KR20200005096A - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명은 기판, 상기 기판상에 배치되는 배선 전극, 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되고, 전도성 입자와 절연 물질의 혼합물로 이루어지는 이방성 전도층, 상기 배선 전극과 상기 반도체 발광소자가 소정 거리 이격되도록, 상기 반도체 발광소자의 하측면에 배치되며, 적어도 하나의 홀을 구비하는 완충부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 홀 내부에는 상기 전도성 입자와 상기 절연 물질의 혼합물이 배치되고, 상기 배선 전극은 상기 홀 내부에 배치된 전도성 입자를 통해 상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING}
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
상기 반도체 발광소자는 다양한 방식으로 기판 상에 전사된다. 반도체 발광소자의 전사 방식 중 하나로 이방성 전도층을 이용한 전사 방식이 활용되고 있다. 이방성 전도층을 활용하면 열압착만으로 반도체 발광소자와 배선 전극을 전기적으로 연결할 수 있다는 장점은 있지만, 배선 기판의 면적이 커질 경우, 반도체 발광소자와 배선 전극 간 접촉 불량이 발생한다는 문제가 있다.
본 발명의 일 목적은 이방성 전도층을 이용하여 반도체 발광소자를 배선 전극에 압착시킬 때 반도체 발광소자와 배선 전극 간에 접촉 불량이 발생하는 것을 방지하기 위한 구조 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판, 상기 기판상에 배치되는 배선 전극, 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되고, 전도성 입자와 절연 물질의 혼합물로 이루어지는 이방성 전도층, 상기 배선 전극과 상기 반도체 발광소자가 소정 거리 이격되도록, 상기 반도체 발광소자의 하측면에 배치되며, 적어도 하나의 홀을 구비하는 완충부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 홀 내부에는 상기 전도성 입자와 상기 절연 물질의 혼합물이 배치되고, 상기 배선 전극은 상기 홀 내부에 배치된 전도성 입자를 통해 상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 적어도 하나의 홀은 상기 반도체 발광소자의 하측면과 오버랩되도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 완충부는 일단에서 상기 반도체 발광소자의 두께 방향으로 연장되며, 상기 반도체 발광소자의 측면에 배치되는 돌출부를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 돌출부는 광투과성 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 돌출부는 백색 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 배선 전극은 서로 나란하게 배치되는 복수의 라인전극으로 이루어지고, 상기 완충부는 상기 라인 전극들 각각을 따라 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 반도체 발광소자를 배선 기판 상에 열압착시킬 때, 완충부에 형성된 홀에 전도성 입자가 가두어지기 때문에, 전도성 입자가 반도체 발광소자와 배선 전극 사이에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해, 본 발명은 반도체 발광소자와 배선 전극 간에 접촉 불량이 발생되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에 따르면, 반도체 발광소자를 배선 기판 상에 열압착 시킬 때, 완충부가 반도체 발광소자와 배선 전극 간의 거리를 일정하게 유지시키기 때문에, 배선 기판이 넓어지더라도 반도체 발광소자들 각각에 균일한 압력이 가해지도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10 및 11은 도 6에서 설명한 열 압착 시 발생되는 문제점을 나타내는 개념도이다.
도 12는 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 개념도이다.
도 13은 본 발명에 포함된 완충부의 기능을 나타내는 개념도이다.
도 14a 및 14b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치에 포함된 완충부의 변형실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 15는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A 부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분과 전도성을 가지지 않는 부분으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 이방성 전도성 필름(ACF)가 활용된다. 이방성 전도성 필름(이하, 이방성 전도층)은 도전볼(이하, 전도성 입자)과 절연 물질의 혼합물로 이루어진다. 도 6에서 설명한 바와 같이, 이방성 전도층이 도포된 배선 기판에 반도체 발광소자가 형성된 기판을 열 압착하면, 전도성 입자에 의해 배선 전극과 반도체 발광소자가 전기적으로 연결된다.
열 압착시 상기 전도성 입자는 반도체 발광소자 및 배선 전극 사이에서 압착되어 반도체 발광소자와 배선 전극을 전기적으로 연결한다. 반도체 발광소자 및 배선 전극이 전기적으로 연결되기 위해서는 전도성 입자에 일정 수준 이상의 압력이 가해져야 한다.
