DE102017105397A1

DE102017105397A1 - Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden und Leuchtdiode

Info

Publication number: DE102017105397A1
Application number: DE102017105397.2A
Authority: DE
Inventors: Bastian Galler; Jürgen Off
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2017-03-14
Filing date: 2017-03-14
Publication date: 2018-09-20
Also published as: US20200035858A1; US11658265B2; US11276800B2; WO2018167011A1; DE112018001344B4; DE112018001344A5; US20220115559A1

Abstract

Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdioden eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge:
A) Wachsen einer n-leitenden n-Schicht (22),
B) Wachsen einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung ultravioletter Strahlung,
C) Wachsen einer p-leitenden p-Schicht (24),
D) Erzeugen einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht (25) mit einer variierenden Dicke und mit einer Vielzahl von Dickenmaxima (4) direkt an der p-Schicht (24), und
E) Anbringen einer ohmsch-leitenden Elektrodenschicht (3) direkt auf der Halbleiterkontaktschicht (25),
wobei
- die n-Schicht (22) und die aktive Zone (23) je auf AlGaN und die p-Schicht (24) auf AlGaN oder InGaN basieren und die Halbleiterkontaktschicht (25) eine GaN-Schicht ist, und
- die Dickenmaxima (4) in Draufsicht gesehen eine Flächenkonzentration von mindestens 10⁴ cm^-2 aufweisen.

Description

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden angegeben. Darüber hinaus wird eine Leuchtdiode angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe ist dadurch gegeben, eine Leuchtdiode anzugeben, die im ultravioletten Spektralbereich eine hohe Lichtauskoppeleffizienz aufweist.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren und durch eine Leuchtdiode mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden mit dem Verfahren Leuchtdioden hergestellt. Die fertigen Leuchtdioden emittieren im Betrieb inkohärente Strahlung, also keine Laserstrahlung. Insbesondere handelt es sich um Leuchtdioden zur Erzeugung von ultravioletter Strahlung, etwa mit einer Wellenlänge maximaler Intensität im Spektralbereich zwischen einschließlich 200 nm und 400 nm oder einschließlich 200 nm und 300 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Wachsens einer n-leitenden n-Schicht. Die n-Schicht kann durch eine einzige Schicht gebildet sein oder aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein, die insbesondere jeweils n-dotiert sind, etwa mit Silizium. Optional beinhaltet die n-Schicht eine dünne Teilschicht, die nicht notwendigerweise n-dotiert ist und die etwa als Barriereschicht für positive Ladungsträger dienen kann, zum Beispiel mit einer Dicke von höchstens 15 nm oder 10 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird eine aktive Zone gewachsen. Die aktive Zone ist zur Erzeugung ultravioletter Strahlung eingerichtet. Bevorzugt liegt die Wellenlänge maximaler Intensität der von der aktiven Zone in der fertigen Leuchtdiode erzeugten Strahlung bei einer Wellenlänge von mindestens 205 nm oder 217 nm und/oder bei höchstens 360 nm oder 310 nm oder 270 nm oder 230 nm. Bevorzugt liegt die Wellenlänge maximaler Intensität zwischen einschließlich 205 nm und 260 nm. Die aktive Zone beinhaltet bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopfstruktur, auch als MQW bezeichnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird eine p-leitende p-Schicht gewachsen. Die p-Schicht kann mehrere Teilschichten beinhalten, die bevorzugt jeweils p-dotiert sind, etwa mit Magnesium. Optional beinhaltet die p-Schicht eine nicht notwendigerweise dotierte Teilschicht als Barriereschicht für negative Ladungsträger, also für Elektronen, etwa mit einer Dicke von höchstens 15 nm oder 10 nm. Bevorzugt grenzt die aktive Zone an einander gegenüberliegenden Seiten unmittelbar an die n-Schicht und an die p-Schicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Erzeugens einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht. Die Halbleiterkontaktschicht ist ein Teil der Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterkontaktschicht ist bevorzugt stark p-dotiert. Ferner steht die Halbleiterkontaktschicht zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der p-Schicht. Das heißt, die Halbleiterkontaktschicht und die p-Schicht berühren sich. Eine Stromeinprägung in die p-Schicht erfolgt bevorzugt ausschließlich oder überwiegend, etwa zu mindestens 90 % oder 95 %, über die Halbleiterkontaktschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird auf der Halbleiterkontaktschicht, insbesondere direkt auf der Halbleiterkontaktschicht, eine Elektrodenschicht aufgebracht. Auch die Elektrodenschicht kann aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein. Bevorzugt beinhaltet die Elektrodenschicht eine oder mehrere Metallschichten. Die Elektrodenschicht ist ohmsch-leitend.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Elektrodenschicht direkt auf oder an der Halbleiterkontaktschicht angebracht, sodass sich die Elektrodenschicht und die Halbleiterkontaktschicht berühren. Es ist möglich, dass die Elektrodenschicht die p-Schicht berührt, wobei eine geometrische Kontaktfläche zwischen der Elektrodenschicht und der p-Schicht größer sein kann als zwischen der Elektrodenschicht und der Halbleiterkontaktschicht. Zum Beispiel erfolgt kein oder kein signifikanter Stromfluss von der Elektrodenschicht direkt in die p-Schicht, sodass Strom von der Elektrodenschicht in die Halbleiterkontaktschicht und von dort in die p-Schicht geführt wird. Die Elektrodenschicht ist insbesondere als Anode ausgebildet. Die Kontaktschicht ist speziell deshalb erforderlich, weil die elektrische Barriere zwischen der Elektrode und der p-Schicht aus physikalischen Gründen vergleichsweise hoch ist. Beim Betrieb ist deswegen ein Stromfluss direkt in die p-Schicht zwar gewünscht, aber geringer oder unterbunden als über die Kontaktschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform basieren die n-Schicht und die aktive Zone jeweils auf AlGaN. Bevorzugt sind die n-Schicht sowie die aktive Zone frei von Indium und weisen bevorzugt je, zumindest stellenweise, einen hohen Aluminiumgehalt auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die p-Schicht aus AlGaN oder aus InGaN oder aus AlInGaN.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Halbleiterkontaktschicht eine GaN-Schicht. Das heißt, die Halbleiterkontaktschicht ist bevorzugt frei von Indium und Aluminium.
