JP2001244505A - 分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオード - Google Patents

分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオード

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JP2001244505A JP2000307820A JP2000307820A JP2001244505A JP 2001244505 A JP2001244505 A JP 2001244505A JP 2000307820 A JP2000307820 A JP 2000307820A JP 2000307820 A JP2000307820 A JP 2000307820A JP 2001244505 A JP2001244505 A JP 2001244505A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、発光ダイオードの輝度を増加させ
るよう接触層及び接触層と窓層の間の界面による光の吸
収の望ましくない影響を減少させるために分布型接触の
層を有する高輝度発光ダイオードを提供することを目的
とする。 【解決手段】 本発明による分布型接触の層を有する高
輝度発光ダイオードは、第１の電極と、第１の電極上に
形成される半導体基板と、半導体基板上に形成される第
１の導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上
に形成される活性層と、活性層上に形成される第２の導
電型の第２のクラッド層と、第２のクラッド層上に形成
される第２の導電型の窓層と、窓層上に形成される所定
模様の分布型接触の層と、分布型接触の層及び窓層上に
形成される透明導電層と、透明導電層上に形成される第
２の電極とを有し、透明導電層は、分布型接触の層とオ
ーム接触にあり、窓層との間にショットキー障壁が形成
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明、発光ダイオード、特
に輝度の高い発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｂｉｉｎｇ−Ｊｙｅ ＬＥＥ他に発行さ
れ本願と同じ譲受人である米国特許第５，７８９，７６
８号では、図１に示すような発光ダイオードが開示され
る。発光ダイオードにおいて、ｎ型GaAs半導体基板１２
がｎ型裏電極１０上に形成される。ブラッグ反射を用い
た分布反射型（distributed Bragg reflector（ＤＢ
Ｒ））層３０は、半導体基板１２上に形成される。分布
反射型層３０は、AlGaInp及びAlGaAsから成る群から選
択される物質を有することが好ましい。積層構造１４
は、反射型層３０上に形成され、ｎ型AlGaInpの底部ク
ラッド層１４０、AlGaInpの活性層１４２、及び、ｐ型A
lGaInPの上部クラッド層１４４を含む。ｐ型窓層１６
は、上部クラッド層１４４上に形成される。窓層１６
は、GaP、GaAsP、GaInP、及び、AlGaAsから成る群から
選択される物質を有することが好ましい。ｐ型接触層１
７は、窓層１６上に形成される。接触層１７は、GaAs
P、GaP、GaInP、及び、GaAsから成る群から選択される
物質を有することが好ましい。透明導電層１９は、接触
層１７上に形成され、接触層１７の中央の窪みを通じて
延在し、窓層１６との間にショットキー障壁を形成する
ことによって窓層１６と接触する。透明導電層１９は、
酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ、及
び、同様の透明物質から成る群から選択される物質を有
することが好ましい。ｐ型前電極２０は、導電層１９上
に形成される。
【０００３】上述の従来技術の発光ダイオードは、導電
層１９と接触層の１７間の接触面がオーム接触され、導
電層１９と窓層１６の間の接触面がショットキー障壁に
形成されることを特徴とする。従って、前電極２０から
の電流が導電層１９中に広がった後、この電流は、光を
生成するために裏電極１０からの電流と遭う前にショッ
トキー障壁でなくオーム接触を通じて活性層の中に流れ
る。
【０００４】従来技術の発光ダイオードでは、前電極２
０の真下の電流部分及び発光動作は、前電極による遮光
の望ましくない影響を回避し得るよう前電極２０からの
電流がショットキー障壁でなくオーム接触を通じて流れ
るよう制御され得るから減少され得る。しかしながら、
活性層１４２において生成される光は、発光するために
接触１７を通らなくてはならず、接触層は、その中を通
る光の約１５％乃至２０％を吸収する。加えて、接触層
１７と窓層１６の間の界面も光を吸収するといった望ま
しくない影響が生じる。その結果、窓層１６上で接触層
１７がおかれる領域が減少され得る場合、接触層１７及
び接触層１７と窓層の間の界面による光の吸収といった
望ましくない影響は減少され得る。それにより、発光ダ
イオードの輝度が増加され得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、発
光ダイオードの輝度を増加する改善された効果が実現さ
れ得るよう接触層及び接触層と窓層の間の界面による光
の吸収の望ましくない影響を減少するために分布型接触
の層を有する高輝度な発光ダイオードを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオードは、第
１の電極と、第１の電極上に形成される半導体基板と、
半導体基板上に形成される第１の導電型の第１のクラッ
ド層と、第１のクラッド層上に形成される活性層と、活
性層上に形成される第２の導電型の第２のクラッド層
と、第２のクラッド層上に形成される第２の導電型の窓
層と、窓層上に形成される所定模様の分布型接触の層
と、分布型接触の層及び窓層上に形成される透明導電層
と、透明導電層上に形成される第２の電極とを有し、透
明導電層は、分布型接触の層とオーム接触され窓層との
間にショットキー障壁が形成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】図２及び図３を参照するに、本発
明の第１の好ましい実施例による発光ダイオードでは、
