CN114023850B - 一种显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法,在制备形成显示面板时,将微型发光二极管巨量转移至衬底上,并在该衬底上制备形成发光器件层,同时对发光器件层进行蚀刻,使发光器件层内发光二极管的端子暴露出,进而再在该发光器件层上制备形成阵列基板并最终形成本发明实施例中提供的显示面板。本发明实施例中提供的制备方法有效的避免了现有工艺中在对巨量的发光二极管进行转移时,微型发光二极管容易发生脱落等失效问题,进而有效的提高了显示面板的性能以及质量。

Description

一种显示面板及显示面板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示面板及显示装置的制造技术领域,具体涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
随着显示面板制备技术以及制备工艺的不断提高,人们对制备形成的显示面板的性能及质量的要求也越来越高。
近年来,依托于面板制备技术的不断发展,显示面板的性能以及质量不断提升,但是仍不能满足人们的预期。尤其对于微型发光二极管显示面板(Micro-LED)而言,还有许多制备工艺需要进行改进。Micro-LED具有自发光、高效率、低功耗、高稳定性而被认为是最有前途的下一代新型显示与发光器件之一。Micro-LED因其体积小、灵活性高、易于拆解合并等特点,能够部署在现有的从最小到最大尺寸的任何显示应用场合中。一般的Micro-LED显示面板的结构从上到下依次为:盖板、封装、Micro-LED发光器件以及阵列基板。在进行制备时,其制备流程主要为:先制作驱动的阵列基板,再将有机层上的Micro-LED通过巨量转移工艺转移到阵列基板上,再进行模组制程。但是,在进行巨量转移时,一般通过绑定工艺制程进行,或者可低温形成合金的金属绑定制程进行。这些绑定制程难度大,并且在转移和绑定的过程中Micro-LED芯片与阵列基板的粘结强度低,良率低。进而造成显示面板在使用的过程中容易出现脱落或者失效等问题,影响显示面板的正常发光。
综上所述,现有技术中,在制备形成Micro-LED显示面板时,在对巨量的Micro-LED芯片进行转移时,Micro-LED容易与阵列基板之间发生脱落等失效问题,进而影响面板的性能。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以有效的对显示面板的制备工艺进行改进,防止在转移Micro-LED时,Micro-LED不能与阵列基板之间紧密贴合,并且防止Micro-LED容易出现失效等问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供的技术方法如下:
本发明实施例的第一方面,提供了一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:
提供一衬底;
将多个发光二极管转移至所述衬底上;
对所述发光二极管进行固定,并形成一发光器件层;
对所述发光器件层蚀刻,以蚀刻出每个所述发光二极管的端子;
在所述发光器件层上制备金属层,并将所述金属层与所述发光二极管的端子对应连接;
在所述金属层上制备阵列基板,并在所述阵列基板上制备盖板,最终形成所述显示面板。
根据本发明一实施例,所述对所述发光二极管进行填充的步骤,包括:
提供一填充材料;
将所述填充材料填充至相邻的所述发光二极管的间隙中,并使所述填充材料覆盖所述发光二极管,以形成一包裹层;
对所述包裹层进行平整,最终形成所述发光器件层。
根据本发明一实施例,所述对所述包裹层进行平整的步骤,包括:
对所述包裹层的出光一侧的表面进行平整,使所述出光一侧的表面与所述衬底的表面相平行。
根据本发明一实施例,所述填充材料包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
根据本发明一实施例,所述对所述发光器件层蚀刻的步骤,包括:
确定所述发光器件层内每个所述发光二极管的端子所在的区域;
采用黄光制程对所述发光二极管的端子所在的区域进行蚀刻,暴露出每个所述发光二极管的阴极端子和阳极端子。
根据本发明一实施例,制备所述金属层和所述阵列基板的步骤还包括:
所述金属层制备完成后,在所述金属层上制备形成一有机层;
对所述有机层进行蚀刻,使所述发光二极管的阴极端子对应的金属层裸露出;
在所述有机层上制备所述阵列基板,并使所述阵列基板的漏极与裸露出的所述金属层电连接。
根据本发明一实施例,所述发光二极管转移至所述衬底上的步骤还包括:
将所述发光二极管转移至所述衬底上,并阵列设置;
对所述发光二极管进行检测,并对不导通的所述发光二极管进行修复或更换。
根据本发明实施例的第二方面,还提供一种显示面板,包括:
阵列基板;以及
发光器件层,所述发光器件层设置在所述阵列基板上;
