CN103855179A - 一种无机发光二极管显示器件结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无机发光二极管显示器件结构，其中无机发光二极管显示器件的公共电极部分采用网状结构，网状结构采用金属材料或者离子注入方式制作，可以有效地降低不同像素之间的电压降，提高无机发光二极管显示器件的显示均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及一种无机发光二极管显示器件结构，特别是提高无机发光二极管显示器件的显示均匀性的一种无机发光二极管显示器件结构及其制作方法。
背景技术
微型投影仪是信息时代需要的产品。当前微型投影仪主要采用两种技术：硅上液晶显示装置(LCOS)和数字光处理技术(DLP)。这两种技术属于反射型显示技术，光利用率很低，而且需要采用额外的光学系统，这样就增加了投影仪的体积和成本。最近出现的一种无机发光二极管显示技术属于主动发光技术，在这种技术中，公共的电子型导电层一般起公共电极的作用，由于电子型导电层的迁移率不高，会造成不同像素之间驱动电流或者电压的不均匀，进而引起显示效果的不均匀。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种提高无机发光二极管显示器件的显示均匀性的一种无机发光二极管显示器件结构。
本发明的基本原理是：在无机发光二极管显示器件的各个像素之间的公共电子型导电层上沉积金属或者注入离子，降低各个像素公共电极之间的电阻，进而降低各个像素公共电极之间的电压降，提高各个像素之间显示均匀性。
根据本发明的一个方面，公共电极的网状结构在无机发光二极管显示器件的各像素之间形成连接。
根据本发明的一个方面，公共电极采用网状结构。
根据本发明的一个方面，公共电极采用的网状结构在每个单元像素可以是框形、圆环形等形状。
根据本发明的一个方面，公共电极可以由金属材料构成，也可以由注入离子构成，还可以由金属材料和注入离子共同构成。
根据本发明的一个方面，无机发光二极管显示器件的发光器件部分和主动驱动器件部分处于不同的基板。
根据本发明的一个方面，无机发光二极管显示器件的发光器件部分和主动驱动器件部分处于同一个基板。
本发明的积极效果在于：
1.在无机发光二极管显示器件的各个像素之间的公共电子型导电层上沉积金属或者注入离子，降低各个像素之间的电阻，提高各个像素之间显示均匀性。
2.在无机发光二极管显示器件的各个像素之间的电子型导电层上沉积金属或者注入离子，可以采用较低厚度的电子型导电层达到同样的电阻，进而可以提高金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)的生产效率。
附图说明
图1表示采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，图1a表示图1中的发光器件的平面示意图，其中，公共电极可以由金属材料构成，驱动器件和发光器件处于不同的衬底基板，通过各自的 导电电极对应地连接在一起。
图2表示采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，其中，公共电极可以由注入离子构成，驱动器件和发光器件处于不同的衬底基板，通过各自的导电电极对应地连接在一起。
图3表示采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，其中，公共电极可以由金属材料和注入离子共同构成，驱动器件和发光器件处于不同的衬底基板，通过各自的导电电极对应地连接在一起。
图4表示采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，其中，公共电极可以由金属材料构成，驱动器件和发光器件处于同一个衬底基板的不同一层。
图5表示采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，其中，公共电极可以透明电极和金属电极网状结构构成，驱动器件和发光器件处于同一个衬底基板的同一层。
具体实施方式
下面结合附图描述本发明的具体实施方式。
实施例一
图1表示一个采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，图1a表示图1中的发光器件的平面示意图，其中显示装置的主动驱动器件和发光器件处于不同的衬底基板，并且通过各自的导电电极对应地连接在一起。图1和图1a所示的显示装置包括：衬底1、无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极5、公共电极的金属电极21、接触电极连接点41、场效应管接触电极42。其中，公共电极的金属电极21在各个像素之间横竖方向相互连接。
图1和图1a所示的无机发光二极管矩阵显示装置具体的制作步骤如下：
1、在蓝宝石衬底1上依次制作无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极，形成多层膜结构。其中通过曝光和干法刻蚀等方法， 形成无机发光二极管的空穴型电极5；
2、通过沉积光刻、金属层、剥离工艺形成公共电极的金属电极21；
3、通过沉积、光刻、剥离工艺形成无机发光二极管的接触电极连接点41；
4、在另外一个基板(这里采用硅片)上采用曝光、刻蚀工艺制作场效应管；
5、通过沉积、光刻工艺形成场效应管接触电极42；
6、通过对位、加热的方法，将无机发光二极管的空穴型电极5和场效应管接触电极42通过接触电极连接点41对应的连接在一起。
实施例二
图2表示一个采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，其中显示装置的主动驱动器件和发光器件处于不同的衬底基板，并且通过各自的导电电极对应地连接在一起。图2所示的显示装置包括：衬底1、无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极5、公共电极的离子注入区域22、接触电极连接点41、场效应管接触电极42。其中，公共电极的离子注入区域22在各个像素之间横竖方向相互连接。
图2所示的无机发光二极管矩阵显示装置具体的制作步骤如下：
1、在蓝宝石衬底1上依次制作无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极，形成多层膜结构。其中通过曝光和干法刻蚀等方法，形成无机发光二极管的空穴型电极5；