ｎ型GaAs半導体基板１２がｎ型裏電極１０上に形成され
る。分布反射型（distributed Bragg reflector
（ＤＢＲ））層３０は、半導体基板１２上に形成され
る。分布反射型層３０は、AlGaInP及びAlGaAsから成る
群から選択される物質を有することが好ましい。積層構
造１４は、反射型層３０上に形成され、ｎ型AlGaInpの
底部クラッド層１４０、AlGaInpの活性層１４２、及
び、ｐ型AlGaInPの上部クラッド層１４４を含む。ｐ型
窓層１６は、上部クラッド層１４４上に形成される。窓
層１６は、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInp、及び、AlGaAs
から成る群から選択される物質を有することが好まし
い。図３に示すように、分布された結晶粒の形態にある
ｐ型接触層１７は、（以下に説明するように）前電極２
０の真下の領域以外の領域で窓層１６上に形成される。
接触層１７の結晶粒は、GaP、GaAsP、GaInP、及び、GaA
sから成る群から選択される物質を有することが好まし
い。第１の実施例では、各結晶粒は、例えば、約８μｍ
の径を有し２つの隣接する結晶粒の間の距離が１６μｍ
である円形の円筒の形状を有する。透明導電層１９は、
結晶粒及び窓層１６上に形成される。オーム接触は、導
電層１９と各結晶粒の間に形成され、ショットキー障壁
は、導電層１９と窓層１６の間に形成される。透明導電
層１９は、酸化インジウムスズ、酸化インジウム、酸化
スズ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム及び、同様の透明物
質から成る群から選択される物質を有することが好まし
い。ｐ型前電極２０は、導電層１９上に形成される。
【０００８】各結晶粒の大きさと２つの隣接する結晶粒
の間の距離との比が大きければ大きい程、結晶粒によっ
て与えられる導電効果がよくなり、改善される発光効果
は小さい。反対に、各結晶粒の大きさと２つの隣接する
結晶粒の間の距離との比が小さければ小さい程、結晶粒
によって与えられる導電効果は小さくなり、発光効果は
よくなる。従って、比は、結晶粒の導電効果及び透明効
果夫々を考慮して選択されるべきである。所望の比は、
ダイオードの最適発光効果を実現するために実験によっ
て決定され得る。
【０００９】明らかに、接触層の望ましくない光吸収効
果は、本発明の第１の実施例による分布された結晶粒の
形態にある接触層１７を設けることで減少され得、それ
により輝度の高い効果が実現され得る。
【００１０】実施例は、本発明の発明者によって実行さ
れ、従来技術の発光ダイオードと比較して１５％乃至３
０％の輝度の増加が本発明によって実現され得ることが
証明される。
【００１１】本発明は、好ましい実施例を参照して開示
され説明される一方で、本発明の範囲は好ましい実施例
に制限されない。本発明の全ての変化及び変更は、本発
明の精神及び範囲内にまだ属する。例えば、前電極２０
の真下の領域以外の領域で窓層１６上に形成される分布
された交差する細片の形態にあるｐ型接触層１８を第１
の実施例による分布された結晶粒の形態にあるｐ型接触
層１７の代わりに使用するか、又は、分布された結晶粒
の形態にあるｐ型接触層１７を前電極２０の真下の領域
に延在させることは、本発明の範囲から逸脱しないこと
が明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の発光ダイオード構造を示す断面図で
ある。
【図２】本発明の第１の実施例による分布型接触の層を
有する高輝度発光ダイオードの略断面図である。
【図３】図２に示す分布型接触の層を有する高輝度発光
ダイオードの略平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例による分布型接触の層を
有する高輝度発光ダイオードの略平面図である。
【符号の説明】
１０ 裏電極 １２ 半導体基板 １４ 積層構造 １６ 窓層 １７、１８ 接触層 １９ 透明導電層 ２０ 前電極 ３０ 反射型層 １４０ 底部クラッド層 １４２ 活性層 １４４ 上部クラッド層

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の電極と、 発光機能を提供し、上記第１の電極上に形成される積層
    構造と、 上記積層構造とオーム接触にあり、上記積層構造上に形
    成される分布型接触の層と、 上記分布型接触の層とオーム接触にあり、上記積層構造
    との間にショットキー障壁を形成し、上記分布型接触の
    層及び上記積層構造上に形成される透明導電層と、 上記透明導電層上に形成される第２の電極とを有する、
    分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオード。
  2. 【請求項２】 上記積層構造は、上記第１の電極上に形
    成される半導体基板と、 上記半導体基板上に形成される第１の導電型の第１のク
    ラッド層と、 上記第１のクラッド層上に形成される活性層と、 上記活性上に形成される第２の導電型の第２のクラッド
    層と、 上記第２のクラッド層上に形成される第２の導電型の窓
    層とを有する請求項１記載の分布型接触の層を有する高
    輝度発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 第１の電極と、 上記第１の電極上に形成される半導体基板と、 上記半導体基板上に形成される第１の導電型の第１のク
    ラッド層と、 上記第１のクラッド層上に形成される活性層と、 上記活性上に形成される第２の導電型の第２のクラッド
    層と、 上記第２のクラッド層上に形成される第２の導電型の窓
    層と、 上記窓層上に形成される所定模様の分布型接触の層と、 上記分布型接触の層とオーム接触にあり、上記窓層との
    間にショットキー障壁を形成し、上記分布型接触の層及
    び上記窓層上に形成される透明導電層と、 上記透明導電層上に形成される第２の電極とを有する、
    分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 上記分布型接触の層は、上記窓層上に分
    布される円形の円筒の形状を有する複数の接触結晶粒を
    有する請求項３記載の分布型接触の層を有する高輝度発
