TWI706397B - 顯示裝置及其之形成方法 - Google Patents

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Abstract

顯示裝置包括基板、第一遮蔽層、第一絕緣層、微型發光元件、第二絕緣層及微型控制晶片。基板具有外表面及相對之內表面。外表面作為觀看面。第一遮蔽層位於基板上且具有開口。第一絕緣層位於第一遮蔽層上。微型發光元件位於第一絕緣層上，開口對應於微型發光元件。微型發光元件包含第一接點、發光層與第二接點。第二絕緣層位於微型發光元件與第一絕緣層之上且覆蓋微型發光元件。微型控制晶片位於第二絕緣層上。微型控制晶片具有第一接墊分別對應於微型發光元件之第一接點與第二接點的其中一者，以分別電性連接於對應之微型發光元件。

Description

顯示裝置及其之形成方法
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有微型發光元件的顯示裝置。
近年來，人們對於顯示裝置的需求隨之增加，對於顯示裝置的研究亦日趨進步。儘管目前在顯示裝置的領域上已有許多發展，在各式各樣的顯示裝置中仍然存在許多不同的問題，尚待進一步克服。
本揭露係有關於一種包括至少一微型控制晶片及多個微型發光元件的顯示裝置，可提供微型控制晶片與微型發光元件之間之可較準確的對位及可有較佳的連接效果，產品的良率可較為優異，且微型控制晶片的維修亦可更為便捷。
根據本揭露之一方面，提出一種顯示裝置。顯示裝置包括一基板、一第一遮蔽層、一第一絕緣層、多個微型發光元件、第二絕緣層、以及至少一微型控制晶片。基板具有一外表面及相對於外表 面之一內表面，其中外表面作為一觀看面。第一遮蔽層位於基板上，且具有多個開口。第一絕緣層位於第一遮蔽層上。多個微型發光元件位於第一絕緣層上，其中各個開口對應於至少一個這些微型發光元件，且各個微型發光元件包含一第一接點、一發光層與一第二接點。第二絕緣層位於微型發光元件與第一絕緣層之上且覆蓋微型發光元件。微型控制晶片位於第二絕緣層上，且微型控制晶片具有多個第一接墊分別對應於微型發光元件之第一接點與第二接點的其中一者，以分別電性連接於對應之微型發光元件。
根據本揭露之又一方面，提出一種顯示裝置之製造方法。製造方法包括下列步驟。形成一基板，基板具有一外表面及相對於外表面之一內表面，其中外表面作為一觀看面。形成一第一遮蔽層於基板上，以具有多個開口。形成一第一絕緣層於第一遮蔽層上。形成多個微型發光元件於第一絕緣層上，其中各個開口對應於至少一個微型發光元件，且各個微型發光元件包含一第一接點、一發光層與一第二接點。形成一第二絕緣層於第一絕緣層與微型發光元件之上且覆蓋微型發光元件。形成至少一微型控制晶片於第二絕緣層上，其中微型控制晶片具有多個第一接墊分別對應於微型發光元件之第一接點與第二接點的其中一者，以分別電性連接於對應之微型發光元件。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
10、20:顯示裝置
100:基板
100a:外表面
100b:內表面
112:第一遮蔽層
112a:開口
114:波長轉換層
120:第一絕緣層
122:覆蓋層
124:平坦層
130:微型發光元件
132:第一電極
133:發光層
134:第二電極
140、240:第二遮蔽層
140a、150a:孔洞
148、248:第一導電連接結構
149:第二導電連接結構
150:第二絕緣層
160、260:微型控制晶片
160a、260a:第一表面
160b、260b:第二表面
162、262:第一接墊
164、264:第二接墊
170:保護層
180:散熱層
190:像素電路
191、193、195:端點
242:下層
244:上層
260c:側表面
1321:第一接點
1341:第二接點
1481、2481:第一部分
1482、2482:第二部分
C:電容
D:汲極
D1、D2:距離
G:閘極
S:源極
T1、T2:電晶體
第1A圖繪示依照本揭露之一實施例之顯示裝置的上視圖。
第1B圖繪示第1A圖之A-A連線的剖面圖。
第2~14圖繪示依照本揭露之一實施例之顯示裝置的製造流程圖。
第15A圖繪示依照本揭露之又一實施例之顯示裝置的上視圖。
第15B圖繪示第15A圖之A-A連線的剖面圖。
第16~20圖繪示依照本揭露之又一實施例之顯示裝置的製造流程圖。
第21圖繪示依照本揭露之一實施例的等電路圖。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電性連接。再者，”電性連接”或”耦合”係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的”約”、”近似”、或”實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(例如：測量系統及/或製程系統的限制)。例如，”約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的“約”、” 近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
第1A圖繪示依照本揭露之一實施例之顯示裝置10的上視圖。第1B圖繪示第1A圖之A-A連線的剖面圖。第1A圖繪示X軸方向與Y軸方向所形成的平面。第1B圖繪示Z軸方向與Y軸方向所形成的平面。X軸方向、Y軸方向與Z軸方向之間是實質上互相垂直。
請同時參照第1A及1B圖，顯示裝置10包括一基板100，一第一遮蔽層112，一第一絕緣層120，多個微型發光元件130， 一第二絕緣層150，以及至少一微型控制晶片160。基板100具有一外表面100a及相對於外表面100a之一內表面100b，其中外表面100a作為一觀看面。換言之，微型發光元件130之光線離開顯示裝置10之表面為基板100之外表面100a。第一遮蔽層112位於基板100(例如：基板100之內表面100b)上，且具有複數個開口112a。第一絕緣層120位於第一遮蔽層112上。微型發光元件130位於第一絕緣層120上。各個開口112a對應於至少一個微型發光元件130。在本實施例中，其中一個開口112a係對應於一個微型發光元件130，但不限於此。在其他實施例中，其中一個開口112a中可對應於多個微型發光元件130。第一遮蔽層112可讓微型發光元件130之光線大部份經由開口112a離開基板100之內表面100b，而可提供較為準直的光線，且較為不易產生混光現象。第一遮蔽層112可為單層或多層結構，且其材料包含不透明材料，例如：金屬、合金、有色光阻(例如：黑色光阻、多色光阻堆疊、灰色光阻、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。若第一遮蔽層112包含透明或半透明材料(如前述之材料)，則不透明材料與透明或半透明材料重疊。