Vorangehend sind hinsichtlich der Materialzusammensetzungen der jeweiligen Schichten nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, also Aluminium, Gallium, Indium und Stickstoff, genannt. Die jeweiligen Schichten können zusätzliche Bestandteile in kleinen Mengen aufweisen, etwa Sauerstoff, Kohlenstoff, Silizium und/oder Magnesium. Solche Verunreinigungen und/oder Dotierungen machen bevorzugt einen Anteil von höchstens 0,1 Gew% und/oder höchstens 10²³/cm³ oder 10²¹/cm³ aus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Halbleiterkontaktschicht eine variierende Dicke auf. Hierbei verfügt die Halbleiterkontaktschicht über eine Vielzahl von Dickenmaxima. Die Dickenmaxima sind ringsum durch Bereiche mit einer geringeren Dicke der Halbleiterkontaktschicht voneinander separiert. Geringere Dicke schließt in diesem Zusammenhang mit ein, dass die Halbleiterkontaktschicht stellenweise eine Dicke von Null aufweisen kann. Das heißt, die Dickenmaxima können durch inselförmige, in sich nicht zusammenhängende Bereiche der Halbleiterkontaktschicht gebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Dickenmaxima in Draufsicht gesehen eine Flächenkonzentration von mindestens 10⁴/cm² oder 10⁵/cm² oder 10⁶/cm² auf. Alternativ oder zusätzlich liegt diese Flächenkonzentration bei höchstens 10⁹/cm² oder 10⁸/cm² oder 10⁷/cm². Mit anderen Worten sind in den fertigen Leuchtdioden viele der Dickenmaxima vorhanden. Die fertigen Leuchtdioden weisen zum Beispiel eine mittlere Kantenlänge von mindestens 0,25 mm oder 0,5 mm und/oder von höchstens 1,5 mm oder 1 mm auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Dickenmaxima unregelmäßig verteilt. Das heißt, in Draufsicht gesehen stellen die Dickenmaxima kein regelmäßiges Gitter dar. Insbesondere sind die Dickenmaxima im Rahmen der statistischen Schwankungen gleichmäßig über die p-Schicht hinweg verteilt, sodass keine Bereiche mit gezielt hoher oder gezielt niedriger Flächenkonzentration gebildet werden.
In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:

A) Wachsen einer n-leitenden n-Schicht,
B) Wachsen einer aktiven Zone zur Erzeugung ultravioletter Strahlung,
C) Wachsen einer p-leitenden p-Schicht,
D) Erzeugen einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht mit einer variierenden Dicke und mit einer Vielzahl von Dickenmaxima direkt auf, an oder in der p-Schicht, und
E) Anbringen einer ohmsch-leitenden Elektrodenschicht direkt auf der Halbleiterkontaktschicht, wobei die n-Schicht und die aktive Zone je auf AlGaN und die p-Schicht auf AlGaN oder InGaN basieren und die Halbleiterkontaktschicht eine GaN-Schicht ist sowie die Dickenmaxima in Draufsicht gesehen eine Flächenkonzentration von mindestens 10⁴ cm^-2 oder 10⁶ cm^-2 aufweisen.

Aufgrund der Materialeigenschaften von AlGaN mit hohem Aluminiumgehalt, insbesondere der selbst im Vergleich zu GaN sehr hohen Aktivierungsenergie des üblichen Akzeptors Magnesium, ist die Herstellung von p-dotierten AlGaN-Schichten mit hohem Aluminiumgehalt ausreichender Leitfähigkeit und ausreichend niedrigem Kontaktwiderstand für Leuchtdioden, kurz LEDs, insbesondere zur Erzeugung ultravioletter Strahlung, nur sehr bedingt möglich. Aus diesem Grund werden für UV-LEDs üblicherweise dünne, durchgehende p-GaN-Schichten an einer p-Seite verwendet. Da die Emissionswellenlänge dieser LEDs unterhalb der Absorptionskante von p-GaN von ungefähr 360 nm liegt, wird durch eine solche durchgehende p-GaN-Schicht ein signifikanter Anteil der erzeugten Strahlung absorbiert und nicht emittiert.
Bei den hier beschriebenen Leuchtdioden werden als elektrische Anschlussschicht dreidimensionale Strukturen, also kleine, p-GaN enthaltende Inseln, während des Wachsens an der ansonsten im Wesentlichen aus AlGaN bestehenden p-Seite erzeugt. Anschließend wird ein beispielsweise metallischer Kontakt als Elektrodenschicht aufgebracht, der elektrisch die p-GaN-Inseln anschließt und dort Strom injiziert. Anstelle von metallischen Kontakten können auch Kontakte aus transparenten leitfähigen Oxiden, kurz TCOs, verwendet werden, um die Elektrodenschicht zu bilden.
