CN108493209B - 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法 - Google Patents

一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108493209B
CN108493209B CN201810510492.7A CN201810510492A CN108493209B CN 108493209 B CN108493209 B CN 108493209B CN 201810510492 A CN201810510492 A CN 201810510492A CN 108493209 B CN108493209 B CN 108493209B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulating layer
thin film
film transistor
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810510492.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108493209A (zh
Inventor
康昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810510492.7A priority Critical patent/CN108493209B/zh
Publication of CN108493209A publication Critical patent/CN108493209A/zh
Priority to US16/647,940 priority patent/US11575067B2/en
Priority to PCT/CN2019/086683 priority patent/WO2019223567A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108493209B publication Critical patent/CN108493209B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0054—Processes for devices with an active region comprising only group IV elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法，以提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率。显示基板，包括：基板以及设置于基板上的呈阵列排布的多个像素单元，其中：像素单元包括沿远离基板方向依次设置的发光二极管、连接金属以及薄膜晶体管；连接金属与发光二极管的顶电极导电连接；薄膜晶体管的有源层与连接金属绝缘间隔，薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接。

Description

一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法。
背景技术
Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode，微型发光二极管)技术，即发光二极管微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。
Micro-LED优点表现的很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、结构简易、体积小、薄型等优势。除此之外，由于Micro LED超微小，因此其表现出超高的解析度。
而相比OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)，Micro-LED色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度以及具有较佳的材料稳定性、寿命长、无影像烙印等优点。故为继OLED之后另一具轻薄及省电优势的显示技术。
现有技术存在的问题在于：由于Micro-LED器件在制作时需要外延层，外延层要求比较高，只能在硅片或者蓝宝石上制作。现有技术无法实现在薄膜晶体管控制电路上直接制作LED。目前的Micro-LED器件大部分是分别制作LED和薄膜晶体管控制电路然后再对位贴合，由于对位贴合会损失一定的精度，因此不利于高分辨率的面板制作。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法，以提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率。
本发明实施例提供一种显示基板，包括：基板以及设置于所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元，其中：
所述像素单元包括沿远离所述基板方向依次设置的发光二极管、连接金属以及薄膜晶体管；
所述连接金属与所述发光二极管的顶电极导电连接；
所述薄膜晶体管的有源层与所述连接金属绝缘间隔，所述薄膜晶体管的漏极与所述连接金属导电连接。
本技术方案的显示基板，由于其发光二极管制作于基板上，在制作显示基板的薄膜晶体管时，将制作完薄膜晶体管的有源层未图案化的基板与发光二极管基板直接贴合，再将薄膜晶体管制作于发光二极管上，由于连接金属与发光二极管的顶电极导电连接，薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接，因此薄膜晶体管的漏极与发光二极管的顶电极导电连接。相比现有技术，本技术方案的显示基板在制作时，不需要将制作好的发光二极管对位贴合于薄膜晶体管。这样就可以避免对位精度的损失，从而可以将发光二极管的尺寸做的更小，以制作出超高分辨率的显示装置。
可选的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
可选的，所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、第二缓冲层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中：
所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接；所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第二过孔与所述低温多晶硅有源层连接，且所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第三过孔与所述连接金属导电连接。