各個微型發光元件130可包含一第一接點1321、一發光層133與一第二接點1341。在一實施例中，微型發光元件130可包括第一型半導體層1322(例如是P型)及第二型半導體層1342(例如是N型)，可簡稱為P-N二極體，但不限於此。發光層133設置於第一型半導體層1322與第二型半導體層1342之間，但不限於此。於一實施例中，微型發光元件130之結構也可簡稱為P-I-N二極體、或其它合適的 結構。於部份實施例中，微型發光元件130的第一接點1321與第二接點1341可分別透過第一電極132及第二電極134電性連接於第一型半導體層1322與第二型半導體層1342，且可與後續描述中之微型控制晶片160或其他元件電性連接。微型發光元件130可例如是有機發光元件或無機發光元件，較佳地，可為無機發光元件，但不限於此。微型發光元件130之半導體材料或相應的材料可為有機材料(例如：有機高分子材料、有機小分子材料、有機配合物材料、或其它合適的材料、或前述材料之組合)、無機材料(例如：鈣鈦礦材料、稀土離子材料、稀土螢光材料、或其它合適的材料、或前述材料之組合)、或其它合適的材料、或前述材料之組合。微型發光元件130之結構可以是垂直式微型發光元件、水平式微型發光元件或者是覆晶式微型發光元件。在垂直式微型發光元件中，微型發光元件130的第一接點1321與第二接點1341是形成且對應於發光層133的不同面(例如：發光層133之上下面)。在水平式微型發光元件中，微型發光元件130的第一接點1321與第二接點1341是形成且對應於發光層133的相同面，且微型發光元件130的第一接點1321與第二接點1341皆位於發光層133遠離基板100內表面100b的表面上。在覆晶式微型發光元件中，微型發光元件130的第一接點1321與第二接點1341是形成於發光層133的相同面，且微型發光元件130的第一接點1321與第二接點1341皆位於發光層133靠近基板100內表面100b的表面上。
第二絕緣層150可位於微型發光元件130與第一絕緣層120之上且覆蓋微型發光元件130。於本實施例中，第一絕緣層120與 第二絕緣層150其中至少一者可為單層或多層結構，且其材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料、或前述之組合)、有機材料(例如：光阻、聚醯亞胺、壓克力、環氧樹脂、或其它合適的材料、或前述之組合)、黏著材料(具有黏著性之有機材料，例如：酚酫樹脂、酫類樹脂、乳膠、乙烯類樹脂、水膠、壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、感壓膠、或其它合適的材料、或前述之組合)、或其它合適的材料、或前述之組合。當微型發光元件130為水平式微型發光元件或者是覆晶式微型發光元件時，較佳地，與微型發光元件130接觸之第一絕緣層120表面膜層可為黏著材料，可使得微型發光元件130較為黏著於基板100上，而第二絕緣層150可任意選用前述之材料。當微型發光元件130為垂直式微型發光元件時，與微型發光元件130接觸之第一絕緣層120表面膜層可為有機材料、或無機材料、或其它合適的材料，而第二絕緣層150可任意選用前述之材料。於一實施例中，第一絕緣層120可包括覆蓋層122及平坦層124，但不限於此。覆蓋層122及平坦層124之材料可選用前述之材料，且若依前述之用途，平坦層124之材料，較佳地，可為有機材料及/或黏著材料，但不限於此。
微型控制晶片160可位於第二絕緣層150上，且微型控制晶片160具有多個第一接墊162。第一接墊162分別對應於微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341的其中一者，以分別電性連接於對應之微型發光元件130。在一實施例中，微型控制晶片160可控制4~8個微型發光元件130，但不限於此。較佳地，與微型控制晶片160 接觸之第二絕緣層150表面膜層可為黏著材料，可使得微型控制晶片160較為黏著於基板100上，但不限於此。本實施例，以一個微型控制晶片160為範例，但不限於此。於其它實施例中，當有二個或以上的微型控制晶片160。不論，一個或以上的微型控制晶片160，每個微型控制晶片160除了第一接墊162之外，也可包含其他接墊(例如是第二接墊164，可包括功能相同或不同的第二接墊164a及164b)。第二接墊164可用於連接不同於第一接墊162所連接的訊號，亦可與其他的微型控制晶片160串聯，或還具有其他功用。舉例而言，當有二個相鄰的微型控制晶片160串聯時，可透過二個相鄰的微型控制晶片160之其中一個微型控制晶片160之第二接墊164a傳遞相關訊號，經過二個相鄰的微型控制晶片160之其中一個微型控制晶片160之第二接墊164b與二個相鄰的微型控制晶片160之另一個微型控制晶片160之第二接墊164a，至二個相鄰的微型控制晶片160之另一個微型控制晶片160。微型發光元件130與微型控制晶片160其中至少一者之尺寸為微米等級，例如尺寸小於約100微米，較佳地，小於約50微米，且大於0微米，但不限於此。
於一實施例中，微型控制晶片160可具有第一表面160a及相對於第一表面160a的第二表面160b，其中第一表面160a相較於第二表面160b較遠離於基板100。從另一方面觀之，在垂直投影於基板100之內表面100b上，多個微型發光元件130之其中至少一個微型發光元件130與內表面100b之間具有一第一距離D1，且至少一微型控制晶片160與內表面100b之間具有一第二距離D2，其中第一距離D1小於第 二距離D2。此外，於部份實施例中，在垂直投影於基板100的內表面100b上，多個微型發光元件130的其中至少一個微型發光元件130可與微型控制晶片160部分重疊。
因此，相較於微型控制晶片160是設置於微型發光元件130與基板100之間(即微型控制晶片160在微型發光元件130之下)且微型控制晶片160與微型發光元件130不重疊的比較例而言，本揭露之顯示裝置10的微型發光元件130是設置於基板100與微型控制晶片160之間(即微型控制晶片160在微型發光元件130之上)，欲維修微型控制晶片160時，不會受到微型發光元件130等層疊的阻礙，而能以較快的速度處理微型控制晶片160的問題。並且，相較於微型控制晶片160與微型發光元件130分布在基板100上且微型控制晶片160與微型發光元件130不重疊的比較例而言，本揭露之不同的微型發光元件可具有較少的間距(即多個微型發光元件130的其中至少一個微型發光元件130可與微型控制晶片160部分重疊)，可提供較佳的解析度。
