WO2020001040A1 - 发光器件及其制作方法、电子装置 - Google Patents
发光器件及其制作方法、电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020001040A1 WO2020001040A1 PCT/CN2019/075238 CN2019075238W WO2020001040A1 WO 2020001040 A1 WO2020001040 A1 WO 2020001040A1 CN 2019075238 W CN2019075238 W CN 2019075238W WO 2020001040 A1 WO2020001040 A1 WO 2020001040A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- electrode
- light
- layer
- quantum dot
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 142
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 78
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 63
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种发光器件及其制作方法、电子装置。该发光器件包括：第一电极(1)、第二电极(2)、电致发光层(3)和量子点光转换层(4)；第二电极(2)设置在所述第一电极(1)上方；电致发光层(3)和量子点光转换层(4)设置在第一电极(1)和第二电极(2)之间，所述量子点光转换层(4)设置在所述电致发光层(3)的出光侧，并且在来自所述电致发光层(3)的光的激发下产生与来自所述电致发光层(3)的光颜色相同且与来自所述电致发光层(3)的光相比波长范围窄的光。该发光器件具有较好的发光性能和较长的使用寿命，采用该发光器件的显示装置具有较广的色域。
Description
本申请要求于2018年6月28日递交的中国专利申请第201810689588.4号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
本公开至少一实施例涉及一种发光器件及其制作方法、电子装置。
电致发光器件是可以将电能转化为光能的固体半导体发光器件，目前在显示和照明领域得到广泛应用，例如，发光二极管(LED)。电致发光器件中的发光材料可以分为有机发光材料和无机发光材料。对于有机发光二极管(OLED)，与发红光的有机发光二极管和发绿光的发光二极管相比，发蓝光的有机发光二极管的发展比较落后。一方面因为蓝光发光材料种类较少，另一方面蓝光发光材料稳定性能较差，因此实现OLED白光显示或照明就会出现相应制约。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种发光器件，该发光器件包括：第一电极、第二电极、电致发光层和量子点光转换层；第二电极设置在所述第一电极上方；电致发光层和量子点光转换层设置在第一电极和第二电极之间，所述量子点光转换层设置在所述电致发光层的出光侧，并且在来自所述电致发光层的光的激发下产生与来自所述电致发光层的光颜色相同且与来自所述电致发光层的光相比波长范围较窄的光。
例如，本公开一实施例提供的发光器件中，所述第一电极为不透明的反射电极；所述第二电极为透明电极或半透明电极；所述量子点光转换层位于所述电致发光层与所述第二电极之间。
例如，本公开一实施例提供的发光器件还包括电子注入层，电子注入层位于所述第二电极与所述电致发光层之间，所述量子点光转换层位于所述电子注入层与所述第二电极之间。
例如，本公开一实施例提供的发光器件中，所述第二电极为不透明的反射电极；所述第一电极为透明电极或半透明电极；所述量子点光转换层位于所述第一电极与所述电致发光层之间。
例如，本公开一实施例提供的发光器件还包括空穴注入层，空穴注入层位于所述第一电极与所述电致发光层之间，所述量子点光转换层位于所述第一电极与所述空穴注入层之间。
例如，本公开一实施例提供的发光器件中，所述量子点薄膜层为碳纳米量子点薄膜层。
例如，本公开一实施例提供的发光器件中，来自所述电致发光层的所述光包括蓝光，所述碳纳米量子点薄膜层在所述蓝光的激发下产生蓝光。
例如，本公开一实施例提供的发光器件中，所述碳纳米量子点薄膜层的厚度为5-30nm。
本公开至少一实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括本公开实施例提供的任意一种发光器件。
本公开一实施例提供的一种电子装置中，所述电子装置包括发光阵列，所述发光阵列包括多个发光单元，所述多个发光单元中的每个包括所述发光器件。
本公开至少一实施例还提供一种发光器件的制作方法，该制作方法包括：形成第一电极、电致发光层、量子点光转换层和第二电极，其中，所述第二电极位于所述第一电极上方，所述电致发光层和所述量子点光转换层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述量子点光转换层设置在所述电致发光层的出光侧并且在来自所述电致发光层的光的激发下产生与来自所述电致发光层的光颜色相同且与来自所述电致发光层的光相比波长范围窄的光。
