CN105789237A - Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法 - Google Patents

Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105789237A
CN105789237A CN201610262716.8A CN201610262716A CN105789237A CN 105789237 A CN105789237 A CN 105789237A CN 201610262716 A CN201610262716 A CN 201610262716A CN 105789237 A CN105789237 A CN 105789237A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
inorganic led
light
control circuit
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610262716.8A
Other languages
English (en)
Inventor
张宇
刘雨实
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201610262716.8A priority Critical patent/CN105789237A/zh
Publication of CN105789237A publication Critical patent/CN105789237A/zh
Priority to PCT/CN2017/080890 priority patent/WO2017186024A1/zh
Priority to US15/576,278 priority patent/US20180158808A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/405Reflective materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/30Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

本发明公开了一种LED显示模组、显示装置及显示模组的制作方法,属于显示装置领域。该发光二极管显示模组包括:基板、多个无机LED芯片、控制电路、光致发光层和透明盖板,多个无机LED芯片呈阵列排布在基板的一侧面上,多个无机LED芯片分别与控制电路连接,控制电路用于驱动多个无机LED芯片发光,光致发光层设置在透明盖板和多个无机LED芯片之间,光致发光层用于在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,通过在无机LED芯片上设置光致发光层,光致发光层在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,避免了使用有机材料激发色光时,由于有机材料寿命短导致的显示模组寿命短的问题,从而延长了显示模组的寿命。

Description

LED显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
技术领域
本发明涉及显示装置领域,特别涉及一种LED(lightemittingdiode,发光二极管)显示模组、显示装置及显示模组的制作方法。
背景技术
目前常见的显示装置有被动发光显示装置(如液晶显示装置)和主动发光显示装置(如OLED(OrganicLightEmittingDiode,有机发光二极管)显示装置),由于主动发光显示装置不需要设置背光板,相比被动发光显示装置具有厚度小,功耗低,响应速度快等优势,因此主动发光显示装置具有更大的市场竞争力。
其中,OLED显示装置主要是采用AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode,有源矩阵有机发光二极管)显示模组。AMOLED显示模组主要包括透明基板、设置在透明基板上的控制电路、与控制电路连接的OLED以及控制芯片。AMOLED显示模组的发光原理是通过电流激发OLED芯片中不同的有机半导体材料发光,从而可以得到不同颜色的色光。
但是,由于有机材料的使用寿命不长,尤其是产生蓝光的有机材料的使用寿命非常短(仅有约1000小时),因此,目前的AMOLED显示模组受限于有机材料的使用寿命,使用寿命较短,大大限制了显示装置的寿命,此外,由于AMOLED发出蓝光时光效低,为了提高蓝光的亮度,通常采用增大电流、提高功率的方法,这就增大了AMOLED的功耗。
发明内容
为了延长显示模组的使用寿命,降低显示模组的功耗,本发明实施例提供了一种发光二极管显示模组、显示装置及显示模组的制作方法。所述技术方案如下:
一方面,本发明实施例提供了一种LED显示模组,所述LED显示模组包括:基板、多个无机LED芯片、控制电路、光致发光层和透明盖板,所述透明盖板与所述基板相对设置,所述控制电路、所述光致发光层和所述多个无机LED芯片位于所述透明盖板和所述基板之间,所述多个无机LED芯片呈阵列排布在所述基板的一侧面上;所述多个无机LED芯片分别与所述控制电路连接,所述控制电路用于驱动所述多个无机LED芯片发光,所述光致发光层设置在所述透明盖板和所述多个无机LED芯片之间,所述光致发光层用于在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光。
优选地,所述光致发光层和所述控制电路形成在所述透明盖板的同一侧面上。
优选地,所述控制电路包括栅线和与所述栅线绝缘交叉设置的数据线,多条所述栅线和多条所述数据线交叉形成多个网格,每一所述网格中设置有一像素驱动电路,所述像素驱动电路分别与所述栅线和所述数据线连接,且所述像素驱动电路与所述无机LED芯片一一对应连接。
优选地,所述光致发光层包括多个光致发光单元,每个所述光致发光单元对应沿所述栅线并排设置的三个所述无机LED芯片。