도 10을 참조하면, 열 압착 시, 이방성 전도층(330)의 유동성으로 인하여, 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320) 간의 접촉 불량이 발생될 수 있다. 구체적으로, 열 압착 시 전도성 입자(331)는 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320) 사이에 위치해야 하는데, 외부 압력으로 인하여 전도성 입자(331)가 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320) 사이에 머물지 않고 움직일 수 있다. 이러한 경우, 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320)은 불완전하게 전기적으로 연결된다.
한편, 도 11을 참조하면, 배선 기판(310)의 면적이 넓어질수록, 열 압착 시 배선 기판(110)의 각 영역에 가해지는 압력이 불균일해진다. 구체적으로, 배선 기판의 면적이 넓은 경우, 배선 기판의 테두리 영역에는 상대적으로 높은 압력이 가해지고, 배선 기판의 중앙 영역에는 상대적으로 낮은 압력이 가해진다. 이로 인하여, 배선기판의 테두리 영역에서는 전도성 입자가 온전히 배선 전극 및 반도체 발광소자에 압착되지만, 배선기판의 중앙 영역에서는 전도성 입자에 충분한 압력이 가해지지 않아 배선 전극 및 반도체 발광소자 간 접촉 불량이 발생된다.
본 발명은 상술한 열 압착 시 전도성 입자가 반도체 발광소자 및 배선 전극 사이에서 이탈되는 것을 방지하고, 배선 기판 전체에 균일한 압력이 가해지도록 하는 구조 및 제조 방법을 제공한다.
먼저, 본 발명에 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.
도 12는 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 개념도이고, 도 13은 본 발명에 포함된 완충부의 기능을 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 기판(310), 배선 전극(320), 복수의 반도체 발광소자들(350), 이방성 전도층(330) 및 완충부(380)를 포함한다. 이하, 상술한 구성요소들 각각에 대하여 설명하고, 상기 구성요소들의 결합관계에 대하여 설명한다.
기판에(310) 대한 설명은 도 1 내지 9에 대한 설명으로 갈음한다.
한편, 도 1 내지 9에서는 다양한 위치에 배치되는 배선 전극들에 대하여 설명하였으나, 후술할 배선 전극은 이방성 전도층에 의해 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 배선 전극을 의미한다. 상기 배선 전극은 플립 칩 타입의 반도체 발광소자를 위한 전극으로 구성되거나, 상술한 수직형 반도체 발광소자를 위한 전극으로 구성될 수 있다.
한편, 상기 배선 전극(310)은 복수의 라인 전극들로 이루어질 수 있는데, 상기 라인 전극들은 소정 간격을 두고 나란하게 배치될 수 있다. 상기 라인 전극들 각각에는 적어도 하나의 반도체 발광소자가 전기적으로 연결된다.
한편, 이방성 전도층(330)은 전도성 입자 및 절연 물질의 혼합물로 이루어진다. 이방성 전도층(330)은 상기 기판의 전체 영역 중 반도체 발광소자(350)들이 배치된 영역을 제외한 영역에 배치된다. 이방성 전도층(330)의 일부는 상기 배선 전극(310)과 오버랩되거나, 반도체 발광소자(350)들 사이에 배치된다.
한편, 상기 완충부(380)는 상기 반도체 발광소자(350)의 하측면에 배치된다. 상기 완충부(380)가 상기 반도체 발광소자(350)의 하측면 전체를 덮지 않도록, 상기 완충부(380)에는 적어도 하나의 홀(382)이 배치된다. 상기 홀(382)은 반도체 발광소자(350) 하측면의 일부를 외부로 노출시켜 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320)이 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
상기 완충부(380)는 상술한 열 압착시 이방성 전도층(330)에 포함된 일부 전도성 입자를 반도체 발광소자(350)와 배선 전극 사이에 가두어 두는 역할을 한다. 구체적으로, 열 압착 시 상기 완충부(380)는 반도체 발광소자(350)보다 먼저 이방성 전도층(330)을 가압하게 되는데, 이때 이방성 전도층(330)을 이루는 물질의 일부가 상기 완충부(380)에 구비된 홀(382) 내부로 유입된다. 이러한 과정에서 상기 홀(382) 내부로 유입된 전도성 입자는 압착되어 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320)을 전기적으로 연결한다.