其中,所述发光器件层通过本发明实施例中提供的所述的制备方法制备得到,所述发光器件层包括多个发光二极管,所述发光二极管与所述阵列基板电连接。
根据本发明一实施例,所述显示面板还包括盖板,所述盖板设置在所述发光器件层上。
根据本发明一实施例,所述发光二极管阵列的设置在所述发光器件层内。
综上所述,本发明实施例的有益效果为:
本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。本发明实施例中,在制备形成显示面板时,通过将微型发光二极管巨量转移至衬底上,并在该衬底上制备形成发光器件层,同时对发光器件层进行蚀刻,使发光器件层内发光二极管的端子暴露出,进而再在该发光器件层上制备形成阵列基板,并使阵列基板的电极与发光二极管的端子对应连接,并在阵列基板上制备形成盖板并对其进行封装,最终形成本发明实施例中提供的显示面板。本发明实施例中提供的制备方法有效的避免了现有工艺中在对巨量的发光二极管进行转移时,微型发光二极管容易发生脱落等失效问题,进而有效的提高了显示面板的性能以及质量。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果更显而易见。
图1为现有技术中提供的显示面板的制备工艺示意图;
图2为本发明实施例中提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例中提供的显示面板的膜层结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的制备方法对应的示意图;
图6为本发明实施例提供的发光器件层的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示面板制备流程对应的膜层结构示意图;
图8为本发明实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
随着显示面板制备技术的不断发展,人们对显示面板的各项性能以及质量均提出了更高的要求。不仅希望显示面板的制备工艺也更简单,同时还希望在该制备工艺下制备形成的面板具有较好的综合性能。
如图1所示,图1为现有技术中提供的显示面板的制备工艺示意图。现有技术中,在制备形成显示面板时,首先制备形成一阵列基板101,该阵列基板101为薄膜晶体管阵列基板。阵列基板101制备完成后,将发光二极管100转移至该阵列基板101上,在转移时,由于每个阵列基板101上需要设置多个发光二极管100。因此,当将该巨量的微型发光二极管100转移至该阵列基板101上时,一般通过粘贴绑定工艺进行固定,而该绑定工艺在发光二极管100转移完成后,不能保证发光二极管100与阵列基板101之间的紧密粘接性能,发光二极管100容易从阵列基板101上脱落,进而造成显示面板102存在一定的质量问题。
因此,本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以有效的改善在制备形成显示面板的过程中,保证巨量转移的发光二极管能较好的粘贴在阵列基板上,从而保证显示面板的性能以及质量。
如图2所示,图2为本发明实施例中提供的一种显示面板的结构示意图。显示面板包括阵列基板100、发光器件层101以及盖板层102。其中,发光器件层101设置在阵列基板100上,盖板层102设置在发光器件层101上,本发明实施例中阵列基板100为薄膜晶体管阵列基板,且在发光器件层101内设置有多个发光二极管1011,该发光二极管1011可阵列的设置在发光器件层101内。同时,该发光二极管1011的电极端子与阵列基板100电连接,当显示面板发光显示时,阵列基板100向该发光二极管1011提供驱动控制信号,以实现器件的正常工作。
进一步的,如图3所示,图3为本发明实施例中提供的显示面板的膜层结构示意图。具体的,显示面板包括衬底31、第一有机层11、发光器件层101、金属层112以及阵列基板100。其中,第一有机层11设置在衬底31上,发光器件层101设置在第一有机层11上,且金属层112设置在发光器件层101上,同时,阵列基板100设置在金属层112上,并覆盖该金属层112。
本发明实施例中,衬底100可为玻璃基板或者其他起支撑作用的膜层,第一有机层11可为聚酰亚胺膜层,第一有机层11主要起到缓冲以及粘接的作用。
本发明实施例中,在发光器件层101内还包括多个发光二极管1011。具体的,发光二极管1011可阵列的设置在发光器件层101内,其中,可矩形阵列结构设置在发光器件层101内,同时,相邻的两个发光二极管1011之间的距离可相同。
进一步的,本发明实施例中,在设置发光二极管1011时,发光二极管1011直接设置在发光器件层101内,即该发光器件层101将发光二极管1011完全包裹住。并且,该发光二极管1011的一端面可直接贴附在第一有机层11上,该第一有机层11可为发光二极管1011的出光侧对应的膜层。