本公开一实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第一电极为不透明的反射电极，所述第二电极为透明电极或半透明电极；所述量子点光转换层形成于所述发光层与所述第二电极之间。
本公开一实施例提供的发光器件的制作方法还包括：在所述第二电极与所述电致发光层之间形成电子注入层，其中，所述量子点光转换层形成于所述电子注入层与所述第二电极之间。
本公开一实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第二电极为不透明的反射电极，所述第一电极为透明电极或半透明电极；所述量子点光转换层形成于所述发光层与所述第一电极之间。
本公开一实施例提供的发光器件的制作方法还包括：在所述第一电极与所述电致发光层之间形成空穴注入层，其中，所述量子点光转换层形成于所述空穴注入层与所述第一电极之间。
本公开一实施例提供的发光器件的制作方法中，所述量子点光转换层为碳纳米量子点薄膜层。
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图2为本公开一实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图3为本公开一实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
图4为本公开一实施例提供的再一种发光器件的结构示意图；
图5为本公开一实施例提供的一种电子装置的示意图；
图6为本公开一实施例提供的一种电子装置的发光阵列的局部平面示意图；
图7A-7D为本公开一实施例提供的一种发光器件的制作方法示意图；
图8A-8H为本公开一实施例提供的另一种发光器件的制作方法示意图；
图9A-9D为本公开一实施例提供的又一种发光器件的制作方法示意图；
图10A-10H为本公开一实施例提供的再一种发光器件的制作方法示意图。
附图标记
1-第一电极；2-第二电极；3-电致发光层；4-量子点光转换层；5-电子注入层；6-电子传输层；7-空穴注入层；8-空穴传输层；9-；10-发光器件；11-像素界定层；14-电子装置；101-衬底基板。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开中的附图的尺寸并不是严格按实际比例绘制，电子装置中发光单元的个数也不限定为图中所示的数量，各个结构的具体地尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中所描述的附图仅是结构示意图。
本公开至少一实施例提供一种发光器件，该发光器件包括：第一电极、第二电极、电致发光层和量子点光转换层；第二电极设置在所述第一电极上方；并且电致发光层和量子点光转换层设置在第一电极和第二电极之间。量子点光转换层设置在电致发光层的出光侧，并且在来自电致发光层的光的激发下产生与来自电致发光层的光颜色相同且与来自电致发光层的光相比波长范围窄的光。
示范性地，图1为本公开一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。如图1所示，发光器件10包括第一电极1、第二电极2、电致发光层3和量 子点光转换层4。第二电极2设置在第一电极1的上方，电致发光层3和量子点光转换层4设置在第一电极1和第二电极2之间。电致发光层3在被施加电压的情况下能够发光，例如，给第一电极1施加高电平信号，给第二电极2施加低电平信号。当然，在其他实施例中，也可以给第一电极1施加低电平信号，给第二电极2施加高电平信号，本公开实施例对此不进行限制。量子点光转换层4设置在电致发光层3的出光侧，也就是，电致发光层3发出的光在出射到外部环境之前需经过量子点光转换层4。例如，在图1所示的实施例中，第一电极1为不透明的反射电极，第二电极2为透明电极或半透明电极，此时，电致发光层3的出光侧为其远离第一电极1的一侧，发光器件10为顶发光型。来自电致发光层3的光射入量子点光转换层4，量子点光转换层4在来自电致发光层3的光的激发下产生与来自电致发光层3的光颜色相同且与来自电致发光层3的光相比波长范围较窄的光。由此，可以利用量子点光转换层4将来自电致发光层3的单色光转换为颜色相同且色纯度更高的光。例如，电致发光层3发出的光包括蓝光，量子点光转换层4能够把该蓝光转换成具有更高的色纯度的蓝光。本公开实施例提供的发光器件10能够利用量子点光转换层4对单色光的质量进行改善，以使其达到更高的色纯度。例如，利用经由量子点光转换层4出射的光进行显示，可以获得更高的色域，提升显示质量。此外，随着电致发光层3的发光材料的老化，电致发光层3发出的光的色纯度会降低，本公开实施例提供的发光器件10能够利用量子点光转换层4对单色光的质量进行改善，以使其达到要求的色纯度，从而改善发光器件10的发光性能，延长发光器件10的使用寿命。
例如，在图1所示的实施例中，第一电极1的材料可以是金属材料，该金属材料例如可以是镁、铝、银、镁铝合金或镁银合金等。或者，第一电极1可以包括由透明导电材料形成的透明电极以及位于该透明电极上的反射金属层，该反射金属层的材料可以是上述金属材料。例如，第二电极2的材料是透明导电材料，该透明导电材料例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)或氟掺杂的氧化锡(FTO)等。当然，第一电极1、反射金属层和第二电极2的材料不限于上述列举种类，本公开实施例对此不作限定。