可选地,所述光致发光单元包括间隔设置的第一子光致发光单元和第二子光致发光单元,所述第一子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出红光,所述第二子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出绿光,所述无机LED芯片发出的光为蓝光。
进一步地,所述光致发光单元还包括第三子光致发光单元,所述第三子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出蓝光。
优选地,所述第三子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出的蓝光的波长为450nm~460nm。
可选地,所述光致发光层为量子点彩膜。
优选地,所述LED显示模组还包括钝化层,所述钝化层位于所述控制电路和所述无机LED芯片之间,所述钝化层上设有通孔,所述无机LED芯片的阳极与所述控制电路通过设置在所述通孔中的导电体连接。
进一步地,所述导电体由氧化铟锡形成。
进一步地,所述无机LED芯片的阴极的电极材料为铜铂金三元合金。
优选地,所述无机LED芯片包括形成在所述基板的一侧面的N型氮化镓层,形成在所述N型氮化镓层部分区域上的重掺杂氮化镓层,形成在所述重掺杂氮化镓层上的P型氮化镓层,所述N型氮化镓层上设置有阴极,所述P型氮化镓层上设置有阳极。
优选地,所述基板为蓝宝石基板。
可选地,所述LED显示模组还包括反光层,所述反光层设置在所述基板背向所述无机LED芯片的一侧面上。
另一方面,本发明实施例还提供了一种LED显示装置,所述LED显示装置具有前述任一种LED显示模组。
另一方面,本发明实施例还提供了一种LED显示模组的制作方法,所述制作方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧面上制作无机LED芯片、光致发光层和控制电路,所述多个无机LED芯片呈阵列排布在所述基板的一侧面上,所述多个无机LED芯片分别与所述控制电路连接,所述控制电路用于驱动所述多个无机LED芯片发光,在垂直于所述基板的方向上,所述光致发光层位于所述无机LED芯片上方,所述光致发光层用于在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光;
将透明盖板和所述基板对盒。
另一方面,本发明实施例还提供了另一种LED显示模组的制作方法,所述制作方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧面上制作无机LED芯片,所述多个无机LED芯片呈阵列排布在所述基板的一侧面上;
在透明盖板的一侧面上制作光致发光层和控制电路,所述控制电路用于驱动所述多个无机LED芯片发光,所述光致发光层用于在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光;
将所述透明盖板和所述基板对盒,使得所述多个无机LED芯片分别与所述控制电路连接。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过在无机LED芯片上设置光致发光层,光致发光层在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,避免了使用有机材料激发色光时,由于有机材料寿命短导致的显示模组寿命短的问题,从而延长了显示模组的寿命,同时由于采用无机LED芯片发光,无需增大电流以提高蓝光的亮度,从而降低了显示模组的功耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种LED显示模组的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种LED显示模组的基板的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种LED显示模组的透明盖板的示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种LED显示模组的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种LED显示模组的制作方法的流程图;
图6是本发明实施例提供的另一种LED显示模组的制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种LED显示模组的结构示意图,如图1所示,该LED显示模组包括:基板1、多个无机LED芯片2、控制电路4、光致发光层5和透明盖板3,透明盖板3与基板1相对设置,控制电路4、光致发光层5和多个无机LED芯片2位于透明盖板3和基板1之间。多个无机LED芯片2分别与控制电路4连接,控制电路4用于驱动多个无机LED芯片2发光,光致发光层5设置在透明盖板3和多个无机LED芯片2之间,光致发光层5用于在无机LED芯片2发出的光的照射下激发出色光。图2是本发明实施例提供的一种LED显示模组的基板的结构示意图,结合图2,多个无机LED芯片2呈阵列排布在基板1的一侧面上。
本发明实施例通过在无机LED芯片上设置光致发光层,光致发光层在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,避免了使用有机材料激发色光时,由于有机材料寿命短导致的显示模组寿命短的问题,从而延长了显示模组的寿命,同时由于采用无机LED芯片发光,无需增大电流以提高蓝光的亮度,从而降低了显示模组的功耗。
在本实施例的一种实现方式中,每个无机LED芯片2包括形成在基板1的一侧面的N型氮化镓层21,形成在N型氮化镓层21部分区域上的重掺杂氮化镓层23,形成在重掺杂氮化镓层23上的P型氮化镓层22,N型氮化镓层21上设置有阴极25,P型氮化镓层22上设置有阳极,由于氮化镓材料的无机LED芯片2制备工艺成熟,因此选用氮化镓材料制成的无机LED芯片2发光激发光致发光层5,降低了工艺难度,降低了制作成本,同时由于氮化镓材料制成的无机LED芯片的蓝光光效是OLED的蓝光光效的五倍,采用氮化镓材料制作无机LED芯片可以进一步降低功耗。
