JP2010537408A - マイクロピクセル紫外発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4
Description
Claims (48)
- 紫外発光素子であって、
トレンチ形成されている第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に合体されている第2のバッファ層(前記第2のバッファ層はAlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)を含む)とを備えるテンプレートと、
前記テンプレート上の第1の導電率を有する第1の層(ここで、前記第1の層は複数のメサから成るアレイを備える)と、
前記複数のメサの各メサ上の発光量子井戸領域と、
前記量子井戸領域の各量子井戸領域上の第2の導電率を有する第2の層と、
前記第1の層と電気的に接続している第1の電気コンタクトと、
前記第1の電気コンタクトと電気的に接続している電流拡散層(ここで、該電流拡散層は前記第1の層の任意の部分の電流拡散長よりも遠くない)と、
各前記第2の層に電気的に接続している第2の電気コンタクトと、
前記複数のメサの各前記メサ間のリーク抑制層と、
前記複数のメサの前記各メサ上の前記第2の電気コンタクトと電気的に接続している第3の電気コンタクトと、
を備え、それによって、前記第1の電気コンタクト及び前記第3の電気コンタクトに電位が印加されると、該素子が紫外光を発光する、紫外発光素子。 - 前記第1のバッファ層は、AlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1)から作製される、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層は、AlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1)の複数の層を有する少なくとも1つの超格子下位層から作製される、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層は、AlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1)から作製される第1の下位層を備え、該第1の下位層は非ドープである、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層は、AlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1)から作製される第2の下位層を備え、該第2の下位層はケイ素及びインジウムから選択される少なくとも1つの材料を用いてドープされる、請求項4に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層は、
AlxInyGa1−x−yNから作製される第1の下位層(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1、並びに、該第1の下位層は非ドープである)と、
AlxInyGa1−x−yNの複数の層を有する少なくとも1つの超格子下位層(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1)と、
AlxInyGa1−x−yNから作製される第2の下位層(式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1、並びに、該第2の下位層はケイ素及びインジウムから選択される少なくとも1つの材料を用いてドープされる)と、
を備える、請求項1に記載の紫外発光素子。 - 前記第1のバッファ層は、AlxInyGa1−x−yNから作製される第3の下位層 (式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1、並びに該第3の下位層は非ドープである) をさらに備える、請求項6に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層はA1XInYGa1−X−YN(式中、)を含み、ただし、0.01<x≦1、0.02≦y≦1、0.01<x+y≦1である、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層及び前記第2のバッファ層は、III族材料及びV族材料がパルス成長法を介して注入されるように堆積され、該III族材料及び該V族材料は、定常流を有するのではなく、連続的にパルス化されるか、又はIII族ソースパルスがV族ソースパルスがない状態で部分的にオンになるか若しくはV族ソースパルスと部分的に融合するようにパルス化される、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記第2のバッファ層は、
前記第1のバッファ層の上に合体されて第1の平面層を形成する第1の下位層と、
前記第1の下位層に適用される第2の下位層と、
をさらに備える、請求項1に記載の紫外発光素子。 - 前記第2の下位層は超格子層である、請求項10に記載の紫外発光素子。
- 第3の下位層をさらに備え、該第3の下位層は超格子層である、請求項11に記載の紫外発光素子。
- 第4の下位層をさらに備える、請求項11に記載の紫外発光素子。
- 前記第1の電気コンタクトは、第1の導電率を有する前記第1のバッファ層によって支持される、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記第1の電気コンタクトは、第1の導電率を有する前記第1の層によって支持され、前記テンプレートは基板をさらに備え、前記第1のバッファ層は該基板と前記第2のバッファ層との間にある、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記基板は、C平面、A平面、M平面、又はR平面に沿った結晶配向を有する、請求項15に記載の紫外発光素子。
- 前記第1のバッファ層はAlNから作製され、少なくとも0.1μmの深さまで選択的にトレンチ形成される、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記発光構造は、量子井戸領域であって、
A1XInYGa1−X−YNを含む量子井戸であって、式中、0≦x≦1、0≦y≦1、及び0≦x+y≦1であり、表面及びバンドギャップを有する、量子井戸と、