Durch das deutlich reduzierte Volumen des stark absorbierenden p-GaN für die Halbleiterkontaktschicht lässt sich die Extraktionswahrscheinlichkeit für ultraviolette Strahlung wesentlich erhöhen. Eine solche Erhöhung kann, bei einer hohen Reflektivität der Elektrodenschicht, mehr als ein Faktor 2 betragen. Somit lässt sich die externe Quanteneffizienz signifikant steigern. Die elektrische Effizienz der Leuchtdioden wird durch die verringerte p-Kontaktfläche, verursacht durch die Strukturierung der Halbleiterkontaktschicht, dagegen üblicherweise verringert. Angesichts der signifikant gesteigerten Extraktionswahrscheinlichkeit wird der Effekt durch die verringerte p-Kontaktfläche jedoch kompensiert, sodass die Leuchtdiode insgesamt effizienter ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die p-Schicht in Draufsicht gesehen nur zum Teil von der Halbleiterkontaktschicht bedeckt. Dabei liegt ein Bedeckungsgrad der p-Schicht durch die Halbleiterkontaktschicht bevorzugt bei mindestens 0,1 % oder 0,5 % oder 2 % und/oder bei höchstens 15 % oder 10 % oder 5 %. Hierdurch ist bei hoher Reflektivität der Elektrodenschicht die externe Quanteneffizienz steigerbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen benachbarte Dickenmaxima in Draufsicht gesehen einen mittleren Abstand voneinander von mindestens 0,1 µm oder 0,4 µm oder 1 µm oder 3 µm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Abstand bei höchstens 100 µm oder 30 µm oder 10 µm. Weist die Halbleiterkontaktschicht Bereiche auf, die eine maximale Dicke über einen größeren Flächenbereich und somit ein flächiges Dickenmaxima aufweisen, so wird als Dickenmaxima vorliegend bevorzugt ein in Draufsicht gesehen in der Mitte dieses Bereichs liegender Punkt betrachtet. Das heißt in diesem Fall, pro inselförmigem Bereich der Halbleiterkontaktschicht liegt genau ein in Draufsicht punktförmiges Dickenmaximum vor.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich an einer der Elektrodenschicht zugewandten Seite der Halbleiterkontaktschicht eine durchgehende Teilschicht. Die Teilschicht ist Bestandteil der Halbleiterkontaktschicht und bevorzugt aus dem gleichen Material gebildet wie die Dickenmaxima. Bevorzugt steht die Elektrodenschicht ganzflächig in direktem Kontakt zu dieser Teilschicht. Die Teilschicht kann alle Dickenmaxima miteinander verbinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Teilschicht der Halbleiterkontaktschicht dünn gestaltet. Insbesondere liegt eine Dicke der Teilschicht bei mindestens 2 nm oder 5 nm oder 10 nm und/oder bei höchstens 50 nm oder 30 nm oder 20 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Dicke der Teilschicht kleiner als eine mittlere Höhe der Dickenmaxima. Insbesondere ist die Teilschicht um mindestens einen Faktor 1,5 oder 3 oder 5 dünner als die Dickenmaxima im Mittel dick sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Dickenmaxima durch mit einem Material der Halbleiterkontaktschicht aufgefüllte V-Defekte gebildet. Die V-Defekte entstehen durch die gezielte Öffnung von Defekten wie Versetzungen in der Halbleiterschichtenfolge. Das Öffnen der Defekte, sodass die V-Defekte ausgeprägt entstehen, erfolgt beispielsweise in der p-Schicht, etwa nahe an einer Grenzfläche zur aktiven Zone. Alternativ können die Defekte bereits in der aktiven Zone oder in der n-Schicht zu den V-Defekten geöffnet werden. Die resultierenden V-Defekte werden bevorzugt vollständig von dem Material der Halbleiterkontaktschicht ausgefüllt. Bevorzugt sind die geöffneten V-Defekte auf die p-Schicht begrenzt. Das heißt, die zuvor linearen, schlauchförmig verlaufenden Defekte wie Versetzungen werden gezielt trichterförmig oder in Form von umgekehrten Pyramiden geöffnet und erweitert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die V-Defekte nach dem Öffnen einen Öffnungswinkel von mindestens 20° oder 30° oder 40° auf. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Öffnungswinkel bei höchstens 110° oder 90° oder 75°. Insbesondere liegt der Öffnungswinkel bei ungefähr 60°.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere die p-Schicht, eine Öffnungsschicht. In oder an der Öffnungsschicht werden die bereits zuvor vorhandenen Defekte, insbesondere die Versetzungen, zu den V-Defekten geöffnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Öffnungsschicht aus AlInGaN oder aus InGaN. Insbesondere enthält die Öffnungsschicht Indium. Dabei liegt ein Indiumanteil der Öffnungsschicht bevorzugt bei höchstens 20 % oder 10 % oder 5 %. Eine Dicke der Öffnungsschicht beträgt beispielsweise mindestens 5 nm oder 10 nm oder 15 nm und/oder höchstens 50 nm oder 35 nm oder 20 nm. Ist eine Öffnungsschicht vorhanden, so sind bevorzugt alle verbleibenden Bereiche der p-Schicht aus AlGaN gewachsen, sodass die Öffnungsschicht der einzige Teilbereich der p-Schicht sein kann, der Indium enthält.