较佳的，所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、栅极绝缘层、漏极、栅极、层间绝缘层和源极，其中：
所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接；所述漏极设置于所述低温多晶硅有源层远离所述第一缓冲层的一侧，且与所述连接金属导电连接。
这样设置可以避免在栅极绝缘层以及层间绝缘层上开设用于使漏极与低温多晶硅有源层连接的过孔，以及漏极与连接金属连接的过孔，从而可以降低基板的制作工艺难度，提高产品良率。
可选的，所述显示基板还包括沿远离所述薄膜晶体管方向依次设置的第一平坦化层、白荧光层、滤光层以及第二平坦化层，所述滤光层包括对应每个所述像素单元的彩色光阻以及界定相邻所述彩色光阻的黑矩阵。
可选的，所述发光二极管为蓝光发光二极管；所述显示基板还包括沿远离所述薄膜晶体管方向依次设置的第一平坦化层、量子点材料结构层以及第二平坦化层，所述量子点材料结构层包括对应每个所述像素单元的第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区，以及界定相邻所述第一彩色光区、所述第二彩色光区以及所述第三彩色光区的黑矩阵，所述第一彩色光区设置有绿光量子点材料结构层，所述第二彩色光区设置有红光量子点材料结构层。
基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如前任一项所述的显示基板。
本技术方案的显示装置的发光二极管的尺寸可以做的更小，产品良率以及显示装置的分辨率可以做的更高。
基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
在第一侧基板之上依次形成发光二极管和覆盖发光二极管的第一金属层；
在第二侧基板之上依次形成薄膜晶体管的有源材料层和第二金属层；
将第一侧基板上的第一金属层与第二侧基板上的第二金属层相面对贴合联结；
将第二侧基板与有源材料层剥离；
对贴合联结的第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成与所述发光二极管的顶电极导电连接的连接金属的图案；
在完成上述所有步骤的第一侧基板上制作形成薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接。
采用本技术方案的显示基板的制作方法制作显示基板时，由于先在第一侧基板上制作发光二极管以及覆盖于发光二极管上的第一金属层，再在第二侧基板上制作薄膜晶体管的有源材料层和第二金属层，然后再将两个金属层相面对贴合，由于两个金属层均是整面制作于对应的基板上，因此在将两个金属层进行贴合时其对位难度较小，因此其对位精度要求较低。相比现有技术，采用本技术方案的方法制作显示基板时，不需要在制作显示装置的过程中将制作好的发光二极管与薄膜晶体管进行对位贴合，这样便可以避免进行发光二极管与薄膜晶体管的对位，从而对于发光二极管的尺寸要求较低，进而提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率。
具体的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，在第一侧基板上制作形成薄膜晶体管具体包括：
将有源材料层刻蚀形成与连接金属绝缘间隔的有源层；
在有源层上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成栅极图案；
在所述栅极层图案上形成层间绝缘层；
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于源极与有源层导电连接的第一过孔；
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于漏极与有源层导电连接的第二过孔，并形成用于漏极与连接金属导电连接的第三过孔；
在层间绝缘层上形成源极图案和漏极图案。
具体的，薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，在第一侧基板上制作形成薄膜晶体管具体包括：
将有源材料层刻蚀形成与连接金属绝缘间隔的有源层；
形成与有源层以及连接金属连接的漏极图案；
在漏极上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成栅极图案；
在栅极图案上形成层间绝缘层；
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于源极与有源层导电连接的第一过孔；
在层间绝缘层上形成源极图案。
采用这样的方法制作漏极可以避免在栅极绝缘层以及层间绝缘层上开设用于使漏极与低温多晶硅有源层连接的过孔，以及漏极与连接金属连接的过孔，从而可以降低基板的制作工艺难度，提高产品良率。
可选的，所述方法还包括：
在层间绝缘层上形成第一平坦化层；
在第一平坦化层上形成白荧光层；
在白荧光层上形成滤光层，滤光层包括对应每个像素单元的彩色光阻以及界定相邻彩色光阻的黑矩阵；
在滤光层上形成第二平坦化层。
可选的，发光二极管为蓝光发光二极管，所述方法还包括：
在层间绝缘层上形成第一平坦化层；
在第一平坦化层上形成量子点材料结构层，量子点材料结构层包括对应每个像素单元的第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区，以及界定相邻第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区的黑矩阵，第一彩色光区设置有绿光量子点材料结构层，第二彩色光区设置有红光量子点材料结构层；
在绿荧光材料层和红荧光材料层上形成第二平坦化层。
附图说明
图1为本发明实施例的发光二极管的结构示意图；
图2为本发明一实施例的显示基板的结构示意图；
图3为本发明另一实施例的显示基板的结构示意图；
图4为本发明又一实施例的显示基板的结构示意图；
图5为本发明一实施例的显示基板的结构示意图；
图6为本发明另一实施例的显示基板的结构示意图；
图7为本发明又一实施例的显示基板的结构示意图；
图8为本发明一实施例的显示基板的结构示意图；
图9为本发明另一实施例的显示基板的结构示意图；
图10为本发明又一实施例的显示基板的结构示意图；
图11为本发明一实施例的显示基板的结构示意图；
图12为本发明另一实施例的显示基板的结构示意图；
图13为本发明又一实施例的显示基板的结构示意图；
图14为本发明一实施例的显示基板的结构示意图；
图15为本发明实施例的显示基板的制作方法流程图。
附图标记：
1-基板；2-发光二极管；3-连接金属；4-顶电极；
5-薄膜晶体管；6-有源层；7-漏极；8-第一缓冲层；
9-低温多晶硅有源层；10-第二缓冲层；11-栅极绝缘层；
12-栅极；13-层间绝缘层；14-源极；15-第一过孔；
16-第二过孔；17-第三过孔；18-第一平坦化层；19-白荧光层；