前記量子井戸の前記表面上の障壁層であって、前記量子井戸の前記バンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、A1XInYGa1−X−YNを含み、式中、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1であり、前記量子井戸領域は該障壁層と共に開始及び終了する、障壁層と、
の交互の層を含む、量子井戸領域を備える、請求項1に記載の紫外発光素子。 - 前記量子井戸領域は、単一量子井戸又は多重量子層を備える、請求項18に記載の紫外発光素子。
- 前記量子井戸及び前記障壁層は、異なるAlxInyGa1−x−yN(式中、0<x<1、0≦y≦1、及び0<x+y≦1)組成を有する、請求項18に記載の紫外発光素子。
- 前記量子井戸領域は紫外光子を生成する、請求項18に記載の紫外発光素子。
- 前記メサは、円形、長円形、楕円形、三角形、及び多角形から選択される形状を有する、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 前記メサは10μm〜1mmの相当直径を有する、請求項1に記載の紫外発光素子。
- 紫外発光素子を作製する方法であって、
基板に、AlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)を含む第1のバッファ層を適用するステップと、
前記第1のバッファ層内にトレンチを形成するステップと、
パルス横方向成長技法を使用して前記第1のバッファ層に第2のバッファ層を適用して平面層を形成するステップ(該第2のバッファ層はAlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)を含む)と、
前記第2のバッファ層上に超格子層を適用するステップ(該超格子層はAlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)を含み、テンプレートを形成する)と、
前記テンプレート上に第1の導電率を有する第1の層を形成するステップと、
前記第1の層上に量子井戸を形成するステップと、
各前記量子井戸上に第2の導電率を有する第2の層を形成するステップと、
前記第1の層の上に電荷拡散層を形成するステップ(ここで、該電荷拡散層はボイドを有し、該ボイドを前記メサが貫通しており、該電荷拡散層は、各メサの最も遠い範囲から電流拡散長以下である距離だけ離隔している)と、
各前記第2の層に接触する導電層を形成するステップと、
を含む、方法。 - 前記第1のバッファ層内の前記トレンチは少なくとも0.1μm深さである、請求項24に記載の紫外発光素子を作製する方法。
- 前記第2のバッファ層は合体する、請求項24に記載の紫外発光素子を作製する方法。
- 前記第1のバッファ層はAlNから作製され、少なくとも0.1μmの深さまでトレンチ形成される、請求項24に記載の紫外発光素子を作製する方法。
- 前記トレンチは、少なくとも4μm以上700μm以下の幅を有する、請求項24に記載の紫外発光素子を作製する方法。
- 前記トレンチ間の距離は、少なくとも2μm以上1mm以下である、請求項24に記載の紫外発光素子を作製する方法。
- 紫外発光素子であって、
トレンチ形成されている第1のバッファ層と、前記第1のバッファの上の第2のバッファ層(前記第2のバッファ層は、AlxInyGa1−x−yN(式中、0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)を含む)とを備えるテンプレートと、
前記テンプレート上の第1の導電率を有する第1の層(ここで、前記第1の層は、複数のメサから成るアレイを備える)と、
前記複数のメサの各メサ上の発光量子井戸領域と、
前記量子井戸領域の各量子井戸領域上の第2の導電率を有する第2の層と、
前記第1の層と電気的に接触している第1の電気コンタクトと、
前記第1の電気コンタクトと電気的に接続している電流拡散層(ここで、該電流拡散層は前記第1の層の任意の部分の電流拡散長よりも遠くない)と、
各前記第2の層に電気的に接続している第2の電気コンタクトと、
前記複数のメサの各前記メサ間のリーク抑制層と、
前記複数のメサの各前記メサ上の前記第2の電気コンタクトと電気的に接続している第3の電気コンタクトと、
を備え、それによって、前記第1の電気コンタクト及び前記第2の電気コンタクトに電位が印加されると、該素子が紫外光を発光する、紫外発光素子。 - 紫外放射素子であって、
第1の表面及び第2の表面を備える支持構造と、
前記支持構造から突出している複数のマイクロピラー(ここで、該複数のマイクロピラーの各マイクロピラーは、前記支持構造から突出する第1の表面を備える)と、
各前記マイクロピラーは紫外発光量子井戸領域を備え、該紫外発光量子井戸領域は、n型導電率を有する第1のAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)層と、p型導電率を有する第2のAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)層との間に堆積され、前記第1のAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)層は、AlxInyGa1−x−yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)を含むバッファ層上に成長され、
前記第1のAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)に電気的に接続し、且つ第2の金属電極は前記第2のAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)層に電気的に接続している第1の金属電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間のリーク抑制層と、
前記第2の電極と電気的に接触し、前記リーク抑制層の最上部に堆積される第3の平坦金属電極と
を備え、
それによって、前記第1の金属電極及び前記第3の金属電極に電位が印加されると、該素子が紫外光を発光する、紫外発光素子。 - 前記マイクロピラーは500μm以下の直径を有する、請求項31に記載の紫外放射素子。