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die Öffnungsschicht an einer der aktiven Zone zugewandten Seite der p-Schicht. Dabei kann die Öffnungsschicht eine Grenze zwischen der aktiven Zone und der p-Schicht bilden oder sich innerhalb der p-Schicht befinden. Ein Abstand zwischen der aktiven Zone und der Öffnungsschicht liegt bevorzugt bei höchstens 50 nm oder 30 nm oder 15 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem Schritt C1) zwischen den Schritten C) und D) auf einer der aktiven Zone abgewandten Seite der p-Schicht eine Maskierungsschicht erzeugt. Die Maskierungsschicht befindet sich bevorzugt unmittelbar auf der p-Schicht. Die Maskierungsschicht ist bevorzugt aus einem dielektrischen Material, insbesondere einem Nitrid wie Siliziumnitrid. Eine Dicke der Maskierungsschicht ist gering, beispielsweise höchstens 3 nm oder 2 nm oder 1 nm. Insbesondere weist die Maskierungsschicht eine mittlere Dicke von höchstens 1,5 Monolagen oder 1 Monolage auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die fertige Maskierungsschicht die p-Schicht nur zum Teil. Die Maskierungsschicht weist bevorzugt eine Vielzahl von Öffnungen auf. Die Öffnungen sind insbesondere statistisch über die p-Schicht hinweg verteilt. Die Maskierungsschicht kann selbstorganisiert entstehen, etwa durch eine Dauer einer Zufuhr von Ausgangsmaterialien für die Maskierungsschicht bestimmt. Das heißt, es ist für die Maskierungsschicht nicht nötig, dass eine Strukturierung etwa über Lithografie oder ein Stempelverfahren durchgeführt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform entsteht die Halbleiterkontaktschicht in den Öffnungen, ausgehend von der p-Schicht. Das heißt, die Halbleiterkontaktschicht wird von den Öffnungen aus auf der p-Schicht aufgewachsen. Das Material der Halbleiterkontaktschicht wächst bevorzugt nicht auf der Maskenschicht selbst an.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird pro Öffnung der Maskenschicht genau eine Kontaktinsel der Halbleiterkontaktschicht erzeugt. Benachbarte Kontaktinseln sind bevorzugt nicht durch ein Material der Halbleiterkontaktschicht, also insbesondere durch p-dotiertes GaN, miteinander verbunden. Die Maskierungsschicht ist bevorzugt nur zum Teil von dem Material der Halbleiterkontaktschicht bedeckt. Dabei kann sich das Material der Halbleiterkontaktschicht, bedingt durch das Wachstum der Kontaktinseln, an einem Rand der Öffnungen in Draufsicht gesehen auf die Maskierungsschicht erstrecken.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Dickenmaxima, insbesondere die Kontaktinseln und/oder die ausgefüllten V-Defekte, p-dotiertes GaN auf. Eine Dotierstoffkonzentration liegt bevorzugt bei mindestens 10¹⁹ cm^-3 oder 10²⁰ cm^-3 und/oder bei höchstens 10²³ cm^-3 oder 10²² cm^-3. Ein Dotierstoff ist bevorzugt Magnesium.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Kontaktinseln und/oder die V-Defekte in einem Schritt D1) zwischen den Schritten D) und E) mit einer Zwischenschicht überwachsen. Die Zwischenschicht kann aus einem Halbleitermaterial wie undotiertem oder dotiertem AlGaN sein. Alternativ ist es möglich, dass die Zwischenschicht aus einem dielektrischen Material mit einem im Vergleich zur Halbleiterschichtenfolge niedrigen Brechungsindex ist, beispielsweise aus einem Oxid wie Siliziumdioxid oder aus einem Nitrid wie Siliziumnitrid. Auch eine Zwischenschicht, zusammengesetzt aus Teilschichten, etwa aus einem Halbleitermaterial und aus einem dielektrischen Material, sind möglich. Über eine dielektrische Schicht der Zwischenschicht, insbesondere direkt an der Maskierungsschicht und/oder an der p-Schicht, ist eine hohe Reflektivität von ultravioletter Strahlung über Totalreflexion über einen wesentlichen Bereich an Einfallswinkeln erzielbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt mit der Zwischenschicht eine Planarisierung der Kontaktinseln und/oder der V-Defekte. Bevorzugt wird durch die Zwischenschicht zusammen mit den Kontaktinseln und/oder den V-Defekten eine durchgehende, zusammenhängende Schicht gebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die Zwischenschicht nach dem Schritt D1) die Kontaktinseln vollständig oder teilweise.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt D2) auf, der zwischen den Schritten D1) und E) durchgeführt wird. In Schritt D2) wird die Zwischenschicht teilweise abgetragen, sodass die Kontaktinseln und/oder die mit dem Material der Halbleiterkontaktschicht ausgefüllten V-Defekte freigelegt werden. Hierdurch ist eine effiziente Kontaktierung der Halbleiterkontaktschicht mit der Elektrodenschicht möglich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die einzelnen Schichten der Halbleiterschichtenfolge, insbesondere die n-Schicht, die aktive Zone, die p-Schicht und/oder die Halbleiterkontaktschicht, mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie, kurz MOVPE, erzeugt. Dabei liegt eine Wachstumstemperatur für die p-Schicht bevorzugt zwischen einschließlich 700 °C und 1100 °C, speziell zwischen einschließlich 700 °C und 800 °C. Mit anderen Worten kann die p-Schicht bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen gewachsen werden, insbesondere im Fall des Öffnens von V-Defekten.
Alternativ oder zusätzlich ist die Wachstumstemperatur der Halbleiterkontaktschicht vergleichsweise hoch und liegt bei mindestens 900 °C oder 950 °C oder 970 °C und/oder bei höchstens 1150 °C oder 1100 °C oder 1050 °C.