2、通过离子注入形成公共电极的离子注入区域22；
3、通过光刻、沉积、剥离工艺形成无机发光二极管的接触电极连接点41；
4、在另外一个基板(这里采用硅片)上采用曝光、刻蚀工艺制作场效应管；
5、通过沉积、光刻工艺形成场效应管接触电极42；
6、通过对位、加热的方法，将无机发光二极管的空穴型电极5和场 效应管接触电极42通过接触电极连接点41对应的连接在一起。
实施例三
图3表示一个采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，其中显示装置的主动驱动器件和发光器件处于不同的衬底基板，并且通过各自的导电电极对应地连接在一起。图3所示的显示装置包括：衬底1、无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极5、公共电极的金属电极21和离子注入区域22、接触电极连接点41、场效应管接触电极42。其中，公共电极的金属电极21和离子注入区域22在各个像素之间横竖方向相互连接。
图3所示的无机发光二极管矩阵显示装置具体的制作步骤如下：
1、在蓝宝石衬底1上依次制作无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极，形成多层膜结构。其中通过曝光和干法刻蚀等方法，形成无机发光二极管的空穴型电极5；
2、通过光刻、离子注入、沉积金属层、剥离工艺形成公共电极的金属电极21和离子注入区域22；
3、通过沉积、光刻、剥离工艺形成无机发光二极管的接触电极连接点41；
4、在另外一个基板(这里采用硅片)上采用曝光、刻蚀工艺制作场效应管；
5、通过沉积、光刻工艺形成场效应管接触电极42；
6、通过对位、加热的方法，将无机发光二极管的空穴型电极5和场效应管接触电极42通过接触电极连接点41对应的连接在一起。
实施例四
图4示出了一种采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，图4所示的显示装置包括：衬底1、无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极5、钝化层8、绝缘层10、公共电极的金属电极21、场效应管的有源层31、场效应管的栅绝缘层32、场效应管 的栅电极33、场效应管的漏电极34、场效应管的源电极35。其中，公共电极的金属电极21在各个像素之间横竖方向相互连接。
图4所示的无机发光二极管矩阵显示装置具体的制作步骤如下：
1、在蓝宝石衬底1上依次制作无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极及引线，形成多层膜结构。其中通过曝光和干法刻蚀等方法，形成无机发光二极管的空穴型电极及引线5；
2、通过沉积光刻、金属层、剥离工艺形成公共电极的金属电极21；
3、制作钝化层8，这里采用感光树脂，通过曝光和刻蚀的方法在钝化层上形成接触过孔；
4、制作场效应管的有源层31，采用曝光、刻蚀工艺制作场效应管的有源层31的图形；
5、通过膜的沉积、曝光和刻蚀工艺制作栅绝缘层32和栅电极33；
6、制作绝缘层10；
7、通过曝光和刻蚀的方法在钝化层8和绝缘层10上形成接触过孔；
8、制作场效应管的源电极和漏电极膜；
9、通过曝光和刻蚀的方法形成场效应管的漏电极34和源电极35。
实施例五
图5示出了一个采用有源矩阵驱动的无机发光二极管矩阵显示装置的结构示意图，该场效应管和发光器件处于同一个衬底基板的同一层。如图5所示，该显示装置包括：衬底1、无机发光二极管的电子型导电层2、无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极5、绝缘层6、钝化层8、连接无机发光二极管的空穴型电极的公共电极9、降低公共电极电阻的金属电极21、场效应管的有源层31、场效应管的栅绝缘层32、场效应管的栅电极33、场效应管的漏电极34、场效应管的源电极35。其中，降低公共电极电阻的金属电极21在各个像素之间横竖方向相互连接。
图5所示的无机发光二极管矩阵显示装置具体的制作步骤如下：
1、在蓝宝石衬底1上依次制作无机发光二极管的电子型导电层2、 无机发光二极管的发光层3、无机发光二极管的空穴型导电层4、无机发光二极管的空穴型电极及引线，形成多层膜结构。其中通过曝光和干法刻蚀等方法，形成无机发光二极管的空穴型电极及引线5，同时刻除一部分电子型导电层，形成电子型导电层的接触区域。在这个工艺步骤中，同时刻蚀出场效应管的有源层31的图形，这个有源层采用无机发光二极管的电子型导电层，这样减少了工艺步骤；
2、通过膜的沉积、曝光和刻蚀工艺制作栅绝缘层32和栅电极33；
3、制作绝缘层6；
4、通过曝光和刻蚀的方法在绝缘层6上形成接触过孔；
5、制作场效应管的源电极和漏电极膜，这里采用金属钛和铝的双层膜；
6、通过曝光和刻蚀的方法形成场效应管的漏电极34和源电极35；
7、通过旋涂制作钝化层8，光刻形成过孔；
8、沉积透明电极9；
9、通过沉积金属层、光刻、剥离工艺形成减小公共电极电阻的金属电极21。
以上针对本发明的优选实施方式进行了描述，本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的精神和权利要求书的范围基础上可以进行各种变化和修改。
Claims (8)
1.一种无机发光二极管显示器件结构，包括公共电极，公共的电子型导电层、无机发光层、分立的空穴性导电层、分立电极、分立的主动驱动器件，其特征在于，器件的公共电极采用网状结构。
2.根据权利要求1所述，其特征在于，公共电极的网状结构在无机发光二极管显示器件的各像素之间形成连接。
3.根据权利要求1-2所述，其特征在于，公共电极的网状结构由金属材料构成。
4.根据权利要求1-2所述，其特征在于，公共电极的网状结构由注入离子构成。
5.根据权利要求1-2所述，其特征在于，公共电极的网状结构由金属材料和注入离子共同构成。
6.根据权利要求1-5所述，其特征在于，无机发光二极管显示器件的发光器件部分和主动驱动器件部分处于不同的基板。
7.根据权利要求1-5所述，其特征在于，无机发光二极管显示器件的发光器件部分和主动驱动器件部分处于同一个基板的不同层。
8.根据权利要求1-3所述，其特征在于，无机发光二极管显示器件的发光器件部分和主动驱动器件部分处于同一个基板的同一层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140611 |