这样,所有的发光二极管1011在第一有机层11的一侧具有一齐平的平面。同时,本发明实施例中的发光二极管1011还包括两个电极端子:阳极端子1012和阴极端子1013。通过阳极端子1012和阴极端子1013向发光二极管1011传输驱动信号,并使发光二极管1011正常发光。
同时,在阳极端子1012和阴极端子1013上,对应蚀刻形成有开口结构,金属层112通过该开口结构与发光二极管1011的上述两端子进行电连接。同时,在金属层112上还设置有第二有机层103,第二有机层103覆盖金属层112,且第二有机层103的上表面为一平面结构,并且在与发光二极管1011的阳极端子1012对应的位置处蚀刻有第二过孔33。
进一步的,在第二有机层103上还设置有阵列基板100,阵列基板100与发光器件层101电连接。具体的,阵列基板100内的薄膜晶体管109的电极层111通过该第二过孔33与金属层112电连接,从而实现薄膜晶体管109与发光二极管1011的连接,并向每个发光二极管1011提供驱动信号。
本发明实施例中,在阵列基板内设置有多个薄膜晶体管109。薄膜晶体管109内设置有有源层、源极、漏极、栅极层以及对应的各层间介质层。其中,在设置薄膜晶体管109的上述各膜层结构时,可按照现有技术中的薄膜晶体管的制备工艺进行制备,同时,本发明实施例中,薄膜晶体管109内还可设置双栅极的结构,具体的制备工艺按照现有的薄膜晶体管的制备工艺进行制备,这里不再详细赘述。
进一步的,阵列基板100还包括第一平坦化层106、第二平坦化层107以及第二金属层130。其中,第一平坦化层106设置在薄膜晶体管的电极层111上,并覆盖电极111,第二金属层130设置在第一平坦化层106上,第二平坦化层107设置在第二金属层130上,且覆盖该第二金属层130。同时,第二金属层130在对应的位置区域内蚀刻形成有过孔结构,第二金属层130通过对应的过孔结构与薄膜晶体管109内的电极以及漏极或源极对应连接,从而实现数据信号的传输。
优选的,本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法,具体的,如图4所示,图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图。在制备形成本发明实施例的显示面板时,包括如下步骤:
S100:提供一衬底;
S101:将多个发光二极管转移至所述衬底上;
S102:对所述发光二极管进行填充,并形成一发光器件层;
S103:对所述发光器件层蚀刻,以蚀刻出每个所述发光二极管的端子;
S104:在所述发光器件层上制备金属层,并将所述金属层与所述发光二极管的端子对应连接;
S105:在所述金属层上制备阵列基板,并在所述阵列基板上制备盖板,最终形成所述显示面板。
具体的,如图5所示,图5为本发明实施例提供的显示面板的制备方法对应的示意图。首先提供一衬底500,本发明实施例中,该衬底500可为玻璃或者其他有机以及无机的衬底层,该衬底500主要起到支撑以及放置物体的作用,通过借助该衬底500以实现发光二极管501的排布。
同时,将发光二极管501转移至该衬底500上。本发明实施例中,在放置多个发光二极管501时,多个发光二极管501可阵列排布在衬底500上,如在衬底500的行和列上阵列排布。阵列排布完成后,形成如图5中所示的结构。
排布完成后,对该发光二极管501以及衬底500进行填充,并使发光二极管501固定。具体的,选取有机或者无机材料的填充材料504,同时,该填充材料为绝缘材料。优选的,该填充材料504可为光阻蚀刻等材料。将该填充材料504填涂在相邻的发光二极管501之间的间隙中,当衬底500上为排布发光二极管501的区域填充完成后,继续填涂该填充材料,并使填充材料完全覆盖每个发光二极管501。
如图6所示,图6为本发明实施例提供的发光器件层的结构示意图。填充完成后,对该填充材料进行固化,并使填充材料504形成一包裹层502,这样,多个发光二极管501便被固定在包裹层502内。
固化完成后,对包裹层502的上表面进行平整,即对该包裹层502朝向出光一侧的表面进行平整,使该表面为一平面,该平面与衬底500的一表面相平行。以便后续其他膜层的制备。
如图7所示,图7为本发明实施例提供的显示面板制备流程对应的膜层结构示意图。填充固化并且平整完成后,对发光器件层505进行蚀刻。具体的,确定每个发光二极管501的端子所在的区域,对该区域进行蚀刻。具体的,可采用黄光制程对发光二极管501的端子区域进行蚀刻,以暴露出每个发光二极管501的引脚,如阳极端子1012、阴极端子1013。在蚀刻过程中,会在阳极端子1012和阴极端子1013上方形成对应的过孔结构。
发光二极管501的阳极端子1012和阴极端子1013暴露出后,对每个发光二极管进行检测,以确定发光二极管501的好坏,当检测到对应的发光二极管不能正常工作时,对该坏的发光二极管501进行修复或者更换,从而通过检测,以保证发光二极管的性能。
