JPH10242516A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH10242516A JPH10242516A JP3819897A JP3819897A JPH10242516A JP H10242516 A JPH10242516 A JP H10242516A JP 3819897 A JP3819897 A JP 3819897A JP 3819897 A JP3819897 A JP 3819897A JP H10242516 A JPH10242516 A JP H10242516A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を向上
できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供す
る。 【解決手段】 Ｐ型ボンディング用電極２ｂの下にショ
ットキー電極２ａを形成し、Ｐ型ボンディング用電極直
下での電流注入を阻止する。このため、Ｐ型ボンディン
グ用電極２ｂの周辺部の透光性電極（オーミック電極）
１での電流密度と発光密度が高くなるので、外部発光効
率が良好になる。
できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供す
る。 【解決手段】 Ｐ型ボンディング用電極２ｂの下にショ
ットキー電極２ａを形成し、Ｐ型ボンディング用電極直
下での電流注入を阻止する。このため、Ｐ型ボンディン
グ用電極２ｂの周辺部の透光性電極（オーミック電極）
１での電流密度と発光密度が高くなるので、外部発光効
率が良好になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青色領域から紫外
光領域で発光可能な半導体レーザやダイオード等の発光
素子として使用される窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子に関し、特にＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子の電極構造に関する。
光領域で発光可能な半導体レーザやダイオード等の発光
素子として使用される窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子に関し、特にＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１及び図１２は、この種の窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の従来例を示す。この窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子は、絶縁性のサファイ
ヤ基板６上に、バッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９
をこの順に積層してなる。更に、発光透光面３となるＰ
型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上には透光性
電極１’とＰ型ボンディング用電極２’が形成されてい
る。
ウム系化合物半導体発光素子の従来例を示す。この窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子は、絶縁性のサファイ
ヤ基板６上に、バッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９
をこの順に積層してなる。更に、発光透光面３となるＰ
型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上には透光性
電極１’とＰ型ボンディング用電極２’が形成されてい
る。
【０００３】ここで、透光性電極１’はＮｉとＡｕの積
層構造で構成されている。また、Ｐ型ボンディング用電
極２’は、Ａｌ単体、又はＡｕ、Ａｌ及びＣｒより選択
された少なくとも２種類以上の材料より構成されてい
る。
層構造で構成されている。また、Ｐ型ボンディング用電
極２’は、Ａｌ単体、又はＡｕ、Ａｌ及びＣｒより選択
された少なくとも２種類以上の材料より構成されてい
る。
【０００４】また、透光性電極１’とＰ型ボンディング
用電極２’は、基板として絶縁性のサファイヤ基板６を
使用し、かつ最表面のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体
層９を発光透光面３とするため、発光領域全面に形成さ
れている。なお、図１１において、Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層９が形成されておらず、一段低くなった
Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８上には、Ｎ型ボン
ディング用電極４が形成されている。
用電極２’は、基板として絶縁性のサファイヤ基板６を
使用し、かつ最表面のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体
層９を発光透光面３とするため、発光領域全面に形成さ
れている。なお、図１１において、Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層９が形成されておらず、一段低くなった
Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８上には、Ｎ型ボン
ディング用電極４が形成されている。
【０００５】図１２は、透光性電極１’とＰ型ボンディ
ング用電極２’の具体的な配置関係を示す。即ち、同図
に示すように、矩形状の透光性電極１’の隅部を切り欠
いて窓部１３を形成し、この窓部１３にＰ型ボンディン
グ用電極２’が形成されている。図１１に示すように、
Ｐ型ボンディング用電極２’の一部は透光性電極１’に
重畳している。
ング用電極２’の具体的な配置関係を示す。即ち、同図
に示すように、矩形状の透光性電極１’の隅部を切り欠
いて窓部１３を形成し、この窓部１３にＰ型ボンディン
グ用電極２’が形成されている。図１１に示すように、
Ｐ型ボンディング用電極２’の一部は透光性電極１’に
重畳している。
【０００６】なお、上記構造の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子は、例えば特開平７−９４７８２号公報に
開示されている。
導体発光素子は、例えば特開平７−９４７８２号公報に
開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、透光性電極
１’及びＰ型ボンディング用電極２’の材質に起因し
て、以下に示す問題点があった。
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、透光性電極
１’及びＰ型ボンディング用電極２’の材質に起因し
て、以下に示す問題点があった。
【０００８】Ｐ型ボンディング用電極２’は、上記のよ
うに、Ａｌ単体、又はＡｕ、Ａｌ及びＣｒより選択され
た少なくとも２種類以上の材料より構成されるが、Ａｌ
を使用する場合は、 （１）Ａｌは表面酸化しやすいため、ワイヤーボンディ
ングの際にボンディングワイヤーが剥がれやすく、信頼
性及び歩留まりが低下する。
うに、Ａｌ単体、又はＡｕ、Ａｌ及びＣｒより選択され
た少なくとも２種類以上の材料より構成されるが、Ａｌ
を使用する場合は、 （１）Ａｌは表面酸化しやすいため、ワイヤーボンディ
ングの際にボンディングワイヤーが剥がれやすく、信頼
性及び歩留まりが低下する。
【０００９】（２）Ｐ型ボンディング用電極２’とボン
デイングワイヤーとの電気的接触性が悪くなり、信頼性
が低下する。
デイングワイヤーとの電気的接触性が悪くなり、信頼性
が低下する。
【００１０】（３）透光性電極１’のＡｕとの相互拡散
が激しく、Ａｌが透光性電極１’にマイグレーションす
るため、透光性電極１’が変質し、透過率の低下及びオ
ーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
が激しく、Ａｌが透光性電極１’にマイグレーションす
るため、透光性電極１’が変質し、透過率の低下及びオ
ーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
【００１１】また、Ｐ型ボンディング用電極２’として
Ｃｒを使用する場合は、 （４）ＣｒはＡｌと同様に透光性電極１’にマイグレー
ションするため、透光性電極１が変質し、透過率の低下
及びオーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
Ｃｒを使用する場合は、 （４）ＣｒはＡｌと同様に透光性電極１’にマイグレー
ションするため、透光性電極１が変質し、透過率の低下
及びオーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
【００１２】また、Ｐ型ボンディング用電極２’とし