其中,基板1优选为蓝宝石基板,蓝宝石具有良好的机械性能和光学性能,同时由于使用蓝宝石为基板1的无机LED芯片2制作工艺成熟,因此制作成本低廉。
需要说明的是,为了便于说明,图2中仅示出了6个无机LED芯片2,在实际应用中,无机LED芯片2的数量可以根据实际需要进行设置,本发明并不以此为限。
进一步地,无机LED芯片2的阴极25的电极材料可以为铜铂金三元合金,铜铂金合金具有良好的延展性,适宜制作成微小的电极,同时还具有良好的导电导热性,能减少LED芯片2的发热,并增强散热能力。
其中,无机LED芯片2可以采用共阴极的方式连接,具体地,多个沿同一条栅线42排列的无机LED芯片2的阴极25相连接,采用共阴极的方式连接可以减少无机LED芯片2与电源之间的导线的设置。
优选地,光致发光层5和控制电路4形成在透明盖板3的同一侧面上,将光致发光层5和控制电路4形成在透明盖板3上,在生产过程中不会受到无机LED芯片2的干涉,工艺简单。
此外,光致发光层5和控制电路4也可以都形成在基板1一侧或是其中一个设置在基板1一侧,另一个设置在透明盖板3的一侧上。
其中,该透明盖板3包括但不限于玻璃盖板、塑料盖板、蓝宝石盖板等。
图3是本发明实施例提供的一种LED显示模组的透明盖板的示意图,如图3所示,控制电路4包括栅线42和与栅线42绝缘交叉设置的数据线43,多条栅线42和多条数据线43交叉形成多个网格,每一网格中设置有一像素驱动电路41,像素驱动电路41分别与栅线42和数据线43连接,且像素驱动电路41与无机LED芯片2一一对应连接,栅线42和数据线43通过像素驱动电路41控制无机LED芯片2发光。
其中,每一像素驱动电路41至少包括一薄膜晶体管,薄膜晶体管的栅极连接在栅线42上,薄膜晶体管的源极连接在数据线43上,薄膜晶体管的漏极与无机LED芯片2的阳极连接。
需要说明的是,该像素驱动电路41还可以直接选用目前已有的各种AMOLED的像素驱动电路,像素驱动电路41可以包括多个薄膜晶体管和多个电容,通过多个薄膜晶体管和多个电容共同作用,驱动无机LED芯片2发光,同时还可以具有电路补偿功能,例如电压补偿。
进一步地,光致发光层5包括多个光致发光单元,每个光致发光单元对应沿栅线42并排设置的三个无机LED芯片2,将沿栅线42并排设置的三个无机LED芯片2与一个光致发光单元对应设置,从而可以通过三个无机LED芯片2共同激发一个光致发光单元发光,并且可以通过调节三个无机LED芯片2的亮度来控制一个光致发光单元发光。
在图3所示的实施方式中,光致发光单元包括间隔设置的第一子光致发光单元51、第二子光致发光单元52和第三子光致发光单元53,第一子光致发光单元51在无机LED芯片2发出的光的照射下激发出红光,第二子光致发光单元52在无机LED芯片2发出的光的照射下激发出绿光,第三子光致发光单元53在无机LED芯片2发出的光的照射下激发出蓝光,从而可以得到红绿蓝三色光,本实施例中LED显示模组的一个像素单元包括一个光致发光单元和与该光致发光单元相对应设置的三个无机LED芯片2以及用于控制该三个无机LED芯片2发光的像素驱动电路41,通过控制同一像素单元中的三个无机LED芯片发光,进而使该像素单元可以发出不同颜色的光,使得LED显示模组可以显示出不同的色彩。
需要说明的是,第一子光致发光单元51、第二子光致发光单元52和第三子光致发光单元53之间的排列顺序并不限于图3中所示的顺序。
在该实施例方式中,第三子光致发光单元53在无机LED芯片2发出的光的照射下激发出的蓝光的波长为450nm(纳米)~460nm,由于无机LED芯片2发出的蓝光波长在435nm附近,对人眼有危害,因此通过第三子光致发光单元53将波长在435nm附近的蓝光转换为波长在450nm~460nm的蓝光,可以降低无机LED芯片2发出的蓝光对人眼的危害。
在本发明实施例的另一种实施方式中,光致发光单元也可以只包括前述第一子光致发光单元51和第二子光致发光单元52,而不包括第三子光致发光单元53,直接采用无机LED芯片2发出的蓝光,通过设置在无机LED芯片2的照射下激发红光的第一子光致发光单元51和在无机LED芯片2的照射下激发绿光的第二子光致发光单元52,可以分别得到红光和绿光,同时无机LED芯片2发蓝光,即可得到红绿蓝三色光,这种实施方式中,可以减少光致发光层5的覆盖区域,节省成本。
需要说明的是,光致发光层5可以为量子点彩膜,量子点彩膜为一种表面分布有量子点的薄膜材料,量子点一般为球形或类球形,是由半导体材料制成的、直径在2nm~20nm的纳米粒子,其具体制备工艺为现有技术,此处不再详述。
图4是本发明实施例提供的另一种LED显示模组的结构示意图,如图4所示,该LED显示模组还包括钝化层6,钝化层6位于控制电路4和无机LED芯片2之间,钝化层6上设有通孔,无机LED芯片2的阳极与控制电路4通过设置在通孔中的导电体24连接,通过钝化层6增大无机LED芯片2发出的光与空气之间发生全反射的临界角,减少反射回无机LED芯片2的光,从而提高亮度,并且还可以避免无机LED芯片2出现短路。
可选地,钝化层6可以由二氧化硅或氮化硅制成。
其中,导电体24可以由ITO(Indiumtinoxide,氧化铟锡)形成,使用ITO做电极能减少电极材料对无机LED芯片2发出的光的吸收,从而提高亮度。
优选地,LED显示模组还可以包括反光层(未示出),反光层设置在基板1背向无机LED芯片2的一侧面上,通过反光层将无机LED芯片2发出的部分光向出光侧一侧反射,提高了无机LED芯片2的亮度。
其中,反光层可以由金属银形成,金属银具有良好的反光性能,能够将大部分照射在金属银上的光反射到出光侧,提高了无机LED芯片2的亮度。
图5是本发明实施例提供的一种LED显示模组的制作方法的流程图,该制作方法用于制作前述任一种LED显示模组,如图5所示,该制作方法包括:
S11:提供基板。
S12:在基板的一侧面上制作无机LED芯片、光致发光层和控制电路。