例如，电致发光层4可以为无机发光层或有机发光层。例如，下面以电致发光层4为有机发光层以使得该发光器件为有机发光二极管(OLED)器件为例进行说明。
例如，量子点光转换层4为纳米量子点薄膜层。量子点(Quantum Dot)是一种低维半导体材料，其三个维度上的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍。量子点通常为球形或类球形，其径向尺寸通常在纳米级。量子点具有独特的光电特性。量子点具有一个特性：当受到电或光刺激时就会发光，产生亮光和纯色光，发出的光的颜色由量子点的组成材料、大小和形状所决定。例如，量子点材料可为硫化锌、氮化镓、硒化锌、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、碲化铅、碳等。在本公开实施例提供的发光器件10中，来自电致发光层3的光进入纳米量子点薄膜层后，纳米量子点薄膜层在来自电致发光层3的单色光(例如蓝光)的激发下产生与来自电致发光层3的光相比波长范围较窄(即，色纯度更高)且与来自电致发光层3的光颜色相同的单色光。
例如，来自电致发光层3的光包括蓝光，该蓝光波段的波长范围为400nm-450nm，纳米量子点薄膜层能够把来自电致发光层3的蓝光转换成具有更高的色纯度的蓝光，以增强来自电致发光层3的蓝光的色纯度，改善电致发光层3所发出的蓝光的质量。例如，来自电致发光层3的光的波长小于纳米量子点薄膜层所发出的光的波长，从而来自电致发光层3的光具有较高的能量以对纳米量子点薄膜层进行激发。例如，来自电致发光层3的蓝光的波长范围为400nm-430nm，纳米量子点薄膜层所发出的蓝光的波长范围为430-440nm。又例如，来自电致发光层3的蓝光的波长范围为400nm-430nm，纳米量子点薄膜层所发出的蓝光的波长范围为420-440nm。当然，对于来自电致发光层3的蓝光的波长范围和纳米量子点薄膜层所发出的蓝光的波长范围，本公开实施例不作限定。与红光和绿光等颜色的光相比，由于蓝光的波长较短、能量较高，所以发蓝光的发光材料通常会先于发红光的发光材料和发绿光的发光材料发生衰老，本公开至少一实施例能够提高发蓝光的发光器件的发光性能，从而延长其使用寿命。
由于蓝光的能量较高，容易引起材料的衰变，与发红光及绿光的有机发 光材料相比，发蓝光的有机发光材料衰老较快，例如在具有红、绿、蓝发光单元的显示装置中，蓝光不足或色纯度低会导致色域变窄、显示画面泛黄等缺点。本公开至少一实施例提供的发光器件能够增强该蓝光的色纯度，从而当电致发光层发出的蓝光质量下降时，也可以获得色纯度较好的蓝光，从而增加发蓝光的发光器件的寿命，改善或避免上述缺点。
例如，上述纳米量子点薄膜层为碳纳米量子点薄膜层，即，量子点光转换层4为碳纳米量子点薄膜层。在电致发光器件中，如果载流子迁移率较低则会导致发光效率降低，因此有必要提高发光器件中的载流子迁移率。碳纳米量子点薄膜层具有较高的电子迁移率，能够提高载流子的迁移率，有利于使更多的电子与空穴在电致发光层3内结合，以激发出强度更高的光，提高发光器件的发光性能。例如，对于发蓝光的有机发光材料，蓝光所具有的较大的能量对应于发蓝光的有机发光材料较宽的带隙，这就意味着发蓝光的有机发光材料的LUMO能级高而HOMO能级低，使得电致发光层3与电极(图1中为第二电极2)存在较大能级差，不利于载流子注入，从而影响其发光性能。在本公开实施例提供的发光器件中，碳纳米量子点薄膜层除了如上所述能够提高发光器件的色纯度之外还能够使来自第二电极2的电子更容易地越过第二电极2与电致发光层3之间的能级势垒而进入电致发光层3，从而激发出强度更高的光。此外，碳纳米量子点薄膜层无毒，对环境危害小。
例如，碳纳米量子点薄膜层中的碳纳米量子点的形状为球形，碳纳米量子点的直径约为8nm，以发射上述蓝光。
例如，在图1所示的实施例中，量子点光转换层4位于电致发光层3与第二电极2之间。例如，该量子点光转换层4为碳纳米量子点薄膜层，碳纳米量子点薄膜层具有较高的载流子迁移率，其与第二电极2接触，当给第二电极2施加低电平且给第一电极1施加高电平时，第二电极2为阴极，第一电极1为阳极。这种情况下，碳纳米量子点薄膜层相当于与第二电极2一起构成复合阴极，以辅助电子传输。来自第二电极2的电子进入碳纳米量子点薄膜层，碳纳米量子点薄膜层能够提高电子的迁移率，使电子更容易地越过第二电极2与电致发光层3之间的能级势垒，而传输到电致发光层3中，从而更多的电子与空穴在电致发光层3内结合，激发出强度更高的光，提高发 光器件的发光性能。
例如，碳纳米量子点薄膜层的厚度约为5-30nm。碳纳米量子点薄膜层的厚度过大，会增加发光器件10的厚度，不利于应用该发光器件10的电子装置的薄化。碳纳米量子点薄膜层的厚度过小，无法激发其发出特定波长范围的光。
例如，图2为本公开一实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图2所示，该发光器件10与图1所示的发光器件的区别在于，该发光器件10还包括电子注入层5和电子传输层6，电子注入层5位于第二电极2与电致发光层3之间，电子传输层6位于电子注入层5与电致发光层3之间，量子点光转换层4位于电子注入层5与第二电极2之间。关于电子注入层5和电子传输层6，本领域技术人员可参考常规技术。在改善发光器件的发光性能方面，该发光器件能够达到与图1所示的发光器件相同的技术效果。例如，量子点光转换层4为位于电子注入层5与第二电极2之间的碳纳米量子点薄膜层，该碳纳米量子点薄膜层能够提高发光器件10的色纯度。进一步地，例如，该碳纳米量子点薄膜层与第二电极2一起构成复合阴极，辅助电子传输。来自第二电极2的电子进入碳纳米量子点薄膜层，碳纳米量子点薄膜层能够提高电子的迁移率，使电子更容易地越过第二电极2与电子注入层5之间的能级势垒，而传输到电致发光层3中，从而更多的电子与空穴在电致发光层3内结合，激发出强度更高的光，提高发光器件的发光性能。例如，可以不设置电子传输层6，以使得电子注入层5与电致发光层3直接接触。图2所示的发光器件的其他特征均与图1所示的发光器件的特征相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