て、Ａｕを使用する場合は、 （５）ＡｕはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対
し熱処理なしでもオーミックコンタクトが得られるた
め、Ｐ型ボンディング用電極２’の直下にも電流が注入
される。このため、発光層にて発生する光は、Ｐ型ボン
ディング用電極２’により阻害され、外部発光効率が低
下する。
て、Ａｕを使用する場合は、 （５）ＡｕはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対
し熱処理なしでもオーミックコンタクトが得られるた
め、Ｐ型ボンディング用電極２’の直下にも電流が注入
される。このため、発光層にて発生する光は、Ｐ型ボン
ディング用電極２’により阻害され、外部発光効率が低
下する。
【００１３】このように、上記構造の従来の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子は、透光性電極１’とＰ型ボ
ンディング用電極２’の材質のいずれの組み合わせを選
択したとしても、上記した問題点があった。
ム系化合物半導体発光素子は、透光性電極１’とＰ型ボ
ンディング用電極２’の材質のいずれの組み合わせを選
択したとしても、上記した問題点があった。
【００１４】本発明は、このような現状に鑑みてなされ
たものであり、信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を
向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
たものであり、信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を
向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子は、基板上にＮ型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成さ
れ、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボン
ディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻
止する一方、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに
電流が注入される構造を有しており、そのことにより上
記目的が達成される。
化合物半導体発光素子は、基板上にＮ型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成さ
れ、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボン
ディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻
止する一方、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに
電流が注入される構造を有しており、そのことにより上
記目的が達成される。
【００１６】好ましくは、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が
注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしてい
る領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と該Ｐ型ボンディング用電極
との間に形成されたショットキー電極と、該Ｐ型ボンデ
ィング用電極及び該ショットキー電極を覆うように該Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該
透光性電極で構成する。
導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が
注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしてい
る領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と該Ｐ型ボンディング用電極
との間に形成されたショットキー電極と、該Ｐ型ボンデ
ィング用電極及び該ショットキー電極を覆うように該Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該
透光性電極で構成する。
【００１７】また、好ましくは、Ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に
電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型
窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクト
している領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該
透光性電極と、該透光性電極の表面の隅部を切り欠いて
形成されたショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用
電極の積層構造で構成する。
合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に
電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型
窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクト
している領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該
透光性電極と、該透光性電極の表面の隅部を切り欠いて
形成されたショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用
電極の積層構造で構成する。
【００１８】また、好ましくは、Ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に
電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型
窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクト
している領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に
形成されたショットキー電極と、該ショットキー電極を
覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面
に形成された該透光性電極と、該透光性電極上の該ショ
ットキー電極の上方に相当する部分に形成された該Ｐ型
ボンディング用電極で構成する。
合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に
電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型
窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクト
している領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に
形成されたショットキー電極と、該ショットキー電極を
覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面
に形成された該透光性電極と、該透光性電極上の該ショ
ットキー電極の上方に相当する部分に形成された該Ｐ型
ボンディング用電極で構成する。
【００１９】また、好ましくは、前記ショットキー電極
がＴｉ、前記Ｐ型ボンディング用電極がＡｕ、前記透光
性電極がＮｉ及びＡｕの積層構造である。
がＴｉ、前記Ｐ型ボンディング用電極がＡｕ、前記透光
性電極がＮｉ及びＡｕの積層構造である。
【００２０】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物
半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層
され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発
光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層の表面の一部の領域にショットキー電極及びＰ型ボン
ディング用電極をこの順に形成する工程と、該ショット
キー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極を覆うように該
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極
を形成する工程とを包含しており、そのことにより上記
目的が達成される。