為了使得微型控制晶片160與微型發光元件130之間電性連接路徑較為穩定，顯示裝置10可選擇性的更包含多個第一導電連接結構148，設置於基板100之內表面100b上，例如：基板100之第一絕緣層120上，但不限於此。微型控制晶片160可藉由第一導電連接結構148電性連接於微型發光元件130，例如，第一導電連接結構148可分別對應且電性連接於微型控制晶片160之第一接墊162。換言之，第一導電連接結構148可分別對應且電性連接於微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341其中一者。同樣地，顯示裝置10可選擇性 的更包含多個第二導電連接結構149，設置於基板100之內表面100b上，例如：基板100之第一絕緣層120上，但不限於此。舉例而言，第二導電連接結構149可分別對應且電性連接於微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341其中另一者。於部份實施例中，分別對應於不同微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341其中另一者之任二相鄰的第二導電連接結構149可選擇性的一起連接，但不限於此。
於一實施例中，為了構成第一導電連接結構148與對應的第一接墊162及/或對應的第一接點1321與第二接點1341其中一者之電連接路徑，第二絕緣層150可更包含多個孔洞(或稱為第一孔洞)150a。各個第一導電連接結構148可經由各個孔洞150a電性連接於對應的各個第一接墊162與對應的各個微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341其中一者。同理，於部份實施例中，第二絕緣層150可更包含多個其它孔洞(未標示)，以使得各個第二導電連接結構149可經由各個其它孔洞(未標示)電性連接於對應的各個第一接墊162與對應的各個微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341之其中一者，但不限於此。於一實施例中，第一導電連接結構148可包括部分1481及另一部分1482，且前述部分可為單層或多層結構，且其材料包含不透明導電材料(例如：金屬、合金、或其它合適的材料)、透明導電材料(例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦鎵鋅氧化物、奈米碳管(桿)、小於60埃之金屬及/或合金、或其它合適的材料)、導電膠(例如：異方性導電膠、或其它合適的材料)、或其它合適 材料。換言之，第一導電連接結構148其中至少一者的一部分(例如：部分1481及另一部分1482其中一者)也可包含導電膠(例如：異方性導電膠、或其它合適的材料)。於部份實施例中，第二導電連接結構149可為單層或多層結構，且其材料可選用第一導電連接結構148之材料，而二者之材料可實質上相同或不同。
在一實施例中，顯示裝置10可選擇性的更包含第二遮蔽層140，第二遮蔽層140可覆蓋微型發光元件130，例如：第二遮蔽層140，可設置於第一絕緣層120與微型發光元件130上且覆蓋微型發光元件130。換言之，第二遮蔽層140可設置於微型發光元件130與微型控制晶片160之間，較佳地，第二遮蔽層140可設置於微型發光元件130與第二絕緣層150之間，但不限於此。第二遮蔽層140可用來避免微型控制晶片160反射微型發光元件130之光線可能產生的視覺不均現象，更甚者，可以不查覺到微型控制晶片160可能產生的視覺品味問題。第二遮蔽層140可為單層或多層結構，且其材料包含不透明材料，例如：導電材料(例如：金屬、合金、或其它合適的材料)、有色光阻(例如：黑色光阻、多色光阻堆疊、灰色光阻、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。若第二遮蔽層140包含透明或半透明材料(如前述之材料)，則不透明材料與透明或半透明材料重疊。當第二遮蔽層140為多層，且其中一層之材料包含導電材料時，第一導電連接結構148會與第二遮蔽層140之導電材料相分隔開來，以防止短路。
在一實施例中，第二遮蔽層140除了前述之效果之外，也可為了構成第一導電連接結構148與對應的第一接墊162及/或對應的第一接點1321與第二接點1341其中一者之電連接路徑，第二遮蔽層 140可更包含多個孔洞(或稱為第二孔洞)140a。舉例而言，孔洞140a分別對應於孔洞150a，且各個第一導電連接結構148可經由各個孔洞140a與對應的各個孔洞150a電性連接於對應的各個第一接墊162與對應的各個微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341其中一者。同理，於部份實施例中，第二遮蔽層140也可選擇性的更包含多個另一孔洞(未標示)。舉例而言，另一孔洞(未標示)分別對應於其它孔洞(未標示)，且各個第二導電連接結構149可經由各個其它孔洞(未標示)與對應的各個另一孔洞(未標示)電性連接於對應的各個微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341之另一者。同理，當第二遮蔽層140為多層，且其中一層之材料包含導電材料時，第二導電連接結構149會與第二遮蔽層140之導電材料相分隔開來，以防止短路。
在一實施例中，顯示裝置10可選擇性的更包含波長轉換層114。波長轉換層114可設置於微型發光元件130所發出的光線之路徑上，例如：波長轉換層114可設置於基板100(例如：基板100之內表面100b)上。波長轉換層114可較提高微型發光元件130所發出的光線之色純度及/或色飽合度，更甚者，也可轉成相應的光色，例如：紅色、綠色、藍色、或其它合適的顏色。於部分實施例中，波長轉換層114包含多個波長轉換元件114a、114b、114c，波長轉換元件114a、114b、114c可分別對應於第一遮蔽層112的開口112a設置。舉例而言，若顯示裝置10需要顯示紅色、綠色、藍色、或其它顏色，則分別與多個微型發光元件130之第一個、第二個、第三個、或其它個所對應的波長轉換元件114a、114b、114c可分別為紅色波長轉換元件、綠色波長轉 換元件、藍色波長轉換元件、或其它色彩波長轉換元件。波長轉換層114可為單層或多層結構，且其材料包含彩色色阻、量子點(桿)、螢光材料、或其它合適的材料、或前述材料之組合。
在一實施例中，顯示裝置10可選擇性的更包含保護層170，保護層170可覆蓋微型控制晶片160，以保護保護層170下方之元件及/或膜層，但不限於此。舉例而言，保護層170可設置於第二絕緣層150與微型控制晶片160上且覆蓋微型控制晶片160及第二絕緣層150。保護層170可為單層或多層結構，且其材料包含無機材料(例如：可選用前述之材料)、有機材料(例如：可選用前述之材料)、或其它合適的材料、或前述之組合。
