JPH10242516A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH10242516A JPH10242516A JP3819897A JP3819897A JPH10242516A JP H10242516 A JPH10242516 A JP H10242516A JP 3819897 A JP3819897 A JP 3819897A JP 3819897 A JP3819897 A JP 3819897A JP H10242516 A JPH10242516 A JP H10242516A
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Abstract
できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供す
る。 【解決手段】 P型ボンディング用電極2bの下にショ
ットキー電極2aを形成し、P型ボンディング用電極直
下での電流注入を阻止する。このため、P型ボンディン
グ用電極2bの周辺部の透光性電極(オーミック電極)
1での電流密度と発光密度が高くなるので、外部発光効
率が良好になる。
Description
光領域で発光可能な半導体レーザやダイオード等の発光
素子として使用される窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子に関し、特にP型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子の電極構造に関する。
ウム系化合物半導体発光素子の従来例を示す。この窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子は、絶縁性のサファイ
ヤ基板6上に、バッファ層7、N型窒化ガリウム系化合
物半導体層8及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層9
をこの順に積層してなる。更に、発光透光面3となるP
型窒化ガリウム系化合物半導体層9の表面上には透光性
電極1’とP型ボンディング用電極2’が形成されてい
る。
層構造で構成されている。また、P型ボンディング用電
極2’は、Al単体、又はAu、Al及びCrより選択
された少なくとも2種類以上の材料より構成されてい
る。
用電極2’は、基板として絶縁性のサファイヤ基板6を
使用し、かつ最表面のP型窒化ガリウム系化合物半導体
層9を発光透光面3とするため、発光領域全面に形成さ
れている。なお、図11において、P型窒化ガリウム系
化合物半導体層9が形成されておらず、一段低くなった
N型窒化ガリウム系化合物半導体層8上には、N型ボン
ディング用電極4が形成されている。
ング用電極2’の具体的な配置関係を示す。即ち、同図
に示すように、矩形状の透光性電極1’の隅部を切り欠
いて窓部13を形成し、この窓部13にP型ボンディン
グ用電極2’が形成されている。図11に示すように、
P型ボンディング用電極2’の一部は透光性電極1’に
重畳している。
導体発光素子は、例えば特開平7−94782号公報に
開示されている。
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、透光性電極
1’及びP型ボンディング用電極2’の材質に起因し
て、以下に示す問題点があった。
うに、Al単体、又はAu、Al及びCrより選択され
た少なくとも2種類以上の材料より構成されるが、Al
を使用する場合は、 (1)Alは表面酸化しやすいため、ワイヤーボンディ
ングの際にボンディングワイヤーが剥がれやすく、信頼
性及び歩留まりが低下する。
デイングワイヤーとの電気的接触性が悪くなり、信頼性
が低下する。
が激しく、Alが透光性電極1’にマイグレーションす
るため、透光性電極1’が変質し、透過率の低下及びオ
ーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
Crを使用する場合は、 (4)CrはAlと同様に透光性電極1’にマイグレー
ションするため、透光性電極1が変質し、透過率の低下
及びオーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
て、Auを使用する場合は、 (5)AuはP型窒化ガリウム系化合物半導体層9に対
し熱処理なしでもオーミックコンタクトが得られるた
め、P型ボンディング用電極2’の直下にも電流が注入
される。このため、発光層にて発生する光は、P型ボン
ディング用電極2’により阻害され、外部発光効率が低
下する。
ム系化合物半導体発光素子は、透光性電極1’とP型ボ
ンディング用電極2’の材質のいずれの組み合わせを選
択したとしても、上記した問題点があった。
たものであり、信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を
向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
化合物半導体発光素子は、基板上にN型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子において、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面にP型ボンディング用電極と透光性電極が形成さ
れ、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の該P型ボン
ディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻
止する一方、該透光性電極と該P型窒化ガリウム系化合
物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに
電流が注入される構造を有しており、そのことにより上
記目的が達成される。
導体層のP型ボンディング用電極の直下の領域に電流が
注入されるのを阻止する一方、透光性電極とP型窒化ガ
リウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしてい
る領域のみに電流が注入される前記構造を、該P型窒化
ガリウム系化合物半導体層と該P型ボンディング用電極
との間に形成されたショットキー電極と、該P型ボンデ
ィング用電極及び該ショットキー電極を覆うように該P
型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該
透光性電極で構成する。
合物半導体層のP型ボンディング用電極の直下の領域に
電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とP型
窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクト
している領域のみに電流が注入される前記構造を、該P
型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該
透光性電極と、該透光性電極の表面の隅部を切り欠いて
形成されたショットキー電極及び該P型ボンディング用
電極の積層構造で構成する。
合物半導体層のP型ボンディング用電極の直下の領域に
電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とP型
窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクト
している領域のみに電流が注入される前記構造を、該P
型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に
形成されたショットキー電極と、該ショットキー電極を
覆うように該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面
に形成された該透光性電極と、該透光性電極上の該ショ
ットキー電極の上方に相当する部分に形成された該P型
ボンディング用電極で構成する。
がTi、前記P型ボンディング用電極がAu、前記透光
性電極がNi及びAuの積層構造である。
素子の製造方法は、基板上にN型窒化ガリウム系化合物
半導体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層
され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発
光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
製造方法において、該P型窒化ガリウム系化合物半導体
層の表面の一部の領域にショットキー電極及びP型ボン
ディング用電極をこの順に形成する工程と、該ショット
キー電極及び該P型ボンディング用電極を覆うように該
P型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極
を形成する工程とを包含しており、そのことにより上記
目的が達成される。
体発光素子の製造方法は、基板上にN型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法において、該P型窒化ガリウム系化合物
半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、該透光
性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショットキ
ー電極とP型ボンディング用電極からなる積層構造を形
成する工程とを包含しており、そのことにより上記目的
が達成される。
体発光素子の製造方法は、基板上にN型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法において、該P型窒化ガリウム系化合物
半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極を形成
する工程と、該ショットキー電極を覆うように該P型窒
化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成
する工程と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上
方に相当する部分に該P型ボンディング用電極を形成す
る工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
入を阻止し、透光性電極とP型窒化ガリウム系化合物半
導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流
を注入する構造によれば、オーミックコンタクトしてい
る領域のみの電流密度と発光密度を高くできる。このた
め、発光層、即ち活性層からの発生光を効率よく外部に
取り出すことができる。即ち、外部発光効率を向上でき
る。
ム系化合物半導体層の表面上にショットキー電極とP型
ボンディング用電極の積層構造を形成することにより実
現される。より具体的には、P型窒化ガリウム系化合物
半導体層の表面上にショットキー電極としてTiを形成
し、その上にP型ボンディング用電極としてAuを形成
する。TiはP型窒化ガリウム系化合物半導体層に対し
てショットキー特性を有するため、P型ボンディング用
電極の直下での電流注入を阻止できる。
ボンディング用電極を用いると、マイグレーションによ
ってNiとAuの積層構造からなる透光性電極が変質す
ることがないので、透過率の低下及びオーミックコンタ
クトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
半導体発光素子によれば、上記従来の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子に比べて約2倍の輝度改善を図れる
ことが確認できた。
に基づき具体的に説明する。
リウム系化合物半導体発光素子の実施形態1を示す。ま
ず、図1及び図2に基づき本実施形態1の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の概略構造について説明する。
は、絶縁性基板であるサファイヤ基板6上に、バッファ
層7、N型窒化ガリウム系化合物半導体層8及びP型窒
化ガリウム系化合物半導体層9をこの順に積層して形成
されている。加えて、P型窒化ガリウム系化合物半導体
層9の表面上、即ち発光透光面3上には、ショットキー
電極2aが形成され、その上にP型ボンディング用電極
2bが形成されている。図2に示すように、ショットキ
ー電極2a及びP型ボンディング用電極2bは、発光透
光面3の隅部に形成されている。また、これらは透光性
電極1によって覆われている。
9が形成されておらず、一段低くなったN型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層8上には、N型ボンディング用電極
4が形成されている。
ム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明す
る。
ヤ基板6上にバッファ層7、N型窒化ガリウム系化合物
半導体層8及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層9を
この順に積層形成する。次に、N型窒化ガリウム系化合
物半導体層8が露出するまでP型窒化ガリウム系化合物
半導体層9の一部をエッチングする。図中の符号5はこ
のエッチング領域を示す。
9の表面上、即ち発光透光面3上の隅部にショットキー
電極2aを形成し、続いて、その上にP型ボンディング
用電極2bを形成する。
ディング用電極2bと発光透光面3の表面上に透光性電
極1を形成する。
ガリウム系化合物半導体層8の表面上にN型ボンディン
グ用電極4を形成する。以上の工程によって、図1及び
図2に示す本実施形態1の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子が作製される。
トキー電極2aは、Tiを20〜500nm(例えば、
25nm)積層して形成した。また、P型ボンディング
用電極2bは、Auを0.5〜1μm(例えば、800
nm)積層して形成した。
窒化ガリウム系化合物半導体層9に対してショットキー
特性を有するため、P型窒化ガリウム系化合物半導体層
9のP型ボンディング用電極2bの直下に位置する領域
に電流が注入されるのを阻止できる。
構造とし、P型窒化ガリウム系化合物半導体層9の表面
上にNiを3〜15nm(例えば、3nm)形成し、そ
の上にAuを3〜15nm(例えば、4nm)形成し
た。ここで、NiはP型窒化ガリウム系化合物半導体層
9に対してオーミックコンタクトを示す。このため、図
4に示すように、透光性電極(オーミック電極)1のN
iとP型窒化ガリウム系化合物半導体層9が接触してい
る領域のみに電流を流すことができる。
合物半導体発光素子によれば、このオーミックコンタク
トしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を
高くできるので、発光層、つまり活性層7からの発生光
を図4に示すように、効率よく外部に取り出すことがで
きる。この結果、本発明者等の実験結果によれば、上記
従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に比べて約
2倍の輝度改善を図れることが確認できた。
子ビーム蒸着法等を用いて形成することができる。
に金属材料で形成されているため、Au及びNiと同じ
製造方法を用いて容易に作製することができる。従っ
て、その分、製造効率の向上に寄与できる。
光性電極1がショットキー電極2aの段差部にて不連続
となっても、ショットキー電極2aは金属であるため、
P型ボンディング用電極2bと透光性電極1は電気的に
接触が可能である。
リウム系化合物半導体発光素子の実施形態2を示す。本
実施形態2の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、
電極構造のみが実施形態1の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子と異なっている。即ち、図5及び図6に示す
ように、本実施形態2の窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子では、透光性電極1の隅部を切り欠いた部分のP
型窒化ガリウム系化合物半導体層9の表面上、即ち発光
透光面3上にショットキー電極2aとP型ボンディング
用電極2bからなる積層構造を形成している。なお、実
施形態1の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と対応
する部分には同一の符号を付してある。
合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
ヤ基板6上にバッファ層7、n型窒化ガリウム系化合物
半導体層8及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層9を
この順に積層形成する。次に、N型窒化ガリウム系化合
物半導体層8が露出するまでP型窒化ガリウム系化合物
半導体層9の一部をエッチングする。図中の符号5はこ
のエッチング領域を示す。続いて、P型窒化ガリウム系
化合物半導体層9の表面上、即ち発光透光面3上に隅部
を切り欠いた透光性電極1を形成する。
極1の隅部を切り欠いた部分のP型窒化ガリウム系化合
物半導体層9の表面上にショットキー電極2aを形成
し、続いてその上にP型ボンディング用電極2bを形成
する。
ガリウム系化合物半導体層8の表面上にN型ボンディン
グ用電極4を形成する。以上の工程によって、図5及び
図6に示す本実施形態2の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子が作製される。
トキー電極2aの材質はTiであり、その厚みも実施形
態1と同様である。また、P型ボンディング用電極2b
の材質、厚みも同様である。更に、透光性電極1も同様
のAu及びNiからなる積層構造であり、その厚みも同
様である。
形態1同様に、オーミックコンタクトしている領域のみ
の電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発
光層、つまり活性層7からの発生光を効率よく外部に取
り出すことができる。
ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態3を示す。
本実施形態3の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
は、電極構造のみが実施形態1及び実施形態2の窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子と異なっている。
形態3の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、P
型窒化ガリウム系化合物半導体層9の表面の一部の領域
にショットキー電極2aを形成し、このショットキー電
極2aを覆うようにP型窒化ガリウム系化合物半導体層
9の全面に透光性電極1を形成し、透光性電極1上のシ
ョットキー電極2aの上方に相当する部分にP型ボンデ
ィング用電極2bを形成している。なお、実施形態1及
び実施形態2の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と
対応する部分には同一の符号を付してある。
化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
ヤ基板6上にバッファ層7、N型窒化ガリウム系化合物
半導体層8及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層9を
この順に積層形成する。次に、N型窒化ガリウム系化合
物半導体層8が露出するまでP型窒化ガリウム系化合物
半導体層9の一部をエッチングする。図中の符号5はこ
のエッチング領域を示す。続いて、P型窒化ガリウム系
化合物半導体層9表面の一部の領域にショットキー電極
2aを形成する。
キー電極2aを覆うようにP型窒化ガリウム系化合物半
導体層9の全面に透光性電極1を形成する。
極1上のショットキー電極2aの上方に相当する部分に
P型ボンディング用電極2bを形成する。また、N型窒
化ガリウム系化合物半導体層8の表面上にN型ボンディ
ング用電極4を形成する。以上の工程によって、図8及
び図9に示す本実施形態3の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子が作製される。
トキー電極2aの材質はTiであり、その厚みも実施形
態1及び実施形態2と同様である。また、P型ボンディ
ング用電極2bの材質、厚みも同様である。更に、透光
性電極1も同様のAu及びNiからなる積層構造であ
り、その厚みも同様である。
形態1及び実施形態2同様に、オーミックコンタクトし
ている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高く
できるので、発光層、つまり活性層7からの発生光を効
率よく外部に取り出すことができる。
実施形態3では、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の構造はホモ構造のものについて説明したが、窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子であれば、ダブルヘテロ構
造、シングルヘテロ構造、単一量子井戸活性層及び多量
子井戸活性層を持つダブルヘテロ構造等あらゆる構造の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に適用できること
は言うまでもない。
サファイヤ基板を用いたが、他の絶縁性の基板を用いる
ことも可能であるし、導電性の基板、例えばSiC基
板、GaN基板を用いることも可能である。
グ用電極の直下での電流注入を阻止し、透光性電極とP
型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタク
トしている領域のみに電流を注入することができるの
で、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度
と発光密度を高くできる。このため、発光層、即ち活性
