역의 두께는 상기 p형 질화물 반도체층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
4. 제1항에 있어서,

   상기 다수의 쇼트키 접합영역이 형성된 면적은 상기 p형 질화물 반도체 상면면적의 10∼50%인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
5. 제1항에 있어서,

   상기 오믹콘택층은 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
6. 제1항에 있어서,

   상기 오믹콘택층은 고반사성 오믹콘택층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
7. 제6항에 있어서,

   상기 고반사성 오믹콘택층은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
8. 질화물 단결정 성장을 위한 기판을 마련하는 단계;

   상기 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;

   상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역이 형성되도록 상기 p형 질화물 반도체층 상면을 선택적으로 플라즈마처리하는 단계; 및

   상기 다수의 쇼트키 접합영역과 쇼트키 접합을 가지며 상기 p형 질화물 반도체층 상면 중 상기 쇼트키 접합영역을 제외한 영역과 오믹 접합을 갖는 물질을 이용하여 상기 p형 질화물 반도체층 상에 오믹콘택층을 형성하는 단계를 포함하며,

   상기 오믹콘택층과 상기 다수의 쇼트키 접합영역의 접촉저항이 10^-2Ωㆍ㎠ 이상이 되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 플라즈마 처리하는 단계는, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 불활성 가스는 Ar, He, N₂, CF₄ 및 H₂으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
11. 제8항에 있어서,

    상기 p형 질화물 반도체층 상에 다수의 오픈영역을 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 오픈영역에서 노출된 상기 p형 질화물 반도체층 상면영역의 단결정이 손상되도록 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
12. 제11항에 있어서,

    상기 마스크는 메쉬상 또는 스트라이프상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
13. 제8항에 있어서,

    상기 다수의 쇼트키 접합영역의 두께는 상기 p형 질화물 반도체층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
14. 제8항에 있어서,

    상기 다수의 쇼트키 접합영역이 형성된 면적은 상기 p형 질화물 반도체 상면면적의 10∼50%인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
15. 제8항에 있어서,

    상기 오믹콘택층은 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
16. 제8항에 있어서,

    상기 오믹콘택층은 고반사성 오믹콘택층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
17. 제8항에 있어서,

    상기 고반사성 오믹콘택층은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.

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