素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物
半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層
され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発
光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層の表面の一部の領域にショットキー電極及びＰ型ボン
ディング用電極をこの順に形成する工程と、該ショット
キー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極を覆うように該
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極
を形成する工程とを包含しており、そのことにより上記
目的が達成される。
【００２１】また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、該透光
性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショットキ
ー電極とＰ型ボンディング用電極からなる積層構造を形
成する工程とを包含しており、そのことにより上記目的
が達成される。
体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、該透光
性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショットキ
ー電極とＰ型ボンディング用電極からなる積層構造を形
成する工程とを包含しており、そのことにより上記目的
が達成される。
【００２２】また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極を形成
する工程と、該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成
する工程と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上
方に相当する部分に該Ｐ型ボンディング用電極を形成す
る工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系
化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極を形成
する工程と、該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成
する工程と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上
方に相当する部分に該Ｐ型ボンディング用電極を形成す
る工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
【００２３】以下に本発明の作用を説明する。
【００２４】Ｐ型ボンディング用電極の直下での電流注
入を阻止し、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半
導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流
を注入する構造によれば、オーミックコンタクトしてい
る領域のみの電流密度と発光密度を高くできる。このた
め、発光層、即ち活性層からの発生光を効率よく外部に
取り出すことができる。即ち、外部発光効率を向上でき
る。
入を阻止し、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半
導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流
を注入する構造によれば、オーミックコンタクトしてい
る領域のみの電流密度と発光密度を高くできる。このた
め、発光層、即ち活性層からの発生光を効率よく外部に
取り出すことができる。即ち、外部発光効率を向上でき
る。
【００２５】上記構造は、一例として、Ｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層の表面上にショットキー電極とＰ型
ボンディング用電極の積層構造を形成することにより実
現される。より具体的には、Ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の表面上にショットキー電極としてＴｉを形成
し、その上にＰ型ボンディング用電極としてＡｕを形成
する。ＴｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対し
てショットキー特性を有するため、Ｐ型ボンディング用
電極の直下での電流注入を阻止できる。
ム系化合物半導体層の表面上にショットキー電極とＰ型
ボンディング用電極の積層構造を形成することにより実
現される。より具体的には、Ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の表面上にショットキー電極としてＴｉを形成
し、その上にＰ型ボンディング用電極としてＡｕを形成
する。ＴｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対し
てショットキー特性を有するため、Ｐ型ボンディング用
電極の直下での電流注入を阻止できる。
【００２６】また、上記のように材質ＡｕからなるＰ型
ボンディング用電極を用いると、マイグレーションによ
ってＮｉとＡｕの積層構造からなる透光性電極が変質す
ることがないので、透過率の低下及びオーミックコンタ
クトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
ボンディング用電極を用いると、マイグレーションによ
ってＮｉとＡｕの積層構造からなる透光性電極が変質す
ることがないので、透過率の低下及びオーミックコンタ
クトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
【００２７】この結果、本発明の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子によれば、上記従来の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子に比べて約２倍の輝度改善を図れる
ことが確認できた。
半導体発光素子によれば、上記従来の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子に比べて約２倍の輝度改善を図れる
ことが確認できた。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づき具体的に説明する。
に基づき具体的に説明する。
【００２９】（実施形態１）図１〜図４は本発明窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す。ま
ず、図１及び図２に基づき本実施形態１の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の概略構造について説明する。
リウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す。ま
ず、図１及び図２に基づき本実施形態１の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の概略構造について説明する。
【００３０】この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
は、絶縁性基板であるサファイヤ基板６上に、バッファ
層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒
化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層して形成
されている。加えて、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層９の表面上、即ち発光透光面３上には、ショットキー
電極２ａが形成され、その上にＰ型ボンディング用電極
２ｂが形成されている。図２に示すように、ショットキ
ー電極２ａ及びＰ型ボンディング用電極２ｂは、発光透
光面３の隅部に形成されている。また、これらは透光性
電極１によって覆われている。
は、絶縁性基板であるサファイヤ基板６上に、バッファ
層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒
化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層して形成
されている。加えて、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層９の表面上、即ち発光透光面３上には、ショットキー
電極２ａが形成され、その上にＰ型ボンディング用電極
