TW425726B - A high-luminance light emitting diode with distributed contact layer - Google Patents

A high-luminance light emitting diode with distributed contact layer Download PDF

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Description

425726 / 五、發明說明（1) 本發明係關於一種發光二極體，尤其關於一種高亮度 發光二極體。 在頒予3丨11^-〇6 1^6等人之美國專利第5,789,768號 〔其申.請人與本案相同〕中，揭露如圖1顯示之發光二極 體構造，其中由η型GaAs構成之半導體基層12、形成於η型後 電極10上，半導體基層12上形成多層之布拉格反射層30， 此多層布拉格反射層30宜由AlGalnP或AlGaAs等系列材料 構成。積層結構14形成於反射層30上，此積層結構14中包 含由AlGalnP構成之n型底部束缚層140、AlGaInP構成之活 性層142、及由AlGalnP構成之p型頂部束缚層144。一層p 型窗戶層16形成於頂部束缚層144上，此窗戶層16宜由
GaP、GaAsP、GaInP、或AlGaAs等透明材料構成。一層p型 接觸層17形成於窗戶層16上，此接觸層17宜由Gap、
GaAsP、GalnP、或GaAs等材料構成。一層透明導電層19形 成於摄1黡·1 7上，且延伸至接觸層17之中央中空部分，並 與窗戶層16接觸而形成蕭基障礙，此導電層19宜由氧化 銦、氧化錫、或氧化銦錫等透明材料構成。一前電極 又0形成於導電層19上。 —— 此先前技藝發光二極體之特徵在於導電層19與接觸層 17之接觸面形成歐姆接觸，而導電層19與窗戶層16之接觸 面形成蕭基障礙，因而自前電極2〇送出之電流，在導電層 19中分佈開後，通過該歐姆接觸，但不通過該蕭基障礙， 向下流至活性層1 4 2中，與來自後電極丨〇之電流遭遇，而 產生發光作用。
4 25 72 6 五、發明說明（2) 在此先前技藝發光二極體中，雖然能夠控制自前電極 20送出之電流通過該歐姆接觸，但不通過該蕭基障礙，因 而能夠減小在前電極2 0正下方之電流與發光作用，以避免 前電極20遮蔽光線之不良效果。惟在其活性層142中產生 之光線須透過接觸層17發出，而接觸層17通常吸收約15% 至20 %之光線，且接觸層17與窗戶層16間t众面，亦造成 吸收光線之不良效果。換言之，若能夠減小接觸層17在窗 戶層1 6上之分佈辱積，即能夠減小接觸展1 7以及接觸層1 7 每_窗戶層1 6間介面吸_1_患，爲之不-.1效果，進而夠提高發光 二極體之亮度。 因而，本發明之一目的在於提供一種具有分_部式接觸 層之高亮度發光二極體，藉減小接觸層以及接觸層與窗戶 層間介面所產生吸收光線之不良效果，而達到提高發光二 極體亮度之增進功效。 為達此目的，依本發明之一種具有分佈式接觸層之高 亮度發光二極體包含一第一電極；一半導體基層，形成於 該第一電極上；一具有第一導電性之第一束缚層，形成於 該半導體基層上；一活性層，形成於該第一束縛層上；一 具有第二導電性之第二肩層，形成於該活性層上；一具 有第二導電性之窗戶層，形成於該第二束缚層上；一分佈 式接觸層，以一預定之分佈圖案，形成於該穿戶層上；一 透明導電層，形成幹_該接觸層_與該窗戶層上，此透明導電 層與該接觸層間形成歐姆接觸，並與該窗戶層間形成蕭基 障礙；以及一第二電極，形成於該導電層上。