為了使顯示裝置10其中至少一種元件(例如：微型控制晶片160、微型發光元件130、或其它容易產生熱能的元件)所產生的熱能可被移除(例如：傳導、對流、輻射、或其它合適的移除方式)，顯示裝置10可選擇性的更包含散熱層180，散熱層180可設置於保護層170上，但不限於此。散熱層180可為單層或多層結構，且其材料包含金屬、合金、導電膏、熱電材料(例如：其可將部份熱轉換為電來額外提供給顯示裝置10之電源裝置)、石墨烯、或其它合適的材料。單層或多層結構可為整面膜片或結構具有圖案(例如：鰭片或其它合適的形狀)。本實施例之散熱層180以導熱係數高的材料所形成，例如是金屬為範例，但不限於此。
在本實施例中，以第一遮蔽層112、第一絕緣層120、微型發光元件130、第二絕緣層150、微型控制晶片160形成於基板100 的內表面100b上為範例，觀察者可由基板100的外表面100a觀看顯示裝置10。相較於先形成微型控制晶片160於基板100上之後再於微型控制晶片160上形成發光元件130的比較例而言，本實施例之對位較佳，可維持較佳之解析度，且具有較為簡便的製程方式，良率較高。然而，本揭露不以此為限，第一遮蔽層112及/或波長轉換層114也可形成於基板100的外表面100a上且觀察者(眼睛圖示)可由基板100的外表面100a觀看顯示裝置10，或者是第一遮蔽層112及/或波長轉換層114也可形成於基板100與另一基材(未繪示)之間，則觀察者(眼睛圖示)可由另一基材(未繪示)的外表面觀看顯示裝置10(或可視為由基板100的外表面100a觀看顯示裝置10)，則第一絕緣層120可依設計需求設置於基板100的外表面100a或內表面100b上。
第2~14圖繪示依照本揭露之一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面圖。
請參照第2圖，形成一基板100，並形成一第一遮蔽層112於基板100上。基板100具有一外表面100a及相對於外表面100a的一內表面100b。外表面100a作為一觀看面。換言之，後續形成的微型發光元件130之光線離開顯示裝置10之表面為基板100之外表面100a。第一遮蔽層112具有多個開口112a。基板100可以是透明或半透明基板，且其材料包含玻璃、石英、聚合物、或其它合適的材料、或前述之組合。第一遮蔽層112可為單層或多層結構，且其材料包含不透明材料，例如：金屬、合金、有色光阻(例如：黑色光阻、多色光阻堆疊、灰色光阻、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。若第一遮 蔽層112包含透明或半透明材料(如前述之材料)，則不透明材料與透明或半透明材料重疊。
請同時參照第3及4圖，形成波長轉換層114於基板100上，例如對應於開口112a設置波長轉換層114。之後，形成覆蓋層122於第一遮蔽層112與波長轉換層114上，再形成平坦層124於覆蓋層122上。如此一來，便形成例如包括覆蓋層122及平坦層124的第一絕緣層120於基板100之上。波長轉換層114可包括分別對應於開口112a設置的多個波長轉換元件114a、114b、114c。舉例而言，若顯示裝置10需要顯示紅色、綠色、藍色、或其它顏色，則對應於不同開口112a的波長轉換元件114a、114b、114c可分別為紅色波長轉換元件、綠色波長轉換元件、藍色波長轉換元件、或其它色彩波長轉換元件。波長轉換層114可為單層或多層結構，且其材料包含彩色色阻、量子點(桿)、螢光材料、或其它合適的材料、或前述材料之組合。於本實施例中，第一絕緣層120可為單層或多層結構，且其材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料、或前述之組合)、有機材料(例如：光阻、聚醯亞胺、壓克力、環氧樹脂、或其它合適的材料、或前述之組合)、黏著材料(具有黏著性之有機材料，例如：酚酫樹脂、酫類樹脂、乳膠、乙烯類樹脂、水膠、壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、感壓膠、或其它合適的材料、或前述之組合)、或其它合適的材料、或前述之組合。當後續形成之微型發光元件130為水平式微型發光元件或者是覆晶式微型發光元件時，較佳地，與微型發光元件130接觸之第一絕緣層120表面膜層可為黏著材料，可使得微型發光元件130較 為黏著於基板100上，而第二絕緣層150可任意選用前述之材料。當後續形成之微型發光元件130為垂直式微型發光元件時，與微型發光元件130接觸之第一絕緣層120表面膜層可為有機材料、或無機材料、或其它合適的材料。於本實施例中，第一絕緣層120可包括覆蓋層122及平坦層124，但不限於此。覆蓋層122及平坦層124之材料可選用前述之材料，且若依前述之用途，平坦層124之材料，較佳地，可為有機材料及/或黏著材料，但不限於此。
請參照第5圖，形成多個微型發光元件130於第一絕緣層120上。各個開口112a對應於至少一個微型發光元件130。在本實施例中，其中一個開口112a係對應於一個微型發光元件130，但不限於此。在其他實施例中，其中一個開口112a中可對應於多個微型發光元件130。第一遮蔽層112可讓微型發光元件130之光線大部份經由開口112a離開基板100之內表面100b，而可提供較為準直的光線，且較為不易產生混光現象。微型發光元件130可包含一第一接點1321、一發光層133與一第二接點1341。在一實施例中，微型發光元件130可包括第一型半導體層1322(例如是P型)及第二型半導體層1342(例如是N型)，可簡稱為P-N二極體，但不限於此。發光層133設置於第一型半導體層1322與第二型半導體層1342之間，但不限於此。於一實施例中，微型發光元件130之結構也可簡稱為P-I-N二極體、或其它合適的結構。微型發光元件130其它相關描述可參閱前述描述，於此不再贅言。在本實施例中，微型發光元件130的出光面為貼附於第一絕緣層120(例如：平坦層124)的表面，然本揭露不以此為限。
請同時參照第6A及6B圖，形成電性連接於第一接點1321及第二接點1341的第一電極132與第二電極134。第一接點1321與第二接點1341可分別透過第一電極132及第二電極134電性連接於第一型半導體層1322與第二型半導體層1342，且可與後續描述中之微型控制晶片160或其他元件電性連接。在此步驟完成後，可對微型發光元件130進行電性測試，確認微型發光元件130是否可正常導電。