２ｂが形成されている。図２に示すように、ショットキ
ー電極２ａ及びＰ型ボンディング用電極２ｂは、発光透
光面３の隅部に形成されている。また、これらは透光性
電極１によって覆われている。
【００３１】なお、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９が形成されておらず、一段低くなったＮ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層８上には、Ｎ型ボンディング用電極
４が形成されている。
９が形成されておらず、一段低くなったＮ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層８上には、Ｎ型ボンディング用電極
４が形成されている。
【００３２】次に、図３に基づき上記構造の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明す
る。
ム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明す
る。
【００３３】まず、同図（ａ）に示すように、サファイ
ヤ基板６上にバッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を
この順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物
半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこ
のエッチング領域を示す。
ヤ基板６上にバッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を
この順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物
半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこ
のエッチング領域を示す。
【００３４】次に、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９の表面上、即ち発光透光面３上の隅部にショットキー
電極２ａを形成し、続いて、その上にＰ型ボンディング
用電極２ｂを形成する。
９の表面上、即ち発光透光面３上の隅部にショットキー
電極２ａを形成し、続いて、その上にＰ型ボンディング
用電極２ｂを形成する。
【００３５】次に、同図（ｂ）に示すように、Ｐ型ボン
ディング用電極２ｂと発光透光面３の表面上に透光性電
極１を形成する。
ディング用電極２ｂと発光透光面３の表面上に透光性電
極１を形成する。
【００３６】次に、同図（ｃ）に示すように、Ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディン
グ用電極４を形成する。以上の工程によって、図１及び
図２に示す本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子が作製される。
ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディン
グ用電極４を形成する。以上の工程によって、図１及び
図２に示す本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子が作製される。
【００３７】ここで、本実施形態１では、上記のショッ
トキー電極２ａは、Ｔｉを２０〜５００ｎｍ（例えば、
２５ｎｍ）積層して形成した。また、Ｐ型ボンディング
用電極２ｂは、Ａｕを０．５〜１μｍ（例えば、８００
ｎｍ）積層して形成した。
トキー電極２ａは、Ｔｉを２０〜５００ｎｍ（例えば、
２５ｎｍ）積層して形成した。また、Ｐ型ボンディング
用電極２ｂは、Ａｕを０．５〜１μｍ（例えば、８００
ｎｍ）積層して形成した。
【００３８】このような電極構造によれば、ＴｉはＰ型
窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してショットキー
特性を有するため、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９のＰ型ボンディング用電極２ｂの直下に位置する領域
に電流が注入されるのを阻止できる。
窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してショットキー
特性を有するため、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９のＰ型ボンディング用電極２ｂの直下に位置する領域
に電流が注入されるのを阻止できる。
【００３９】また、透光性電極１はＡｕ及びＮｉの積層
構造とし、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面
上にＮｉを３〜１５ｎｍ（例えば、３ｎｍ）形成し、そ
の上にＡｕを３〜１５ｎｍ（例えば、４ｎｍ）形成し
た。ここで、ＮｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９に対してオーミックコンタクトを示す。このため、図
４に示すように、透光性電極（オーミック電極）１のＮ
ｉとＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９が接触してい
る領域のみに電流を流すことができる。
構造とし、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面
上にＮｉを３〜１５ｎｍ（例えば、３ｎｍ）形成し、そ
の上にＡｕを３〜１５ｎｍ（例えば、４ｎｍ）形成し
た。ここで、ＮｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９に対してオーミックコンタクトを示す。このため、図
４に示すように、透光性電極（オーミック電極）１のＮ
ｉとＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９が接触してい
る領域のみに電流を流すことができる。
【００４０】それ故、本実施形態１の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子によれば、このオーミックコンタク
トしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を
高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光
を図４に示すように、効率よく外部に取り出すことがで
きる。この結果、本発明者等の実験結果によれば、上記
従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に比べて約
２倍の輝度改善を図れることが確認できた。
合物半導体発光素子によれば、このオーミックコンタク
トしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を
高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光
を図４に示すように、効率よく外部に取り出すことがで
きる。この結果、本発明者等の実験結果によれば、上記
従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に比べて約
２倍の輝度改善を図れることが確認できた。
【００４１】なお、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉは真空蒸着法、電
子ビーム蒸着法等を用いて形成することができる。
子ビーム蒸着法等を用いて形成することができる。
【００４２】また、ショットキー電極２ａは上記のよう
に金属材料で形成されているため、Ａｕ及びＮｉと同じ
製造方法を用いて容易に作製することができる。従っ
て、その分、製造効率の向上に寄与できる。
に金属材料で形成されているため、Ａｕ及びＮｉと同じ
製造方法を用いて容易に作製することができる。従っ
て、その分、製造効率の向上に寄与できる。
【００４３】また、透光性電極１の厚みが薄いため、透
光性電極１がショットキー電極２ａの段差部にて不連続
となっても、ショットキー電極２ａは金属であるため、
Ｐ型ボンディング用電極２ｂと透光性電極１は電気的に
接触が可能である。
光性電極１がショットキー電極２ａの段差部にて不連続
となっても、ショットキー電極２ａは金属であるため、
Ｐ型ボンディング用電極２ｂと透光性電極１は電気的に
接触が可能である。
【００４４】（実施形態２）図５〜図７は本発明窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す。本
実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、
電極構造のみが実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子と異なっている。即ち、図５及び図６に示す