425726 五、發明說明（3) 茲參考下列圖式’詳細說明本發明之較佳實施例如 後： 圖式之簡單說明： 圖1為一種先前技藝發光二極體結構的剖面示意圖； 圖2為依本發明第一較佳實施例之一種具有分佈式接 觸層之高亮度發光二極體的剖面示意圖； 圖3為圖2所示之一種具有分佈式接觸層之高亮度發光 二極體的俯視示意圖； 圖4為依本發明第二較佳實施例之一種具有分佈式接 觸層之高亮度發光二極體的俯視示意圖。 茲參照各附圖，詳細說明本發明如後。 圖2與圖3顯示依本發明第一較佳實施例之發光二極體 結構’其中由π型GaAs構成之半導體基層12形成於η型後電 極10上，半導體基層12上形成多層之布拉格反射層3〇，此 多層布拉格反射層30宜由AlGalnP或AlGaAs等系列材料構 成。積層結構14形成於反射層3〇上，此積層結構η中包含 由AiGalnP構成之η型底部束缚層140、AlGalnP構成之活性 層142、及由AlGalnP構成之p型頂部束缚層144。一層P型 窗戶層16形成於頂部束縛層144上，此窗戶層16宜由GaP、
GaAsP、GaInP 'AlGalnP、或AiGaAs等透明材料構成。如 圖3中所示，一層顆粒分佈式p型接觸層17在前電極2〇〔將 說明於後〕正下方以外之區域，形表窗戶層1 6上，此接 觸層17之各顆粒宜由GaP、GaAsP、GaInP、或GaAs等透明 材料構成，在此實施例中，各顆粒為阖柱形，其直徑例如
第6頁
五、發明說明（4) 一 一 — ，二相鄰顆粒間之距離為16Vm，一層透明導電層 1 q公ίΪ巧層17之各顆粒上與窗户層1 6上，透明導電層 形成歐姆接觸’而與窗戶層16間形成蕭基障 鈕:七t f層、?宜由氧化銦錫、氧化銦、氧化錫、氧化 電層ΰ上^鎂等透明材料構成。一 P—型前電極2 〇形成於導 值愈 效果 比值 光效 光效 之二 層17 果， 較該 本發 若接觸 大，則 較小； 愈小， 果較佳 果，可 極體發 由 之設置 而達到 本案發 先前技 明；^目 /Wi(y 各顆粒 反之， 則各顆 。因而 經由實 效果 本發明 ’故顯 1% 發 明人已 藝，能 的。 各顆粒之尽寸與二相 所產生之導電效果欲 若各顆粒之尺寸與二 粒所產生之導電效果 ’選定該比值時，須 驗’選出較佳比值， 0 第一較佳實施例中顆 然能夠減小接觸層吸 光二極體亮度之增進 成功實施該等較佳實 夠增加約】5%至30%之 鄰顆粒間距離之比 佳，但增進之透光 相鄰顆粒間距離之 減小，但增進之透 I顧導電效_果輿锈 以獲得實質i最佳 粒分佈式^型接觸 收光線之不良效 功效。 施例’並已驗證其 亮度，確實可達成 A u上所述者’僅為本發明之各較佳實施例，本發明之 ^不限於該等較佳實施例，凡依本發明所做的任何變 更，皆屬本發明申請專利之範圍。例如，如圖4所示，以 一層線條分佈式P型接觸層18在前電極2〇正下方以^之區 域，形成於窗戶層16上，以取代依本發明第一較佳實施例
425726