蚀刻完成后,在该发光器件层上制备并形成一金属层112。其中,金属层112通过对应的过孔结构与发光二极管501的阳极端子1012和阴极端子1013。
进一步的,如图8所示,图8为本发明实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图。同时结合图1中的面板的结构示意图,本发明实施例中,金属层112制备完成后,再在金属层112上制备形成一第二有机层103,并使第二有机层103覆盖金属层112。第二有机层103制备完成后,再在第二有机层103上制备形成一第三有机层104。其中,第二有机层103和第三有机层104制备完成后,对第二有机层103和第三有机层104进行蚀刻,并在发光二极管的阴极端子1013对应的区域内形成第二过孔33。
本发明实施例中,继续在第三有机层104上制备形成阵列基板100。其中,阵列基板100包括薄膜晶体管109的源极、栅极、漏极以及各层间介质层105。本发明实施例中,阵列基板100的制备工艺可按照常用工艺进行制备,这里不再详细赘述。
进一步的,在阵列基板100内还可设置第二金属层130,其中,第二金属层130可设置在第一平坦化层106上。本发明实施例中,在设置第二金属层130时,第二金属层130可设置为面状的结构,通过将第二金属层130设置为面状的结构,以有效的降低显示面板内部的阻抗。并且在第一平坦化层106上继续设置第二平坦化层107,同时,还可继续再在第二平坦化层107上制备形成一盖板,并完成对显示面板的封装。本发明实施例中,在制备形成该阵列基板100时,薄膜晶体管可为单栅极或者双栅极薄膜晶体管,具体的,可根据实际产品的需要进行设置。
本发明实施例中,在制备形成显示面板时,将发光二极管转移至衬底上,并将该发光二极管贴附并固定在该衬底上,并形成发光器件层,并再在该发光器件层上再制备阵列基板,并使阵列基板与发光二极管相连接。因此,本发明实施例中制备得到的显示面板中的发光二极管的贴合效果更好,有效的保证了显示面板的性能以及质量。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板以及显示面板的制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底;
将多个发光二极管转移至所述衬底上;
对所述发光二极管固定,并形成一发光器件层,其中,在形成所述发光器件层中,还包括:提供一填充材料;将所述填充材料填充至相邻的所述发光二极管的间隙中,并使所述填充材料覆盖所述发光二极管,以形成一包裹层;对所述包裹层进行平整,使所述包裹层朝向出光一侧的表面与所述衬底的表面平行,最终形成所述发光器件层;
对所述发光器件层蚀刻,以蚀刻出每个所述发光二极管的端子,并对每个所述发光二极管进行检测;
在所述发光器件层上制备金属层,在所述金属层上制备形成一第二有机层,所述第二有机层覆盖所述金属层,在所述第二有机层上制备形成一第三有机层,对所述第二有机层与所述第三有机层蚀刻并形成第二过孔,并将所述金属层与所述发光二极管的端子对应连接;
在所述金属层上制备阵列基板,所述阵列基板设置在所述金属层上,第二金属层设置在所述阵列基板的第一平坦化层上,且所述第二金属层设置为面状结构,并在所述第一平坦化层和所述第二金属层上制备第二平坦化层,在所述第二平坦化层上制备盖板,最终形成所述显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述填充材料包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对所述发光器件层蚀刻的步骤,包括:
确定所述发光器件层内每个所述发光二极管的端子所在的区域;
采用黄光制程对所述发光二极管的端子所在的区域进行蚀刻,暴露出每个所述发光二极管的阴极端子和阳极端子。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述发光二极管转移至所述衬底上的步骤还包括:
将所述发光二极管转移至所述衬底上,并阵列设置;
对所述发光二极管进行检测之后,对不导通的所述发光二极管进行修复或更换。
5.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;以及
发光器件层,所述发光器件层设置在所述阵列基板上;
其中,所述发光器件层通过如权利要求1-4中任一项所述的制备方法制备得到,所述发光器件层包括多个发光二极管,所述发光二极管与所述阵列基板电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述发光二极管阵列的设置在所述发光器件层内。
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