    光ダイオード。
  5. 【請求項５】 上記分布型接触の層は、上記第２の電極
    の略真下にある領域以外で上記窓層上に分布される円形
    の円筒の形状を有する複数の接触結晶粒を有する請求項
    ３記載の分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオー
    ド。
  6. 【請求項６】 上記分布型接触の層は、上記窓層上に分
    布される複数の接触細片を有する請求項３記載の分布型
    接触の層を有する高輝度発光ダイオード。
  7. 【請求項７】 上記分布型接触の層は、上記第２の電極
    の略真下の領域以外で上記窓層上に分布される複数の接
    触細片を有する請求項３記載の分布型接触の層を有する
    高輝度発光ダイオード。
  8. 【請求項８】 上記活性層は、AlGaInpを有し、 上記窓層は、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及び、AlGa
    Asから成る群から選択される物質を有し、 上記分布型接触の層は、GaP、GaAsP、GaInP、及び、AlG
    aAsから成る群から選択される物質を有し、 上記透明導電層は、酸化インジウムスズ、酸化インジウ
    ム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化マグネシウムから成る群
    から選択される物質を有し、 上記半導体基板は、GaAsを有し、 上記第１のクラッド層は、AlGaInpを有し、 上記第２のクラッド層は、AlGaInPを有し、 分布反射型層は、上記半導体基板と上記第１のクラッド
    層の間に形成され、AlGaInp及びAlGaAsから成る群から
    選択される物質を有する請求項３記載の分布型接触の層
    を有する高輝度発光ダイオード。
  9. 【請求項９】 第１の一次表面及び第２の一次表面を有
    し発光機能を提供する積層構造と、 上記積層構造とオーム接触にあり、上記積層構造の上記
    第１の一次表面上に形成される所定模様の分布型接触の
    層と、 上記分布型接触の層とオーム接触にあり、上記積層構造
    の上記第１の一次表面との間にショットキー障壁が形成
    され、上記分布型接触の層及び上記積層構造の上記一次
    表面上に形成される透明導電層とを有する分布型接触の
    層を有する高輝度発光ダイオード。
  10. 【請求項１０】 上記透明導電層と電気通信にある第１
    の電極と、 上記積層構造の上記第２の一次表面と電気通信にある第
    ２の電極とを有する請求項９記載の分布型接触の層を有
    する高輝度発光ダイオード。
  11. 【請求項１１】 上記分布型接触の層は、上記第１の一
    次表面に分布される円形の円筒の形状を有する複数の接
    触結晶粒を有する請求項９記載の分布型接触の層を有す
    る高輝度発光ダイオード。
  12. 【請求項１２】 上記分布型接触の層は、上記第２の電
    極の略真下以外の領域で上記第１の一次表面上に分布さ
    れる円形の円筒の形状を有する複数の接触結晶粒を有す
    る請求項１０記載の分布型接触の層を有する高輝度発光
    ダイオード。
  13. 【請求項１３】 上記分布型接触の層は、上記第１の一
    次表面上に分布される複数の接触細片を有する請求項９
    記載の分布接触を有する高輝度発光ダイオード。
  14. 【請求項１４】 上記分布型接触の層は、上記第２の電
    極の略真下以外の領域で上記第１の一次表面上に分布さ
    れる複数の接触細片を有する請求項１０記載の分布型接
    触の層を有する高輝度発光ダイオード。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174197A (ja) * 2001-09-27 2003-06-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2004146539A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
KR100618288B1 (ko) 2005-03-21 2006-08-31 주식회사 이츠웰 터널링 층위에 제1 오믹 전극을 형성한 질화물 반도체 발광다이오드
KR100714627B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-07 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP2011165800A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
US8022436B2 (en) 2008-11-19 2011-09-20 Showa Denko K.K. Light emitting diode, production method thereof and lamp
US10763394B2 (en) 2015-08-24 2020-09-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting element having excellent contact between semiconductor layer and electrode

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6996151B1 (en) * 1999-11-08 2006-02-07 Lucent Technologies Inc. Tin oxide adhesion layer for metal-dielectric mirrors
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
DE10203809B4 (de) * 2002-01-31 2010-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US20040227141A1 (en) * 2003-01-30 2004-11-18 Epistar Corporation Light emitting device having a high resistivity cushion layer