請參照第7A圖，形成第二遮蔽層140於第一絕緣層120與微型發光元件130上且覆蓋微型發光元件130。第二遮蔽層140可用來避免微型控制晶片160反射微型發光元件130之光線可能產生的視覺不均現象，更甚者，可以不查覺到微型控制晶片160可能產生的視覺品味問題。第二遮蔽層140可為單層或多層結構，且其材料包含不透明材料，例如：導電材料(例如：金屬、合金、或其它合適的材料)、有色光阻(例如：黑色光阻、多色光阻堆疊、灰色光阻、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。若第二遮蔽層140包含透明或半透明材料(如前述之材料)，則不透明材料與透明或半透明材料重疊。請參照第7B圖，當第二遮蔽層240可例如為一雙層結構。第二遮蔽層240可包括下層242及上層244。下層242可為絕緣層，隨著微型發光元件130的外型起伏。上層244可為導電材料，具有類似杯狀的外型，可集中微型發光元件130往後方發散的光。後續形成的第一導電連接結構148會與第二遮蔽層240的導電材料相分隔開來，以防止短路。其它相關描述可參閱前述描述。
請參照第8圖，於第二遮蔽層140中形成多個孔洞(或稱為第一孔洞)140a，每個孔洞140a暴露一部分的第一電極132及第二電極134。在本剖面圖中，僅繪示出暴露一部分的第一電極132的孔洞140a，而在其他剖面圖中還具有暴露一部分的第二電極134的孔洞140a。
請參照第9圖，填充第一導電連接結構148的第一部分1481於孔洞140a中。同理，於部份實施例中，若第二導電連接結構149的部份(例如：第一部分(未繪示))也需要穿過第二遮蔽層140，以電性連接於電性連接於各該微型發光元件130之該第一接點1321與該第二接點1341的其中之另一者，則第二遮蔽層140可選擇性的更包含其它孔洞(未繪示)，以便於第二導電連接結構149的部份(例如：第一部分(未繪示))填充於其它孔洞(未繪示)中。
請參照第10圖，形成第二絕緣層150於第一絕緣層120、第二遮蔽層140與微型發光元件130上且覆蓋這些微型發光元件130。接著，於第二絕緣層150中形成多個孔洞(或稱為第二孔洞)150a。孔洞150a分別對應於孔洞140a。第二絕緣層150可為單層或多層結構，且其材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料、或前述之組合)、有機材料(例如：光阻、聚醯亞胺、壓克力、環氧樹脂、或其它合適的材料、或前述之組合)、黏著材料(具有黏著性之有機材料，例如：酚酫樹脂、酫類樹脂、乳膠、乙烯類樹脂、水膠、壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、感壓膠、或其它合適的材料、或前述之組合)、或其它合適的材料、或前述之組合。第二絕緣層 150表面膜層可為黏著材料，接觸後續形成的微型控制晶片160，可使得微型控制晶片160較為黏著於基板100上，但不限於此。
請參照第11圖，填充第一導電連接結構148之第二部分1482於這些孔洞150a中，孔洞140a分別對應於孔洞150a，如此一來即在基板100的內表面100b上形成包括第一部分1481與第二部分1482的多個第一導電連接結構148(繪示於第12B圖中)。同理，於部份實施例中，若第二導電連接結構149的另一部份(例如：第二部分(未繪示))也需要穿過第二絕緣層150，以電性連接於電性連接於各該微型發光元件130之該第一接點1321與該第二接點1341的其中之另一者，則第二絕緣層150可選擇性的更包含另一孔洞(未繪示)，以便於第二導電連接結構149的另一部份(例如：第二部分(未繪示))填充於另一孔洞(未繪示)中。如此一來即在基板100的內表面100b上形成包括第一部分(未繪示)與第二部分(未繪示)的多個第二導電連接結構149(繪示於第12B圖中)。於一實施例中，第一導電連接結構148之部分1481及另一部分1482可為單層或多層結構，且其材料包含不透明導電材料(例如：金屬、合金、或其它合適的材料)、透明導電材料(例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦鎵鋅氧化物、奈米碳管(桿)、小於60埃之金屬及/或合金、或其它合適的材料)、導電膠(例如：異方性導電膠、或其它合適的材料)、或其它合適材料。同理，於部份實施例中，第二導電連接結構149其中至少一者的一部份(例如：部分1481及另一部分1482其中一者)可為單層或多層結構，且其材料可選用前述所述，而二者之材料可實質上相同或不同。在一實施例中，異方性導電膠所摻雜 的粒子可小於1微米，但不限於此。在一實施例中，第一導電連接結構148電性連接於各個微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341的其中一者，第二導電連接結構149電性連接於各個微型發光元件之第一接點1321與第二接點1341的其中之令一者。亦即，若第一導電連接結構148電性連接於微型發光元件130的第一接點1321，則第二導電連接結構149電性連接於微型發光元件130的第二接點1341。在一實施例中，當第二遮蔽層140為多層，且其中一層之材料包含導電材料時，第一導電連接結構148會與第二遮蔽層140的導電材料相分隔開來，以防止短路。同理，當第二遮蔽層140為多層，且其中一層之材料包含導電材料時，第二導電連接結構149會與第二遮蔽層140之導電材料相分隔開來，以防止短路。
請同時參照第12A及12B圖，形成至少一微型控制晶片160於第二絕緣層150上。微型控制晶片160具有第一表面160a及相對於第一表面160a的第二表面160b，其中第一表面160a相較於第二表面160b較遠離於基板100。於部份實施例中，在垂直投影於基板100的內表面100b上，多個微型發光元件130的其中至少一個微型發光元件130可與微型控制晶片160部分重疊。微型控制晶片160的第二表面160b可接觸第二絕緣層150。微型控制晶片160具有多個第一接墊162，第一接墊162可形成於微型控制晶片160的第二表面160b上。微型控制晶片160的多個第一接墊162分別對應於微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341的其中一者，以分別電性連接於對應之微型發光元件130。多個第一導電連接結構148分別對應於第一接墊162。在一 實施例中，每個第一導電連接結構148經由各個孔洞150a及孔洞140a連接於所對應之各個第一接墊162與微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341的其中一者。於部份實施例中，每個第二導電連接結構149經由各個其它孔洞(未標示)及另一孔洞(未標示)連接於所對應之元件與微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341的其中之另一者。不同的微型發光元件130的第一接點1321之間或第二接點1341之間可藉由第二導電連接結構149連接在一起。在一實施例中，第一導電連接結構148可作為訊號線，第二導電連接結構149可傳遞可調整電壓(例如：共同電壓、接地電壓、或其它合適的電壓)。