其中,多个无机LED芯片呈阵列排布在基板的一侧面上,多个无机LED芯片分别与控制电路连接,控制电路用于驱动多个无机LED芯片发光,在垂直于基板的方向上,光致发光层位于无机LED芯片上方,光致发光层用于在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光。
S13:将透明盖板和基板对盒。
本发明实施例通过在无机LED芯片上设置光致发光层,光致发光层在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,避免了使用有机材料激发色光时,由于有机材料寿命短导致的显示模组寿命短的问题,从而延长了显示模组的寿命,同时由于采用无机LED芯片发光,无需增大电流以提高蓝光的亮度,从而降低了显示模组的功耗。
在实际生产中,S12可以包括先在基板的一侧面上制作无机LED芯片,再在无机LED芯片上制作钝化层,之后在钝化层上制作控制电路,最后在控制电路上制作光致发光层。
需要说明的是,钝化层上设有通孔,无机LED芯片的阳极与控制电路通过设置在通孔中的导电体连接。
其中,钝化层可以由二氧化硅或氮化硅形成,导电体可以由ITO形成。
此外,还可以在基板背向无机LED芯片的一侧面上制作反光层。
其中,反光层可以由金属银形成。
图6是本发明实施例提供的另一种LED显示模组的制作方法的流程图,该制作方法用于制作前述任一种LED显示模组,如图6所示,该制作方法包括:
S21:提供基板。
其中,该基板可以是蓝宝石基板。
S22:在基板的一侧面上制作无机LED芯片。
其中,多个无机LED芯片呈阵列排布在基板的一侧面上。
S23:在透明盖板的一侧面上制作光致发光层和控制电路。
其中,控制电路用于驱动多个无机LED芯片发光,光致发光层用于在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光。
S24:将透明盖板和基板对盒,使得多个无机LED芯片分别与控制电路连接。
本发明实施例通过在无机LED芯片上设置光致发光层,光致发光层在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,避免了使用有机材料激发色光时,由于有机材料寿命短导致的显示模组寿命短的问题,从而延长了显示模组的寿命,同时由于采用无机LED芯片发光,无需增大电流以提高蓝光的亮度,从而降低了显示模组的功耗。
在实际生产中,S22可以包括先在基板的一侧面上制作无机LED芯片,再在无机LED芯片上制作钝化层。
需要说明的是,钝化层上设有通孔,无机LED芯片的阳极与控制电路通过设置在通孔中的导电体连接。
其中,钝化层可以由二氧化硅或氮化硅形成,导电体可以由ITO形成。
实现时,S23可以包括先在透明盖板上制作控制电路,再制作光致发光层。
此外,还可以在基板背向无机LED芯片的一侧面上制作反光层。
其中,反光层可以由金属银形成。
本发明实施例还提供了一种LED显示装置,该LED显示装置包括前述的任一种LED显示模组。
本发明实施例通过在无机LED芯片上设置光致发光层,光致发光层在无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光,避免了使用有机材料激发色光时,由于有机材料寿命短导致的显示模组寿命短的问题,从而延长了显示模组的寿命,同时由于采用无机LED芯片发光,无需增大电流以提高蓝光的亮度,从而降低了显示模组的功耗。
该LED显示装置可以为:液晶面板、电子纸、LED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种LED显示模组,其特征在于,包括:基板、多个无机LED芯片、控制电路、光致发光层和透明盖板,所述透明盖板与所述基板相对设置,所述控制电路、所述光致发光层和所述多个无机LED芯片位于所述透明盖板和所述基板之间,所述多个无机LED芯片呈阵列排布在所述基板的一侧面上,所述多个无机LED芯片分别与所述控制电路连接,所述控制电路用于驱动所述多个无机LED芯片发光,所述光致发光层设置在所述透明盖板和所述多个无机LED芯片之间,所述光致发光层用于在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光。
2.根据权利要求1所述的LED显示模组,其特征在于,所述光致发光层和所述控制电路形成在所述透明盖板的同一侧面上。
3.根据权利要求1所述的LED显示模组,其特征在于,所述控制电路包括栅线和与所述栅线绝缘交叉设置的数据线,多条所述栅线和多条所述数据线交叉形成多个网格,每一所述网格中设置有一像素驱动电路,所述像素驱动电路分别与所述栅线和所述数据线连接,且所述像素驱动电路与所述无机LED芯片一一对应连接。
4.根据权利要求3所述的LED显示模组,其特征在于,所述光致发光层包括多个光致发光单元,每个所述光致发光单元对应沿所述栅线并排设置的三个所述无机LED芯片。
5.根据权利要求4所述的LED显示模组,其特征在于,所述光致发光单元包括间隔设置的第一子光致发光单元和第二子光致发光单元,所述第一子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出红光,所述第二子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出绿光,所述无机LED芯片发出的光为蓝光。
6.根据权利要求5所述的LED显示模组,其特征在于,所述光致发光单元还包括第三子光致发光单元,所述第三子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出蓝光。
7.根据权利要求6所述的LED显示模组,其特征在于,所述第三子光致发光单元在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出的蓝光的波长为450nm~460nm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的LED显示模组,其特征在于,所述光致发光层为量子点彩膜。