20-滤光层；21-彩色光阻；22-黑矩阵；23-第二平坦化层；
24-第一侧基板；25-第一金属层；26-第二侧基板；
27-第二金属层；28-有源材料层；29-波点材料结构层；
30-第一彩色光区；31-第二彩色光区；32-第三彩色光区。
具体实施方式
为提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率，本发明实施例提供了一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
如图7和图12所示，本发明实施例提供的显示基板，包括：基板1以及设置于基板1上的呈阵列排布的多个像素单元，其中：
像素单元包括沿远离基板1方向依次设置的发光二极管2、连接金属3以及薄膜晶体管5；
连接金属3与发光二极管2的顶电极4导电连接；
薄膜晶体管5的有源层6与连接金属3绝缘间隔，薄膜晶体管5的漏极7与连接金属3导电连接。
本技术方案的显示基板，由于其发光二极管2制作于基板1上，在制作显示基板的薄膜晶体管5时，将制作完薄膜晶体管5的有源层未图案化的基板与发光二极管2基板直接贴合，再将薄膜晶体管5制作于发光二极管2上，由于连接金属3与发光二极管2的顶电极4导电连接，薄膜晶体管5的漏极7与连接金属3导电连接，因此薄膜晶体管5的漏极7与发光二极管2的顶电极4导电连接。相比现有技术，本技术方案的显示基板在制作时，不需要将制作好的发光二极管2对位贴合于薄膜晶体管5。这样就可以避免对位精度的损失，从而可以将发光二极管2的尺寸做的更小，以制作出超高分辨率的显示装置。
如图7和图8所示，在本发明可选的实施例中，薄膜晶体管5的具体类型不限，例如可以为低温多晶硅薄膜晶体管。
可选的，低温多晶硅薄膜晶体管具体包括沿远离连接金属3方向依次设置的第一缓冲层8、低温多晶硅有源层9、第二缓冲层10、栅极绝缘层11、栅极12、层间绝缘层13、源极14和漏极7，其中：
源极14通过栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上的第一过孔15与低温多晶硅有源层9连接；漏极7通过栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上的第二过孔16与低温多晶硅有源层9连接，且漏极7通过栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上的第三过孔17与连接金属3导电连接。
如图13和图14所示，在本发明较佳的实施例中，低温多晶硅薄膜晶体管具体包括沿远离连接金属3方向依次设置的第一缓冲层8、低温多晶硅有源层9、栅极绝缘层11、漏极7、栅极12、层间绝缘层13和源极14，其中：
源极14通过栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上的第一过孔15与低温多晶硅有源层9连接；漏极7设置于低温多晶硅有源层9远离第一缓冲层8的一侧，且与连接金属3导电连接。
这样设置可以避免在栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上开设用于使漏极7与低温多晶硅有源层9连接的过孔，以及漏极7与连接金属3连接的过孔，从而可以降低基板的制作工艺难度，提高产品良率。
如图7所示，在本发明另一可选的实施例中，显示基板还包括沿远离薄膜晶体管5方向依次设置的第一平坦化层18、白荧光层19、滤光层20以及第二平坦化层23，滤光层20包括对应每个像素单元的彩色光阻21以及界定相邻彩色光阻21的黑矩阵22。
如图8所示，在本发明又一可选的实施例中，发光二极管2为蓝光发光二极管，显示基板还包括沿远离薄膜晶体管5方向依次设置的第一平坦化层18、量子点材料结构层29以及第二平坦化层23，量子点材料结构层包括对应每个像素单元的第一彩色光区30、第二彩色光区31以及第三彩色光区32，以及界定相邻第一彩色光区30、第二彩色光区31以及第三彩色光区32的黑矩阵22，第一彩色光区30设置有绿光量子点材料结构层，第二彩色光区31设置有红光量子点材料结构层。
基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如前任一项的显示基板。
本技术方案的显示装置的发光二极管的尺寸可以做的更小，产品良率以及显示装置的分辨率可以做的更高。
如图1至图15所示，基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
步骤001：如图1所示，在第一侧基板24之上依次形成发光二极管2和覆盖发光二极管2的第一金属层25；
步骤002：如图2所示，在第二侧基板26之上依次形成薄膜晶体管的有源材料层28和第二金属层27；
步骤003：如图3所示，将第一侧基板24上的第一金属层25与第二侧基板26上的第二金属层27相面对贴合联结；
步骤004：如图4和图8所示，将第二侧基板26与有源材料层28剥离；
步骤005：对贴合联结的第一金属层25和第二金属层27进行刻蚀，形成与发光二极管2的顶电极4导电连接的连接金属3的图案，其结构如图5和图9所示；
步骤006：在完成上述所有步骤的第一侧基板24上制作形成薄膜晶体管5，薄膜晶体管5的漏极7与连接金属3导电连接，如图6、图7、图10和图11所示。
采用本技术方案的显示基板的制作方法制作显示基板时，由于先在第一侧基板24上制作发光二极管2以及覆盖于发光二极管2上的第一金属层25，再在第二侧基板26上制作薄膜晶体管5的有源材料层28和第二金属层27，然后再将两个金属层相面对贴合，由于两个金属层均是整面制作于对应的基板上，因此在将两个金属层进行贴合时其对位难度较小，因此其对位精度要求较低。相比现有技术，采用本技术方案的方法制作显示基板时，不需要在制作显示装置的过程中将制作好的发光二极管2与薄膜晶体管5进行对位贴合，这样便可以避免进行发光二极管2与薄膜晶体管5的对位，从而对于发光二极管2的尺寸要求较低，进而提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率。
如图5和图6所示，在本发明一具体的实施例中，薄膜晶体管5为低温多晶硅薄膜晶体管，在第一侧基板24上制作形成薄膜晶体管5具体包括：
将有源材料层刻蚀形成与连接金属3绝缘间隔的有源层6；
在有源层6上形成栅极绝缘层11；
在栅极绝缘层11上形成栅极12图案；
在栅极12图案上形成层间绝缘层13；
在栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上形成用于源极14与有源层6导电连接的第一过孔15；
在栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上形成用于漏极7与有源层6导电连接的第二过孔16，并形成用于漏极7与连接金属3导电连接的第三过孔17；
在层间绝缘层13上形成源极14图案和漏极7图案；