較佳地，第二導電連接結構149可傳遞可調整電壓(例如：共同電壓)。換言之，微型控制晶片160可藉由第一導電連接結構148傳遞訊號至微型發光元件130的第一電極(例如：陽極)132，且第二導電連接結構149也可傳遞可相應的訊號至微型發光元件130的第二電極(例如：陰極)134。較佳地，與微型控制晶片160接觸之第二絕緣層150表面膜層可為黏著材料，可使得微型控制晶片160較為黏著於基板100上，但不限於此。本實施例，以一個微型控制晶片160為範例，但不限於此。於其它實施例中，當有二個或以上的微型控制晶片160。不論，一個或以上的微型控制晶片160，每個微型控制晶片160除了第一接墊162之外，也可包含其他接墊(例如是第二接墊164)。第二接墊164可用於連接不同於第一接墊162所連接的訊號，亦可與其他的微型控制晶片160串聯，或還具有其他功用。微型發光元件130與微型控制晶片160 其中至少一者之尺吋之尺寸為微米等級，例如尺寸小於約100微米，較佳地，小於約50微米，且大於0微米，但不限於此。
由於本揭露之一實施例是先形成微型發光元件130之後再形成微型控制晶片160於微型發光元件130之上，能使第一導電連接結構148能提供微型控制晶片160與微型發光元件130之間良好的連接效果，且相較於先形成微型控制晶片之後才形成微型發光元件的比較例而言具有較準確的對位，可使產品的良率較為優異。
請參照第13圖，可選擇性地形成一保護層170於第二絕緣層150與微型控制晶片160上且覆蓋微型控制晶片160與第二絕緣層150。保護層170可為單層或多層結構，且其材料包含無機材料(例如：可選用前述之材料)、有機材料(例如：可選用前述之材料)、或其它合適的材料、或前述之組合。
請參照第14圖，形成一散熱層180於保護層170上。散熱層180可由導熱係數高的材料所形成，例如是金屬，但不限於此。如此一來，顯示裝置10其中至少一種元件(例如：微型控制晶片160、微型發光元件130、或其它容易產生熱能的元件)所產生的熱能可藉由散熱層180被移除。
第15A圖繪示依照本揭露之又一實施例之顯示裝置20的上視圖。第15B圖繪示第15A圖之A-A連線的剖面圖。
在此必須說明的是，第15A與15B圖的實施例沿用第1A與1B圖的實施例的部分元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關 於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。請同時參照第15A及15B圖，顯示裝置20與顯示裝置10的不同之處在於，微型控制晶片260中的第一接墊262是設置於微型控制晶片260中相對於第二絕緣層150的表面上(即第一表面260a)，且第一導電連接結構248接觸於微型控制晶片260的部分的側表面260c及部分的第一表面260a。換言之，微型控制晶片260之第二表面260b較第一表面260a接近基板100(例如：基板100之內表面100b)。
第16~20圖繪示依照本揭露之又一實施例之顯示裝置20的製造流程圖。顯示裝置20之部分的製作流程是類似於顯示裝置10的第2~8圖的製作流程。在完成如第8圖所示之製造步驟後，接續如第16~20圖所示的製作過程。
請參照第16圖，形成第二絕緣層150於第一絕緣層120、第二遮蔽層140與微型發光元件130上且覆蓋這些微型發光元件130。接著，於第二絕緣層150中形成多個孔洞150a。較佳地，第二絕緣層150之多個孔洞(或稱為第二孔洞)150a可實質上對應於第二遮蔽層140之多個孔洞(或為第一孔洞)140a。第二絕緣層150可為單層或多層之材料，可選用前述實施例所述之材料。於本實施例中，第二遮蔽層140之孔洞140a與第二絕緣層150之孔洞150a係以二次黃光蝕刻製程所完成，但不限於此。於其它實施例中，第二遮蔽層140之孔洞140a與第二絕緣層150之孔洞150a可以至少一次黃光蝕刻製程所完成。
請參照第17圖，設置至少一微型控制晶片260於第二絕緣層150上。微型控制晶片260具有第一表面260a及相對於第一表面 260a的第二表面260b。較佳地，與微型控制晶片260的第二表面260b接觸的第二絕緣層150之表面膜層可為黏著材料，可使得微型控制晶片160較為黏著於基板100上，但不限於此。微型控制晶片260可具有多個第一接墊262(繪示於第15A圖中)。於其它實施例中，當有二個或以上的微型控制晶片260。不論，一個或以上的微型控制晶片260，每個微型控制晶片260除了第一接墊262之外，也可包含其他接墊(例如是多個第二接墊264，可包括功能相同或不同的第二接墊264a及264b繪示於第15A圖中)，第一接墊262及其他接墊(例如：第二接墊264)可形成於微型控制晶片260的第一表面260a上。第二接墊264可用於連接不同於第一接墊262所連接的訊號，亦可與其他的微型控制晶片260串聯，或還具有其他功用。舉例而言，當有二個相鄰的微型控制晶片260串聯時，可透過二個相鄰的微型控制晶片260其中一個之第二接墊264a傳遞相關訊號經過二個相鄰的微型控制晶片260其中一個微型控制晶片260之第二接墊264b與二個相鄰的微型控制晶片260之另一個微型控制晶片260之第二接墊264a，至二個相鄰的微型控制晶片260之另一個微型控制晶片260。微型發光元件230與微型控制晶片260其中至少一者之尺寸為微米等級，例如尺寸小於約100微米，較佳地，小於約50微米，且大於0微米，但不限於此。
請參照第18圖，形成多個第一導電連接結構248於基板100之該內表面100b上且分別對應於該些第一接墊262。舉例而言，第一導電連接結構248之其中一部份(例如：第一部份)2481填入第一孔洞140a與第二孔洞150a，且第一導電連接結構248之另一部份(例如：第 二部份2482)與對應的第一接墊262連接。同理，於其它實施例中，形成多個第二導電連接結構249於基板100之內表面100b上且分別對應於各微型發光元件130的第一電極132與第二電極134其中一者。舉例而言，第二遮蔽層140更具有其它孔洞(未標示)，第二導電連接結構249之其中一部份(例如：第一部份，未標示)填入其它孔洞(未標示)，且第二導電連接結構249之另一部份(例如：第二部份，未標示)與對應的微型發光元件130之第一電極132與第二電極134其中一者連接。於部份實施例中，第二遮蔽層140更具有其它孔洞(未標示)，第二絕緣層150更具有另一孔洞(未標示)，且另一孔洞(未標示)對應於其它孔洞(未標示)。第二導電連接結構249之其中一部份(例如：第一部份，未標示)填入其它孔洞(未標示)與另一孔洞(未標示)，且第二導電連接結構249之另一部份(例如：第二部份，未標示)與對應的微型發光元件130之第一電極132與第二電極134其中一者連接。微型控制晶片260中的第一接墊262是設置於微型控制晶片260中相對於第二絕緣層250的表面上(即第一表面260a)。於一實施例中，第一導電連接結構248可接觸於微型控制晶片260的部分的側表面260c及部分的第一表面260a。於一實施例中，微型控制晶片260的多個第一接墊262分別對應於微型發光元件130之第一接點1321與第二接點1341的其中一者，以分別電性連接於對應之微型發光元件130。