9.根据权利要求1~7任一项所述的LED显示模组,其特征在于,所述LED显示模组还包括钝化层,所述钝化层位于所述控制电路和所述无机LED芯片之间,所述钝化层上设有通孔,所述无机LED芯片的阳极与所述控制电路通过设置在所述通孔中的导电体连接。
10.根据权利要求8所述的LED显示模组,其特征在于,所述导电体由氧化铟锡形成。
11.根据权利要求1~7任一项所述的LED显示模组,其特征在于,所述无机LED芯片的阴极的电极材料为铜铂金三元合金。
12.根据权利要求1~7任一项所述的LED显示模组,其特征在于,所述无机LED芯片包括形成在所述基板的一侧面的N型氮化镓层,形成在所述N型氮化镓层部分区域上的重掺杂氮化镓层,形成在所述重掺杂氮化镓层上的P型氮化镓层,所述N型氮化镓层上设置有阴极,所述P型氮化镓层上设置有阳极。
13.根据权利要求1~7任一项所述的LED显示模组,其特征在于,所述基板为蓝宝石基板。
14.根据权利要求1~7任一项所述的LED显示模组,其特征在于,所述LED显示模组还包括反光层,所述反光层设置在所述基板背向所述无机LED芯片的一侧面上。
15.一种LED显示装置,其特征在于,所述LED显示装置包括权利要求1~14任一项所述的LED显示模组。
16.一种LED显示模组的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧面上制作无机LED芯片、光致发光层和控制电路,所述多个无机LED芯片呈阵列排布在所述基板的一侧面上,所述多个无机LED芯片分别与所述控制电路连接,所述控制电路用于驱动所述多个无机LED芯片发光,在垂直于所述基板的方向上,所述光致发光层位于所述无机LED芯片上方,所述光致发光层用于在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光;
将透明盖板和所述基板对盒。
17.一种LED显示模组的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧面上制作无机LED芯片,所述多个无机LED芯片呈阵列排布在所述基板的一侧面上;
在透明盖板的一侧面上制作光致发光层和控制电路,所述控制电路用于驱动所述多个无机LED芯片发光,所述光致发光层用于在所述无机LED芯片发出的光的照射下激发出色光;
将所述透明盖板和所述基板对盒,使得所述多个无机LED芯片分别与所述控制电路连接。
CN201610262716.8A 2016-04-25 2016-04-25 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法 Pending CN105789237A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610262716.8A CN105789237A (zh) 2016-04-25 2016-04-25 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
PCT/CN2017/080890 WO2017186024A1 (zh) 2016-04-25 2017-04-18 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
US15/576,278 US20180158808A1 (en) 2016-04-25 2017-04-18 Led display module, display device and method of manufacturing led display module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610262716.8A CN105789237A (zh) 2016-04-25 2016-04-25 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105789237A true CN105789237A (zh) 2016-07-20

Family

ID=56399443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610262716.8A Pending CN105789237A (zh) 2016-04-25 2016-04-25 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180158808A1 (zh)
CN (1) CN105789237A (zh)
WO (1) WO2017186024A1 (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106711255A (zh) * 2016-12-30 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 光致发光显示面板
WO2017186024A1 (zh) * 2016-04-25 2017-11-02 京东方科技集团股份有限公司 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
CN108873454A (zh) * 2018-07-02 2018-11-23 厦门乾照光电股份有限公司 主动发光集成式彩色显示面板及其制作方法、显示装置
CN108962914A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法
KR20190003153A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 삼성전자주식회사 Led 장치 및 그 제조 방법
CN109410775A (zh) * 2018-10-24 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种微led显示面板、其制作方法及显示装置