如图10至图12所示，在本发明一可选的实施例中，薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，在第一侧基板24上制作形成薄膜晶体管具体包括：
将有源材料层刻蚀形成与连接金属3绝缘间隔的有源层6；
形成与有源层6以及连接金属3连接的漏极7图案；
在漏极7上形成栅极绝缘层11；
在栅极绝缘层11上形成栅极12图案；
在栅极12图案上形成层间绝缘层13；
在栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上形成用于源极14与有源层6导电连接的第一过孔15；
在层间绝缘层13上形成源极14图案。
采用上述方法可以避免在栅极绝缘层11以及层间绝缘层13上开设用于使漏极7与低温多晶硅有源层9连接的过孔，以及漏极7与连接金属3连接的过孔，从而可以降低基板的制作工艺难度，提高产品良率。
如图7和图13所示，在本发明一可选的实施例中，所述方法还包括：
在层间绝缘层13上形成第一平坦化层18；
在第一平坦化层18上形成白荧光层19；
在白荧光层19上形成滤光层20，滤光层20包括对应每个像素单元的彩色光阻21以及界定相邻彩色光阻21的黑矩阵22；
在滤光层20上形成第二平坦化层23。
如图8和图14所示，在本发明另一可选的实施例中，发光二极管2为蓝光发光二极管，所述方法还包括：
在层间绝缘层13上形成第一平坦化层18；
在第一平坦化层18上形成量子点材料结构层29，量子点材料结构层29包括对应每个像素单元的第一彩色光区30、第二彩色光区31以及第三彩色光区32，以及界定相邻第一彩色光区30、第二彩色光区31以及第三彩色光区32的黑矩阵22，第一彩色光区30设置有绿光量子点材料结构层，第二彩色光区31设置有红光量子点材料结构层；
在量子点材料结构层29上形成第二平坦化层23。
显示装置的具体类型不限，例如可以为VR设备、AR设备、手机、笔记本电脑、电子书以及平板电脑等等。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括：基板以及设置于所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元，其中：
所述像素单元包括沿远离所述基板方向依次设置的发光二极管、连接金属以及薄膜晶体管；
所述连接金属与所述发光二极管的顶电极导电连接；
所述薄膜晶体管的有源层与所述连接金属绝缘间隔，所述薄膜晶体管的漏极与所述连接金属导电连接；
所述制作方法包括：
在第一侧基板之上依次形成发光二极管和覆盖发光二极管的第一金属层；
在第二侧基板之上依次形成薄膜晶体管的有源材料层和第二金属层；
将第一侧基板上的第一金属层与第二侧基板上的第二金属层相面对贴合联结；
将第二侧基板与有源材料层剥离；
对贴合联结的第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成与所述发光二极管的顶电极导电连接的连接金属的图案；
在完成上述所有步骤的第一侧基板上制作形成薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括：
沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、第二缓冲层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中：
所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接；所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第二过孔与所述低温多晶硅有源层连接，且所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第三过孔与所述连接金属导电连接。
4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括：
沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、栅极绝缘层、漏极、栅极、层间绝缘层和源极，其中：
所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接；所述漏极设置于所述低温多晶硅有源层远离所述第一缓冲层的一侧，且与所述连接金属导电连接。
5.如权利要求1～4任一项所述的制作方法，其特征在于，
所述显示基板还包括沿远离所述薄膜晶体管方向依次设置的第一平坦化层、白荧光层、滤光层以及第二平坦化层，所述滤光层包括对应每个所述像素单元的彩色光阻以及界定相邻所述彩色光阻的黑矩阵。
6.如权利要求1～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述发光二极管为蓝光发光二极管；
所述显示基板还包括沿远离所述薄膜晶体管方向依次设置的第一平坦化层、量子点材料结构层以及第二平坦化层，所述量子点材料结构层包括对应每个所述像素单元的第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区，以及界定相邻所述第一彩色光区、所述第二彩色光区以及所述第三彩色光区的黑矩阵，所述第一彩色光区设置有绿光量子点材料结构层，所述第二彩色光区设置有红光量子点材料结构层。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，在第一侧基板上制作形成薄膜晶体管具体包括：
将有源材料层刻蚀形成与连接金属绝缘间隔的有源层；
在有源层上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成栅极图案；
在所述栅极图案上形成层间绝缘层；
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于源极与有源层导电连接的第一过孔；
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于漏极与有源层导电连接的第二过孔，并形成用于漏极与连接金属导电连接的第三过孔；
在层间绝缘层上形成源极图案和漏极图案。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管在第一侧基板上制作形成薄膜晶体管具体包括：
将有源材料层刻蚀形成与连接金属绝缘间隔的有源层；
形成与有源层以及连接金属连接的漏极图案；
在漏极上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成栅极图案；
在栅极图案上形成层间绝缘层；
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于源极与有源层导电连接的第一过孔；
在层间绝缘层上形成源极图案。
9.如权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在层间绝缘层上形成第一平坦化层；
在第一平坦化层上形成白荧光层；