請參照第19圖，可選擇性地形成一保護層170於第二絕緣層150與微型控制晶片260上且覆蓋微型控制晶片260與第二絕緣層150。保護層170可為單層或多層結構，且其材料包含無機材料(例如： 可選用前述之材料)、有機材料(例如：可選用前述之材料)、或其它合適的材料、或前述之組合。
請參照第20圖，形成一散熱層180於保護層170上。散熱層180可由導熱係數高的材料所形成，例如是金屬，但不限於此。如此一來，顯示裝置20其中至少一種元件(例如：微型控制晶片260、微型發光元件130、或其它容易產生熱能的元件)所產生的熱能可藉由散熱層180被移除。
第21圖繪示依照本揭露之一實施例的顯示裝置中之一像素的等電路圖。
請參照第21圖，本揭露之一像素中可對應於一種雙電晶體單儲存電容(2T1C)電路，但不限於此。於其它實施例中，一像素中可對應於至少一個電晶體及至少一個儲存電容的電路，例如：3T1C、3T2C、4T1C、4T2C、5T1C、5T2C、6T1C、6T2C、或其它合適數目之電晶體與儲存電容。前述實施例之顯示裝置10及/或20可包含多個像素電路190。舉例而言，每個像素電路190中使用至少兩個電晶體T1與T2來控制輸出電流，電晶體T1的源極S與閘極G分別耦接於端點191及端點193。端點191可耦接於資料線，端點193可耦接於掃描線。電晶體T2的閘極G可耦接於電晶體T1的汲極D與儲存電容C之一端，電晶體T2的源極S與汲極D分別與端點195及微型發光元件130耦接，且端點195與電壓源電性連接。電路中的存儲電容C可用來儲存資料信號。當像素單元190的掃描信號脈衝結束後，存儲電容C仍能保持電晶體T2之閘極的電壓，從而為微型發光元件130源源不斷地驅動電流，直到 這個畫面的結束。電晶體T與儲存電容C之電路，可設置於前述實施例之顯示裝置10及/或20的基板100上、微型控制晶片160或260中、或者是電晶體T與儲存電容C之電路一部份於基板100上，另一部份於微型控制晶片160或260中。本實施例之電晶體T1與T2皆以P型電晶體為範例，但不限於此。於其它實施例中，電晶體T1與T2皆以N型電晶體或者電晶體T1與T2其中一者為N型電晶體，另一者為P型電晶體。電晶體T1及/或T2的類型可為頂閘型電晶體(例如：閘極G位於半導體層(未標示)之上)、底閘型電晶體(例如：閘極G位於半導體層(未標示)之下)、立體型電晶體(例如：半導體層(未標示)不位於一平面上)、或其它合適之類型。半導體層(未標示)可為單層或多層，且其材料包含非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、多晶矽、單晶矽、氧化物半導體材料、氮化物半導體材料、有機半導體材料、奈米碳管(桿)、鈦鈣礦、或其它合適的半導體材料。
本揭露提供一種包括至少一微型控制晶片160或260及多個微型發光元件130的顯示裝置10或20，微型發光元件130先形成於基板100上之後，微型控制晶片160或260才形成於微型發光元件130之上。相較於微型控制晶片160是設置於微型發光元件130與基板100之間(即微型控制晶片160在微型發光元件130之下)且微型控制晶片160與微型發光元件130不重疊的比較例而言，本揭露之顯示裝置10的微型發光元件130是位於基板100與微型控制晶片160或260之間(即微型控制晶片160或260在微型發光元件130之上)，欲維修微型控制晶片160或260時，不會受到微型發光元件130等層疊的阻礙，而能以較快 的速度處理微型控制晶片160或260的問題。並且，相較於微型控制晶片160或260與微型發光元件130分布在基板100上且微型控制晶片160或260與微型發光元件130不重疊的比較例而言，本揭露之不同的微型發光元件130可具有較少的間距，可提供較佳的解析度。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:顯示裝置
100:基板
100a:外表面
100b:內表面
112:第一遮蔽層
112a:開口
114:波長轉換層
114a、114b、114c:波長轉換元件
120:第一絕緣層
122:覆蓋層
124:平坦層
130:微型發光元件
132:第一電極
133:發光層
134:第二電極
140a、150a:孔洞
148:第一導電連接結構
149:第二導電連接結構
150:第二絕緣層
160:微型控制晶片
160a:第一表面
160b:第二表面
162:第一接墊
170:保護層
180:散熱層
1321:第一接點
1322:第一型半導體層
1341:第二接點
1342:第二型半導體層
1481:第一部分
1482:第二部分
D1、D2:距離

Claims (28)

  1. 一種顯示裝置，包括：一基板，具有一外表面及相對於該外表面之一內表面，其中該外表面作為一觀看面；一第一遮蔽層，位於該基板上，且具有複數個開口；一第一絕緣層，位於該第一遮蔽層上；複數個微型發光元件，位於該第一絕緣層上，其中各該開口對應於至少一個該些微型發光元件，且各該微型發光元件包含一第一接點、一發光層與一第二接點；一第二絕緣層，位於該些微型發光元件與該第一絕緣層之上且覆蓋該些微型發光元件；以及至少一微型控制晶片，位於該第二絕緣層上，且該微型控制晶片具有多個第一接墊分別對應於該些微型發光元件之該些第一接點與該些第二接點的其中一者，以分別電性連接於對應之該些微型發光元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：多個第一導電連接結構，設置於該基板之該內表面上且分別對應於該些第一接墊。