CN110870065A (zh) * 2017-11-27 2020-03-06 首尔伟傲世有限公司 用于显示器的led单元以及具有该led单元的显示设备
CN112968020A (zh) * 2020-12-25 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 基板组件、显示单元、显示模组及其制作方法及显示屏
US11522008B2 (en) 2018-01-02 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11527513B2 (en) 2017-12-20 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11532664B2 (en) 2017-11-27 2022-12-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11557577B2 (en) 2018-01-03 2023-01-17 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11804511B2 (en) 2017-12-05 2023-10-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11804512B2 (en) 2017-12-14 2023-10-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11973104B2 (en) 2022-05-26 2024-04-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987423B (zh) * 2017-06-05 2023-09-12 三星电子株式会社 显示装置
KR102533666B1 (ko) * 2018-09-14 2023-05-17 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20210183833A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-17 Innolux Corporation Electronic device
CN113675315B (zh) * 2020-05-14 2023-05-09 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制备方法
KR20220068446A (ko) * 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080217602A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Kahen Keith B Quantum dot light emitting device
US20110025951A1 (en) * 2009-05-27 2011-02-03 Gary Wayne Jones High efficiency and long life optical spectrum conversion device and process
KR20120028567A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 삼성엘이디 주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치
US20120223875A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-06 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color led micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
CN103208504A (zh) * 2012-12-25 2013-07-17 友达光电股份有限公司 显示装置
CN103280505A (zh) * 2013-03-08 2013-09-04 友达光电股份有限公司 发光二极管阵列的制作方法及发光二极管显示装置的制法
CN103855179A (zh) * 2012-12-03 2014-06-11 孙润光 一种无机发光二极管显示器件结构
CN105097870A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 株式会社日本显示器 显示装置
CN105140352A (zh) * 2015-07-29 2015-12-09 中山大学 GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4366732B2 (ja) * 1998-09-30 2009-11-18 ソニー株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
KR101154596B1 (ko) * 2009-05-21 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8585268B2 (en) * 2011-10-21 2013-11-19 Ergophos, Llc Light-guide panel for display with laser backlight
US8912020B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-16 International Business Machines Corporation Integrating active matrix inorganic light emitting diodes for display devices
