CN110603643A - 显示面板、显示设备、发光元件和制造显示面板的方法 - Google Patents

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康亮亮
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Abstract

提供了具有多个子像素的显示面板。显示面板包括：衬底基板；多个发光元件，其位于衬底基板上；和量子点层，其位于多个发光元件的远离衬底基板的一侧。多个发光元件中的对应一个包括顺序堆叠的第一发光层和第二发光层。第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光。第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光。多个发光元件配置为分别发射复合光。不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将复合光转换为不同颜色的光。

Description

显示面板、显示设备、发光元件和制造显示面板的方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及显示面板、显示设备、发光元件和制造显示面板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。
与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
OLED显示设备通常包括阳极、包括有机发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发射型OLED或顶发射型OLED。在底发射型OLED中，从阳极侧提取光。在底发射型OLED中，阳极通常是透明的，而阴极通常为反射性的。在顶发射型OLED中，从阴极侧提取光。在顶发射型OLED中，阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。
发明内容
一方面，本发明提供了一种具有多个子像素的显示面板，其包括：衬底基板；多个发光元件，其位于衬底基板上；和量子点层，其位于所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧，量子点层包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块；其中，所述多个发光元件中的对应一个包括顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；并且，第二波长范围不同于第一波长范围；其中，所述多个发光元件配置为在不同子像素中分别发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光；并且，不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将复合光转换为不同颜色的光。
可选地，所述多个发光元件中的对应一个还包括位于第一发光层和第二发光层之间的中间层，并且中间层在一侧与第一发光层直接接触并且在另一侧与第二发光层直接接触；并且，中间层是非发光层。
可选地，中间层是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。
可选地，第一波长范围包括长于第二波长范围的波长；第一发光层包括掺杂有第一客体材料(guest material)的第一主材料(host material)；并且，第二发光层包括掺杂有第二客体材料的第二主材料；其中，当所述多个发光元件中的对应一个配置为发光时，第二客体材料配置为生成单线态激子和三线态激子；单线态激子配置为生成第二波长范围的第二光；并且三线态激子传输至第一发光层以生成第一波长范围的第一光。
可选地，第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；并且第二HOMO-LUMO能隙大于第一HOMO-LUMO能隙。
可选地，第二HOMO-LUMO能隙与第一HOMO-LUMO能隙之比大于1.2:1。
可选地，第二客体材料包括铱(III)复合物。
可选地，第二客体材料选自由以下各项构成的组：面式-Ir(pmp)3复合物、面式-Ir(pmb)3复合物和N-杂环卡宾(NHC)Ir(III)复合物。
可选地，所述多个发光元件中的对应一个还包括位于第一发光层和第二发光层之间的中间层，并且中间层在一侧与第一发光层直接接触并且在另一侧与第二发光层直接接触；中间层是非发光层；中间层、第一发光层和第二发光层中的每一个包括相同的主材料；并且，中间层是不包括客材料的非掺杂层。
可选地，第一发光层和第二发光层分别包括N型主材料；所述多个发光元件中的对应一个还包括空穴注入层和电子注入层；第一发光层位于电子注入层和第二发光层之间；并且，第二发光层位于第一发光层和空穴注入层之间。
可选地，第一发光层和第二发光层分别包括P型主材料；所述多个发光元件中的对应一个还包括空穴注入层和电子注入层；第一发光层位于空穴注入层和第二发光层之间；并且，第二发光层位于第一发光层和电子注入层之间。
可选地，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
可选地，所述多个子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，其中，第一颜色、第二颜色和第三颜色是彼此不同的三种颜色；其中，量子点层包括：位于第一颜色子像素中并且配置为将复合光转换为第一颜色光的第一颜色量子点块；以及，位于第二颜色子像素中并且配置为将复合光转换为第二颜色光的第二颜色量子点块；其中，第三颜色子像素不包括任何量子点块。
可选地，复合光从第三颜色子像素发射出作为第三颜色光。
可选地，显示面板还包括位于第三颜色子像素中的彩膜；复合光穿过彩膜作为第三颜色光。
可选地，分别位于所述多个子像素中的所述多个发光元件实质上相同；遍及所述多个子像素的第一发光层实质上均匀并且包括相同材料；并且，遍及所述多个子像素的第二发光层实质上均匀并且包括相同材料。
可选地，复合光不包括任何紫外光。
另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文所述的显示面板以及与所述显示面板连接的一个或多个集成电路。
另一方面，本发明提供了一种发光元件，其包括：顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；以及中间层，其位于第一发光层和第二发光层之间，并且在一侧与第一发光层直接接触并且在另一侧与第二发光层直接接触；其中，第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；第一波长范围包括长于第二波长范围的波长；中间层、第一发光层和第二发光层中的每一个包括相同的主材料；第一发光层还包括第一客体材料；并且第二发光层还包括第二客体材料；第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；第二HOMO-LUMO能隙大于第一HOMO-LUMO能隙；并且，中间层是非发光层并且是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层；其中，发光元件配置为发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光；第二客体材料配置为生成单线态激子和三线态激子；单线态激子配置为生成第二波长范围的第二光；并且三线态激子传输至第一发光层以生成第一波长范围的第一光。
另一方面，本发明提供了一种制作具有多个子像素的显示面板的方法，包括于衬底基板上形成多个发光元件；和于所述多个发光元件的远离所述衬底基板的一侧形成量子点层，所述量子点层形成为包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块；其中，所述形成多个发光元件中的对应一个包括形成顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；所述第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；所述第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；并且所述第二波长范围不同于所述第一波长范围；其中，所述多个发光元件配置为在不同子像素中分别发射包括所述第一波长范围的第一光和所述第二波长范围的第二光的复合光；并且所述不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将所述复合光转换为不同颜色的光。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是根据本公开的一些实施例中的显示面板的平面图。
图2是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。
图3是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。
图4是根据本公开的一些实施例中的发光元件的示意图。
图5是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。
图6是根据本公开的一些实施例中的发光元件的示意图。
图7示出了根据本公开的一些实施例中的发光元件中的发光机制。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
在利用量子点层作为彩膜以在不同子像素中分别将发出的光转换为不同颜色的光的常规显示面板中，量子点层的光转换效率通常相对较低。
因此，本公开特别提供了显示面板、显示设备、发光元件和制造显示面板的方法，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种具有多个子像素的显示面板。在一些实施例中，显示面板包括：衬底基板；多个发光元件，其位于衬底基板上；和量子点层，其位于所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧，量子点层包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块。可选地，所述多个发光元件中的对应一个包括顺序堆叠的第一发光层和第二发光层。可选地，第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光。可选地，第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光。可选地，第二波长范围不同于第一波长范围。可选地，所述多个发光元件配置为在不同子像素中分别发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光。可选地，不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将复合光转换为不同颜色的光。
各种适当发光元件可用于本显示面板中。适当发光元件的示例包括：有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。
图1是根据本公开的一些实施例中的显示面板的平面图。图2是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。参照图1和图2，在一些实施例中，显示面板具有多个子像素Sp。显示面板包括：衬底基板10；多个发光元件LE，其位于衬底基板10上；和量子点层20，其位于所述多个发光元件LE的远离衬底基板10的一侧，量子点层20包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块(例如，图2中的量子点块20a、20b和20c)。可选地，所述多个发光元件LE中的相应一个包括第一电极E1，所述第一电极E1上的第一发光层EM1，所述第一发光层EM1的远离所述第一电极E1的一侧上的第二发光层EM2，及在所述第二发光层EM2的远离第一发光层EM1的一侧上的第二电极E2。可选地，显示基板还包括分别位于多个子像素Sp中的多个薄膜晶体管TFT。多个薄膜晶体管TFT中的相应一个包括源电极S和漏电极D。多个薄膜晶体管TFT中的相应一个的漏电极D电连接到多个发光元件LE的相应的一个的第一电极E1。可选地，显示基板还包括限定多个子像素孔的像素限定层40。多个发光元件LE中的相应一个的第一发光层EM1和第二发光层EM2位于多个子像素孔中的相应一个中。可选地，显示基板还包括显示基板的子像素间区域中的黑矩阵层30。
在一些实施例中，所述多个发光元件LE配置为在不同子像素中分别发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光。例如，所述多个发光元件LE中的每一个配置为发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光。可选地，不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将复合光转换为不同颜色的光。在一个示例中，复合光是蓝光和紫光的复合光，并且所述多个发光元件LE配置为分别发射相同的复合光。在另一个示例中，量子点块包括第一颜色量子点块20a、第二颜色量子点块20b和第三颜色量子点块20c。所述多个子像素Sp包括第一颜色子像素(例如，红色子像素)，第二颜色子像素(例如，绿色子像素)和第三颜色子像素(例如，蓝色子像素)。在另一个示例中，第一颜色子像素包括配置为将复合光转换为红光的第一颜色量子点块20a；第二颜色子像素包括配置为将复合光转换为绿光的第二颜色量子点块20b；并且第三颜色子像素包括配置为将复合光转换为蓝光的第三颜色量子点块20c。
图3是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。参照图3，在一些实施例中，量子点块不存在于至少特定颜色的子像素中。在一个示例中，第一颜色子像素包括配置为将复合光转换为红光的第一颜色量子点块20a；第二颜色子像素包括配置为将复合光转换为绿光的第二颜色量子点块20b；并且量子点块不存在于第三颜色子像素中。替代量子点块，第三颜色子像素可以包括块20c’，其在第三颜色子像素中位于所述多个发光元件LE中的所述对应一个的远离衬底基板10的一侧。可选地，块20c’是实质上透明的绝缘块，并且复合光从第三颜色子像素发射出作为第三颜色光。可选地，块20c’是第三颜色子像素中的彩膜；并且复合光穿过彩膜作为第三颜色光。
参照图2和图3，在一些实施例中，所述多个发光元件LE中的对应一个包括顺序堆叠的第一发光层EM1和第二发光层EM2。可选地，第一发光层EM1配置为发射第一波长范围的第一光。可选地，第二发光层EM2配置为发射第二波长范围的第二光。可选地，第二波长范围不同于第一波长范围。可选地，第二发光层EM2位于第一发光层EM1的远离衬底基板10的一侧。
图4是根据本公开的一些实施例中的发光元件的示意图。参照图2至图4，在一些实施例中，所述多个发光元件LE中的对应一个包括：第一电极E1(例如，阳极)，其位于衬底基板10上；空穴注入层HIL，其位于第一电极E1的远离衬底基板10的一侧；空穴传输层HTL，其位于空穴注入层HIL的远离衬底基板10的一侧；第一发光层EM1，其位于空穴传输层HTL的远离衬底基板10的一侧；中间层IML，其位于第一发光层EM1的远离衬底基板10的一侧；第二发光层EM2，其位于中间层IML的远离衬底基板10的一侧；空穴阻挡层HBL，其位于第二发光层EM2的远离衬底基板10的一侧；电子传输层ETL，其位于空穴阻挡层HBL的远离衬底基板10的一侧；电子注入层EIL，其位于电子传输层ETL的远离衬底基板10的一侧；以及第二电极E2(例如，阴极)，其位于电子注入层EIL的远离衬底基板10的一侧。可选地，第一发光层EM1是蓝色发光层；并且第二发光层EM2是紫色发光层。可选地，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
图5是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。参照图5，在一些实施例中，所述多个发光元件LE中的对应一个包括顺序堆叠的第一发光层EM1和第二发光层EM2。可选地，第一发光层EM1配置为发射第一波长范围的第一光。可选地，第二发光层EM2配置为发射第二波长范围的第二光。可选地，第二波长范围不同于第一波长范围。可选地，第一发光层EM1位于第二发光层EM2的远离衬底基板10的一侧。
图6是根据本公开的一些实施例中的发光元件的示意图。参照图5和图6，在一些实施例中，所述多个发光元件LE中的对应一个包括：第一电极E1(例如，阳极)，其位于衬底基板10上；空穴注入层HIL，其位于第一电极E1的远离衬底基板10的一侧；空穴传输层HTL，其位于空穴注入层HIL的远离衬底基板10的一侧；第二发光层EM2，其位于空穴传输层HTL的远离衬底基板10的一侧；中间层IML，其位于第二发光层EM2的远离衬底基板10的一侧；第一发光层EM1，其位于中间层IML的远离衬底基板10的一侧；空穴阻挡层HBL，其位于第一发光层EM1的远离衬底基板10的一侧；电子传输层ETL，其位于空穴阻挡层HBL的远离衬底基板10的一侧；电子注入层EIL，其位于电子传输层ETL的远离衬底基板10的一侧；以及第二电极E2(例如，阴极)，其位于电子注入层EIL的远离衬底基板10的一侧。可选地，第一发光层EM1是蓝色发光层；并且第二发光层EM2是紫色发光层。可选地，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
在一些实施例中，并且参照图4和图6，所述多个发光元件LE中的对应一个还包括位于第一发光层EM1和第二发光层EM2之间的中间层IML。可选地，中间层IML在一侧与第一发光层EM1直接接触并且在另一侧与第二发光层EM2直接接触。参照图4，中间层IML位于第一发光层EM1的远离衬底基板10的一侧。参照图6，中间层IML位于第二发光层EM2的远离衬底基板10的一侧。在一些实施例中，中间层IML是非发光层，例如，是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。
在一些实施例中，第一波长范围包括长于第二波长范围的波长。例如，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。在一些实施例中，第一发光层EM1包括掺杂有第一客体材料的第一主材料；第二发光层包括掺杂有第二客体材料的第二主材料；并且，中间层IML是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。在一个示例中，中间层IML、第一发光层EM1和第二发光层EM2中的每一个包括相同的主材料，并且，中间层IML是不包括客材料的非掺杂层。
图7示出了根据本公开的一些实施例中的发光元件中的发光机制。参照图7，在一些实施例中，当所述多个发光元件中的对应一个配置为发光时，第二发光层EM2中的第二客体材料配置为生成单线态激子Se和三线态激子Te。单线态激子Se配置为生成第二波长范围的第二光L2。三线态激子Te传输通过中间层IML到第一发光层EM1，以生成第一波长范围的第一光L1。可选地，第一光L1是蓝光，并且第二光L2是紫光。可选地，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
在一些实施例中，第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；并且第二HOMO-LUMO能隙大于第一HOMO-LUMO能隙。可选地，第二HOMO-LUMO能隙与第一HOMO-LUMO能隙之比大于1.2:1，例如，大于1.3:1、大于1.4:1、大于1.5:1、大于1.6:1、大于1.7:1、大于1.8:1、大于1.9:1、或大于2.0:1。
参照图2至图4，在一些实施例中，第一发光层EM1和第二发光层EM2分别包括N型主材料。可选地，第二发光层EM2位于第一发光层EM1的远离衬底基板10的一侧。可选地，所述多个发光元件LE中的对应一个还包括空穴注入层HIL和电子注入层EIL；第二发光层EM2位于电子注入层EIL和第一发光层EM1之间；并且，第一发光层EM1位于第二发光层EM2和空穴注入层HIL之间。可选地，N型主材料选自具有相对大的HOMO-LUMO能隙的主材料。
在一些实施例中，第一发光层EM1、中间层IML和第二发光层EM2中的每一个包括N型主材料。可选地，第一发光层EM1、中间层IML和第二发光层EM2中的每一个包括相同的N型主材料。
参照图5至图6，在一些实施例中，第一发光层EM1和第二发光层EM2分别包括P型主材料。可选地，第一发光层EM1位于第二发光层EM2的远离衬底基板10的一侧。可选地，所述多个发光元件LE中的对应一个还包括空穴注入层HIL和电子注入层EIL；第二发光层EM2位于空穴注入层HIL和第一发光层EM1之间；并且，第一发光层EM1位于第二发光层EM2和电子注入层EIL之间。可选地，P型主材料选自具有相对大的HOMO-LUMO能隙的主材料。
在一些实施例中，第一发光层EM1、中间层IML和第二发光层EM2中的每一个包括P型主材料。可选地，第一发光层EM1、中间层IML和第二发光层EM2中的每一个包括相同的P型主材料。
如本文所用，术语“N型主材料”指的是能够传输电子的主材料，例如，其电子迁移率大于其空穴迁移率的主材料。适当的N型主材料的示例包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉内酯-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、TAZ(3)-(4-联苯基)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、和选自由以下各项构成的组中的任意一种或多种材料：BAlq(双(2-甲基-8-喹啉基)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq，TPBi(2,2'，2-(1,3,5-苯甲酰基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑或苯并噻唑。可选地，N型主材料包括二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦(TSPO1)。可选地，N型主材料包括双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)。
如本文所用，术语“P型主材料”指的是能够传输空穴的主材料，例如，其空穴迁移率大于其电子迁移率的主材料。适当的P型主材料的示例包括：NPD(N，N-二萘基-N，N'-二苯基联苯胺)(N，N'-双(萘-1-基)-N，N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)、TPD(N，N'-双-(3-甲基苯基)-N、N'-双-(苯基)-联苯胺)和MT DATA(4,4'，4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)。可选地，P型主材料包括3,3-双(咔唑-9-基)联苯(mCBP)。
各种适当的客材料可用于掺杂主材料(包括N型主材料和P型主材料)。在一个示例中，第一发光层EM1是蓝色发光层；并且第二发光层EM2是紫色发光层。在另一个示例中，第二发光层EM2包括掺杂有第二客体材料的第二主材料(例如，N型主材料或P型主材料)。适当的第二客体材料的示例包括：诸如面式-Ir(pmp)3复合物、面式-Ir(pmb)3复合物和N-杂环卡宾(NHC)Ir(III)复合物之类的Ir(III)复合物。在另一个示例中，第一发光层EM1包括掺杂有第一客体材料的第一主材料(例如，N型主材料或P型主材料)。适当的第一客体材料的示例包括：2,5,8,11-四-叔丁基-戊烯、联苯(BCzVBi)、4,4'-[1,4-苯二-1E)-2,1-乙烯二基]双[N，N-二苯基苯胺]、9,10-双(萘-2-基)蒽丙烯(ADN)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基-N-苯基苯胺(NBDAVBi)和Firbic。
在一些实施例中，分别位于所述多个子像素Sp中的所述多个发光元件LE实质上相同。可选地，遍及所述多个子像素Sp的第一发光层EM1实质上均匀并且包括相同材料。可选地，遍及所述多个子像素Sp的第二发光层EM2实质上均匀并且包括相同材料。例如，遍及红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一发光层EM1实质上均匀并且包括相同材料；并且，遍及红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二发光层EM2实质上均匀并且包括相同材料。
在一些实施例中，从所述多个发光元件LE发射的复合光不包括任何紫外光。例如，遍及所述多个子像素Sp的第一发光层EM1和第二发光层EM2均不发射紫外光。具体而言，所述多个发光元件LE不包括任何紫外光发射层或任何紫外光发射材料。
可使用各种适当的空穴传输材料来制作空穴传输层。适当的空穴传输材料的示例包括但不限于各种p型聚合物材料和各种p型低分子量材料，例如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、和具有聚-3,4-亚乙二氧基噻吩和聚(对苯乙烯磺酸钠)的混合物。
可使用各种适当的空穴注入材料来制作空穴注入层。适当的空穴注入材料的示例包括但不限于聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、铜酞菁和4,4'，4”-三(N，N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。
可使用各种适当的电子传输材料来制作电子传输层。适当的电子传输材料的示例包括但不限于：4,7，-二苯基-1,10-菲咯啉、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉锂、双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝、三(8-羟基喹啉)铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、双(10-羟基苯并[h]喹啉铍)和1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯。
可使用各种适当的电子注入材料来制作电子注入层。适当的电子注入材料的示例包括但不限于氟化锂和8-羟基喹啉锂。
另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示面板以及与显示面板连接的一个或多个集成电路。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
另一方面,本公开提供了一种发光元件。在一些实施例中，发光元件包括：顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；以及中间层，其位于第一发光层和第二发光层之间，并且在一侧与第一发光层直接接触并且在另一侧与第二发光层直接接触。可选地，第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；并且，第一波长范围大于第二波长范围。可选地，中间层、第一发光层和第二发光层中的每一个包括相同的主材料。
可选地，第一发光层还包括第一客体材料；并且第二发光层还包括第二客体材料。可选地，第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；并且第二HOMO-LUMO能隙大于第一HOMO-LUMO能隙。可选地，中间层是非发光层并且是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。
可选地，发光元件配置为发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光。
可选地，第二客体材料配置为生成单线态激子和三线态激子；单线态激子配置为生成第二波长范围的第二光；并且三线态激子传输至第一发光层以生成第一波长范围的第一光。
在一些实施例中，发光元件中的对应一个包括：第一电极(例如，阳极)，其位于衬底基板上；空穴注入层，其位于第一电极的远离衬底基板的一侧；空穴传输层，其位于空穴注入层的远离衬底基板的一侧；第一发光层，其位于空穴传输层的远离衬底基板的一侧；中间层，其位于第一发光层的远离衬底基板的一侧；第二发光层，其位于中间层的远离衬底基板的一侧；空穴阻挡层，其位于第二发光层的远离衬底基板的一侧；电子传输层，其位于空穴阻挡层的远离衬底基板的一侧；电子注入层，其位于电子传输层的远离衬底基板的一侧；以及第二电极(例如，阴极)，其位于电子注入层的远离衬底基板的一侧。可选地，第一发光层是蓝色发光层；并且第二发光层是紫色发光层。可选地，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
在一些实施例中，发光元件包括：顺序堆叠的第一发光层和第二发光层。可选地，第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光。可选地，第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光。可选地，第二波长范围不同于第一波长范围。可选地，第一发光层位于第二发光层的远离衬底基板的一侧。
在一些实施例中，发光元件包括：第一电极(例如，阳极)，其位于衬底基板上；空穴注入层，其位于第一电极的远离衬底基板的一侧；空穴传输层，其位于空穴注入层的远离衬底基板的一侧；第二发光层，其位于空穴传输层的远离衬底基板的一侧；中间层，其位于第二发光层的远离衬底基板的一侧；第一发光层，其位于中间层的远离衬底基板的一侧；空穴阻挡层，其位于第一发光层的远离衬底基板的一侧；电子传输层，其位于空穴阻挡层的远离衬底基板的一侧；电子注入层，其位于电子传输层的远离衬底基板的一侧；以及第二电极(例如，阴极)，其位于电子注入层的远离衬底基板的一侧。可选地，第一发光层是蓝色发光层；并且第二发光层是紫色发光层。可选地，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
可选地，中间层位于第一发光层的远离衬底基板的一侧。可选地，中间层位于第二发光层的远离衬底基板的一侧。可选地，中间层是非发光层，例如，是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。
在一些实施例中，第一波长范围包括长于第二波长范围的波长。例如，第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且，第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。在一些实施例中，第一发光层包括掺杂有第一客体材料的第一主材料；第二发光层包括掺杂有第二客体材料的第二主材料；并且，中间层是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。在一个示例中，中间层、第一发光层和第二发光层中的每一个包括相同的主材料，并且中间层是不包括客材料的非掺杂层。
在一些实施例中，第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；并且第二HOMO-LUMO能隙大于第一HOMO-LUMO能隙。可选地，第二HOMO-LUMO能隙与第一HOMO-LUMO能隙之比大于1.2:1，例如，大于1.3:1、大于1.4:1、大于1.5:1、大于1.6:1、大于1.7:1、大于1.8:1、大于1.9:1、或大于2.0:1。
在一些实施例中，第一发光层和第二发光层分别包括N型主材料。可选地，第二发光层位于第一发光层的远离衬底基板的一侧。可选地，发光元件还包括空穴注入层和电子注入层；第一发光层位于电子注入层和第二发光层之间；并且，第二发光层位于第一发光层和空穴注入层之间。可选地，N型主材料选自具有相对大的HOMO-LUMO能隙的主材料。
在一些实施例中，第一发光层、中间层和第二发光层中的每一个包括N型主材料。可选地，第一发光层、中间层和第二发光层中的每一个包括相同的N型主材料。
在一些实施例中，第一发光层和第二发光层分别包括P型主材料。可选地，第一发光层位于第二发光层的远离衬底基板的一侧。可选地，发光元件还包括空穴注入层和电子注入层；第一发光层位于空穴注入层和第二发光层之间；并且，第二发光层位于第一发光层和电子注入层之间。可选地，P型主材料选自具有相对大的HOMO-LUMO能隙的主材料。
在一些实施例中，第一发光层、中间层和第二发光层中的每一个包括P型主材料。可选地，第一发光层、中间层和第二发光层中的每一个包括相同的P型主材料。
在一些实施例中，从发光元件发射的复合光不包括任何紫外光。例如，第一发光层和第二发光层均不发射紫外光。具体而言，发光元件不包括任何紫外光发射层或任何紫外光发射材料。
另一方面，本公开提供了一种制造显示面板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底基板上形成多个发光元件；以及，在所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧形成量子点层，量子点层包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块。在一些实施例中，形成所述多个发光元件中的对应一个包括：形成顺序堆叠的第一发光层和第二发光层。可选地，第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光。可选地，第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光。可选地，第二波长范围不同于第一波长范围。可选地，所述多个发光元件配置为在不同子像素中分别发射包括第一波长范围的第一光和第二波长范围的第二光的复合光。可选地，不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将复合光转换为不同颜色的光。
在一些实施例中，形成所述多个发光元件中的对应一个还包括：在第一发光层和第二发光层之间形成中间层。中间层在一侧与第一发光层直接接触并且在另一侧与第二发光层直接接触。可选地，中间层是非发光层。可选地，中间层是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。
在一些实施例中，第一波长范围大于第二波长范围。可选地，形成第一发光层包括用第一客体材料掺杂第一主材料；并且形成第二发光层包括用第二客体材料掺杂第二主材料。可选地，当所述多个发光元件中的对应一个配置为发光时，第二客体材料配置为生成单线态激子和三线态激子；单线态激子配置为生成第二波长范围的第二光；并且三线态激子传输至第一发光层以生成第一波长范围的第一光。可选地，第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；并且第二HOMO-LUMO能隙大于第一HOMO-LUMO能隙。可选地，第二HOMO-LUMO能隙与第一HOMO-LUMO能隙之比大于1.2:1。
在一些实施例中，形成所述多个发光元件中的对应一个还包括：在第一发光层和第二发光层之间形成中间层。中间层在一侧与第一发光层直接接触并且在另一侧与第二发光层直接接触。可选地，中间层是非发光层。可选地，使用相同的主材料形成中间层、第一发光层和第二发光层中的每一个。可选地，中间层是不包括客材料的非掺杂层。
在一些实施例中，使用N型主材料分别形成第一发光层和第二发光层。可选地，形成所述多个发光元件中的对应一个还包括形成空穴注入层和形成电子注入层。可选地，第一发光层形成于电子注入层和第二发光层之间；并且，第二发光层形成于第一发光层和空穴注入层之间。
在一些实施例中，使用P型主材料分别形成第一发光层和第二发光层。可选地，形成所述多个发光元件中的对应一个还包括形成空穴注入层和形成电子注入层。可选地，第一发光层形成于空穴注入层和第二发光层之间；并且，第二发光层形成于第一发光层和电子注入层之间。
在一些实施例中，所述多个子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素。第一颜色、第二颜色和第三颜色是彼此不同的三种颜色。可选地，形成量子点层包括：在第一颜色子像素中形成配置为将复合光转换为第一颜色光的第一颜色量子点块；以及，在第二颜色子像素中形成配置为将复合光转换为第二颜色光的第二颜色量子点块。可选地，第三颜色子像素不包括任何量子点块。可选地，所述方法还包括在第三颜色子像素中形成彩膜。
在一些实施例中，分别位于所述多个子像素中的所述多个发光元件实质上相同。可选地，遍及所述多个子像素的第一发光层实质上均匀，并且使用相同材料在相同构图步骤中形成。可选地，遍及所述多个子像素的第二发光层实质上均匀，并且使用相同材料在相同构图步骤中形成。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (20)

1.一种显示面板，其具有多个子像素，所述显示面板包括：
衬底基板；
多个发光元件，其位于所述衬底基板上；和
量子点层，其位于所述多个发光元件的远离所述衬底基板的一侧，所述量子点层包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块；
其中，所述多个发光元件中的对应一个包括顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；
所述第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；
所述第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；并且
所述第二波长范围不同于所述第一波长范围；
其中，所述多个发光元件配置为在不同子像素中分别发射包括所述第一波长范围的第一光和所述第二波长范围的第二光的复合光；并且
所述不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将所述复合光转换为不同颜色的光。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个发光元件中的所述对应一个还包括中间层，所述中间层位于所述第一发光层和所述第二发光层之间，并且在一侧与所述第一发光层直接接触且在另一侧与所述第二发光层直接接触；并且
所述中间层是非发光层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述中间层是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一波长范围包括长于所述第二波长范围的波长；
所述第一发光层包括掺杂有第一客体材料的第一主材料；并且
所述第二发光层包括掺杂有第二客体材料的第二主材料；
其中，当所述多个发光元件中的所述对应一个配置为发光时，所述第二客体材料配置为生成单线态激子和三线态激子；
所述单线态激子配置为生成所述第二波长范围的第二光；并且
所述三线态激子传输至所述第一发光层以生成所述第一波长范围的第一光。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；
所述第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；并且
所述第二HOMO-LUMO能隙大于所述第一HOMO-LUMO能隙。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第二HOMO-LUMO能隙与所述第一HOMO-LUMO能隙之比大于1.2:1。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的显示面板，其中，所述第二客体材料包括铱(III)复合物。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第二客体材料选自由以下各项构成的组：面式-Ir(pmp)3复合物、面式-Ir(pmb)3复合物和N-杂环卡宾(NHC)Ir(III)复合物。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的显示面板，其中，所述多个发光元件中的所述对应一个还包括中间层，所述中间层位于所述第一发光层和所述第二发光层之间，并且在一侧与所述第一发光层直接接触且在另一侧与所述第二发光层直接接触；
所述中间层是非发光层；
所述中间层、所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个包括相同的主材料；并且
所述中间层是不包括客材料的非掺杂层。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板，其中，所述第一发光层和所述第二发光层分别包括N型主材料；
所述多个发光元件中的所述对应一个还包括空穴注入层和电子注入层；
所述第一发光层位于所述电子注入层和所述第二发光层之间；并且
所述第二发光层位于所述第一发光层和所述空穴注入层之间。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板，其中，所述第一发光层和所述第二发光层分别包括P型主材料；
所述多个发光元件中的所述对应一个还包括空穴注入层和电子注入层；
所述第一发光层位于所述空穴注入层和所述第二发光层之间；并且
所述第二发光层位于所述第一发光层和所述电子注入层之间。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示面板，其中，所述第一波长范围包括450nm至495nm或其任何子区间；并且
所述第二波长范围包括380nm至450nm或其任何子区间。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的显示面板，其中，所述多个子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，其中，第一颜色、第二颜色和第三颜色是彼此不同的三种颜色；
其中，所述量子点层包括：
位于所述第一颜色子像素中并且配置为将所述复合光转换为第一颜色光的第一颜色量子点块；和
位于所述第二颜色子像素中并且配置为将所述复合光转换为第二颜色光的第二颜色量子点块；
其中，所述第三颜色子像素不包括任何量子点块。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述复合光从所述第三颜色子像素发射出作为第三颜色光。
15.根据权利要求13所述的显示面板，还包括位于所述第三颜色子像素中的彩膜；
所述复合光穿过所述彩膜作为第三颜色光。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的显示面板，其中，分别位于所述多个子像素中的所述多个发光元件实质上相同；
遍及所述多个子像素的所述第一发光层实质上均匀并且包括相同材料；并且
遍及所述多个子像素的所述第二发光层实质上均匀并且包括相同材料。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的显示面板，其中，所述复合光不包括任何紫外光。
18.一种显示设备，包括权利要求1至17中任一项所述的显示面板、以及与所述显示面板连接的一个或多个集成电路。
19.一种发光元件，包括：
顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；和
中间层，其位于所述第一发光层和所述第二发光层之间，并且在一侧与所述第一发光层直接接触且在另一侧与所述第二发光层直接接触；
其中，所述第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；
所述第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；
所述第一波长范围包括长于所述第二波长范围的波长；
所述中间层、所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个包括相同的主材料；
所述第一发光层还包括第一客体材料；并且
所述第二发光层还包括第二客体材料；
所述第一客体材料具有第一HOMO-LUMO能隙；
所述第二客体材料具有第二HOMO-LUMO能隙；
所述第二HOMO-LUMO能隙大于所述第一HOMO-LUMO能隙；并且
所述中间层是非发光层并且是不包括用于发光的掺杂物的非掺杂层；
其中，所述发光元件配置为发射包括所述第一波长范围的第一光和所述第二波长范围的第二光的复合光；
所述第二客体材料配置为生成单线态激子和三线态激子；
所述单线态激子配置为生成所述第二波长范围的第二光；并且
所述三线态激子传输至所述第一发光层以生成所述第一波长范围的第一光。
20.一种制作具有多个子像素的显示面板的方法，包括：
于衬底基板上形成多个发光元件；和
于所述多个发光元件的远离所述衬底基板的一侧形成量子点层，所述量子点层形成为包括分别位于不同子像素中的不同颜色的量子点块；
其中，所述形成多个发光元件中的对应一个包括形成顺序堆叠的第一发光层和第二发光层；
所述第一发光层配置为发射第一波长范围的第一光；
所述第二发光层配置为发射第二波长范围的第二光；并且
所述第二波长范围不同于所述第一波长范围；
其中，所述多个发光元件配置为在不同子像素中分别发射包括所述第一波长范围的第一光和所述第二波长范围的第二光的复合光；并且
所述不同颜色的量子点块配置为在不同子像素中分别将所述复合光转换为不同颜色的光。
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