Claims (1)

  1. 含 半 425726 案號 88117542 81年子月4曰 修ilI 修正到年3月,^ 申請專利範圍 1-- 1. 一種具有分佈式接觸層之高亮度發光二極體包 一第一電極； 一半導體疊層（stack )，形成於該第一電極上，此 導體疊層提供發光作用； 一分佈式接觸層，形成 接觸層與該半導體疊層間形 一透明導電層，其形成 上，此透明導電層與該接觸 導體疊層間形成蕭基障礙； 一第二電極，形成於該 2.依申請專利範圍第1 高亮度發光二極體，其中該 一半導體基層，形成於 一具有第一導電性之第 於該半導體疊層上，此分佈式 成歐姆接觸； 於該接觸層與該半導體疊層 層間形成歐姆接觸，並與該半 以及 導電層上。 項之一種具有分佈式接觸層之 半導體疊層包含： 該第一電極上； 一束缚層，形成於該半導體基 :¾ J: 層上 —束缚層上； 二束缚層，形成於該活性層 上 一活性層，形成於該第 一具有第二導電性之第 以及 一具有第二導電性之窗戶層，形成於該第二束缚層 i 1 Ίi 煩請委眞明示奶年3月所提" J . I ,-1L,i,-_'·, r ί·*'. *-ΓI. -r-''r .Εί 上 3. 種具有分佈式接觸層之高亮度發光二極體包 含 一第一電極；
    第10頁 2000.03. 24.010 425 72 6 索號 8811754? 修正 六、申請專利範圍 一半導體基層，形成於該第一電極上； 一具有第一導電性之第一束缚層，形成於該半導體基 層上； 活性層’形成於該第 具有第二導電性之第 一束缚層上； 二束缚層，形 上； 具有第二導電性之窗戶層，形成於 上； 成於該活性層 該第二束缚層 分佈式接觸層，以一預定之分佈圖案，形成於該窗 戶層上 一透明導電層，形成於 明導電層與該接觸層間形成 成蕭基障礙；以及 該接觸層與該 歐姆接觸，並 窗戶層上 與該窗戶 ，此透 層間形 一第二電極’形成於該導電層上 4.依申請專利範圍第3 南亮度發光二極體，其中該 形接觸顆粒，分佈於該窗戶 5 依申請專利範圍第3 高亮度發光二極體，其中該 形接觸顆粒，此等顆粒係於 域，分佈於該窗，層上。 6，依申請專利範圍第3 咼亮度發光二極體，其中該 條，分佈於該窗戶層上。 項之一種具有分佈式接 分佈式接觸層包含複數 層上。 項之一種具有分佈式接 包含複數 下方以外 分佈式接觸層 該第； 項之一種具有 分佈式接觸層 分佈式接 包令複數 觸層之 個圓柱 觸層之 個圓柱 之區 觸層之 支接觸
    第U頁 2000. 03. 24.011 425 72 6 13年3月 案號 88117^9 六、申請專利範圍 7.依申叫專利範圍第3項之一種具有分佈式接觸層之 高亮度發光二極體，其中該分佈式接觸層包含複數支接觸 條，此等接觸條係於該第二電極正下方以外之區域，分 於該窗戶層上。 8·依申請專利範圍第2項至第7項中任一項之一種具 有分佈式接觸層之高亮度發光二極體’其中該活性層包含 AlGalnP ’該窗戶層包含選自於Gap、GaAsP、GaInP、 AiGalnP、及AlGaAs所構成材料群組中的一種材料，該接 觸層包含選自於GaP、GaAsP、GaInP、及GaAs所構成材料 群組中的一種材料，該導電層包含選自於氧化銦錫、氧化 鋼、氧化錫 '氧化鋅、及氧化鎂所構成材料群組中的一種 材料’該基層包含GaAs，該第一束缚層包含AlGalnP，該 第二束缚層包含A1 GaInP ’該絕緣層包含選自於氧化矽、 氮化砂、及氧化鋁所構成材料群組中的一種材料，該半導 體基層與該積層結構之間更形成一反射層，此反射層由多 層之布拉格反射層〔distributed Bragg reflector〕構 成’該多層之布拉格反射層包含選自於AlGalnP與AlGaAs 所構成材料群組中的一種材料。 9· 一種具有分佈式接觸層之高亮度發光二極體包 含： 一半導體疊層（stack)，係用以提供發光作用，且 具有一第一矣〜要表面與一第二主要表面； 一分佈式接鲕層，依一預定之分佈圖案，形成於該半 導體疊層之該第一主要表面上，此分佈式接觸層與該半導 麵
    第12頁 2000.03. 24.012 425726 修正 案號88丨17542 六、申諳專利範固 體疊層間形成歐姆接觸； 一透明導電層，其形 該第一主要表面上，此透 接觸，並與該半導體疊層 礙。 I 0.依申請專利範圍 之高亮度發光二極體，更 二第一電極，與該透 一第二電極，與該第 II ·依申請專利範圍 之高亮度發光二極體，其 柱形接觸顆粒，分佈於該 1 2.依申請專利範圍 之高亮度發光二極體，其 柱形接觸顆粒’此等顆粒 域，分佈於該該第一主要 1 3 _依申請專利範圍 之高亮度發光二極體，其 觸條’分佈於該該第一主 1 4 依申請專利範圍 之高亮度發光二極體，其 觸條’此等接觸條係於該 佈於該第一主要表面上。 以及 成於該接觸層與該半導體疊層之 明導電層與該接觸層間形成歐姆 之該第一主要表面間形成蕭基障 第9項之一種具有分佈式接觸層 包含： 明導電層形成電連接；以及 二主要表面形成電連接。 第9項之一種具有分佈式接觸層 中該刀佈式接觸層包含複數個圓 第一主要表面上β ^10項之一種具有分佈式接觸層 中該分佈式接觸層包含複數個圓 係於該第一 !極正下方以外之區 表面上。 =9項之一種具有分佈式接觸層 〜該77佈式接觸層包含複數支接 要表面上。 第10項之一種具有分佈式接觸層 中該分佈式接觸層包含複數支接 第一電極正下方以外之區域，分
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JP2000307820A JP3593020B2 (ja) 1999-10-08 2000-10-06 分布型の非金属接触層を有する高輝度発光ダイオード
DE10049573A DE10049573B4 (de) 1999-10-08 2000-10-06 Leuchtdiode mit großer Helligkeit
US09/680,416 US6552367B1 (en) 1999-10-08 2000-10-06 High brightness light emitting diode having a layer of distributed contacts