在白荧光层上形成滤光层，滤光层包括对应每个像素单元的彩色光阻以及界定相邻彩色光阻的黑矩阵；
在滤光层上形成第二平坦化层。
10.如权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，发光二极管为蓝光发光二极管，所述方法还包括：
在层间绝缘层上形成第一平坦化层；
在第一平坦化层上形成量子点材料结构层，量子点材料结构层包括对应每个像素单元的第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区，以及界定相邻第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区的黑矩阵，第一彩色光区设置有绿光量子点材料结构层，第二彩色光区设置有红光量子点材料结构层；
在量子点材料结构层上形成第二平坦化层。
CN201810510492.7A 2018-05-24 2018-05-24 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法 Active CN108493209B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810510492.7A CN108493209B (zh) 2018-05-24 2018-05-24 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法
US16/647,940 US11575067B2 (en) 2018-05-24 2019-05-13 Display substrate, display apparatus, and manufacturing method for display substrate
PCT/CN2019/086683 WO2019223567A1 (zh) 2018-05-24 2019-05-13 显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810510492.7A CN108493209B (zh) 2018-05-24 2018-05-24 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108493209A CN108493209A (zh) 2018-09-04
CN108493209B true CN108493209B (zh) 2020-06-23

Family

ID=63351691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810510492.7A Active CN108493209B (zh) 2018-05-24 2018-05-24 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11575067B2 (zh)
CN (1) CN108493209B (zh)
WO (1) WO2019223567A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108493209B (zh) 2018-05-24 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法
TWI706397B (zh) * 2018-10-12 2020-10-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其之形成方法
CN109360493A (zh) * 2018-11-21 2019-02-19 厦门天马微电子有限公司 一种背光模组、显示面板及电子设备
CN110993761A (zh) * 2019-11-11 2020-04-10 潘小和 有源矩阵彩色显示器件
CN111863729A (zh) * 2020-06-29 2020-10-30 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 垂直结构微型发光二极管显示面板及其制造方法
CN111933036B (zh) * 2020-08-31 2022-10-21 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112271197B (zh) * 2020-10-23 2024-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN114495734A (zh) * 2020-10-27 2022-05-13 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示装置
CN112993139B (zh) * 2020-11-10 2022-09-27 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN112447786B (zh) * 2020-11-23 2022-09-30 厦门天马微电子有限公司 发光二极管显示面板及其制作方法、发光二极管显示装置
CN112838079B (zh) * 2020-12-31 2022-06-10 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示模组及其制作方法
CN113054051A (zh) * 2021-03-09 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 检测器件及其制备方法、光电传感器和显示装置
CN113270440B (zh) * 2021-05-19 2022-02-25 福建兆元光电有限公司 一种集成式Micro LED芯片及其制造方法
WO2023019520A1 (zh) * 2021-08-19 2023-02-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板及其制造方法
TWI778790B (zh) * 2021-09-15 2022-09-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN114023850B (zh) * 2021-10-27 2023-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN114203733B (zh) * 2021-12-10 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN115425120B (zh) * 2022-08-09 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示面板的制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1760798B1 (en) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010537408A (ja) * 2007-08-14 2010-12-02 ナイテック インコーポレイテッド マイクロピクセル紫外発光ダイオード