Darüber hinaus wird eine Leuchtdiode angegeben. Die Leuchtdiode wird bevorzugt mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für die Leuchtdiode offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform ist die Leuchtdiode zur Erzeugung von ultravioletter Strahlung eingerichtet und umfasst eine n-leitende n-Schicht, eine p-leitende p-Schicht und eine zwischen diesen liegende aktive Zone zur Erzeugung ultravioletter Strahlung. Eine p-leitende Halbleiterkontaktschicht weist eine variierende Dicke mit einer Vielzahl von Dickenmaxima mit einer hohen Flächenkonzentration auf und befindet sich direkt an der p-Schicht. Eine ohmsch-leitende Elektrodenschicht ist direkt auf der Halbleiterkontaktschicht aufgebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Halbleiterkontaktschicht durch mit hochdotiertem GaN aufgefüllte V-Defekte gebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Halbleiterkontaktschicht durch Kontaktinseln aus hochdotiertem GaN gebildet. Dabei gehen die Kontaktinseln von Öffnungen in einer Maskierungsschicht auf der p-Schicht aus und bedecken die Maskierungsschicht teilweise.
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und eine hier beschriebene Leuchtdiode unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:

1A und 1B schematische Schnittdarstellungen von Abwandlungen von hier beschriebenen Leuchtdioden,
2A, 3A, 5A, 5B, 6A, 7A und 7C schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von Verfahrensschritten eines hier beschriebenen Verfahrens,
2B, 3B, 6B und 7B schematische Draufsichten auf Ausführungsbeispiele von Verfahrensschritten eines hier beschriebenen Verfahrens, und
4 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer hier beschriebenen Leuchtdiode.

In 1 ist eine Abwandlung einer Leuchtdiode dargestellt. Die Leuchtdiode ist zur Emission von ultravioletter Strahlung R eingerichtet. Auf einem Substrat 51 weist die Leuchtdiode eine Halbleiterschichtenfolge 2 auf, siehe 1A. Die Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst eine Pufferschicht 21, eine n-leitende n-Schicht 22, eine aktive Zone 23, eine p-leitende p-Schicht 24 sowie eine durchgehende, flächige p-leitende Halbleiterkontaktschicht 25. An der Halbleiterkontaktschicht 25 befindet sich eine ohmsch-leitende Elektrodenschicht 3.
In der aktiven Zone 23 erzeugte Strahlung R wird in der Halbleiterschichtenfolge 2 üblicherweise mehrfach reflektiert, bevor eine Auskopplung der Strahlung R an einer Aufrauung 26 erfolgt, siehe 1B. Da die Halbleiterkontaktschicht 25 absorbierend für die Strahlung R ist, entstehen an der flächigen Halbleiterkontaktschicht 25 vergleichsweise große Absorptionsverluste. Hierdurch ist eine Effizienz herabgesetzt. Eine Wellenlänge der Strahlung R liegt dabei unterhalb von 360 nm, entsprechend der Absorptionskante von GaN.
In den 2 und 3 sind Verfahrensschritte zur Herstellung von hier beschriebenen Leuchtdioden 10 illustriert, in den Figurenteilen A als Schnittdarstellung und in den Figurenteilen B als schematische Draufsicht.
Gemäß 2A wird ein Aufwachssubstrat 51 verwendet, etwa aus Aluminiumnitrid. Die Pufferschicht 21 ist beispielsweise aus Aluminiumnitrid oder aus AlGaN und ist optional n-dotiert. Bei der n-Schicht 22 handelt es sich um eine n-dotierte AlGaN-Schicht. Die aktive Zone 23 basiert auf AlGaN und beinhaltet nicht gezeichnete Quantentopfschichten und ebenso wenige gezeichnete Barriereschichten. Der aktiven Zone 23 folgt die p-Schicht 24 ganzflächig nach, die aus p-dotiertem AlGaN ist, wobei ein Aluminiumanteil zum Beispiel zwischen einschließlich 10 % und 90 % liegt.
An einer Grenzregion der p-Schicht 24 hin zur aktiven Zone 23 werden V-Defekte 41 geöffnet. Im Querschnitt gesehen sind die V-Defekte 41 dreieckig, in Draufsicht gesehen sechseckig, siehe 2B. Die V-Defekte 41 weisen insbesondere die Form von umgekehrten, mehrheitlich weitgehend regelmäßigen Sechseckpyramiden auf. Um ein Öffnen der V-Defekte 41 an bereits zuvor vorhandenen, nicht gezeichneten Versetzungen zu erzielen, wird die p-Schicht 24 besonders bevorzugt bei einer Kombination von vergleichsweise niedrigen Temperaturen, insbesondere T ≤ 1000 °C, vergleichsweise hohem Druck, insbesondere p ≥ 200 mbar, vergleichsweise hohem Wasserstoffanteil in der Gasphase und/oder vergleichsweise schwach mit Magnesium dotiert abgeschieden, zum Beispiel mit einer Dotierstoffkonzentration von ≤ 2 × 10¹⁹ cm^-3. Ein Öffnungswinkel der V-Defekte 41 liegt im Querschnitt gesehen bei ungefähr 60°.
In 3 ist illustriert, dass die V-Defekte 41 mit einem Material für die Halbleiterkontaktschicht 25 ausgefüllt werden. Dabei ist die Halbleiterkontaktschicht 25 aus p-GaN mit einer Dotierstoffkonzentration von bevorzugt mindestens 10¹⁹ cm^-3 bis 10²¹ cm^-3, wobei als Dotierstoff etwa Magnesium verwendet wird. Die Halbleiterkontaktschicht 25 wird bevorzugt bei einer Kombination von vergleichsweise hohen Temperaturen, insbesondere T ≥ 900 °C, und vergleichsweise hoch mit Magnesium dotiert abgeschieden, zum Beispiel mit einer Dotierstoffkonzentration von ≥ 2*10¹⁹ cm^-3.