例如，图3为本公开一实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图3所示，该发光器件10与图1所示的发光器件的区别在于，该发光器件10中，第二电极2为不透明的反射电极，第一电极1为透明电极或半透明电极，此时，电致发光层3的出光侧为其朝向第一电极1的一侧，即发光器件10为底发光型，量子点光转换层4位于第一电极1与电致发光层3之间。在改善发光器件的发光性能方面，该发光器件能够达到与图1所示的发光器件相同的技术效果，可参考之前的描述。
在图3所示的实施例中，例如，当给第一电极施加高电平信号且给第二电极施加低电平信号时，第二电极2为阴极，第一电极1为阳极。这种情况下，例如，量子点光转换层4为碳纳米量子点薄膜层。用作量子点光转换层4的碳纳米量子点薄膜层与第一电极1一起构成复合阳极，以辅助空穴传输。来自第一电极1的空穴进入碳纳米量子点薄膜层，碳纳米量子点薄膜层具有较高的空穴迁移率，能够提高空穴的迁移率，使空穴更容易地越过第一电极1与电致发光层3之间的能级势垒，而传输到电致发光层3中，从而有更多的空穴可以与电子在电致发光层3内结合，激发出强度更高的光，提高发光器件的发光性能。图3所示的发光器件的其他特征均与图1所示的发光器件的特征相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
例如，图4为本公开一实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图4所示，该发光器件10与图3所示的发光器件的区别在于，该发光器件10还包括空穴注入层7和空穴传输层8，空穴注入层7位于第一电极1与电致发光层3之间，空穴传输层8位于空穴注入层7与电致发光层3之间，量子点光转换层4位于第一电极1与空穴注入层7之间。关于空穴注入层7和空穴传输层8，本领域技术人员可参考常规技术。在改善发光器件的发光性能方面，该发光器件能够达到与图1所示的发光器件相同的技术效果。可参考之前的描述。
在图4所示的实施例中，例如，量子点光转换层4为位于空穴注入层7与第一电极1之间的碳纳米量子点薄膜层，该碳纳米量子点薄膜层与第一电极1一起构成复合阳极，以辅助空穴传输。来自第一电极1的空穴进入碳纳米量子点薄膜层，碳纳米量子点薄膜层能够提高空穴的迁移率，使空穴更容易地越过第一电极1与空穴注入层7之间的能级势垒，而传输到电致发光层3中，从而更多的空穴与电子在电致发光层3内结合，激发出强度更高的光，提高发光器件的发光性能。例如，在另一个实施例中，可以不设置空穴传输层8，以使得空穴注入层7与电致发光层3直接接触。图4所示的发光器件的其他特征均与图3所示的发光器件的特征相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
当然，在本公开的另一个实施例中，也可以在第一电极1与空穴注入层 7之间、第二电极2与电子注入层5之间均设置碳纳米量子点薄膜层，以在达到上述改善发光器件的色纯度的技术效果的同时，提高电子迁移率以及空穴迁移率二者。
本公开至少一实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括本公开实施例提供的任意一种发光器件。示范性地，图5为本公开一实施例提供的一种电子装置的示意图。如图5所示，电子装置14包括本公开实施例提供的任意一种发光器件10。对于电子装置14的其他技术特征，本公开实施例不作限定。例如，电子装置14可以是显示装置或照明装置。显示装置例如可以为OLED显示装置。例如，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等。本公开实施例提供的显示装置具有较广的色域，其发光器件具有较好的发光性能和较长的使用寿命。
例如，图6为本公开一实施例提供的一种电子装置的发光阵列的局部平面示意图。如图6所示，本公开一实施例提供的一种电子装置中，电子装置14包括发光阵列，发光阵列包括多个发光单元9和限定出多个发光单元9的像素界定层11。多个发光单元9中的每个包括本公开实施提供的任意一种发光器件。至于发光阵列的其他结构(例如驱动元件，例如驱动晶体管、栅线、数据线等)，可参考常规技术。例如，多个发光单元9中的每个包括多个子发光单元。例如，在本公开的一个实施例中，多个发光单元9中的每个包括的多个子发光单元为红色发光单元901、绿色发光单元902和蓝色发光单元903。红色发光单元901中的电致发光层发出红光，绿色发光单元902中的电致发光层发出绿光，蓝色发光单元903中的电致发光层发出蓝光，其中，至少蓝色发光单元903包括该发光器件，以使蓝色发光单元903所发出的蓝光具有更高的色纯度，蓝色发光单元903所发出的色纯度更高的蓝光与红色发光单元901发出的红光以及绿色发光单元902发出的绿光可形成更广的色域。并且，当蓝色发光单元903中的发蓝光的发光材料先于红色发光单元901中的发光材料和绿色发光单元902中的发光材料发生衰老时，能够提高蓝色发光单元903中的发光器件的发光性能，从而延长其使用寿命。本公开至少一实施例还提供一种发光器件的制作方法，该制作方法包括：形成第一电极、电致发光层、量子点光转换层和第二电极。第二电极位于第一电极上方，电 致发光层和量子点光转换层位于第一电极与所述第二电极之间，量子点光转换层设置在电致发光层的出光侧并且在来自电致发光层的光的激发下产生与来自电致发光层的光颜色相同且与来自电致发光层的光相比波长范围窄的光。