TWI535077B (zh) * 2012-05-24 2016-05-21 台達電子工業股份有限公司 發光單元及其發光模組
WO2015102746A2 (en) * 2013-11-04 2015-07-09 Massachusetts Institute Of Technology Electronics including graphene-based hybrid structures
TWI814143B (zh) * 2015-03-09 2023-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
CN105789237A (zh) * 2016-04-25 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080217602A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Kahen Keith B Quantum dot light emitting device
US20110025951A1 (en) * 2009-05-27 2011-02-03 Gary Wayne Jones High efficiency and long life optical spectrum conversion device and process
US20120223875A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-06 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color led micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
KR20120028567A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 삼성엘이디 주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치
CN103855179A (zh) * 2012-12-03 2014-06-11 孙润光 一种无机发光二极管显示器件结构
CN103208504A (zh) * 2012-12-25 2013-07-17 友达光电股份有限公司 显示装置
CN103280505A (zh) * 2013-03-08 2013-09-04 友达光电股份有限公司 发光二极管阵列的制作方法及发光二极管显示装置的制法
CN105097870A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 株式会社日本显示器 显示装置
CN105140352A (zh) * 2015-07-29 2015-12-09 中山大学 GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017186024A1 (zh) * 2016-04-25 2017-11-02 京东方科技集团股份有限公司 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
CN106711255B (zh) * 2016-12-30 2018-03-30 武汉华星光电技术有限公司 光致发光显示面板
CN106711255A (zh) * 2016-12-30 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 光致发光显示面板
CN108962914B (zh) * 2017-05-19 2021-07-30 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法
CN108962914A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法
CN110754000B (zh) * 2017-06-30 2023-12-26 三星电子株式会社 发光二极管装置及其制造方法
KR20190003153A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 삼성전자주식회사 Led 장치 및 그 제조 방법
CN110754000A (zh) * 2017-06-30 2020-02-04 三星电子株式会社 发光二极管装置及其制造方法
KR102455483B1 (ko) * 2017-06-30 2022-10-19 삼성전자주식회사 Led 장치 및 그 제조 방법
EP3602631A4 (en) * 2017-06-30 2020-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11563052B2 (en) 2017-11-27 2023-01-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
JP2021504753A (ja) * 2017-11-27 2021-02-15 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置
CN110870065A (zh) * 2017-11-27 2020-03-06 首尔伟傲世有限公司 用于显示器的led单元以及具有该led单元的显示设备
US11935912B2 (en) 2017-11-27 2024-03-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11532664B2 (en) 2017-11-27 2022-12-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11610939B2 (en) 2017-11-27 2023-03-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