Die Halbleiterkontaktschicht 25 in den V-Defekten 41 reicht beispielsweise zu mindestens 50 % oder 75 % und/oder zu höchstens 90 % oder 95 % durch die p-Schicht 24 hindurch. Abweichend von der Darstellung in den Figuren 2 und 3 können die V-Defekte auch bereits in der n-Schicht 22 oder in der aktiven Zone 23 beginnen. Eine Dicke der p-Schicht 24 ist zum Beispiel, wie bevorzugt auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, mindestens 50 nm oder 100 nm oder 200 nm und/oder höchstens 500 nm oder 300 nm. In Draufsicht gesehen wird durch die Halbleiterkontaktschicht 25 nur ein kleiner Flächenanteil der p-Schicht 24 bedeckt.
Optional wird auf die ausgefüllten V-Defekte 41 und auf der p-Schicht 24 ganzflächig eine Teilschicht 43 der Halbleiterkontaktschicht 25 erzeugt. Durch diese Teilschicht 43 wird ein verbesserter Kontakt zur nachfolgend aufgebrachten Elektrodenschicht 3, etwa aus Aluminium, gebildet. Dabei weist die Teilschicht 43 eine nur geringe Dicke auf, beispielsweise zwischen einschließlich 5 nm und 15 nm, sodass eine Absorption von UV-Strahlung in der Teilschicht 43 schwach ausgeprägt ist.
Die Verfahrensschritte der 2 und 3 erfolgen bevorzugt im Waferverbund. Schritte wie ein Aufbringen eines Trägersubstrats 52, ein Ablösen des Wachstumssubstrats 51 oder ein Vereinzeln zu einzelnen Leuchtdioden sowie das Aufbringen von elektrischen Kontaktstrukturen sind zur Vereinfachung der Darstellung jeweils nicht gezeichnet.
In 4 ist ein Ausführungsbeispiel der Leuchtdiode 10 zu sehen. Zur elektrischen Kontaktierung dient das Trägersubstrat 52 über die Elektrodenschicht 3. Ein Stromfluss erfolgt von der Elektrodenschicht 3 dominant in die Halbleiterkontaktschicht 25 und von dieser aus in die p-Schicht 24 und hierüber in die aktive Zone 23. Die n-Seite 22 ist beispielsweise über eine elektrische Kontaktfläche 55, etwa ein Bondpad, elektrisch anschließbar. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist optional das Wachstumssubstrat 51 entfernt und eine Aufrauung 26 zur Verbesserung der Lichtauskopplung vorhanden.
Aufgrund der dreieckigen Querschnittsfläche der ausgefüllten V-Defekte 41 wird ein großes Verhältnis von Außenfläche der Halbleiterkontaktschicht 25 zu deren Volumen realisiert. Dadurch ist einerseits eine effiziente Stromeinprägung in die p-Seite 24 erzielbar, andererseits erfolgt aufgrund des geringen Volumens nur wenig Absorption von UV-Strahlung in der Halbleiterkontaktschicht 25. Durch das Ausnutzen von Defekten wie Versetzungen und dem gezielten Öffnen der V-Defekte sind kleine Strukturen und kleine mittlere Abstände zwischen benachbarten Dickenmaxima 4 erzielbar. Da die V-Defekte 41 vollständig aufgefüllt werden, ist an einer der aktiven Zone 23 abgewandten Seite der p-Schicht 24 sowie der Halbleiterkontaktschicht 25 eine glatte Fläche erzielbar, wodurch eine erhöhte Reflektivität an der Elektrodenschicht 3, die bevorzugt ein Spiegel ist, erzielbar ist.
In 5 weist die Halbleiterschichtenfolge 2 zusätzlich eine Öffnungsschicht 44 auf. Die Öffnungsschicht 44 ist beispielsweise aus AlInGaN gebildet, mit einem vergleichsweise niedrigen Anteil an Indium. Hierdurch ist das gezielte Öffnen der V-Defekte 41 in oder an der Öffnungsschicht 44 erzielbar.
Gemäß 5A befindet sich die Öffnungsschicht 44 an der Grenze zwischen der aktiven Zone 23 und der p-Schicht 24.
Demgegenüber liegt gemäß 5B die Öffnungsschicht 44 innerhalb der p-Schicht 24, beispielsweise mit einem Abstand zur aktiven Zone 23 von ungefähr 10 nm.
In den 6 und 7 ist ein weiteres Beispiel eines Herstellungsverfahrens für Ausführungsbeispiele von Leuchtdioden 10 dargestellt. Abweichend von 2 werden keine V-Defekte in der p-Schicht erzeugt. Das Verhindern der Öffnung von V-Defekten erfolgt insbesondere dadurch, dass die p-Schicht 24 bei vergleichsweise hohen Temperaturen, insbesondere bei 1200 °C +/- 50 °C, gewachsen wird, im Unterschied zu 2. Auf die p-Schicht 24 wird lokal eine Maskierungsschicht 45 aufgebracht, beispielsweise aus Siliziumnitrid und mit einer mittleren Dicke von lediglich weniger als einer Monolage bis zu einigen Monolagen. In der Maskierungsschicht 45 verbleibt eine Vielzahl von Öffnungen, die selbstorganisiert entstehen können und in denen die p-Schicht 24 frei bleibt, siehe 6B.
Gemäß 7A wird ausgehend von den Öffnungen in der Maskierungsschicht 45 das Material für die Halbleiterkontaktschicht 25 abgeschieden, sodass Dickenmaxima 4 in Form von einzelnen, nicht zusammenhängenden Kontaktinseln 42 entstehen, siehe die Draufsicht in 7B.