KR100601945B1 (ko) * 2004-03-10 2006-07-14 삼성전자주식회사 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
TWI282636B (en) * 2005-12-29 2007-06-11 Epistar Corp Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof
DE102006055884B4 (de) * 2006-09-29 2023-03-16 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7483212B2 (en) * 2006-10-11 2009-01-27 Rensselaer Polytechnic Institute Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same
DE102008035900A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
DE102008054218A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
CN101859820A (zh) * 2009-04-07 2010-10-13 山东璨圆光电科技有限公司 发光二极管结构
TWI479698B (zh) * 2009-06-12 2015-04-01 Epistar Corp 光電元件
KR101039937B1 (ko) * 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템
CN104916752A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 山东华光光电子有限公司 一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性AlGaInP发光二极管结构
DE102017105397A1 (de) 2017-03-14 2018-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden und Leuchtdiode

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3909929A (en) 1973-12-26 1975-10-07 Gen Electric Method of making contacts to semiconductor light conversion elements
US3889286A (en) * 1973-12-26 1975-06-10 Gen Electric Transparent multiple contact for semiconductor light conversion elements
JPS5784188A (en) 1980-11-13 1982-05-26 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2796602B2 (ja) 1990-03-09 1998-09-10 株式会社リコー 光磁気記録方法
US5309001A (en) * 1991-11-25 1994-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having a surface electrode of a tree-like form
US5814839A (en) * 1995-02-16 1998-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same
US6057562A (en) * 1997-04-18 2000-05-02 Epistar Corp. High efficiency light emitting diode with distributed Bragg reflector
US5789768A (en) * 1997-06-23 1998-08-04 Epistar Corporation Light emitting diode having transparent conductive oxide formed on the contact layer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174197A (ja) * 2001-09-27 2003-06-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2004146539A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
KR100618288B1 (ko) 2005-03-21 2006-08-31 주식회사 이츠웰 터널링 층위에 제1 오믹 전극을 형성한 질화물 반도체 발광다이오드
KR100714627B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-07 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
US8022436B2 (en) 2008-11-19 2011-09-20 Showa Denko K.K. Light emitting diode, production method thereof and lamp
JP2011165800A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
US10763394B2 (en) 2015-08-24 2020-09-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting element having excellent contact between semiconductor layer and electrode
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