JP7206276B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置
US11804511B2 (en) 2017-12-05 2023-10-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11804512B2 (en) 2017-12-14 2023-10-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11527513B2 (en) 2017-12-20 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11527514B2 (en) 2017-12-20 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11756984B2 (en) 2017-12-21 2023-09-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11522008B2 (en) 2018-01-02 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US11557577B2 (en) 2018-01-03 2023-01-17 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11923348B2 (en) 2018-01-03 2024-03-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
CN108873454A (zh) * 2018-07-02 2018-11-23 厦门乾照光电股份有限公司 主动发光集成式彩色显示面板及其制作方法、显示装置
CN109410775A (zh) * 2018-10-24 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种微led显示面板、其制作方法及显示装置
CN112968020B (zh) * 2020-12-25 2023-05-19 重庆康佳光电技术研究院有限公司 基板组件、显示单元、显示模组及其制作方法及显示屏
CN112968020A (zh) * 2020-12-25 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 基板组件、显示单元、显示模组及其制作方法及显示屏
US11973104B2 (en) 2022-05-26 2024-04-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017186024A1 (zh) 2017-11-02
US20180158808A1 (en) 2018-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105789237A (zh) Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
CN104752623B (zh) 有机电致发光装置和有机电致发光显示装置
US9018621B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR102047230B1 (ko) 백색 유기발광다이오드 및 이를 이용한 표시장치
TW200536433A (en) Organic light-emitting diode, display device, and telecommunication employing the same
WO2014166149A1 (zh) 量子点电致发光显示器件及显示装置
KR20150039487A (ko) 디스플레이 장치
WO2020001040A1 (zh) 发光器件及其制作方法、电子装置
CN103000662A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103021334A (zh) 一种像素结构、像素单元结构、显示面板及显示装置
CN103000640A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109859644B (zh) 显示面板及显示模组
KR20100000650A (ko) 산화물 다이오드를 이용한 디스플레이 장치
CN103000580A (zh) 阵列基板及其制作方法
CN103022049A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103000641A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR101813533B1 (ko) 유기전계발광다이오드
TWI425858B (zh) 有機發光裝置、照明裝置以及液晶顯示器
KR101163064B1 (ko) 유기 발광소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광소자
CN100524800C (zh) 自发光与反射复合式显示器及其制作方法
CN202930382U (zh) 阵列基板及显示装置
WO2015083483A1 (ja) 面発光ユニット
CN100372124C (zh) 双面发光有机电激发光装置及电子装置
CN202957247U (zh) 阵列基板及显示装置
CN102800815A (zh) 显示装置及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160720