例如，在本公开的一个实施例中，第一电极为不透明的反射电极，第二电极为透明电极或半透明电极；量子点光转换层形成于发光层与第二电极之间。
示范性地，图7A-7D为本公开一实施例提供的一种发光器件的制作方法示意图。如图7A所示，提供衬底基板101，在衬底基板101上形成第一电极1。例如，衬底基板101可以是玻璃基板或塑料基板等。例如，第一电极1为不透明的反射电极，第一电极1的材料是不透明金属材料，具体请参考之前实施例中的描述。例如，可以采用蒸镀方法等形成第一电极1。
如图7B所示，在第一电极1上形成电致发光层3。例如，电致发光层3为有机发光层或无机发光层。例如，电致发光层3可以发出蓝光。例如，电致发光层3可以通过半导体工艺形成。
如图7C所示，在电致发光层3上形成量子点光转换层4。例如，量子点光转换层4为碳纳米量子点层，可以采用喷墨打印的方法形成。例如，该碳纳米量子点层为可以发射蓝光的量子点层。例如，碳纳米量子点层的碳纳米量子点的形状为球形，碳纳米量子点的直径约为8nm。该蓝光的波长等特征请参考之前的实施例中的描述。
如图7D所示，在量子点光转换层4上形成第二电极2。例如，第二电极2为透明电极或半透明电极。第二电极2的材料请参考之前的描述。例如，可以采用化学气相沉积等方法形成第二电极2。
例如，在本公开的一个实施例中，发光器件的制作方法还包括：在第二电极与电致发光层之间形成电子注入层，量子点光转换层形成于电子注入层与第二电极之间。制作方法还可以包括：在第一电极与电致发光层之间形成空穴注入层，在空穴注入层与电致发光层之间形成空穴传输层。
示范性地，图8A-8H为本公开一实施例提供的另一种发光器件的制作方法示意图。如图8A所示，采用与图7A相同的方法形成第一电极1。
如图8B所示，在第一电极1上形成空穴注入层7。例如，出于增强空穴迁移率的目的，在形成空穴注入层7之前还可以在第一电极1上形成碳纳米量子点层。如图8C所示，在空穴注入层7上形成空穴传输层8。空穴注入层7和空穴传输层8的具体制作方法，本领域技术人员可参考本领域常规技术。
如图8D所示，在空穴传输层8上形成电致发光层3。形成电致发光层3的具体方法请参考对图7B的描述。
如图8E所示，在电致发光层3上形成电子传输层6。如图8F所示，在电子传输层6上形成电子注入层5。电子传输层6和电子注入层5的具体制作方法，本领域技术人员可参考本领域常规技术。
如图8G所示，在电子注入层5上形成量子点光转换层4。形成量子点光转换层4的具体方法请参考对于图7C的描述，在此不再赘述。
如图8H所示，采用与图7D相同的方法在量子点光转换层4上形成第二电极2。
例如，在本公开的一个实施例中，第二电极为不透明的反射电极，第一电极为透明电极或半透明电极；量子点光转换层形成于电致发光层与第一电极之间。
示范性地，图9A-9D为本公开一实施例提供的又一种发光器件的制作方法示意图。如图9A所示，采用与图7A相同的方法形成第一电极1。
如图9B所示，在第一电极1上形成量子点光转换层4。形成量子点光转换层4的具体方法请参考对于图7C的描述，在此不再赘述。
如图9C所示，在量子点光转换层4上形成电致发光层3。形成电致发光层3的具体方法请参考对图7B的描述。
如图9D所示，在电致发光层3上形成第二电极2。第二电极2的材料和方法请参考对图7D的描述。
例如，在本公开的一个实施例中，发光器件的制作方法还包括：在第一电极与电致发光层之间形成空穴注入层，量子点光转换层形成于空穴注入层与第一电极之间。例如，该制作方法还包括在第二电极与电致发光层之间形成电子注入层，在电子注入层与电致发光层之间形成电子传输层。
示范性地，图10A-10H为本公开一实施例提供的再一种发光器件的制作 方法示意图。如图10A所示，采用与图7A相同的方法形成第一电极1。
如图10B所示，在第一电极1上形成量子点光转换层4。形成量子点光转换层4的具体方法请参考对于图7C的描述，在此不再赘述。
如图10C所示，在量子点光转换层4上形成空穴注入层7。如图10D所示，在空穴注入层7上形成空穴传输层8。空穴注入层7和空穴传输层8的具体制作方法，本领域技术人员可参考本领域常规技术。
如图10E所示，在空穴传输层8上形成电致发光层3。形成电致发光层3的具体方法请参考对图7B的描述。
如图10F所示，在电致发光层3上形成电子传输层6。如图10G所示，在电子传输层6上形成电子注入层5。例如，出于增强电子迁移率的目的，在形成电子注入层之后还可以在电子注入层5上形成碳纳米量子点层。电子传输层6和电子注入层5的具体制作方法，本领域技术人员可参考本领域常规技术。
如图10H所示，在电子注入层5上形成第二电极2。第二电极2的材料和方法请参考对图7D的描述。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (16)