ように、本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子では、透光性電極１の隅部を切り欠いた部分のＰ
型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光
透光面３上にショットキー電極２ａとＰ型ボンディング
用電極２ｂからなる積層構造を形成している。なお、実
施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と対応
する部分には同一の符号を付してある。
リウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す。本
実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、
電極構造のみが実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子と異なっている。即ち、図５及び図６に示す
ように、本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子では、透光性電極１の隅部を切り欠いた部分のＰ
型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光
透光面３上にショットキー電極２ａとＰ型ボンディング
用電極２ｂからなる積層構造を形成している。なお、実
施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と対応
する部分には同一の符号を付してある。
【００４５】次に、図７に基づきこの窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
【００４６】まず、同図（ａ）に示すように、サファイ
ヤ基板６上にバッファ層７、ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を
この順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物
半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこ
のエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上に隅部
を切り欠いた透光性電極１を形成する。
ヤ基板６上にバッファ層７、ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を
この順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物
半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこ
のエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上に隅部
を切り欠いた透光性電極１を形成する。
【００４７】次に、同図（ｂ）に示すように、透光性電
極１の隅部を切り欠いた部分のＰ型窒化ガリウム系化合
物半導体層９の表面上にショットキー電極２ａを形成
し、続いてその上にＰ型ボンディング用電極２ｂを形成
する。
極１の隅部を切り欠いた部分のＰ型窒化ガリウム系化合
物半導体層９の表面上にショットキー電極２ａを形成
し、続いてその上にＰ型ボンディング用電極２ｂを形成
する。
【００４８】次に、同図（ｃ）に示すように、Ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディン
グ用電極４を形成する。以上の工程によって、図５及び
図６に示す本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子が作製される。
ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディン
グ用電極４を形成する。以上の工程によって、図５及び
図６に示す本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子が作製される。
【００４９】ここで、本実施形態２においても、ショッ
トキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形
態１と同様である。また、Ｐ型ボンディング用電極２ｂ
の材質、厚みも同様である。更に、透光性電極１も同様
のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であり、その厚みも同
様である。
トキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形
態１と同様である。また、Ｐ型ボンディング用電極２ｂ
の材質、厚みも同様である。更に、透光性電極１も同様
のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であり、その厚みも同
様である。
【００５０】このため、本実施形態２においても、実施
形態１同様に、オーミックコンタクトしている領域のみ
の電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発
光層、つまり活性層７からの発生光を効率よく外部に取
り出すことができる。
形態１同様に、オーミックコンタクトしている領域のみ
の電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発
光層、つまり活性層７からの発生光を効率よく外部に取
り出すことができる。
【００５１】（実施形態３）図８〜図１０は本発明窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態３を示す。
本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
は、電極構造のみが実施形態１及び実施形態２の窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子と異なっている。
ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態３を示す。
本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
は、電極構造のみが実施形態１及び実施形態２の窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子と異なっている。
【００５２】即ち、図８及び図９に示すように、本実施
形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面の一部の領域
にショットキー電極２ａを形成し、このショットキー電
極２ａを覆うようにＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９の全面に透光性電極１を形成し、透光性電極１上のシ
ョットキー電極２ａの上方に相当する部分にＰ型ボンデ
ィング用電極２ｂを形成している。なお、実施形態１及
び実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と
対応する部分には同一の符号を付してある。
形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、Ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面の一部の領域
にショットキー電極２ａを形成し、このショットキー電
極２ａを覆うようにＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９の全面に透光性電極１を形成し、透光性電極１上のシ
ョットキー電極２ａの上方に相当する部分にＰ型ボンデ
ィング用電極２ｂを形成している。なお、実施形態１及
び実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と
対応する部分には同一の符号を付してある。
【００５３】次に、図１０に基づきこの窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
【００５４】まず、同図（ａ）に示すように、サファイ
ヤ基板６上にバッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を
この順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物
半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこ
のエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層９表面の一部の領域にショットキー電極
２ａを形成する。
ヤ基板６上にバッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を
この順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物
半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこ
のエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層９表面の一部の領域にショットキー電極
２ａを形成する。
【００５５】次に、同図（ｂ）に示すように、ショット
キー電極２ａを覆うようにＰ型窒化ガリウム系化合物半
導体層９の全面に透光性電極１を形成する。
キー電極２ａを覆うようにＰ型窒化ガリウム系化合物半
導体層９の全面に透光性電極１を形成する。
【００５６】次に、同図（ｃ）に示すように、透光性電
極１上のショットキー電極２ａの上方に相当する部分に
Ｐ型ボンディング用電極２ｂを形成する。また、Ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディ
ング用電極４を形成する。以上の工程によって、図８及
び図９に示す本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子が作製される。
極１上のショットキー電極２ａの上方に相当する部分に
Ｐ型ボンディング用電極２ｂを形成する。また、Ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディ
ング用電極４を形成する。以上の工程によって、図８及
び図９に示す本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子が作製される。
【００５７】ここで、本実施形態３においても、ショッ
トキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形
態１及び実施形態２と同様である。また、Ｐ型ボンディ
ング用電極２ｂの材質、厚みも同様である。更に、透光
性電極１も同様のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であ
り、その厚みも同様である。
トキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形
態１及び実施形態２と同様である。また、Ｐ型ボンディ
ング用電極２ｂの材質、厚みも同様である。更に、透光
性電極１も同様のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であ
り、その厚みも同様である。
【００５８】このため、本実施形態３においても、実施
形態１及び実施形態２同様に、オーミックコンタクトし
ている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高く
できるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を効
率よく外部に取り出すことができる。
形態１及び実施形態２同様に、オーミックコンタクトし
ている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高く
できるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を効
率よく外部に取り出すことができる。
【００５９】（その他の実施形態）以上の実施形態１〜
実施形態３では、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の構造はホモ構造のものについて説明したが、窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子であれば、ダブルヘテロ構
造、シングルヘテロ構造、単一量子井戸活性層及び多量
子井戸活性層を持つダブルヘテロ構造等あらゆる構造の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に適用できること
は言うまでもない。
実施形態３では、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の構造はホモ構造のものについて説明したが、窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子であれば、ダブルヘテロ構
造、シングルヘテロ構造、単一量子井戸活性層及び多量
子井戸活性層を持つダブルヘテロ構造等あらゆる構造の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に適用できること
は言うまでもない。
【００６０】また、上記の各実施形態では、基板として
サファイヤ基板を用いたが、他の絶縁性の基板を用いる
ことも可能であるし、導電性の基板、例えばＳｉＣ基
板、ＧａＮ基板を用いることも可能である。
サファイヤ基板を用いたが、他の絶縁性の基板を用いる
ことも可能であるし、導電性の基板、例えばＳｉＣ基
板、ＧａＮ基板を用いることも可能である。
【００６１】
【発明の効果】以上の本発明によれば、Ｐ型ボンディン
グ用電極の直下での電流注入を阻止し、透光性電極とＰ
型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタク
トしている領域のみに電流を注入することができるの
で、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度
と発光密度を高くできる。このため、発光層、即ち活性
層からの発生光を効率よく外部に取り出すことができ
る。即ち、外部発光効率を向上できる。
グ用電極の直下での電流注入を阻止し、透光性電極とＰ
型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタク
トしている領域のみに電流を注入することができるの
で、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度
と発光密度を高くできる。このため、発光層、即ち活性
層からの発生光を効率よく外部に取り出すことができ
る。即ち、外部発光効率を向上できる。
【００６２】また、特に請求項５記載の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子によれば、マイグレーションによ
ってＮｉとＡｕの積層構造からなる透光性電極が変質す
ることがないので、透過率の低下及びオーミックコンタ
クトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
化合物半導体発光素子によれば、マイグレーションによ
ってＮｉとＡｕの積層構造からなる透光性電極が変質す
ることがないので、透過率の低下及びオーミックコンタ
クトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
【００６３】また、特に請求項６〜請求項８記載の製造
方法によれば、そのような特性を有する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子を作製できる。
方法によれば、そのような特性を有する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子を作製できる。
【図１】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態１を示す断面図。
実施形態１を示す断面図。
【図２】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態１を示す平面図。
実施形態１を示す平面図。
【図３】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態１を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
実施形態１を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
【図４】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態１を示す特性説明図。
実施形態１を示す特性説明図。
【図５】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態２を示す断面図。
実施形態２を示す断面図。
【図６】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態２を示す平面図。
実施形態２を示す平面図。
【図７】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態２を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
実施形態２を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