Optional wird vor dem Anbringen der Elektrodenschicht 3, das beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen erfolgt, eine Zwischenschicht 46 erzeugt. Die Zwischenschicht 46 dient zur Planarisierung der Dickenmaxima 4. Beispielsweise ist die Zwischenschicht 46 aus AlGaN, wie auch die p-Schicht 24. In diesem Fall kann die Zwischenschicht 46 dotiert oder auch undotiert sein. Alternativ wird ein dielektrisches Material wie Siliziumdioxid abgeschieden, um eine erhöhte Reflektivität im Zusammenspiel der Elektrodenschicht 3 zu erzielen.
Gemäß 7A wird die Zwischenschicht 46 optional derart abgeschieden, dass die Kontaktinseln 42 zumindest teilweise von dem Material der Zwischenschicht 46 bedeckt werden. In 7C ist illustriert, dass nach dem Erzeugen der Zwischenschicht 46 diese teilweise wieder abgetragen wird, sodass durch die Zwischenschicht 46 zusammen mit den Kontaktinseln 42 eine der aktiven Zone 23 abgewandte, glatte Seite gebildet wird, auf der die Elektrodenschicht 3 direkt aufgebracht wird. Damit liegen die Kontaktinseln 42 an der der aktiven Zone 23 abgewandten Seite direkt an der Elektrodenschicht 3 an.
Die Maskierungsschicht 45 ist vollständig von der Zwischenschicht 46 zusammen mit den Kontaktinseln 42 bedeckt. Dabei bedecken die Kontaktinseln 42 an einem Rand der Öffnungen die Maskierungsschicht 45 teilweise.
Das Entfernen der Zwischenschicht 46 kann mechanisch und/oder chemisch erfolgen. Abweichend von der Darstellung in den 7A und 7C kann die Zwischenschicht 46 auch aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein, insbesondere um eine erhöhte Reflektivität an der Zwischenschicht 46 sowie an der Elektrodenschicht 3 zu erzielen.
Durch eine solche Maskierungsschicht 45 ist der Anteil der von den Kontaktinseln 42 unmittelbar bedeckten Fläche der p-Schicht einstellbar, etwa durch die Wachstumszeit der Maskierungsschicht 45. Anstelle einer selbstorganisiert erzeugten Maskierungsschicht 45 kann alternativ auch eine Strukturierung über ein Stempelverfahren oder über lithografische Verfahren erfolgen.
Alternativ zu einer metallischen, spiegelnden Elektrodenschicht 3 kann je eine für die erzeugte Strahlung R durchlässige Elektrodenschicht herangezogen werden, insbesondere aus transparenten leitfähigen Oxiden, kurz TCOs. Beispielsweise können Ga2O3, ITO oder ein Sr-Cu-Oxid, einzeln oder in Kombination, verwendet werden.
Das Erzeugen der Zwischenschicht 46 ist optional. Wird die Zwischenschicht 46 weggelassen, so wird die Elektrodenschicht 3 direkt auf der Maskierungsschicht 45 sowie den Kontaktinseln 42 aufgebracht und weist eine vergleichsweise raue, strukturierte, der aktiven Zone 23 zugewandte Seite auf. Dies ist insbesondere möglich, wenn die Elektrodenschicht 3 aus einem TCO geformt wird.
Hier beschriebene Leuchtdioden 10 werden beispielsweise für Gassensoren verwendet, um bestimmte Gasabsorptionslinien zu detektieren. Eine Wellenlänge maximaler Intensität der erzeugten Strahlung R liegt beispielsweise zwischen einschließlich 217 nm und 230 nm. Eine emittierte Strahlungsleistung der Strahlung R beträgt beispielsweise ungefähr 1 mW.
Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen, sofern nicht anders kenntlich gemacht, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge jeweils unmittelbar aufeinander. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind voneinander beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls soweit nicht anders kenntlich gemacht, sind die relativen Dickenverhältnisse, Längenverhältnisse und Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

10: Leuchtdiode
2: Halbleiterschichtenfolge
21: Pufferschicht
22: n-leitende n-Schicht
23: aktive Zone
24: p-leitende p-Schicht
25: p-leitende Halbleiterkontaktschicht
26: Aufrauung
3: ohmsch leitende Elektrodenschicht
4: Dickenmaximum der Halbleiterkontaktschicht
41: V-Defekt
42: Kontaktinsel
43: Teilschicht der Halbleiterkontaktschicht
44: Öffnungsschicht
45: Maskierungsschicht
46: Zwischenschicht
49: Versetzung
51: Wachstumssubstrat
52: Trägersubstrat
55: elektrische Kontaktfläche
R: Strahlung

Claims

Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden (10) mit den folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge: A) Wachsen einer n-leitenden n-Schicht (22), B) Wachsen einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung ultravioletter Strahlung, C) Wachsen einer p-leitenden p-Schicht (24), D) Erzeugen einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht (25) mit einer variierenden Dicke und mit einer Vielzahl von Dickenmaxima (4) direkt an der p-Schicht (24), und E) Anbringen einer ohmsch-leitenden Elektrodenschicht (3) direkt auf der Halbleiterkontaktschicht (25), wobei - die n-Schicht (22) und die aktive Zone (23) je auf AlGaN und die p-Schicht (24) auf AlGaN oder InGaN basieren und die Halbleiterkontaktschicht (25) eine GaN-Schicht ist, und - die Dickenmaxima (4) in Draufsicht gesehen eine Flächenkonzentration von mindestens 10⁴ cm^-2 aufweisen.