JP2006012916A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LED素子1の電極形成面側に、絶縁層17を介してAuからなる外部接続用のn型端子部18およびp側端子部19を設けたので、LED素子1の実装性を確保するために必要な電極形状の制約を受けることなくn−電極15およびp−電極16の形状を任意の形状で形成することができる。このことにより発光形状を考慮してp−電極16の形状を設計することが可能になり、発光面積の拡大を図ることができ、光取り出し性が向上する。
【選択図】 図1
Description
(LED素子1の構成)
図1は、第1の実施の形態に係るLED素子を示し、(a)は素子対角線方向に切断した縦断面図、(b)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(c)は開口を設けられた絶縁層を示す平面図、(d)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
以下にLED素子1の製造工程について説明する。
まず、下地基板となるウエハー状のサファイア基板10を準備する。
次に、サファイア基板10上にAlNバッファ層11を形成し、AlNバッファ層11上にn−GaN層12と、発光層13と、p−GaN層14とを順次結晶成長させた後、p−GaN層14からn−GaN層12にかけてをエッチングにより除去することによってn−GaN層12を露出させる。このとき、p−GaN層14の面積が素子面積に対して充分に確保されるようにエッチングを行う。
次に、図1(b)に示すように、露出させたn−GaN層12層の表面およびp−GaN層14の表面にAuからなるn−電極15およびp−電極16を蒸着法により形成する。なお、n−電極15およびp−電極16の形成は蒸着法以外の他の方法、例えば、スパッタリング等の薄膜形成方法で形成することも可能である。
次に、図1(c)に示すように、電極形成面を覆うようにSiO2系材料を設けて絶縁層17を形成し、更に開口17nおよび17pに応じたマスクパターンを絶縁層17上に形成してエッチングを施すことにより、絶縁層17に開口17nおよび17pを形成する。
次に、図1(d)に示すように、絶縁層17の開口17nおよび17pに位置するようにAuからなるn側端子部18およびp側端子部19を蒸着法により形成する。図1(d)では、n側端子部18のサイズがp側端子部19のサイズより小に形成されているが、LED素子1の電極形成面は絶縁層17によって覆われているので、n側端子部18およびp側端子部19は、互いに短絡することのないサイズで任意の形状に形成することが可能である。
上記したLEDランプは、基板の配線パターンを図示しない電源部に接続して通電すると、n側端子部18およびp側端子部19を介してn−電極15及びp−電極16に順方向の電圧が印加され、そのことにより発光層13においてホールとエレクトロンのキャリア再結合が発生し、図1(b)に示すp−電極16の形状に応じた発光形状で青色に発光する。発光に基づいて生じた青色光のうち、n−GaN層12側に放射される青色光はサファイア基板10を透過して外部放射される。
第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)LED素子1の電極形成面側に、絶縁層17を介してAuからなる外部接続用のn型端子部18およびp側端子部19を設けたので、LED素子1の実装性を確保するために必要な電極形状の制約を受けることなくn−電極15およびp−電極16の形状を任意の形状で形成することができる。このことにより発光形状を考慮してp−電極16の形状を設計することが可能になり、発光面積の拡大を図ることができ、発光面積増分に相当する通電としても、発光層での電流密度は同等とでき、光量アップを図ることができる。
(2)従来のLED素子では、大きな面積割合の非発光部があることにより、対称性の崩れる度合いが大であったことに対し、LED素子面積に占める非発光面積が小になることによって、LED素子1全面から配光むらを生じることなく青色光を均一に放射させることが可能になる。
(3)LED素子面積に対する発光面積の拡大によって、従来のLED素子と同等の通電としても、発光層での電流密度を低くできるので、LED素子1内部の熱極在化を軽減でき、長時間、長期の使用による発光効率の低下を抑えることができる。
(4)発光形状の異形化を抑制できるので、集光光学系を有したLEDランプに用いることにより、投影される光源像が異形化せずに集光性を高めることができ、自然な発光パターンが得られる。
(5)n−電極15およびp−電極16のサイズに依存しないサイズ、距離を設けてn側端子部18およびp側端子部19を形成できるので、半田リフローによる実装が可能になり、実装性、放熱性を向上させることもできる。
(LED素子1の構成)
図2は、第2の実施の形態に係るLED素子の縦断面図であり、(a)は素子対角線方向に切断した縦断面図、(b)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(c)は開口を設けられた絶縁層を示す平面図、(d)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図、(e)はp電極およびn電極の他の形状を示す平面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の引用数字を付している。
第2の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)LED素子1の中央部分に島状にp−GaN層14を設けてp−電極16を配置し、その周囲にn−電極15を環状に包囲するように設けているので、LED素子1中央に発光部を配置することができ、p−GaN層の周囲すべてから電子の供給を行うことにより、p−電極16直下の発光層13における均一な発光が得られる。このことにより、LED素子1から均一に青色光を外部放射させることができ、配光むらを低減できる。
(2)n−電極15をp−電極16の周囲に環状に設けたことにより、n−電極15の発熱をLED素子1の広範囲に分散させることができ、発光特性の安定化を図れる。また、熱分散性の向上によって放熱性が改善され、LED素子1の過熱を抑えることができる。
(3)発光層を対称形状とできるので、集光光学系と組み合わせても、自然な発光パターンを得ることができる。
図3(a)から(e)は、LED素子におけるn−電極およびp−電極の他の形状を示す平面図である。n−電極15およびp−電極16の他の形状として、例えば、図3(a)に示すように、p−電極16を対角に分断する分断部150を有したn−電極15を設けることもできる。
図3(a)に示す電極形状によると、p−電極16の形成領域を2つに細分化することにより、電流の拡散が均一かつ速やかに行われ、p−電極16直下において良好な発光性が得られる。
また、図3(b)に示すように、分断部150の中央に直交部151を有したn−電極15を設けることもできる。