  3. 申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中，該第二絕緣層具有多個第一孔洞，且各該第一導電連接結構經由各該第一孔洞電性連接於所對應之各該第一接墊與各該微型發光元件之該第一接點與該第二接點的其中一者。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該些第一導電連接結構至少一者的一部分包括一異方性導電膠。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，更包括：一第二導電連接結構，電性連接於各該微型發光元件之該第一接點與該第二接點的其中之另一者。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，更包括：一第二遮蔽層，位於該第一絕緣層與該些微型發光元件上且覆蓋該些微型發光元件，其中，該第二遮蔽層具有多個第二孔洞，該些第二孔洞分別對應於該些第一孔洞，且各該第一導電連接結構經由各該第一孔洞與各該第二孔洞電性連接於所對應之各該第一接墊與各該微型發光元件之該第一接點與該第二接點的其中一者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中在垂直投影於該基板之該內表面上，該些微型發光元件其中至少一者與該內表面之間具有一第一距離，且該至少一微型控制晶片與該內表面之間具有一第二距離，其中該第一距離小於該第二距離。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一絕緣層與該第二絕緣層其中至少一者為單層或多層結構，且該第一絕緣層與該第二絕緣層其中至少一者包括一黏著材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包括：一第二遮蔽層，位於該第一絕緣層與該些微型發光元件上且覆蓋該些微型發光元件。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，在垂直投影於該基板的該內表面上，該些微型發光元件其中至少一個與該微型控制晶片部分重疊。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包括：一波長轉換層，設置於該基板上，且該波長轉換層包含多個波長轉換元件，分別對應於該些開口設置；以及一保護層，位於該第二絕緣層與該微型控制晶片上且覆蓋該至少一微型控制晶片與該第二絕緣層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，更包括：一散熱層，位於該保護層上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中各該微型發光元件所發出之光線會經過該第一絕緣層、各該微型發光元件所對應之各該開口、該內表面至該外表面。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中從該內表面往各該微型發光元件之膜層由下而上排列為該第一遮蔽層及該第一絕緣層。
  15. 一種顯示裝置之製造方法，包括：形成一基板，該基板具有一外表面及相對於該外表面之一內表面，其中該外表面作為一觀看面；形成一第一遮蔽層於該基板上，以具有複數個開口；形成一第一絕緣層於該第一遮蔽層上； 形成複數個微型發光元件於該第一絕緣層上，其中各該開口對應於至少一個該些微型發光元件，且各該微型發光元件包含一第一接點、一發光層與一第二接點；形成一第二絕緣層於該第一絕緣層與該些微型發光元件之上且覆蓋該些微型發光元件；以及形成至少一微型控制晶片於該第二絕緣層上，其中該微型控制晶片具有多個第一接墊分別對應於該些微型發光元件之該些第一接點與該些第二接點的其中一者，以分別電性連接於對應之該些微型發光元件。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，更包含：形成多個第一導電連接結構於該基板之該內表面上且分別對應於該些第一接墊。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置之製造方法，更包含：於該第二絕緣層中形成多個第一孔洞，且各該第一導電連接結構經由各該第一孔洞電性連接於所對應之各該第一接墊與各該微型發光元件之該第一接點與該第二接點的其中一者。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，其中在垂直投影於該基板之該內表面上，該些微型發光元件其中一者與該內表面之間具有一第一距離，且該至少一微型控 制晶片與該內表面之間具有一第二距離，其中該第一距離小於該第二距離。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，其中該第一絕緣層與該第二絕緣層其中至少一者為單層或多層結構，且該第一絕緣層與該第二絕緣層其中至少一者包括一黏著材料。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，更包括：形成一第二遮蔽層於該第一絕緣層與該些微型發光元件上且覆蓋該些微型發光元件。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置之製造方法，更包括：形成一第二遮蔽層於該第一絕緣層與該些微型發光元件上且覆蓋該些微型發光元件，其中，於該第二遮蔽層更形成多個第二孔洞分別對應於該些第一孔洞，且各該第一導電連接結構經由各該第一孔洞與各該第二孔洞電性連接於所對應之各該第一接墊與各該微型發光元件之該第一接點與該第二接點的其中一者。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置之製造方法，其中該些第一導電連接結構至少一者的一部分包括一異方性導電膠。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置之製造方法，更包括：形成一第二導電連接結構電性連接於各該微型發光元件之該第一接點與該第二接點的其中之另一者。
  24. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，其中，在垂直投影於該基板的該內表面上，該些微型發光元件其中至少一個與該微型控制晶片部分重疊。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，更包含：形成一波長轉換層於該基板上，且該波長轉換層包含多個波長轉換元件，分別對應於該些開口設置；以及形成一保護層於該第二絕緣層與該微型控制晶片上且覆蓋該至少一微型控制晶片與該第二絕緣層。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之顯示裝置之製造方法，更包括：形成一散熱層於該保護層上。
  27. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，其中各該微型發光元件所發出之光線會經過該第一絕緣層、各該微型發光元件所對應之各該開口、該內表面至該外表面。
  28. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製造方法，其中從該內表面往各該微型發光元件之膜層由下而上排列為該第一遮蔽層及該第一絕緣層。
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