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die p-Schicht (24) in Draufsicht gesehen nur zum Teil von der Halbleiterkontaktschicht (25) bedeckt wird und ein Bedeckungsgrad der p-Schicht (24) durch die Halbleiterkontaktschicht (25) zwischen einschließlich 0,5 % und 10 % liegt, wobei benachbarte Dickenmaxima (4) in Draufsicht gesehen einen mittleren Abstand voneinander zwischen einschließlich 1 µm und 30 µm aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei an einer der Elektrodenschicht (3) zugewandten Seite die Halbleiterkontaktschicht (25) mit einer durchgehenden Teilschicht (43) erzeugt wird, wobei die Teilschicht (43) eine Dicke zwischen einschließlich 5 nm und 30 nm aufweist und die Dicke der Teilschicht (43) kleiner ist als eine mittlere Höhe der Dickenmaxima (4).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Dickenmaxima (4) durch mit Material der Halbleiterkontaktschicht (25) aufgefüllte V-Defekte (41) gebildet werden, wobei im Schritt C) beim Wachsen der p-Schicht (24) bereits zuvor vorhandene Defekte gezielt zu den V-Defekten (41) geöffnet werden, und wobei die V-Defekte (41) nach dem Öffnen einen Öffnungswinkel zwischen einschließlich 30° und 90° aufweisen.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die p-Schicht (24) eine Öffnungsschicht (44) umfasst, in oder an der sich die bereits zuvor vorhandenen Defekte zu den V-Defekten (41) öffnen, wobei die Öffnungsschicht (44) aus AlInGaN oder InGaN ist und Indium enthält und alle verbleibenden Bereiche der p-Schicht (24) aus AlGaN gewachsen werden.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei sich die Öffnungsschicht (44) an einer der aktiven Zone (23) zugewandten Seite der p-Schicht (24) befindet und ein Abstand zwischen der aktiven Zone (23) und der Öffnungsschicht (44) höchstens 30 nm beträgt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in einem Schritt C1) zwischen den Schritten C) und D) auf einer der aktiven Zone (23) abgewandten Seite der p-Schicht (24) eine Maskierungsschicht (45) erzeugt wird, wobei die Maskierungsschicht (45) die p-Schicht (23) nur zum Teil bedeckt und eine Vielzahl von Öffnungen aufweist, und wobei die Halbleiterkontaktschicht (25) in den Öffnungen der Maskierungsschicht (45) ausgehend von der p-Schicht (23) gewachsen wird, sodass Kontaktinseln (42) entstehen.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei pro Öffnung der Maskierungsschicht (45) genau eine Kontaktinsel (42) erzeugt wird und benachbarte Kontaktinseln (42) nicht durch ein Material der Halbleiterkontaktschicht (25) selbst miteinander verbunden sind, sodass die Maskierungsschicht (45) nur zum Teil von dem Material der Halbleiterkontaktschicht (25) bedeckt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei die Kontaktinseln (42), die aus GaN mit einer Mg-Dotierstoffkonzentration zwischen einschließlich 10¹⁹ cm^-3 und 10²³ cm^-3 sind, in einem Schritt D1) zwischen den Schritten D) und E) mit einer Zwischenschicht (46) aus undotiertem AlGaN überwachsen und planarisiert werden, sodass durch die Zwischenschicht (46) und die Kontaktinseln (42) eine durchgehende, zusammenhängende Schicht gebildet wird.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Zwischenschicht (46) nach dem Schritt D1) die Kontaktinseln (42) bedeckt, wobei dem Schritt D1) ein Schritt D2) nachfolgt, der dem Schritt E) vorangehet, und im Schritt D2) die Zwischenschicht (46) teilweise abgetragen wird, sodass die Kontaktinseln (42) freigelegt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die p-Schicht (24) und die Halbleiterkontaktschicht (25) mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie erzeugt werden, wobei eine Wachstumstemperatur für die p-Schicht (24) zwischen einschließlich 700 °C und 800 °C liegt und die Halbleiterkontaktschicht (25) bei einer Wachstumstemperatur zwischen einschließlich 950 °C und 1100 °C gewachsen wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenschicht (3) direkt an der Halbleiterkontaktschicht (25) ein transparentes leitfähiges Oxid umfasst oder die Elektrodenschicht (3) aus mindestens einem transparenten leitfähigen Oxid besteht.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die aktive Zone (24) zur Erzeugung von Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler Intensität zwischen einschließlich 205 nm und 260 nm eingerichtet ist.
Leuchtdiode (10) zur Erzeugung von ultravioletter Strahlung mit - einer n-leitenden n-Schicht (22), einer p-leitenden p-Schicht (24) und einer dazwischenliegenden aktiven Zone (23) zur Erzeugung ultravioletter Strahlung, - einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht (25) mit einer variierenden Dicke und mit einer Vielzahl von Dickenmaxima (4) direkt an der p-Schicht (23), und - einer ohmsch-leitenden Elektrodenschicht (3) direkt auf der Halbleiterkontaktschicht (25), wobei - die n-Schicht (22) und die aktive Zone (23) je aus AlGaN und die p-Schicht (24) aus AlGaN oder InGaN sind und die Halbleiterkontaktschicht (25) eine hochdotierte GaN-Schicht ist, und - die Dickenmaxima (4) eine Flächenkonzentration von mindestens 10⁴ cm^-2 aufweisen.
Leuchtdiode (10) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei der die Halbleiterkontaktschicht (25) durch mit hochdotiertem GaN aufgefüllte V-Defekte (41) gebildet ist.
Leuchtdiode (10) nach Anspruch 14, bei der die Halbleiterkontaktschicht (25) durch Kontaktinseln (42) aus hochdotiertem GaN gebildet ist, wobei die Kontaktinseln (42) von Öffnungen in einer Maskierungsschicht (45) auf der p-Schicht (24) ausgehen und die Maskierungsschicht (45) teilweise bedecken.