- 一种发光器件，包括：第一电极；第二电极，设置在所述第一电极上方；以及电致发光层和量子点光转换层，设置在第一电极和第二电极之间，其中,所述量子点光转换层设置在所述电致发光层的出光侧，并且在来自所述电致发光层的光的激发下产生与来自所述电致发光层的光颜色相同且与来自所述电致发光层的光相比波长范围较窄的光。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极为不透明的反射电极；所述第二电极为透明电极或半透明电极；所述量子点光转换层位于所述电致发光层与所述第二电极之间。
- 根据权利要求2所述的发光器件，还包括：电子注入层，位于所述第二电极与所述电致发光层之间，其中，所述量子点光转换层位于所述电子注入层与所述第二电极之间。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极为不透明的反射电极；所述第一电极为透明电极或半透明电极；所述量子点光转换层位于所述第一电极与所述电致发光层之间。
- 根据权利要求4所述的发光器件，还包括：空穴注入层，位于所述第一电极与所述电致发光层之间，其中，所述量子点光转换层位于所述第一电极与所述空穴注入层之间。
- 根据权利要求1-5任一所述的发光器件，其中，所述量子点光转换层为碳纳米量子点薄膜层。
- 根据权利要求6所述的发光器件，其中，来自所述电致发光层的所述光包括蓝光，所述碳纳米量子点薄膜层在所述蓝光的激发下产生蓝光。
- 根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述碳纳米量子点薄膜层的厚度为5-30nm。
- 一种电子装置，包括权利要求1-8任一所述的发光器件。
- 根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述电子装置包括发光阵列，所述发光阵列包括多个发光单元，所述多个发光单元中的每个包括所述发光器件。
- 一种发光器件的制作方法，包括：形成第一电极、电致发光层、量子点光转换层和第二电极，其中，所述第二电极位于所述第一电极上方，所述电致发光层和所述量子点光转换层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述量子点光转换层设置在所述电致发光层的出光侧并且在来自所述电致发光层的光的激发下产生与来自所述电致发光层的光颜色相同且与来自电致发光层的光相比波长范围窄的光。
- 根据权利要求11所述的发光器件的制作方法，其中，所述第一电极为不透明的反射电极，所述第二电极为透明电极或半透明电极；并且所述量子点光转换层形成于所述发光层与所述第二电极之间。
- 根据权利要求12所述的发光器件的制作方法，还包括：在所述第二电极与所述电致发光层之间形成电子注入层，其中，所述量子点光转换层形成于所述电子注入层与所述第二电极之间。
- 根据权利要求11所述的发光器件的制作方法，其中，所述第二电极为不透明的反射电极，所述第一电极为透明电极或半透明电极；并且所述量子点光转换层形成于所述电致发光层与所述第一电极之间。
- 根据权利要求14所述的发光器件的制作方法，还包括：在所述第一电极与所述电致发光层之间形成空穴注入层，其中，所述量子点光转换层形成于所述空穴注入层与所述第一电极之间。
- 根据权利要求11-15任一所述的电致发光器件的制作方法，其中，所述量子点光转换层为碳纳米量子点薄膜层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/497,304 US11211574B2 (en) | 2018-06-28 | 2019-02-15 | Light emitting device and fabrication method thereof, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810689588.4 | 2018-06-28 | ||
| CN201810689588.4A CN108878667B (zh) | 2018-06-28 | 2018-06-28 | 发光器件及其制作方法、电子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020001040A1 true WO2020001040A1 (zh) | 2020-01-02 |
Family
ID=64296317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2019/075238 WO2020001040A1 (zh) | 2018-06-28 | 2019-02-15 | 发光器件及其制作方法、电子装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11211574B2 (zh) |
| CN (1) | CN108878667B (zh) |
| WO (1) | WO2020001040A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114629821A (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-14 | 新智云数据服务有限公司 | 物联网用量数据生成方法、装置、设备和介质 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108878667B (zh) * | 2018-06-28 | 2020-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制作方法、电子装置 |