상기 전도성 입자는 홀(382)에 의해 가두어지기 때문에, 상기 홀(382)의 위치에 따라 전도성 입자의 밀도가 달라질 수 있다. 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320)가 접촉 불량을 없애기 위해서, 상기 홀(382)은 상기 배선 전극(320)과 오버랩되도록 배치되어야 한다.
한편, 상기 완충부(380)는 일단에서 상기 반도체 발광소자(350)의 두께 방향으로 연장되며, 상기 반도체 발광소자(350)의 측면에 배치되는 돌출부(381)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부(381)를 반사율이 높은 소재로 구성할 경우, 반도체 발광소자(350)의 측면으로 진행하는 빛을 반사시켜 광추출 효율을 높일 수 있게 된다. 일 실시 예에 있어서, 상기 돌출부(381)는 백색 물질로 이루어질 수 있다.
이와 달리, 상기 돌출부(381)는 광투과성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 돌출부(381)를 이루는 물질의 굴절률이 상기 반도체 발광소자의 굴절률과 크게 차이나도록 함으로써, 반도체 발광소자 측면에서의 전반사를 유도할 수 있다.
한편, 상기 완충부(380)는 상술한 열 압착 시 배선 기판 전체에 압력이 균일하게 인가되도록 한다. 이를 위해, 상기 완충부(380)는 상술한 열 압착 시 이방성 전도층이 완충부(380) 사이로 유동 되도록 한다.
구체적으로, 상기 완충부(380)는 복수 개로 이루어지며, 소정 간격을 두고 배치될 수 있다. 상술한 열 압착 시 완충부(380) 사이에 형성된 공간으로 이방성 전도층(330)이 유동될 수 있다. 도 13과 같이 이방성 전도층(330)이 다소 불균일하게 형성되었다 하더라도, 본 발명은 열 압착 시 이방성 전도층(330)이 완충부(380) 사이로 유동하도록 함으로써, 배선 전극(320)과 반도체 발광소자(350) 간에 불균일한 접촉이 발생되는 것을 방지한다.
한편, 상기 완충부(380)는 상술한 열 압착 시 배선 전극(320)과 상기 반도체 발광소자(350)가 소정 거리까지만 근접하도록 한다. 즉, 상기 완충부(380)는 외부 압력에 의해 배선 전극(320)과 상기 반도체 발광소자(350)가 소정 거리 이내로 가까워지는 것을 방지한다. 이를 통해, 배선 기판의 면적이 넓어지더라도, 배선 기판 전 영역에서 반도체 발광소자와 배선 전극 간 거리가 균일해지도록 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에 포함된 완충부는 열 압착 시 전도성 입자가 정해진 위치에서 이탈하지 않도록 함과 동시에, 배선 기판의 면적이 넓어지더라도 기판 전체에 균일한 압력이 가해지도록 한다.
한편, 상기 완충부는 다양한 형태로 이루어질 수 있다.
도 14a 및 14b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치에 포함된 완충부의 변형실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 14a 및 14b는 완충부 및 배선 전극 각각의 형태와 상대적 위치를 나타내는 개념도이다.
도 14a와 같이, 배선 전극은 서로 나란하게 배치된 라인전극(321)들로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 완충부(380)는 복수 개로 이루어지며, 각각의 라인 전극(321)을 따라 배치될 수 있다. 상기 완충부(380)에 구비된 적어도 하나의 홀(382)은 배선 전극을 외부로 노출시켜 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 한다.
한편, 도 14b와 같이, 하나의 라인 전극(321)에 복수의 완충부(380')가 배치될 수 있다. 상기 완충부(380')의 개수는 반도체 발광소자(350)와 동일한 수로 이루어질 수 있다.
이하, 상기 완충부를 활용한 디스플레이 장치의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 15는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 개념도이다.
도면을 참조하면, 전사 기판(W)에 복수의 반도체 발광소자를 형성하는 단계가 진행된다. 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자(350)를 곧바로 배선 기판에 전사하는 경우, 상기 웨이퍼 자체가 전사 기판이 될 수 있다. 이와 달리, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자를 1차적으로 중간 기판에 전사한 후 배선 기판으로 전사하는 경우, 상기 중간 기판이 전사 기판이 된다.
이후, 상기 반도체 발광소자들을 덮는 완충부(380)를 형성하는 단계가 진행된다. 이때, 상기 반도체 발광소자(350)들 각각의 일부분이 외부로 노출되도록, 상기 완충부(380)는 적어도 하나의 홀(382)을 구비한다.