- チタン、ニッケル、プラチナ、モリブデン、タングステン、パラジウム、及び金から成る群から選択される、少なくとも1つの元素又は元素の合金を含む金属マスクを形成することによって、メサエッチングを形成することを含む、請求項31に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- 反応性エッチング、誘導結合プラズマ、湿式化学エッチング、又はそれらの組み合わせによってメサエッチングすることを含む、請求項31に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- メサの形成は、塩素ガス、塩化ホウ素ガス、四塩化炭素ガス、メタンガス、フッ素ガス、アルゴンガス、又はそれらの組み合わせを用いた多重ステップRF出力変調を含む、請求項31に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- 前記湿式化学エッチングは、有機溶液、酸性溶液、又はそれらの組み合わせによって行われる、請求項35に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- 前記有機溶液は、アセトン、トルエン、イソプロパノール、及びメタノールから選択される少なくとも1つの材料を含む、請求項36に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- 前記酸性溶液は、王水、緩衝フッ化水素酸、塩酸、酢酸、硫酸、及び硝酸から選択される少なくとも1つの材料を含む、請求項36に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- 前記第1の金属電極は、チタン、アルミニウム、ニッケル、金、パラジウム、プラチナ、バナジウム、モリブデン、及び窒化チタンから選択される少なくとも1つの材料の少なくとも1つの層を備える、請求項31に記載の紫外放射素子。
- 前記金属層は、単一ステップアニーリング又は多重ステップアニーリングを受ける、請求項31に記載の紫外放射素子を作製する方法。
- 前記第2の金属電極は、ニッケル、プラチナ、金、パラジウム、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、酸化ニッケル、酸化パラジウム、酸化亜鉛、及び酸化ジルコニウムから選択される少なくとも1つの材料を含む少なくとも1つの層を備える、請求項31に記載の紫外放射素子。
- 前記リーク抑制層は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、SU−8、BCB、及び絶縁ポリマーから選択される少なくとも1つの材料を含む、請求項31に記載の紫外放射素子。
- 前記第3の電極は、前記リーク抑制層上に堆積され、各前記マイクロピラーを接続する、請求項31に記載の紫外放射素子。
- 前記第3の平坦金属電極は、チタン、タングステン、銅、ニッケル、金、パラジウム、プラチナ、バナジウム、モリブデン、及びチタン窒化物から選択される少なくとも1つの材料を含む少なくとも1つの層を備える、請求項43に記載の紫外放射素子。
- 前記紫外素子はフリップチップパッケージ素子である、請求項31に記載の紫外放射素子。
- 前記フリップチップパッケージは、AlN、SiC、Cu、CuW、Mo、又は銅合金から選択される熱キャリア又はサブマウントを備える、請求項45に記載の紫外放射素子。
- 前記支持構造は、基板、第1のバッファ層、第1のAlxInyGa1−x−y(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)層をさらに備え、前記第1のバッファ層は前記基板と前記第1のAlxInyGa1−x−y層との間にある、請求項31に記載の紫外放射素子。
- 前記基板は、レーザを利用したリフトオフ、ラッピング、及び研磨、湿式化学エッチング、並びにイオンミリングから選択される少なくとも1つの方法によって除去される、請求項31に記載の紫外放射素子。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018049958A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
JP2019062204A (ja) * | 2016-08-31 | 2019-04-18 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | Led素子とその製造方法 |
US11888033B2 (en) | 2017-06-01 | 2024-01-30 | Japan Science And Technology Agency | Compound semiconductor and method for manufacturing same |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008054994A2 (en) * | 2006-10-18 | 2008-05-08 | Nitek, Inc. | Deep ultraviolet light emitting device and method for fabricating same |
US8686396B2 (en) * | 2007-05-08 | 2014-04-01 | Nitek, Inc. | Non-polar ultraviolet light emitting device and method for fabricating same |
US9142714B2 (en) | 2008-10-09 | 2015-09-22 | Nitek, Inc. | High power ultraviolet light emitting diode with superlattice |
US20100276699A1 (en) * | 2009-05-04 | 2010-11-04 | University Of South Carolina | Silicon Carbide and Related Wide Bandgap Semiconductor Based Optically-Controlled Power Switching Devices |
CN102596862B (zh) | 2009-05-15 | 2015-09-30 | 康明斯过滤Ip公司 | 表面聚结器 |
JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW201118946A (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | Chun-Yen Chang | Method for manufacturing free-standing substrate and free-standing light-emitting device |