| CN109781674B (zh) * | 2019-02-02 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种气体检测装置及其制备方法、气体监控系统 |
| CN109801951B (zh) | 2019-02-13 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、电致发光显示面板及显示装置 |
| CN110061141A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光器件及显示装置 |
| CN110120458A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件和制作方法 |
| CN110603643A (zh) | 2019-08-07 | 2019-12-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示设备、发光元件和制造显示面板的方法 |
| CN112820762B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-04-25 | 长沙惠科光电有限公司 | Oled显示器 |
| CN113299699B (zh) * | 2021-05-08 | 2022-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040135502A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Makoto Kobayashi | Color-conversion light-emitting device, method for manufacturing the same, and display using the same |
| CN1893751A (zh) * | 2005-07-07 | 2007-01-10 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光元件及其显示装置 |
| CN103730584A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN108878667A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制作方法、电子装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402951B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved contrast |
| WO2014164726A1 (en) * | 2013-03-11 | 2014-10-09 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Quantum-dot based hybrid led lighting devices |
| CN103338544B (zh) * | 2013-06-30 | 2016-03-16 | 上海科润光电技术有限公司 | 一种由碳量子点实现的白色电致发光器件 |
| US10686159B2 (en) | 2015-06-26 | 2020-06-16 | Universal Display Corporation | OLED devices having improved efficiency |
| CN207250571U (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-17 | 信利半导体有限公司 | 一种量子点oled显示器 |
-
2018
- 2018-06-28 CN CN201810689588.4A patent/CN108878667B/zh active Active
-
2019
- 2019-02-15 WO PCT/CN2019/075238 patent/WO2020001040A1/zh active Application Filing
- 2019-02-15 US US16/497,304 patent/US11211574B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040135502A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Makoto Kobayashi | Color-conversion light-emitting device, method for manufacturing the same, and display using the same |
| CN1893751A (zh) * | 2005-07-07 | 2007-01-10 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光元件及其显示装置 |
| CN103730584A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN108878667A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制作方法、电子装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114629821A (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-14 | 新智云数据服务有限公司 | 物联网用量数据生成方法、装置、设备和介质 |
| CN114629821B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-11-10 | 新智云数据服务有限公司 | 物联网用量数据生成方法、装置、设备和介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210336170A1 (en) | 2021-10-28 |
| CN108878667B (zh) | 2020-03-31 |
| US11211574B2 (en) | 2021-12-28 |
| CN108878667A (zh) | 2018-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020001040A1 (zh) | 发光器件及其制作方法、电子装置 | |
| WO2017186024A1 (zh) | Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法 | |
| WO2017161615A1 (zh) | 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置 | |
| KR101990312B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| TWI596748B (zh) | 顯示裝置 | |
| US9276186B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| WO2020030042A1 (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN111416053B (zh) | 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
| CN105789260B (zh) | 一种透明显示面板及其制备方法 | |
| WO2016123916A1 (zh) | 一种显示基板及其制备方法和一种显示设备 | |
| US10868214B2 (en) | Light emitting diode, manufacturing method thereof and display device | |
| WO2017206213A1 (zh) | Oled器件与oled显示器 | |
| TW201928932A (zh) | 有機發光二極體顯示裝置 | |
| WO2016155147A1 (zh) | 蓝光有机电致发光器件及制备方法、显示面板和显示装置 | |
| JPH11329745A (ja) | 発光素子及び積層型表示素子 | |
| CN106229418A (zh) | 一种电致发光显示器件及显示装置 | |
| CN104393180A (zh) | 一种有机发光二极管及其制备方法、显示基板、显示装置 | |
| WO2022205515A1 (zh) | Oled 显示面板与显示装置 | |
| US20070159087A1 (en) | Organic light-emitting device | |
| US20160126503A1 (en) | Organic light-emitting diode (oled) panel, manufacturing method thereof and display device | |
| CN113178526B (zh) | 一种电致发光器件及显示装置 | |
| WO2024022057A1 (zh) | 发光模组和发光装置 | |
| CN209880662U (zh) | 量子点发光器件及显示装置 | |
| WO2019006793A1 (zh) | 一种白光oled器件 | |
| CN111162108A (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19825771 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 32PN | Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established |
Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 04-05-2021) |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19825771 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |