CN103500731B - Oled背板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED背板及其制作方法，涉及显示技术领域，使OLED背板的制作更加简单。该OLED背板的制作方法，包括：在基板上形成包括TFT的图形；在包括所述TFT图形的基板上形成钝化层；在包括所述钝化层的基板上形成彩膜；在包括所述彩膜的基板上形成树脂层；在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂，使所述第一区域中的树脂层具有导电性，所述第一区域包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述钝化层过孔区域为所述TFT的漏极所在位置；在包括所述对第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极。

Description

OLED背板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管（OrganicLight-Emitting Diode，OLED）背板及其制作方法。
背景技术
目前的OLED背板包括矩阵分布的多个子像素，如图1所示，每个子像素包括像素电极区域1以及钝化层过孔区域2，钝化层过孔用于连接底层薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的漏极和上层的像素电极。上述OLED背板的制作过程包括：如图2所示，在形成有TFT图形（图中未示出）的基板上形成钝化层3；在上述形成有钝化层3的基板上形成彩膜4；如图3所示，在上述形成有彩膜4的基板上沉积树脂形成平坦层5，由于彩膜4的厚度较大，平坦层5用于对彩膜4进行平整以保证透明电极在钝化层过孔与像素电极之间的连续性；如图4所示，在上述形成有平坦层5的基板上沉积纳米铟锡（Indium Tin Oxides，ITO）并通过构图工艺在彩膜上形成透明电极6，透明电极6覆盖包括像素电极和钝化层过孔所在区域，用于作为像素电极并通过钝化层过孔与TFT的漏极连接；如图5所示，在上述包括透明电极6的基板上形成像素界定层7，像素界定层7位于每个子像素周围，用于隔开相邻的子像素，并与栅线和数据线相配合以保证每个子像素发出的光不会对其他子像素产生影响；在上述包括像素界定层的基板上依次形成有机发光层和金属电极（图中未示出），完成背板的制备。
可见，现有OLED背板的制作过程较为复杂。
发明内容
本发明提供一种OLED背板及其制作方法，使OLED背板的制作更加简单。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一方面，提供一种OLED背板的制作方法，包括：
在基板上形成包括TFT的图形；
在包括所述TFT图形的基板上形成钝化层；
在包括所述钝化层的基板上形成彩膜；
在包括所述彩膜的基板上形成树脂层；
在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂，使所述第一区域中的树脂层具有导电性，所述第一区域包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述钝化层过孔区域为所述TFT的漏极所在位置；
在包括所述对第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极。
可选地，所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层包括：
在包括所述彩膜的基板上沉积树脂材料；
通过半色调曝光对所述像素电极区域的树脂材料进行浅曝光，通过半色调曝光对所述钝化层过孔区域及其周围区域的树脂材料进行深曝光。
具体地，所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层之前，还包括：
在所述钝化层上的所述钝化层过孔区域通过构图工艺形成钝化层过孔。
优选地，所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层包括：
在包括所述彩膜的基板上沉积树脂材料；
通过半色调曝光对所述像素电极区域的树脂材料进行浅曝光，通过半色调曝光对所述钝化层过孔区域周围的树脂材料进行深曝光，对所述钝化层过孔区域的树脂材料进行完全曝光。
具体地，所述对所述钝化层过孔区域的树脂材料进行完全曝光之后，还包括：
在所述钝化层上的所述钝化层过孔区域通过构图工艺形成钝化层过孔。
具体地，所述在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂的过程包括：
在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行离子注入；
对所述进行离子注入后的树脂层进行固化处理。
具体地，所述进行离子注入的离子源为金属元素、磷烷或硼烷。
另一方面，提供一种OLED背板，包括基板，设置于所述基板上的TFT，覆盖于所述TFT上的钝化层，所述钝化层上设置有钝化层过孔，所述钝化层过孔位于所述TFT的漏极所在位置，设置于所述钝化层上的彩膜，还包括：
覆盖于所述钝化层和彩膜上的树脂层；
所述基板包括矩阵分布的多个子像素，每个子像素包括第一区域，所述第一区域包括像素电极区域、钝化层过孔区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述第一区域中的树脂层为经过重掺杂的导电区域，所述经过重掺杂的树脂层通过所述钝化层过孔与所述TFT的漏极连接；
设置于所述树脂层上的有机发光层；
设置于所述有机发光层上的阴极。
优选地，所述像素电极区域的树脂层厚度大于第二区域的树脂层厚度，所述第二区域包括所述钝化层过孔区域及其周围区域；
除所述像素电极区域和所述第二区域以外的树脂层厚度大于所述像素电极区域的树脂层厚度。
本发明提供的OLED背板及其制作方法，只需要对树脂层进行重掺杂即可实现像素电极和像素界定层的功能，节约了现有技术中透明电极和像素界定层的沉积、刻蚀等构图工艺的过程，制作方法更加简单且节约了ITO材料。另外，现有技术的OLED背板使用过程中，透明电极边缘会出现放电的现象，从而对背板上的器件造成破坏，而本实施例中的树脂层是一个完整的层结构，避免了像素电极边缘的放电现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种OLED背板的结构示意图；
图2至图5为图1中OLED背板AA’向的截面图；
图6为本发明实施例中一种OLED背板的制作方法流程图；
图7为本发明实施例中一种OLED背板的截面示意图；
图8为本发明实施例中一种OLED背板的结构示意图；
图9为图8中OLED背板重掺杂区域的示意图；
图10为本发明实施例中另一种OLED背板的制作方法流程图；
图11为本发明实施例中另一种OLED背板的制作方法流程图；
图12和图13为图8中OLED背板BB’向的截面示意图；
图14为本发明实施例中另一种OLED背板的制作方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
如图6所示，本发明实施例提供一种OLED背板的制作方法，具体可以用于制作氧化物（Oxide）TFT的OLED背板，该制作方法包括：
步骤101、在基板上形成包括TFT的图形；
本步骤中具体包括形成栅极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源极和漏极。
步骤102、如图7所示，在包括上述TFT图形的基板上形成钝化层3；
步骤103、在包括上述钝化层3的基板上形成彩膜4；
具体包括在基板上旋涂彩膜材料，并依次进行曝光、显影和退火。
步骤104、在包括上述彩膜4的基板上形成树脂层8；
具体为旋涂树脂材料，使树脂层8的厚度为3.5～4μm，比现有技术中的平坦层厚1.5～2μm，具体为减慢树脂材料旋涂的速率，例如将850转/分钟减慢至600转/分钟。
经过步骤104的基板如图8所示，每个子像素包括像素电极区域1和钝化层过孔区域2，其中像素电极区域1设置有上述彩膜，钝化层过孔区域2为上述TFT的漏极所在位置，此时钝化层过孔可以已经形成或在后续的步骤形成，具体见下文的描述。
步骤105、如图9所示，在包括上述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域9的树脂层进行重掺杂，使第一区域9中的树脂层具有导电性，第一区域9包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，钝化层过孔区域为上述TFT的漏极所在位置；
具体地，整个基板上的树脂层首先能够起到平坦层的作用；第一区域9中的树脂层由于能够导电，因此能够作为像素电极并且通过钝化层过孔与TFT的漏极连接；另外，第一区域9之外的树脂层由于没有进行掺杂，即仍为绝缘体，因此能够作为像素界定层，用于隔开相邻的子像素，并与栅线和数据线相配合保证每个子像素发出的光不会对其他子像素产生影响。
步骤106、在包括对上述第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极（图中未示出），上述经过重掺杂的像素区域中的树脂层作为阳极使用。
具体地，如图10所示，上述步骤105、在包括上述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂的过程包括：
步骤1051、在包括上述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行离子注入；
步骤1052、对上述进行离子注入后的树脂层进行固化处理。
具体地，上述进行离子注入的离子源可以为金属元素、磷烷或硼烷等。
通过本实施例中OLED背板的制作方法得到的OLED背板，只需要对树脂层进行重掺杂即可实现像素电极和像素界定层的功能，节约了现有技术中透明电极和像素界定层的沉积、刻蚀等构图工艺的过程，制作方法更加简单且节约了ITO材料。另外，现有技术的OLED背板使用过程中，透明电极边缘会出现放电的现象，从而对背板上的器件造成破坏，而本实施例中的树脂层是一个完整的层结构，避免了像素电极边缘的放电现象。
实施例二
在实施例一的基础上，本发明实施例提供一种OLED背板的制作方法，如图11所示，其中，
上述步骤104、在包括上述彩膜的基板上形成树脂层具体包括：
步骤1041、如图12所示，在包括彩膜4的基板上沉积树脂材料81；
步骤1042、如图8所示，通过半色调曝光对像素电极区域1的树脂材料进行浅曝光，通过半色调曝光对钝化层过孔区域2及其周围区域的树脂材料进行深曝光，最终形成如图13所示的树脂层8。
具体的，其中像素电极区域1的树脂材料进行浅曝光，使该区域中的树脂层变薄，进一步保证该区域中重掺杂后树脂层的导电性；类似的，钝化层过孔区域2及其周围区域的树脂材料进行深曝光，使该区域中的树脂层仅保留很薄的一层，进一步保证该区域中重掺杂后树脂层的导电性，保证该区域中树脂层与TFT漏极的欧姆接触良好。
上述步骤104。在包括上述彩膜的基板上形成树脂层之前，还包括：
步骤1040、在上述钝化层上的钝化层过孔区域2通过构图工艺形成钝化层过孔。
具体的，步骤1040可以在上述步骤102与步骤103之间，步骤1040也可以在上述步骤103与步骤104之间。只要基板上已经形成钝化层即可进行步骤1040。在钝化层过孔形成之后沉积的树脂材料通过钝化层过孔将像素电极与TFT漏极连接。
通过本实施例中OLED背板的制作方法得到的OLED背板，只需要对树脂层进行重掺杂即可实现像素电极和像素界定层的功能，节约了现有技术中透明电极和像素界定层的沉积、刻蚀等构图工艺的过程，制作方法更加简单且节约了ITO材料。另外，现有技术的OLED背板使用过程中，透明电极边缘会出现放电的现象，从而对背板上的器件造成破坏，而本实施例中的树脂层是一个完整的层结构，避免了像素电极边缘的放电现象。
实施例三
在实施例一的基础上，本发明实施例提供一种OLED背板的制作方法，如图13所示，其中，
上述步骤104、在包括上述彩膜4的基板上形成树脂层8具体包括：
步骤1041、在包括彩膜4的基板上沉积树脂材料；
步骤1043、通过半色调曝光对像素电极区域1的树脂材料进行浅曝光，通过半色调曝光对钝化层过孔区域2周围的树脂材料进行深曝光，对钝化层过孔区域2的树脂材料进行完全曝光。
具体地，步骤1043与实施例二中的步骤1042类似，区别仅在于，步骤1043中还对钝化层过孔区域2的树脂材料进行完全曝光，使得钝化层过孔区域2无树脂材料。
上述步骤1043、对钝化层过孔区域2的树脂材料进行完全曝光之后，还包括：
步骤1044、在钝化层3上的钝化层过孔区域2通过构图工艺形成钝化层过孔。
具体地，由于在步骤1043之后，只有钝化层过孔区域2无树脂材料，因此在步骤1044中，可以用直接用之前的树脂层作为掩膜进行钝化层过孔的刻蚀，而无需像实施例二中单独通过一次完整的构图工艺来制作钝化层过孔，使钝化层过孔的制作更加简单。由于在钝化层过孔制作完成之后，还包括依次形成有机发光层和阴极的过程，因此在形成有机发光层之后，钝化层过孔区域2周围的树脂层通过钝化层过孔中的有机发光层与TFT的漏极连接。
通过本实施例中OLED背板的制作方法得到的OLED背板，只需要对树脂层进行重掺杂即可实现像素电极和像素界定层的功能，节约了现有技术中透明电极和像素界定层的沉积、刻蚀等构图工艺的过程，制作方法更加简单且节约了ITO材料。另外，现有技术的OLED背板使用过程中，透明电极边缘会出现放电的现象，从而对背板上的器件造成破坏，而本实施例中的树脂层是一个完整的层结构，避免了像素电极边缘的放电现象。
实施例四
本实施例提供一种OLED背板，可以由上述实施例一、实施例二或实施例三的制作方法进行制作得到，如图8、图9和图12所示，该OLED背板包括基板，设置于基板上的TFT（图中未示出），覆盖于上述TFT上的钝化层3，钝化层3上设置有钝化层过孔，上述钝化层过孔位于上述TFT的漏极所在位置，设置于钝化层3上的彩膜4，还包括：覆盖于钝化层3和彩膜4上的树脂层8；上述基板包括矩阵分布的多个子像素，每个子像素包括第一区域9，第一区域9包括像素电极区域1、钝化层过孔区域2以及钝化层过孔区域2和像素电极区域1之间的连通区域，第一区域9中的树脂层8为经过重掺杂的导电区域，上述经过重掺杂的树脂层8通过钝化层过孔与TFT的漏极连接；设置于树脂层8上的有机发光层（图中未示出）；设置于上述有机发光层上的阴极（图中未示出）。
进一步地，像素电极区域1的树脂层厚度大于第二区域10的树脂层厚度，第二区域10包括钝化层过孔区域2及其周围区域；除像素电极区域1和第二区域10以外的树脂层厚度大于像素电极区域1的树脂层厚度。