【図８】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態３を示す断面図。
実施形態３を示す断面図。
【図９】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
実施形態３を示す平面図。
実施形態３を示す平面図。
【図１０】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の実施形態３を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
の実施形態３を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
【図１１】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の断面図。
の断面図。
【図１２】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の平面図。
の平面図。
１ 透光性電極 ２ａ ショットキー電極 ２ｂ Ｐ型ボンディング用電極 ３ 発光透光面 ４ Ｎ型ボンディング用電極 ５ エッチング領域 ６ サファイヤ基板 ７ バッファ層 ８ Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ９ Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子にお
いて、 該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にＰ型ボン
ディング用電極と透光性電極が形成され、該Ｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボンディング用電極の
直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透
光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオー
ミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される
構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】 Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ
型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入される
のを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化
合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみ
に電流が注入される前記構造が、該Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層と該Ｐ型ボンディング用電極との間に形
成されたショットキー電極と、該Ｐ型ボンディング用電
極及び該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極
で構成されている請求項１記載の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子。 - 【請求項３】 Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ
型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入される
のを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化
合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみ
に電流が注入される前記構造が、該Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極と、該
透光性電極の表面の隅部を切り欠いて形成されたショッ
トキー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極の積層構造で
構成されている請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子。 - 【請求項４】 Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ
型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入される
のを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化
合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみ
に電流が注入される前記構造が、該Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層の表面の一部の領域に形成されたショッ
トキー電極と、該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透
光性電極と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上
方に相当する部分に形成された該Ｐ型ボンディング用電
極で構成されている請求項１記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記ショットキー電極がＴｉ、前記Ｐ型
ボンディング用電極がＡｕ、前記透光性電極がＮｉ及び
Ａｕの積層構造である請求項２〜請求項４のいずれかに
記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項６】 基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法において、 該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領
域にショットキー電極及びＰ型ボンディング用電極をこ
の順に形成する工程と、 該ショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極を覆
うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に
透光性電極を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法において、 該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電
極を形成する工程と、 該透光性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショ
ットキー電極とＰ型ボンディング用電極からなる積層構
造を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項８】 基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導
体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光
透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法において、 該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領
域にショットキー電極を形成する工程と、 該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、 該透光性電極上の該ショットキー電極の上方に相当する
部分に該Ｐ型ボンディング用電極を形成する工程とを包
含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3819897A JP3916011B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3819897A JP3916011B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242516A true JPH10242516A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3916011B2 JP3916011B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=12518663
Family Applications (1)
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