상기 홀(382)은 반도체 발광소자(350)의 도전형 전극이 형성되는 영역에 형성되어야 한다. 상기 도전형 전극이 배선 전극(320)과 전기적으로 연결되기 위해서는 상기 도전형 전극이 외부로 노출되어야 한다.
다음으로, 상기 전사 기판(W)과는 다른 기판 상에 배선 전극(320)을 형성하고, 배선 전극(320)이 형성된 기판 상에 이방성 전도층(330)을 형성하는 단계가 진행된다.
마지막으로, 상기 전사 기판(W)을 상기 기판(310)에 압착시키는 단계가 진행된다. 이때, 전사 기판(W)에 형성된 완충부(380)가 이방성 전도층(330)을 가압하고, 상기 홀(382) 내부로 이방성 전도층(330)을 이루는 물질이 유입된다. 상기 홀(382) 내부로 유입된 전도성 입자는 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320) 사이에서 압착된다. 상기 완충부(380)는 열 압착시 일정 수 이상의 전도성 입자가 반도체 발광소자(350)와 배선 전극(320) 사이에 배치되도록 한다.
상기 기판(310) 상에 형성된 배선 전극(320)은 소정 간격을 두고 나란하게 배치되는 복수의 라인 전극을 포함할 수 있는데, 열 압착 후 상기 완충부(380)가 상기 복수의 라인 전극과 오버랩될 수 있도록, 상기 완충부(380)는 소정 간격을 두고 나란하게 배치된다.
상기 완충부(380)를 라인 전극들 간의 간격과 동일한 간격으로 배치한 후, 열 압착을 하는 경우, 완충부(380) 사이의 공간으로 이방성 전도층(330)을 이루는 물질이 유동될 수 있다. 상기 완충부(380) 사이의 공간은 이방성 전도층(330)이 흐를 수 있는 채널 역할을 하기 때문에, 배선 기판(310) 상에 이방성 전도층(330)이 불균일한 두께로 형성되었다 하더라도, 열 압착 시 배선 기판(310)에 균일한 압력이 가해질 수 있도록 한다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판상에 배치되는 배선 전극;
    상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들;
    상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되고, 전도성 입자와 절연 물질의 혼합물로 이루어지는 이방성 전도층;
    상기 배선 전극과 상기 반도체 발광소자가 소정 거리 이격되도록, 상기 반도체 발광소자의 하측면에 배치되며, 적어도 하나의 홀을 구비하는 완충부를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 홀 내부에는 상기 전도성 입자와 상기 절연 물질의 혼합물이 배치되고,
    상기 배선 전극은,
    상기 홀 내부에 배치된 전도성 입자를 통해 상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 홀은 상기 반도체 발광소자의 하측면과 오버랩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 완충부는,
    일단에서 상기 반도체 발광소자의 두께 방향으로 연장되며, 상기 반도체 발광소자의 측면에 배치되는 돌출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 돌출부는 광투과성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 돌출부는 백색 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 배선 전극은 서로 나란하게 배치되는 복수의 라인전극으로 이루어지고,
    상기 완충부는 상기 라인 전극들 각각을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 배선 전극이 형성된 기판에 복수의 반도체 발광소자를 전사하여 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    전사 기판에 복수의 반도체 발광소자들을 형성하는 단계;
    상기 반도체 발광소자들 각각의 일부분이 외부로 노출되도록, 상기 반도체 발광소자들 상에 적어도 하나의 홀을 구비하는 완충부를 형성하는 단계;
    상기 배선 전극이 형성된 기판상에 전도성 입자와 절연 물질의 혼합물로 이루어지는 이방성 전도층을 형성하는 단계;
    상기 전사 기판을 상기 기판에 압착시키는 단계를 포함하고,
    상기 배선 전극은 상기 홀 내부에 배치된 전도성 입자를 통해 상기 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 배선 전극은 복수의 라인 전극들을 포함하고,
    상기 완충부는 상기 복수의 라인 전극들 각각을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 완충부는 복수 개로 이루어지고,
    상기 전사 기판을 상기 기판에 압착시키는 단계에서,
    상기 복수의 완충부 사이로 상기 이방성 전도층이 유동되도록, 상기 복수의 완충부는 소정 간격을 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 전사 기판을 상기 기판에 압착시키는 단계는,
    상기 완충부가 상기 배선 전극에 접할 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
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