本实施例中OLED背板的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。
本实施例中的OLED背板，只需要对树脂层进行重掺杂即可实现像素电极和像素界定层的功能，节约了现有技术中透明电极和像素界定层的沉积、刻蚀等构图工艺的过程，制作方法更加简单且节约了ITO材料。另外，现有技术的OLED背板使用过程中，透明电极边缘会出现放电的现象，从而对背板上的器件造成破坏，而本实施例中的树脂层是一个完整的层结构，避免了像素电极边缘的放电现象。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成包括TFT的图形；
在包括所述TFT图形的基板上形成钝化层；
在包括所述钝化层的基板上形成彩膜；
在包括所述彩膜的基板上形成树脂层；
在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂，使所述第一区域中的树脂层具有导电性，所述第一区域包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述钝化层过孔区域为所述TFT的漏极所在位置；
在包括所述对第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极。
2.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，
所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层包括：
在包括所述彩膜的基板上沉积树脂材料；
通过半色调曝光对所述像素电极区域的树脂材料进行浅曝光，通过半色调曝光对所述钝化层过孔区域及其周围区域的树脂材料进行深曝光。
3.根据权利要求1或2所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，
所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层之前，还包括：
在所述钝化层上的所述钝化层过孔区域通过构图工艺形成钝化层过孔。
4.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，
所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层包括：
在包括所述彩膜的基板上沉积树脂材料；
通过半色调曝光对所述像素电极区域的树脂材料进行浅曝光，通过半色调曝光对所述钝化层过孔区域周围的树脂材料进行深曝光，对所述钝化层过孔区域的树脂材料进行完全曝光。
5.根据权利要求4所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，
所述对所述钝化层过孔区域的树脂材料进行完全曝光之后，还包括：
在所述钝化层上的所述钝化层过孔区域通过构图工艺形成钝化层过孔。
6.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，
所述在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂的过程包括：
在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行离子注入；
对所述进行离子注入后的树脂层进行固化处理。
7.根据权利要求6所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，
所述进行离子注入的离子源为金属元素、磷烷或硼烷。
8.一种OLED背板，包括基板，设置于所述基板上的TFT，覆盖于所述TFT上的钝化层，所述钝化层上设置有钝化层过孔，所述钝化层过孔位于所述TFT的漏极所在位置，设置于所述钝化层上的彩膜，其特征在于，还包括：
覆盖于所述钝化层和彩膜上的树脂层；
所述基板包括矩阵分布的多个子像素，每个子像素包括第一区域，所述第一区域包括像素电极区域、钝化层过孔区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述第一区域中的树脂层为经过重掺杂的导电区域，所述经过重掺杂的树脂层通过所述钝化层过孔与所述TFT的漏极连接；
设置于所述树脂层上的有机发光层；
设置于所述有机发光层上的阴极。
9.根据权利要求8所述的OLED背板，其特征在于，
所述像素电极区域的树脂层厚度大于第二区域的树脂层厚度，所述第二区域包括所述钝化层过孔区域及其周围区域；
除所述像素电极区域和所述第二区域以外的树脂层厚度大于所述像素电极区域的树脂层厚度。
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