EP2381488A1 (en) * | 2010-04-22 | 2011-10-26 | Imec | Method of manufacturing a light emitting diode |
US20130193443A1 (en) * | 2011-12-09 | 2013-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
TW201235518A (en) * | 2012-03-06 | 2012-09-01 | Tera Xtal Technology Corp | Sapphire material and production method thereof |
CN103367570B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-01-20 | 清华大学 | 白光led |
CN103367383B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103367585B (zh) | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103374754A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 鑫晶钻科技股份有限公司 | 蓝宝石材料及其制造方法 |
CN102790144B (zh) * | 2012-07-23 | 2014-11-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法 |
DE102012217644A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US10058808B2 (en) | 2012-10-22 | 2018-08-28 | Cummins Filtration Ip, Inc. | Composite filter media utilizing bicomponent fibers |
TW201430937A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-08-01 | Lextar Electronics Corp | 用於製造發光二極體的基板結構及發光二極體的製造方法 |
US9412911B2 (en) | 2013-07-09 | 2016-08-09 | The Silanna Group Pty Ltd | Optical tuning of light emitting semiconductor junctions |
FR3009895B1 (fr) * | 2013-08-23 | 2016-12-23 | Commissariat Energie Atomique | Diode electroluminescente dont l'agencement d'une electrode sur une face emettrice est determine en fonction de la longueur de dispersion du courant dans ladite diode electroluminescente |
KR101834785B1 (ko) | 2013-10-21 | 2018-03-06 | 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 | 합성물 반도체 층을 포함하는 이종 접합 구조 |
US9622483B2 (en) | 2014-02-19 | 2017-04-18 | Corning Incorporated | Antimicrobial glass compositions, glasses and polymeric articles incorporating the same |
US11039621B2 (en) | 2014-02-19 | 2021-06-22 | Corning Incorporated | Antimicrobial glass compositions, glasses and polymeric articles incorporating the same |
US11039620B2 (en) | 2014-02-19 | 2021-06-22 | Corning Incorporated | Antimicrobial glass compositions, glasses and polymeric articles incorporating the same |
US10156922B2 (en) | 2014-03-11 | 2018-12-18 | International Business Machines Corporation | Touch input device with pathogen transmission mitigation |
CN104051561B (zh) * | 2014-07-04 | 2016-08-24 | 东南大学 | 一种氮化镓基紫外雪崩光电探测器 |
KR102299362B1 (ko) | 2014-08-21 | 2021-09-08 | 삼성전자주식회사 | 경사진 c-plane 상의 4성분계 양자우물을 포함하는 그린광 발광소자 |
US9455300B1 (en) | 2015-03-02 | 2016-09-27 | Rayvio Corporation | Pixel array of ultraviolet light emitting devices |
WO2016209886A1 (en) | 2015-06-22 | 2016-12-29 | University Of South Carolina | MOCVD SYSTEM INJECTOR FOR FAST GROWTH OF AlInGaBN MATERIAL |
US10340416B2 (en) * | 2016-02-26 | 2019-07-02 | Riken | Crystal substrate, ultraviolet light-emitting device, and manufacturing methods therefor |
WO2018017701A1 (en) | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Cummins Filtration Ip, Inc. | Perforated layer coalescer |