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102203969A (zh) * 2008-10-31 2011-09-28 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光二极管芯片

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6996151B1 (en) * 1999-11-08 2006-02-07 Lucent Technologies Inc. Tin oxide adhesion layer for metal-dielectric mirrors
JP4084620B2 (ja) * 2001-09-27 2008-04-30 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
DE10203809B4 (de) * 2002-01-31 2010-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
JP4121551B2 (ja) * 2002-10-23 2008-07-23 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
US20040227141A1 (en) * 2003-01-30 2004-11-18 Epistar Corporation Light emitting device having a high resistivity cushion layer
KR100601945B1 (ko) * 2004-03-10 2006-07-14 삼성전자주식회사 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
KR100618288B1 (ko) 2005-03-21 2006-08-31 주식회사 이츠웰 터널링 층위에 제1 오믹 전극을 형성한 질화물 반도체 발광다이오드
KR100714627B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-07 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
TWI282636B (en) * 2005-12-29 2007-06-11 Epistar Corp Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof
DE102006055884B4 (de) 2006-09-29 2023-03-16 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7483212B2 (en) * 2006-10-11 2009-01-27 Rensselaer Polytechnic Institute Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same
DE102008035900A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
JP5276959B2 (ja) 2008-11-19 2013-08-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ
CN101859820A (zh) * 2009-04-07 2010-10-13 山东璨圆光电科技有限公司 发光二极管结构
TWI479698B (zh) * 2009-06-12 2015-04-01 Epistar Corp 光電元件
JP2011165800A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
KR101039937B1 (ko) * 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템
CN104916752A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 山东华光光电子有限公司 一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性AlGaInP发光二极管结构
KR102373677B1 (ko) 2015-08-24 2022-03-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자
DE102017105397A1 (de) * 2017-03-14 2018-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden und Leuchtdiode

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3889286A (en) 1973-12-26 1975-06-10 Gen Electric Transparent multiple contact for semiconductor light conversion elements
US3909929A (en) 1973-12-26 1975-10-07 Gen Electric Method of making contacts to semiconductor light conversion elements
JPS5784188A (en) 1980-11-13 1982-05-26 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2796602B2 (ja) 1990-03-09 1998-09-10 株式会社リコー 光磁気記録方法
US5309001A (en) * 1991-11-25 1994-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having a surface electrode of a tree-like form
US5814839A (en) * 1995-02-16 1998-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same
US6057562A (en) * 1997-04-18 2000-05-02 Epistar Corp. High efficiency light emitting diode with distributed Bragg reflector
US5789768A (en) * 1997-06-23 1998-08-04 Epistar Corporation Light emitting diode having transparent conductive oxide formed on the contact layer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102203969A (zh) * 2008-10-31 2011-09-28 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光二极管芯片
CN102203969B (zh) * 2008-10-31 2013-10-30 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光二极管芯片

Also Published As

Publication number Publication date
US6552367B1 (en) 2003-04-22
JP2001244505A (ja) 2001-09-07
JP3593020B2 (ja) 2004-11-24
DE10049573A1 (de) 2001-05-17
DE10049573B4 (de) 2013-11-28

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