JP5416790B2 (ja) 2010-01-22 2014-02-12 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101476207B1 (ko) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN103855179A (zh) * 2012-12-03 2014-06-11 孙润光 一种无机发光二极管显示器件结构
KR102079253B1 (ko) * 2013-06-26 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판, 이를 구비하는 유기 발광 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 장치 제조방법
JP2016025147A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 ソニー株式会社 電子デバイスおよびその製造方法、並びに電子機器
CN105637641B (zh) * 2014-07-30 2018-08-28 孙润光 一种红色无机发光二极管显示器件及其制作方法
US10134330B2 (en) * 2015-03-17 2018-11-20 Kunshan Yunyinggu Electronic Technology Co., Ltd. Subpixel arrangement for displays and driving circuit thereof
KR20180022683A (ko) * 2015-07-23 2018-03-06 서울반도체 주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
US10068888B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-04 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Making semiconductor devices with alignment bonding and substrate removal
WO2019111763A1 (ja) * 2017-12-04 2019-06-13 富士フイルム株式会社 ルーバーフィルム、面光源装置および液晶表示装置
CN108493209B (zh) * 2018-05-24 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法
CN116759429A (zh) * 2018-09-05 2023-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019223567A1 (zh) 2019-11-28
US11575067B2 (en) 2023-02-07
US20200274023A1 (en) 2020-08-27
CN108493209A (zh) 2018-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108493209B (zh) 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法
US11552124B2 (en) Manufacturing method of display apparatus
CN108987425B (zh) 微led显示器及其制造方法
EP3114899B1 (en) Method of fabricating a display device using semiconductor light emitting device
US9391051B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US9206967B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR20200002733A (ko) 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102227086B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN107240356B (zh) 全彩led显示单元及其制备方法
KR20160087264A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
WO2021035545A1 (zh) 显示基板、显示面板及显示基板的制备方法
CN109148545B (zh) 一种显示面板和显示装置
WO2023010603A1 (zh) 显示面板及电子设备
CN113380929A (zh) 显示面板制造方法、显示面板及显示设备
US10930202B2 (en) Display apparatus
CN114300497A (zh) 微型发光显示装置和制造其的方法
KR20200026776A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200019501A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20200005096A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200006843A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US11404515B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN116097440A (zh) 一种发光面板及其制备方法、电子设备
KR20200026773A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US20240266329A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor
EP4391063A1 (en) Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant