KR101676291B1 - 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 상기 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 다중 여기광을 가지는 유기 발광 장치의 제조 방법 및 고휘도 고품질 백색 유기 발광 장치에 관한 것이다.

Description

광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 {WHITE ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING LIGHT CONVERSION LAYER AND PREPARING METHOD OF THE SAME}
본원은, 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 상기 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 다중의 여기광을 가지는 유기 발광 장치의 제조 방법 및 고휘도 고품질 백색 유기 발광 장치에 관한 것이다.
산업 발전과 함께 에너지 사용량이 크게 늘어나고 이에 따라 이산화탄소가 다량 발생함으로 인해 지구 온난화 문제가 대두되고 있다. 특히, 조명에 의해 소모되는 에너지량이 총 에너지 소모량의 1/5에 해당되기 때문에 에너지 절약형 친환경적 조명 개발이 중요하다. 최근에는 기존의 백열등과 형광등을 대체할 친환경 차세대 조명에 대한 수요가 확대되고 있으며, 이에 따라 유기 발광 장치(organic light-emitting device, OLED)를 이용한 조명의 개발이 확대되고 있다.
유기 발광 장치는 낮은 구동 전압, 낮은 소비전력, 빠른 응답 속도, 투명성 및 유연성을 가지는 차세대 고체조명으로서, 그 제조를 위하여 긴 소요시간, 복잡한 제조공정 및 제조된 소자의 낮은 휘도 등의 문제점을 극복한다면 시대의 요구를 충족할 수 있는 발광 소자이다. 그 중 백색 유기 발광 장치(white organic light-emitting device)는 전색 디스플레이, 액정디스플레이의 백라이트(backlight)와 조명의 광원 등으로 사용될 수 있다.
하지만, 종래의 OLED는 백색광을 구현하기 위해 삼원색(예를 들어, 청색, 녹색 및 적색)의 다중 발광층을 사용하므로 각 가시광 영역의 파장이 OLED 구조 안에서 공명되는 캐비티(cavity)의 차이를 발생시켜 광색의 파장이 변하며 각 광색의 휘도를 파장의 변화에 맞게 조절해야 하고 각 광색의 수명이 다르기 때문에 이를 안정화시키고 조절하기 위해서는 제조 단가가 상당히 높아진다는 단점이 있다.
이와 관련하여, 대한민국 공개특허 제2008-0111512호에는 백색광 발광 OLED 장치로서, 어노드 및 캐소드와 또는 어노드와 캐소드 사이에 제공되는 적어도 네 개의 발광층을 포함하되, 상기 네 개의 발광층은 적색 발광층, 황색 발광층, 청색 발광층, 및 녹색 발광층을 포함하고, 발광층 각각이 적어도 하나의 다른 발광층과 접촉해야 하며, 청색 발광층이 상기 녹색 발광층과 접촉하고 그리고 적색 발광층이 오직 하나의 다른 발광층 하고만 접촉되도록 구성되는 백색광 발광 OLED 장치가 개시되어 있다.
이와 같이, 발광층을 하나 이상 적층시켜 이루어지는 유기 발광 장치는 백색광 또는 다른 색을 방사하는 유기 발광 장치로서 사용할 수 있다. 그러나 청색광의 휘도가 낮기 때문에, 청색광의 휘도를 기준으로 하는 경우 녹색광 및 적색광의 휘도가 낮아져 전체적인 백색광의 휘도가 낮아진다. 이러한 문제를 해결하기 위해 비교적 높은 휘도의 장파장에 위치한 연한 청색광을 내는 발광물질을 사용할 수 있으나, 연한 청색광의 사용은 백색광의 낮은 색 재현성의 원인이 될 수 있고 삼원색 이외에 발광층이 더 요구되므로 공정상 또 다른 문제점을 불러오게 된다.
본원은, 용이한 공정으로 안정적이고 높은 휘도를 갖는 유기 발광 장치 및 상기 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본원의 제 1 측면은, 기재에 형성된 발광층을 포함하는 유기발광소자(OLED)층; 및 상기 유기발광소자층에 형성된 광전환층을 포함하고, 상기 발광층으로부터 방출되는 청색광 및/또는 녹색광에 의하여 상기 광전환층이 여기되어 백색광이 방출되는 것인, 백색 유기 발광 장치를 제공한다.
본원의 제 2 측면은, 기재에 유기발광소자층을 증착하는 단계; 및 상기 유기발광소자층에 광전환층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기발광소자층은 청색광 및/또는 녹색광을 방출하는 발광층을 포함하며, 상기 발광층으로부터 방출된 청색광 및/또는 녹색광에 의하여 상기 광전환층이 여기되어 백색광이 방출되는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
본원의 일 구현예에 따르면, 용이한 공정에 의해 안정적이고 높은 휘도를 가지며, 단순한 구조의 백색 유기 발광 장치를 제조할 수 있다. 특히, 광전환층에 의해 광산란을 상승시켜 넓은 영역에 조광을 가능하게 하고, 넓은 청색광 및/또는 녹색광을 사용하기 때문에 높은 색 재현성을 나타낼 수 있다.
본원의 일 구현예에 따른 백색 유기 발광 장치는, 차세대 조명 및 화면표시장치에 요구되는 유연성 및 고휘도를 가지기 때문에 인간 삶의 획기적인 발전에 기여할 것으로 예상된다. 또한 본원의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 건축자재, 전자제품, 가구, 의류, 운송, 안전, 의료, 교육 및 국방 등의 다양한 분야에 사용이 가능하다.
도 1 은 본원의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 청색광 및/또는 녹색광을 방출하는 발광층을 포함하는 유기발광소자를 나타낸 개략도이다.
도 3은 본원의 일 구현예에 따른 진 청색 및 연 청색을 방출하는 발광층을 동시에 포함하는 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 4는 본원의 일 구현예에 따른 연 청색 및 녹색을 방출하는 발광층을 포함하는 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 5는 본원의 일 구현예에 따른 진 청색 및 연 청색을 방출하는 발광층을 교대로 포함하는 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 6은 본원의 일 구현예에 따른 진 청색 및 녹색을 방출하는 발광층을 포함하는 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~(하는) 단계” 또는 “~의 단계”는 “~ 를 위한 단계”를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합(들)”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, “A 및/또는 B”의 기재는 “A 또는 B, 또는 A 및 B”를 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 제 1 측면은, 기재에 형성된 발광층을 포함하는 유기발광소자(OLED)층; 및 상기 유기발광소자층에 형성된 광전환층을 포함하고, 상기 발광층으로부터 방출되는 청색광 및/또는 녹색광에 의하여 상기 광전환층이 여기되어 백색광이 방출되는 것인, 백색 유기 발광 장치를 제공한다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 유기발광소자층은 음극층, 양극층, 및 상기 음극층과 상기 양극층 사이에 형성된 상기 발광층을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재는 금속 호일, 유연 유리, 플라스틱, 그래핀막, 질화붕소막, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 청색광의 파장은 약 440 nm 내지 약 500 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 청색광의 파장은 약 440 nm 내지 약 500 nm, 약 440 nm 내지 약 480 nm, 약 440 nm 내지 약 460 nm, 약 460 nm 내지 약 500 nm, 약 460 nm 내지 약 480 nm, 또는 약 480 nm 내지 약 500 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 약 440 nm 내지 약 500 nm까지 포함하는 넓은 영역의 청색광은 종래 발광다이오드(LED) 또는 유기발광소자(OLED)에서 사용하는 단일 청색광(약 440 nm 내지 약 470 nm)과는 달리 약 470 nm 내지 약 500 nm 까지의 파장영역을 더 갖기 때문에 고품질의 청색의 색 재현이 가능할 수 있고, 약 440 nm 내지 약 470 nm 파장 범위에서 낮은 효율을 나타내는 종래 OLED의 청색광에 약 470 nm 내지 약 500 nm 파장의 높은 효율을 나타내는 OLED의 청색광을 포함하여 고휘도의 청색 OLED가 제조될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 녹색광의 파장은 약 500 nm 내지 약 560 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색광의 파장은 약 500 nm 내지 약 560 nm, 약 500 nm 내지 약 540 nm, 약 500 nm 내지 약 520 nm, 약 520 nm 내지 약 560 nm, 약 520 nm 내지 약 540 nm, 또는 약 540 nm 내지 약 560 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색광은 주로 적색 광전환층과 함께 사용되며, 이를 이용하여 약 500 nm 내지 약 560 nm의 파장 범위를 갖는 고휘도 OLED가 제조될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 유기발광소자층은 상기 기재에 상기 발광층의 텐덤(tandem) 구조 또는 상기 유기 발광 소자의 패턴화 구조에 의해 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 유기발광소자층은 청색광 및/또는 녹색광을 방출하는 발광층을 여러 층으로 쌓는 구조(텐덤 구조) 및 상기 청색광 및/또는 녹색광의 발광층을 포함하는 다수의 유기발광소자를 상기 기재 상에 배열하는 패턴화된 구조를 통해 청색광 및/또는 녹색광을 방출하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 상기 발광층으로부터 방출된 청색광 및/또는 녹색광을 여기광으로 사용하여 백색광을 구현하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 광전환층은 우수한 백색광을 내는 OLED층을 제공하기 위해서 강하고 넓은 영역의 청색광 및/또는 녹색광이 상기 광전환층의 여기광이 되게 하고, 상기 광전환층에서 백색광을 내게 하기 위하여 나머지 영역의 가시광을 방출하는 것을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 적어도 약 10% 내지 약 100% 까지의 청색광을 여기원으로서 사용하여 녹색광(약 500 nm 내지 약 520 nm), 황색광(약 540 nm 내지 약 580 nm), 주황색광(약 580 nm 내지 약 610 nm), 및 적색광(약 610 nm 내지 약 670 nm)을 방출할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 백색광은 독립적인 적색, 녹색 및 청색광에 의해 재현되는 백색광, 적색, 주황색, 황색, 녹색 및 청색광의 조합에 의해 재현되는 백색광을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 무기물 형광체 물질 및/또는 양자점 물질을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 점착성 고분자 층에 형성된 상기 무기물 형광체 물질 및/또는 양자점 물질의 층을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 상기 점착성 고분자 층에 상기 무기물 형광체 물질의 입자를 직접 도입하여 균일하고 조밀하게 상기 형광체 입자를 배열시켜 형성되거나, 또는 상기 점착성 고분자 물질에 양자점 물질을 혼합하여 도포하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 즉, 상기 광전환층은 용매의 사용없이 형광체 입자 또는 양자점 입자를 그대로 사용하여 형성될 수 있으며, 이렇게 형성된 광전환층은 더욱 균일하고 조밀하게 배열된 형광체 층을 포함하여 광학적 특성이 더욱 향상될 수 있다.
구체적으로, 본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 균일하고 조밀하게 배열된 단층 또는 다층의 형광체 층 또는 양자물질 층을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
예를 들어, 상기 광전환층은 형광체 입자가 단층 또는 다층으로 균일하고 조밀하게 배열된 기능성 형광체 층 또는 필름을 형성할 수 있다. 상기 형광체는 입자성 때문에 OLED에서 방출되는 광을 더욱 효과적으로 방출시키기 때문에 외부양자효율을 증가시킨다. 또한, 형광체의 형광특성으로 인해 광전환 현상이 나타나면서 광효율이 증가하는 효과를 갖는다. 이러한 단층의 형광체 기능성 입자층의 표면은 매우 조밀하게 배열된 형광체 입자에 의하여 덮여있게 되며 형광체 발광량을 증가시킬 수 있다. 또한, 이러한 단층의 형광체 기능성 입자층의 표면은 상기 형광체 입자 자체의 굴곡된 또는 구형 표면을 가지게 되어 광산란이 증가되어 상기 형광층으로부터 광추출을 증가시키는 효과를 나타낼 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층에 포함되는 상기 형광체 입자의 크기가 약 1 ㎛ 내지 약 30 ㎛인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체 입자의 크기가 약 1 ㎛ 내지 약 30 ㎛ 범위의 다양한 크기의 입자를 포함함으로써, 상기 형성되는 형광체 입자층에 있어서 입자들이 더욱 조밀하게 배열되어 균일한 단층의 입자층을 형성할 수 있고, 이러한 균일하고 조밀한 단층을 반복적으로 형성하여 다층의 조밀하고 균일한 상기 기능성 입자층을 용이하게 형성할 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자의 크기는 약 1 ㎛ 내지 약 30 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 25 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 20 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 15 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 5 ㎛, 약 5 ㎛ 내지 약 30 ㎛, 약 10 ㎛ 내지 약 30 ㎛, 약 15 ㎛ 내지 약 30 ㎛, 약 20 ㎛ 내지 약 30 ㎛, 또는 약 25 ㎛ 내지 약 30 ㎛인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자 크기가 약 1 ㎛ 이하의 형광체인 경우, 그 이상의 입자 크기와 비교하여 형광체 결정의 체적당 결함이 다량 존재 할 수 있기 때문에 바람직하지 못하며, 약 30 ㎛ 이상의 형광체 입자크기 경우도 체적당 결함이 그 이하의 입자크기와 비교하여 큰 차이가 없고 약 30 ㎛ 이상의 입자 크기를 갖는 형광체의 제조가 어렵기 때문에 바람직하지 못하나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자는 특별히 제한없이 당업계에 공지된 형광체의 입자를 사용할 수 있다
본원의 일 구현예에 있어서, 청색광원을 효과적으로 여기 할 수 있도록 상기 형광체 입자는 형광체 입자의 주요 여기 파장의 중심이 청색광원의 파장위치와 가까운 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 청색광원의 중심위치에 대하여 노말라이즈한 상기 형광체의 중심 여기 파장의 비율이 약 30% 미만이면 광전환층으로서의 효과가 미미하게 될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자의 여기 효율은 약 300 nm 내지 약 500 nm에서 여기 파장의 기준으로 가장 높은 파장 중에서 청색광원이 위치한 파장의 비가 적어도 약 30% 이상인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자의 중심 발광 파장은 약 480 nm 내지 약 780 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체 입자의 발광 파장은 약 480 nm 내지 약 780 nm, 약 480 nm 내지 약 700 nm, 약 480 nm 내지 약 650 nm, 약 480 nm 내지 약 600 nm, 약 480 nm 내지 약 550 nm, 약 480 nm 내지 약 500 nm, 약 500 nm 내지 약 780 nm, 약 550 nm 내지 약 780 nm, 약 600 nm 내지 약 780 nm, 약 650 nm 내지 약 780 nm, 또는 약 700 nm 내지 약 780 nm인 것일 수 있고, 예를 들어, 높은 효율을 나타내는 약 500 nm 내지 약 540 nm 또는 약 620 nm 내지 약 660 nm의 발광파장 영역을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체 입자의 발광파장이 약 480 nm 미만인 경우, 스톡스(Stokes) 이동에 의해 형광체의 여기 파장이 청색광원의 발광파장의 위치에서 크게 벗어날 수 있고, 형광체의 발광파장이 약 780 nm 이상인 경우에는 근적외선 영역이므로 발광색을 인간이 구별하지 못할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자의 양자효율이 약 60% 이상인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체 입자의 양자효율이 약 60% 이상, 약 65% 이상, 약 70% 이상, 약 75% 이상, 약 80% 이상, 약 85% 이상, 약 90% 이상, 또는 약 95% 이상인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체 입자의 양자 효율이 약 60% 미만인 경우 최종 유연 고체조명의 효율이 크게 낮아질 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 형광체 입자의 굴절율은 약 1.3 이상인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체의 굴절율은 약 1.0 이상, 약 1.3 이상, 약 1.6 이상, 또는 약 1.9 이상 일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 형광체 입자의 굴절율이 약 1.3 미만인 것은 청색광원 및 그 광원의 구성물들보다 현저히 낮은 굴절율을 가진 것이기 때문에 배광 과정에서 반사 및 산란을 통한 효율을 저하시키는 원인이 될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, OLED에서 사용되는 대표적인 애노드 물질인 인듐틴옥사이드(ITO)의 굴절률은 약 1.9로서, 상기 ITO의 굴절률을 기준으로 이와 같거나 높은 경우 OLED 내부에서 외부로 방출되는 광경로(light-path way)가 효율적이게 되지만, 상기 ITO의 굴절률 기준보다 낮으면 굴절 및 반사로 인해 광경로가 비효율적으로 진행될 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 점착성 고분자는 형광체 또는 비형광체 입자의 점착 또는 접착을 위한 고분자로서 당업계에 공지된 점착성 또는 접착성 고분자 물질들을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 점착성 고분자는 세 가지 유형들로 구분될 수 있다: 첫 번째, 고분자의 점착 또는 접착 특성을 통해 형광체 또는 비형광체 입자를 점착 또는 접착시켜 고분자 상에 고정시킬 수 있는 방법에 사용될 수 있는 고분자; 두 번째, 고분자의 점착 또는 접착 특성을 통해 형광체 입자를 점착 또는 접착시키고 이후 완전 경화시켜 형광체 또는 비형광체 입자를 해당 고분자 상에 고정시키는 방법에 사용될 수 있는 고분자; 세 번째, 고분자의 점착 또는 접착 특성을 통해 형광체 또는 비형광체 입자를 점착 또는 접착시켜 고분자 상에 고정시킨 후 고분자에 포함된 경화제로 인해 자연적으로 또는 외부 자극(광, 열, 진동 및 화학반응)에 의해 경화시켜 고분자 상에 형광체 입자를 고정시키는 방법에 사용될 수 있는 고분자.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 점착성 고분자는 당업계에 공지된 점착성 또는 접착성 고분자 물질들을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 점착성 고분자는 광학 투명 접착제(optically clear adhesive, OCA) 또는 광학 투명 레진(optically clear resin, OCR)으로 사용될 수 있는 실리콘계, 에폭시계, 아크릴계, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으며, 상기 유형 중 첫 번째 유형의 바람직한 예는 클로로포름에 용해된 PMMA[poly(methyl methacrylate)], PS(polystyrene), 및 PC(polycarbonate)를 포함할 수 있고, 두 번째 유형의 바람직한 예는 아크릴 접착제를 포함할 수 있고, 세 번째 유형의 바람직한 예는 UV 경화성 및 PDMS(폴리디메틸실록산; 경화제 포함) 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 점착성 고분자 층의 굴절율은 약 1.0 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 점착성 고분자 층의 투과도는 약 85% 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 점착성 또는 접착성 고분자 층의 두께는 바람직하게는 상기 형광체 입자의 D50(Diameter50)(입자의 누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 약 50 %에 해당하는 크기를 의미함) 입자 크기의 약 50% 내지 약 150%일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 점착성 또는 접착성 고분자 층의 두께가 상기 형광체 입자의 D50 입자 크기의 약 30% 미만의 경우 점착층 또는 접착층이 상기 입자에 비해 너무 얇아 형광체 입자의 점착, 접착, 및 고정에 있어서 효과적이지 못하고, 다층의 형광체 입자층을 형성시에도 점착제 또는 접착제의 양이 부족하게 되어 바람직하지 않을 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 또한 상기 점착성 또는 접착성 고분자 층의 두께가 상기 형광체 입자의 D50 입자 크기의 약 300% 이상인 경우 여러 형광체 입자들이 상기 점착성 또는 접착성 고분자 층의 동일 면적에 내부로 완전히 묻힐 수 있게 되어 상기 기능성 입자층 또는 필름의 불균일화를 이루기 쉽고 전체 형광체 입자층의 두께가 두꺼워지면서 기계적 광학적 측면에서 바람직하지 않을 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 무기물 형광체 물질은 Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce, MSi2O2N2:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M2SiO4:Eu (M: Ca, Sr, Ba), β-SiAlON:Eu, α-SiAlON:Eu, M2Si5N8:Eu (M: Ca, Sr, Ba), MAlSiN3:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M[LiAl3N4]:Eu (M: Ca, Sr, Ba), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 양자점 물질은 Cd, Al, Mg, Si, Zn, In, Ga, P, Se, 및 S 로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 코어쉘(core shell) 또는 멀티 코어쉘에 유기물에 의해 캡핑된 구조로 형성되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 발광층 또한 상기 광전환층에 대하여 기술한 바와 같이 점착성 고분자 층에 형성된 형광체 입자의 층을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 백색 유기 발광 장치는 점착성 고분자 층에 형성된 비형광체 또는 비발광성 입자의 층을 추가로 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 이러한 비형광체 또는 비발광성 입자의 층은 점착성 고분자 층에 상기 비형광체 또는 비발광성 입자를 직접 도입하여 균일하고 조밀하게 상기 입자를 배열시켜 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 점착성 고분자 층에 형성된 비형광체 또는 비발광성 입자의 층은 균일하고 조밀하게 배열된 상기 입자층을 포함하여 광추출, 광산란 등의 광학적 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본원의 제 2 측면은, 기재에 유기발광소자층을 증착하는 단계; 및 상기 유기발광소자층에 광전환층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기발광소자층은 청색광 및/또는 녹색광을 방출하는 발광층을 포함하며, 상기 발광층으로부터 방출되는 청색광 및/또는 녹색광에 의하여 상기 광전환층이 여기되어 백색광이 방출되는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다. 본원의 제 1 측면과 중복되는 부분들에 대해서는 상세한 설명을 생략하였으나, 본원의 제 1 측면에 대해 설명한 내용은 제 2 측면에서 그 설명이 생략되었더라도 동일하게 적용될 수 있다.
도 1 은 본원의 일 구현예에 따른 유기발광소자층의 개략적인 구성을 나타낸 모식도이다.
본원의 유기발광소자층은, 도 1에 도시된 바와 같이, 보호층/ 음극층/ 전자주입층/ 전자수송층/ 발광층/ 홀수송층/ 홀주입층/ 양극층/ (or TFT)/ 기재를 포함한다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재는 금속 호일, 유연 유리, 플라스틱, 그래핀막, 질화붕소막, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 기재로서 저렴한 금속 호일 또는 유연 유리가 포함될 수 있고, 상기 플라스틱의 경우 수분 침투율이 높기 때문에 OLED층이 증착되는 방향에 수분 침투 방지를 위한 처리를 하는 것을 포함할 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 청색광의 파장은 약 440 nm 내지 약 500 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 청색광의 파장은 약 440 nm 내지 약 500 nm, 약 440 nm 내지 약 480 nm, 약 440 nm 내지 약 460 nm, 약 460 nm 내지 약 500 nm, 약 460 nm 내지 약 480 nm, 또는 약 480 nm 내지 약 500 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 녹색광의 파장은 약 500 nm 내지 약 560 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색광의 파장은 약 500 nm 내지 약 560 nm, 약 500 nm 내지 약 540 nm, 약 500 nm 내지 약 520 nm, 약 520 nm 내지 약 560 nm, 약 520 nm 내지 약 540 nm, 또는 약 540 nm 내지 약 560 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 유기발광소자층은 상기 기재에 상기 발광층의 텐덤(tandem) 구조 또는 상기 유기 발광 소자의 패턴화 구조에 의해 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
도 2의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 청색광 및/또는 녹색광을 방출하는 발광층을 포함하는 유기발광소자를 나타낸 개략도이다: 도 2의 (a)는 진 청색 및 연 청색을 함유하는 다중 여기광을 동시에 포함하는 유기 발광 소자이고, b는 녹색 및 진 청색을 함유하는 다중 여기광을 교대로 포함하는 유기 발광 소자임.
도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 텐덤 및 패턴화된 구조에 있어서, 진한 청색광(약 440 nm 내지 약 470 nm), 연 청색광(약 470 nm 내지 약 500 nm) 및/또는 녹색광(약 500 nm 내지 약 600 nm)을 적층[도 2의 (a)] 및/또는 배열[도 2의 (b)]을 통해 다중 청색광의 OLED층을 제조할 수 있다. 예를 들어, 약 440 nm 미만인 진한 청색광은 높은 에너지로 인해 OLED층에 손상을 입혀 수명을 단축시킬 수 있고, 약 470 nm 이상의 파장은 녹색 또는 황색 형광체들의 여기 밴드를 벗어나므로 광전환 효율이 떨어질 수 있다. 약 470 nm 미만인 연 청색광은 고휘도 OLED의 발광층에 해당하는 인광재료의 개발이 어려우며, 약 560 nm 이상인 파장에서는 적색 형광체들의 여기 밴드를 벗어나므로 광전환 효율이 떨어질 수 있다. 상기 연 청색광 및 녹색광은 주로 인광 발광물질을 사용하여 고휘도의 OLED 제조에 이용될 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 유기발광소자층은 상기 기재 상에 진공 증착에 의해 증착되는 것일 수 있고, 상기 유기발광소자층 상에 상기 광전환층을 형성하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 과정에서 롤투롤공정, 시트 투 시트(sheet to sheet) 공정 또는 잉크젯 프린터 공정 등을 통해 생산 속도 및 제조 단가를 낮출 수 있다.
본원의 일 구현예에 따른 상기 유기 발광 소자는 전류 및 전압을 조절하는 것을 통해 광색을 변화시킬 수 있으며, 서로 다른 광색을 가지는 OLED를 회로화하여 화면표시 장치로서 사용할 수 있다. 상기 유기 발광 소자는 전면 발광, 후면 발광, 및 양면 발광을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층의 광전환이 약 10% 미만인 경우 광전환의 역할을 제대로 수행하지 못하게 되며, 상기 광전환층은 전체적으로 또는 부분적으로 다중 여기광을 발생하는 OLED층의 발광면을 덮고 있는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따른 상기 백색광에 있어서, 독립된 광에 의한 백색광은 서로 다른 발광색을 갖는 OLED층에서 서로 다른 발광을 통해 백색광을 구현하는 것이며, 복합 광에 의한 백색광은 하나의 OLED층에서 다중 여기광을 내어 광전환층을 통해 백색광을 구현하는 것일 수 있으나 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 우수한 백색광 OLED에 있어서, 약 70% 미만의 색 재현율은 백색광을 발생하는 조명장치 및 화면표시장치에 부적합하고, 여기광의 휘도 대비 약 50% 이하인 경우 다중 여기광에 대한 OLED층의 발광효율이 크게 낮기 때문에 부적합하다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 OLED층은 다중 여기광에 의하여 우수한 백색광을 내는 OLED층을 제공하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 우수한 백색광 OLED층은 적어도 약 70% 이상의 색 재현율 및 여기 광원의 휘도 대비 약 50% 이상의 휘도를 나타내는 OLED층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층은 무기물 형광체 물질 및/또는 양자점 물질을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 광전환층 및/또는 상기 발광층은 상기 본원의 제 1 측면에서 기술한 것과 같이 점착성 고분자 층에 규칙적으로 배열되어 형성된 무기물 형광체 입자층을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 본원의 제 1 측면에서 기술한 것과 같이 점착성 고분자 층에 규칙적으로 배열되어 형성된 비형광체 또는 비발광성 물질을 포함하는 입자층을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 무기물 형광체 물질은 Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce, MSi2O2N2:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M2SiO4:Eu (M: Ca, Sr, Ba), β-SiAlON:Eu, α-SiAlON:Eu, M2Si5N8:Eu (M: Ca, Sr, Ba), MAlSiN3:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M[LiAl3N4]:Eu (M: Ca, Sr, Ba), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 양자점 물질은 Cd, Al, Mg, Si, Zn, In, Ga, P, Se, 및 S 로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 코어쉘(core shell) 또는 멀티 코어쉘에 유기물에 의해 캡핑된 구조로 형성되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
이하, 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본원이 이에 제한되지 않을 수 있다.
[ 실시예 ]
실시예 1: 진 청색 및 연 청색의 다중 여기광을 포함하는 복합 광에 의한 백색 OLED 의 제조
도 3에 도시된 바와 같이, OLED층의 발광층에 진 청색의 형광물질 및 연 청색의 인광물질을 사용하여 텐덤 구조를 갖는 청색광의 OLED층을 제조하였다. 상기 텐덤 구조를 갖는 OLED층에서 진 청색광 및 연 청색광을 방출시켰다. 상기 OLED 층에 광전환층을 형성하여 상기 진 청색광의 일부를 상기 광전환층의 녹색광으로 전환시키고, 상기 연 청색광의 일부를 상기 광전환층의 주황색광 및 적색광으로 전환시키는 것에 의해 고휘도 및 고연색 지수를 갖는 복합 광에 의한 백색 유기 발광 장치를 제조하였다.
실시예 2: 연 청색 및 녹색의 다중 여기광을 포함하는 복합 광에 의한 백색 OLED의 제조
도 4에 도시된 바와 같이, OLED층의 발광층에 연 청색 및 녹색의 인광 발광물질을 사용하여 텐덤 구조를 갖는 연 청색 및 녹색광의 OLED층을 제조하였다. 상기 텐덤 구조를 갖는 OLED층에서 방출되는 연 청색광의 일부는 광전환층의 황색광으로 전환시키고, 상기 OLED층에서 방출되는 연 청색 및 녹색광의 일부는 광전환층의 적색광으로 전환시키는 것에 의해 고휘도 및 고연색 지수를 갖는 복합 광에 의한 백색 유기 발광 장치를 제조하였다.
실시예 3: 진 청색 및 연 청색의 다중 여기광을 포함하는 독립광에 의한 백색 OLED 의 제조
도 5에 도시된 바와 같이, OLED층의 발광층에 진 청색의 형광 물질 및 연 청색의 인광물질을 사용하여 패턴 구조를 갖는 청색광의 OLED층을 제조하였다. 패턴 구조로 형성된 진 청색 및 연 청색으로 나눠져 있는 OLED층에서 방출되는 일부 진 청색광의 OLED층 밖에 녹색의 광전환층을 형성하여 상기 진 청색광을 녹색광으로 전환시키고, 상기 연 청색광의 OLED층 밖에 적색의 광전환층을 형성하여 상기 연 청색광을 적색광으로 전환시켜 청색광 유기 발광 소자, 녹색광 유기 발광 소자, 및 적색광 유기 발광 소자로 나뉜 백색 유기 발광 장치를 제조하였다.
실시예 4: 진 청색 및 녹색의 다중 여기광을 포함하는 독립광에 의한 백색 OLED의 제조
도 6에 도시된 바와 같이, OLED층의 발광층에 진 청색의 형광 물질 및 녹색의 인광물질을 사용하여 패턴 구조를 갖는 청색광 및 녹색광의 OLED층을 제조하였다. 상기 패턴 구조로서 진 청색 및 녹색이 나눠져 있는 OLED층에서 방출되는 일부 녹색광의 OLED층 밖에 적색의 광전황층을 형성하여 상기 녹색광을 적색광으로 전환시키고, 상기 진 청색광의 OLED층은 그대로 사용하여 청색광 유기 발광 소자, 녹색광 유기 발광 소자, 및 적색광 유기 발광 소자로 나뉜 백색 유기 발광 소자를 제조하였다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (17)

  1. 기재에 형성된 발광층을 포함하는 유기발광소자(OLED)층; 및
    상기 유기발광소자층에 형성된 광전환층을 포함하고,
    상기 발광층으로부터 방출되는 청색광 및 녹색광에 의하여 상기 광전환층이 여기되어 백색광이 방출되는 것이고,
    상기 유기발광소자층은 상기 기재에 상기 발광층의 텐덤 구조 또는 상기 유기발광소자의 패턴화 구조에 의해 형성되는 것이며,
    상기 패턴화 구조에서 독립된 광에 의한 백색광은 서로 다른 발광색을 갖는 유기발광소자층에서 서로 다른 발광을 통해 백색광이 구현되는 것이고, 상기 텐덤 구조에서 복합광에 의한 백색광은 하나의 유기발광소자층에서 다중 여기광을 내어 상기 광전환층을 통해 백색광이 구현되는 것이고,
    상기 청색광은 형광물질을 포함하는 것이고, 상기 녹색광은 인광물질을 포함하는 것이고,
    상기 청색광의 파장은 440 nm 내지 500 nm인 것이며,
    상기 녹색광의 파장은 500 nm 내지 560 nm인 것인,
    백색 유기 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기발광소자층은 음극층, 양극층, 및 상기 음극층과 상기 양극층 사이에 형성된 상기 발광층을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광전환층은 무기물 형광체 물질 및/또는 양자점 물질을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 무기물 형광체 물질은 Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce, MSi2O2N2:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M2SiO4:Eu (M: Ca, Sr, Ba), β-SiAlON:Eu, α-SiAlON:Eu, M2Si5N8:Eu (M: Ca, Sr, Ba), MAlSiN3:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M[LiAl3N4]:Eu (M: Ca, Sr, Ba), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 양자점 물질은 Cd, Al, Mg, Si, Zn, In, Ga, P, Se, S, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 코어쉘(core shell) 또는 멀티 코어쉘에 유기물에 의해 캡핑된 구조로 형성되는 것을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치.
  8. 삭제
  9. 기재에 유기발광소자층을 증착하는 단계; 및
    상기 유기발광소자층에 광전환층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 유기발광소자층은 청색광 및 녹색광을 방출하는 발광층을 포함하며,
    상기 발광층으로부터 방출되는 청색광 및 녹색광에 의하여 상기 광전환층이 여기되어 백색광이 방출되는 것이고,
    상기 유기발광소자층은 상기 기재에 상기 발광층의 텐덤 구조 또는 상기 유기발광소자의 패턴화 구조에 의해 형성되는 것이며,
    상기 패턴화 구조에서 독립된 광에 의한 백색광은 서로 다른 발광색을 갖는 유기발광소자층에서 서로 다른 발광을 통해 백색광이 구현되는 것이고, 상기 텐덤 구조에서 복합광에 의한 백색광은 하나의 유기발광소자층에서 다중 여기광을 내어 상기 광전환층을 통해 백색광이 구현되는 것이고,
    상기 청색광은 형광물질을 포함하는 것이고, 상기 녹색광은 인광물질을 포함하는 것이고,
    상기 청색광의 파장은 440 nm 내지 500 nm인 것이며,
    상기 녹색광의 파장은 500 nm 내지 560 nm인 것인,
    백색 유기 발광 장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기재는 금속 호일, 유연 유리, 플라스틱, 그래핀막, 질화붕소막, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 광전환층은 무기물 형광체 물질 및/또는 양자점 물질을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 무기물 형광체 물질은 Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce, MSi2O2N2:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M2SiO4:Eu (M: Ca, Sr, Ba), β-SiAlON:Eu, α-SiAlON:Eu, M2Si5N8:Eu (M: Ca, Sr, Ba), MAlSiN3:Eu (M: Ca, Sr, Ba), M[LiAl3N4]:Eu (M: Ca, Sr, Ba), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 양자점 물질은 Cd, Al, Mg, Si, Zn, In, Ga, P, Se, S, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 코어쉘(core shell) 또는 멀티 코어쉘에 유기물에 의해 캡핑된 구조로 형성되는 것을 포함하는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기발광소자층은 상기 기재에 진공 증착에 의해 증착되는 것인, 백색 유기 발광 장치의 제조 방법.
  17. 삭제
KR1020150012883A 2014-01-27 2015-01-27 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 KR101676291B1 (ko)

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