図3(b)に示す電極形状によると、p−電極16の形成領域を2つに細分化するとともに直交部151が設けられることにより、他の電極形状1より更に電流の拡散が均一かつ速やかに行われ、p−電極16直下において良好な発光性が得られる。
また、図3(c)に示すように、LED素子の中心にp−電極16Aを形成し、その周縁をn−電極15で包囲し、n−電極15の周縁に更にp−電極16Bを設けることもできる。
図3(c)および(d)に示す電極形状によると、n−電極15の内外にp−電極16A、16Bを配置することで、より短く、より面積の小さいn−電極15としながら電流の拡散性に優れたものとすることができ、発光特性に優れるLED素子1が得られる。
また、図3(e)に示すように、p−電極16の形成領域内に直交部151を設け、この直交部151に接続される三角部153をLED素子1の角部近傍に配置したn−電極15を設けることもできる。
図3(c)に示す電極形状によると、p−電極16の形成領域の周縁を包囲するn−電極15を設けずに、直交部151および三角部153を有するn−電極15をp−電極16の形成領域内に設けることによってもp−電極16の面積を拡大でき、発光特性、配光むらの発生を改善することができる。
(LED素子1の構成)
図5は、第3の実施の形態に係るLED素子の縦断面図であり、(a)は素子対角線方向に切断した縦断面図、(b)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(c)は開口を設けられた絶縁層を示す平面図、(d)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
第3の実施の形態によると、LED素子1の中央部分に島状にp−GaN層14を設けて、その周囲に凹凸側部14Aを形成したので、第2の実施の形態の好ましい効果に加えて発光層13内に閉じ込められた光(層内閉込光)を取り出しやすくすることができ、外部放射効率を向上させることができる。
(LED素子1の構成)
図6は、第4の実施の形態に係るLED素子の縦断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、第2の実施の形態で説明したLED素子1の基板としてサファイア基板に代えてGaN基板20を使用し、その光取り出し側の角部を45度にカットしたカット部20Aを有する構成において第2の実施の形態と相違している。
第4の実施の形態によると、下地基板にGaN基板20を用いることで、III族窒化物系化合物半導体層の屈折率とGaN基板20とが同等の屈折率で形成されることにより、発光層13での発光に基づく青色光がIII族窒化物系化合物半導体層とGaN基板20との界面で全反射することなくGaN基板20の光取り出し面に導かれる。GaN基板20は、光取り出し面にカット部20Aが形成されていることにより、光学面として光取り出し性に優れ、青色光を効率良く外部放射させることができる。
(LED素子1の構成)
図7は、第5の実施の形態に係るLED素子の電極形成側を示し、(a)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(b)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
第5の実施の形態によると、ラージサイズのLED素子1についてもLED素子1の面積に占める発光面積を大にでき、発光面積の拡大に伴う放熱性を損なうことなく高輝度化を実現できる。
(LED素子1の構成)
図8は、第6の実施の形態に係るLED素子の電極形成側を示し、(a)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(b)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
第6の実施の形態によると、第5の実施の形態と同様にLED素子1の面積に占める発光面積を大にできる。また、絶縁層17の表面に放熱性に優れる銅の放熱層25を設けることにより、大電流化や長時間駆動に対しても熱引きに優れ、LED素子1の安定した動作を実現できる。また、放熱層25はn−電極15およびp−電極16の隙間から漏れた光を半導体層側に反射させることから、光漏れによるロスも低減できる。
(LED素子1の構成)
図9は、第7の実施の形態に係るLED素子の電極形成側を示し、(a)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(b)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
第7の実施の形態によると、p−電極16の周囲をn−電極15で包囲した六角形状の発光領域を形成することにより、p−電極16の直下の発光層13における発光強度に優れる。また発光強度に優れる発光領域の集積化によってLED素子1全体としての高輝度化を実現することができる。
(LED素子1の構成)
図10は、第8の実施の形態に係るLED素子の電極形成側を示し、(a)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(b)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
第8の実施の形態によると、p−電極16の形成領域内に十字型のn−電極15を配置してp−電極16の面積を大にするようにしたので、LED素子1内での温度不均一が生じることを防ぎ、発光むらの低減、電極形状の設計上の自由度向上、高輝度化を実現できる。
(LED素子1の構成)
図11は、第9の実施の形態に係るLED素子の電極形成側を示し、(a)はp電極およびn電極の形状を示す平面図、(b)はp側端子部およびn側端子部を設けた素子底面の平面図である。
第9の実施の形態によると、LED素子1の面積に占める発光面積を大にできる。また、n−電極15のp−電極16に占める面積を小にしながら良好な発光性を得ることができる。
12、n−GaN層 13、発光層 14A、凹凸側部
14、p−GaN層 15、n−電極 16、p−電極 16A、p−電極
16B、p−電極 17、絶縁層 17n、開口 17p、開口
18、n側端子部 19、p側端子部 20A、カット部
20、GaN基板 25、放熱層 30、LED素子
31、サファイア基板 32、バッファ層 33、n型半導体層
34、発光層 35、p型半導体層 36、n側電極 37、p側電極
100、絶縁部 150、分断部 151、直交部
153、三角部 170、絶縁層 171、第1の絶縁層
172、第2の絶縁層 173、反射層
Claims (10)
- 発光層を含む半導体層と、前記発光層に給電する前記発光層に対応した第1の電極および前記第1の電極の対極として設けられる第2の電極とを前記半導体層の実装側に有した発光素子において、
第2の電極は、細線で形成され、
前記発光素子上に設けられる絶縁層を介して、外部回路と接続される端子部を前記絶縁層の表面に有することを特徴とする発光素子。 - 前記細線は、幅が50μm以下で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記端子部は、幅が100μm以上で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 発光層を含む半導体層と、前記発光層に給電する前記発光層に対応した第1の電極および前記第1の電極の対極として設けられる第2の電極とを前記半導体層の実装側に有した発光素子において、
前記発光層と、前記第1の電極とが、前記第2の電極によって包囲されていることを特徴とする発光素子。 - 前記第2の電極によって包囲される前記発光層の端部に凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
- 複数の発光層と、前記複数の発光層に対応した前記第1の電極とが、前記第2の電極によって包囲されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の発光素子。
- 前記第1の電極は、発光素子面積に対し、60%以上を占めるように形成されていることを特徴とする請求項1又は6に記載の発光素子。
- 前記発光層は、発光素子の中心軸に対し、互いに直交するそれぞれの軸に対し、略対称な形状であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光素子。
- 発光層を含む半導体層と、前記第1の電極に、前記第2の電極が挿入されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記半導体層はGaN系であり、前記第1の電極はp型電極、前記第2の電極はn型電極であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の発光素子。
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---|---|---|---|
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008123837A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具の発光モジュール |
JP2008130799A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2008282930A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2009043934A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | フリップチップ型発光素子 |
JP2009054688A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 発光素子 |
JP2011139037A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
EP2423985A2 (en) | 2010-08-26 | 2012-02-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
JP2013125968A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Lg Innotek Co Ltd | 紫外線発光素子 |
WO2013161208A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
JP2015185801A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線発光素子 |
JP2016004995A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
US9236529B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-01-12 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element having semiconductor structure with protrusions and/or recesses |
JPWO2014064871A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2016-09-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体 |
JP2018014481A (ja) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | ルーメンス カンパニー リミテッド | マイクロledアレイディスプレイ装置 |
JP2018534786A (ja) * | 2015-11-20 | 2018-11-22 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 異なる電気的構成を可能にするダイボンドパッド設計 |
JP2019062099A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 旭化成株式会社 | 半導体発光装置および紫外線発光モジュール |
JP2019513293A (ja) * | 2015-12-02 | 2019-05-23 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 熱抵抗、ハンダ信頼性及びsmt処理歩留まりを最適化するledパッド構成 |
CN109979925A (zh) * | 2012-12-06 | 2019-07-05 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
US10454010B1 (en) | 2006-12-11 | 2019-10-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
CN114551679A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-05-27 | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 | 一种新型led芯片制造方法 |
-
2004
- 2004-06-22 JP JP2004184028A patent/JP2006012916A/ja not_active Withdrawn
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008123837A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具の発光モジュール |
JP2008130799A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
US10658557B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-05-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting device with light emitting diodes |
US10454010B1 (en) | 2006-12-11 | 2019-10-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
US10593854B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-03-17 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting device with light emitting diodes |
US10644213B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-05-05 | The Regents Of The University Of California | Filament LED light bulb |
JP2008282930A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2009043934A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | フリップチップ型発光素子 |
US8148736B2 (en) | 2007-08-08 | 2012-04-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Flip chip type light-emitting element |
JP2009054688A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 発光素子 |
US8946744B2 (en) | 2009-12-28 | 2015-02-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2011139037A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
US8592853B2 (en) | 2010-08-26 | 2013-11-26 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
EP2423985A2 (en) | 2010-08-26 | 2012-02-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
JP2013125968A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Lg Innotek Co Ltd | 紫外線発光素子 |
US9786814B2 (en) | 2011-12-13 | 2017-10-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting device |
WO2013161208A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
JPWO2014064871A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2016-09-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体 |
CN109979925A (zh) * | 2012-12-06 | 2019-07-05 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
CN109979925B (zh) * | 2012-12-06 | 2024-03-01 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
US9236529B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-01-12 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element having semiconductor structure with protrusions and/or recesses |
JP2015185801A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線発光素子 |
JP2016004995A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
JP2018534786A (ja) * | 2015-11-20 | 2018-11-22 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 異なる電気的構成を可能にするダイボンドパッド設計 |
JP2019513293A (ja) * | 2015-12-02 | 2019-05-23 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 熱抵抗、ハンダ信頼性及びsmt処理歩留まりを最適化するledパッド構成 |
JP7179613B2 (ja) | 2015-12-02 | 2022-11-29 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | デバイス |
JP2018014481A (ja) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | ルーメンス カンパニー リミテッド | マイクロledアレイディスプレイ装置 |
US10607973B2 (en) | 2016-07-18 | 2020-03-31 | Lumens Co., Ltd. | Micro-LED array display devices with CMOS cells |
JP2019062099A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 旭化成株式会社 | 半導体発光装置および紫外線発光モジュール |
CN114551679A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-05-27 | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 | 一种新型led芯片制造方法 |
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