FR3061607B1 (fr) * | 2016-12-29 | 2019-05-31 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
CN108493209B (zh) * | 2018-05-24 | 2020-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法 |
CN111900152B (zh) * | 2019-05-06 | 2023-07-28 | 纳微朗科技(深圳)有限公司 | 一种集成单元二极管芯片 |
KR20200140654A (ko) | 2019-06-07 | 2020-12-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US11600656B2 (en) * | 2020-12-14 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
KR20230132649A (ko) * | 2022-03-08 | 2023-09-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2024012888A1 (en) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Ams-Osram International Gmbh | Method for producing a semiconductor chip and semiconductor chip |
CN116072780B (zh) * | 2023-03-09 | 2023-06-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6580098B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-06-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
US6614056B1 (en) | 1999-12-01 | 2003-09-02 | Cree Lighting Company | Scalable led with improved current spreading structures |
US6410940B1 (en) | 2000-06-15 | 2002-06-25 | Kansas State University Research Foundation | Micro-size LED and detector arrays for minidisplay, hyper-bright light emitting diodes, lighting, and UV detector and imaging sensor applications |
US6599362B2 (en) | 2001-01-03 | 2003-07-29 | Sandia Corporation | Cantilever epitaxial process |
KR20040012754A (ko) * | 2001-06-15 | 2004-02-11 | 크리 인코포레이티드 | Sic 기판 상에 형성된 gan 기반 led |
JP4055503B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
TWI271877B (en) | 2002-06-04 | 2007-01-21 | Nitride Semiconductors Co Ltd | Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method |
EP1536486A4 (en) * | 2002-07-16 | 2006-11-08 | Nitride Semiconductors Co Ltd | COMPOSITE SEMICONDUCTOR ELEMENT ON GALLIUM NITRID BASE |
KR101344512B1 (ko) | 2004-11-01 | 2013-12-23 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 매우 낮은 직렬-저항 및 개선된 히트 싱킹을 가진 발광 소자 제조용의 상호 맞물린 멀티-픽셀 어레이 |
JP2007088270A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
JP5255759B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2013-08-07 | パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド | 半導体デバイス用超格子歪緩衝層 |
US7956369B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Light emitting diode |
-
2008
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019062204A (ja) * | 2016-08-31 | 2019-04-18 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | Led素子とその製造方法 |
US11549172B2 (en) | 2016-08-31 | 2023-01-10 | Japan Science And Technology Agency | Compound semiconductor, method for manufacturing same, and nitride semiconductor |
JP2018049958A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
US11888033B2 (en) | 2017-06-01 | 2024-01-30 | Japan Science And Technology Agency | Compound semiconductor and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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