層からの発生光を効率よく外部に取り出すことができ
る。即ち、外部発光効率を向上できる。
化合物半導体発光素子によれば、マイグレーションによ
ってNiとAuの積層構造からなる透光性電極が変質す
ることがないので、透過率の低下及びオーミックコンタ
クトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
方法によれば、そのような特性を有する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子を作製できる。
実施形態1を示す断面図。
実施形態1を示す平面図。
実施形態1を示す、(a)〜(c)は製造工程図。
実施形態1を示す特性説明図。
実施形態2を示す断面図。
実施形態2を示す平面図。
実施形態2を示す、(a)〜(c)は製造工程図。
実施形態3を示す断面図。
実施形態3を示す平面図。
の実施形態3を示す、(a)〜(c)は製造工程図。
の断面図。
の平面図。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上にN型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子にお
いて、 該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にP型ボン
ディング用電極と透光性電極が形成され、該P型窒化ガ
リウム系化合物半導体層の該P型ボンディング用電極の
直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透
光性電極と該P型窒化ガリウム系化合物半導体層がオー
ミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される
構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項2】 P型窒化ガリウム系化合物半導体層のP
型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入される
のを阻止する一方、透光性電極とP型窒化ガリウム系化
合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみ
に電流が注入される前記構造が、該P型窒化ガリウム系
化合物半導体層と該P型ボンディング用電極との間に形
成されたショットキー電極と、該P型ボンディング用電
極及び該ショットキー電極を覆うように該P型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極
で構成されている請求項1記載の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子。 - 【請求項3】 P型窒化ガリウム系化合物半導体層のP
型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入される
のを阻止する一方、透光性電極とP型窒化ガリウム系化
合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみ
に電流が注入される前記構造が、該P型窒化ガリウム系
化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極と、該
透光性電極の表面の隅部を切り欠いて形成されたショッ
トキー電極及び該P型ボンディング用電極の積層構造で
構成されている請求項1記載の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子。 - 【請求項4】 P型窒化ガリウム系化合物半導体層のP
型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入される
のを阻止する一方、透光性電極とP型窒化ガリウム系化
合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみ
に電流が注入される前記構造が、該P型窒化ガリウム系
化合物半導体層の表面の一部の領域に形成されたショッ
トキー電極と、該ショットキー電極を覆うように該P型
窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透
光性電極と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上
方に相当する部分に形成された該P型ボンディング用電
極で構成されている請求項1記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子。 - 【請求項5】 前記ショットキー電極がTi、前記P型
ボンディング用電極がAu、前記透光性電極がNi及び
Auの積層構造である請求項2〜請求項4のいずれかに
記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項6】 基板上にN型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法において、 該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領
域にショットキー電極及びP型ボンディング用電極をこ
の順に形成する工程と、 該ショットキー電極及び該P型ボンディング用電極を覆
うように該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に
透光性電極を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項7】 基板上にN型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法において、 該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電
極を形成する工程と、 該透光性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショ
ットキー電極とP型ボンディング用電極からなる積層構
造を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項8】 基板上にN型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法において、 該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領
域にショットキー電極を形成する工程と、 該ショットキー電極を覆うように該P型窒化ガリウム系
化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、 該透光性電極上の該ショットキー電極の上方に相当する
部分に該P型ボンディング用電極を形成する工程とを包
含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3819897A JP3916011B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3819897A JP3916011B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
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