CN111554783B - 一种led阵列基板的制备方法、led阵列基板、面板及设备 - Google Patents

一种led阵列基板的制备方法、led阵列基板、面板及设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备，方法包括：提供载体基板，包括第一区域和第二区域；在第二区域内形成凸起结构；在第一区域内形成TFT阵列，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；在凸起结构上形成金属焊盘，在TFT阵列上形成缓冲层，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面，印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上，从而减少对TFT阵列的压力；此外，刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时，被缓冲层吸收，进一步减少对TFT阵列的压力，从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。

Description

一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备。
背景技术
目前随着LED封装技术的快速发展，工艺也逐渐成熟，对于点间距的要求则越来越小，点间距P1.0mm以下的市场需求量逐渐增加。传统的LED封装通常采用板上晶片封装(Chips On Board，COB)方式，将LED发光晶片固定在印刷线路板(Printed Circuit Board，PCB)上，并进行封装。
由于PCB线路板的精度目前最高仅能达到1.5mil(38um)，对于点间距在P1.0mm以下显示面板，受制于发光晶片的尺寸及PCB线路板的工艺制程限制，现有的COB封装方式难以实现。而TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)玻璃基板在制程上采用的是光刻与刻蚀工艺，因此TFT玻璃基板的精度可达到2um，使得玻璃上晶片封装(Chip On Glass，COG)成为点间距P1.0mm以下的最优封装方式。
由于TFT玻璃基板上精密的线路与TFT结构是通过层叠的结构形成的，且线路与TFT通常包括金属层和无机层，因此非常脆弱。在将LED发光晶片固定到TFT玻璃基板上的过程中，通常采用钢网印刷的方式在TFT玻璃基板上涂刷固晶材料(例如锡膏)，LED发光晶片通过固晶材料固定在TFT玻璃基板。在钢网印刷的过程中，印刷机的刮刀的压力通过钢网传递到TFT玻璃基板上，对TFT玻璃基板上的TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损导致断路，或造成各层间的结构会发生接触导致短路，使得TFT玻璃基板报废，降低了产品良率。
发明内容
本发明实施例提供了一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备，能够避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。
第一方面，本发明实施例提供了一种LED阵列基板的制备方法，包括：
提供载体基板，所述载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；
在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构；
在所述第一区域内形成TFT阵列，所述凸起结构的表面高于所述TFT阵列的表面；
在所述凸起结构上形成金属焊盘，所述金属焊盘与所述TFT阵列中的源极或漏极电连接，所述金属焊盘用于电连接所述LED发光晶片的电极；
在所述TFT阵列上形成缓冲层，所述缓冲层用于吸收固定所述LED发光晶片过程中对所述TFT阵列产生的压力。
可选的，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构，包括：
在所述载体基板上形成牺牲层；
去除部分所述牺牲层，
可选的，去除部分所述牺牲层，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构，包括：
在所述牺牲层上形成掩模层；
去除部分所述掩模层，在所述第二区域内形成掩模图案；
对所述牺牲层进行刻蚀，去除未被所述掩模图案覆盖的部分牺牲层；
去除所述掩模图案，得到用于承载LED发光晶片的凸起结构。
可选的，在所述第一区域内形成TFT阵列，包括：
在所述载体基板上形成栅极；
在所述栅极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层延伸至所述第二区域并覆盖所述凸起结构；
在所述栅极绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上形成钝化层，所述钝化层延伸至所述第二区域并覆盖所述栅极绝缘层。
可选的，在所述凸起结构上形成金属焊盘，包括：
在所述钝化层上形成贯穿所述钝化层的通孔，以露出部分所述源极或部分所述漏极；
在所述钝化层上形成导电层，所述导电层通过所述通孔与所述源极或所述漏极电连接，所述导电层在所述凸起结构上形成金属焊盘。
可选的，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构之前，还包括：
在所述载体基板上形成刻蚀阻挡层。
可选的，所述凸起结构的表面至所述载体基板的表面的第一距离为所述TFT阵列的表面至所述载体基板的表面的第二距离的5-8倍。
可选的，所述缓冲层的表面低于所述金属焊盘的表面，或与所述金属焊盘的表面平齐。
可选的，所述缓冲层为柔性材料。
可选的，所述缓冲层材料为硅胶或UV胶。
第二方面，本发明实施例还提供了一种LED阵列基板，采用如本发明第一方面提供的LED阵列基板的制备方法制备。
第三方面，本发明实施例还提供了一种LED显示面板，包括如本发明第二方面提供的LED阵列基板、多个LED发光晶片和封装层；
所述LED发光晶片固定在所述金属焊盘上；
所述封装层覆盖所述缓冲层和所述LED发光晶片。
可选的，所述LED发光晶片为倒装晶片，所述倒装晶片的两个电极均位于与所述倒装晶片的发光面相对的背光面，所述LED发光晶片的两个电极分别通过导电材料固定在两个所述金属焊盘上。
可选的，所述LED发光晶片为垂直晶片，所述垂直晶片的两个电极分别位于所述垂直晶片的发光面和背光面，所述LED发光晶片的一个电极通过导电材料固定在一个金属焊盘上。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示设备，包括如本发明第三方面提供的LED显示面板。
本发明实施例提供的LED阵列基板的制备方法，包括：提供载体基板，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；在第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构；在所述凸起结构上形成金属焊盘，所述金属焊盘与所述TFT阵列中的源极或漏极电连接，所述金属焊盘用于电连接所述LED发光晶片的电极；在第一区域内形成TFT阵列，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；在TFT阵列上形成缓冲层，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面，印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上，从而减少对TFT阵列的压力；此外，由于缓冲层的存在，刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时，被缓冲层吸收，进一步减少对TFT阵列的压力，从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。
附图说明
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
图1A为本发明实施例一提供的一种LED阵列基板的制备方法的流程图；
图1B为本发明实施例一提供的一种载体基板的结构示意图；
图1C为本发明实施例一提供的在载体基板的第二区域内形成凸起结构的示意图；
图1D为本发明实施例一提供的在载体基板的第一区域内形成TFT阵列的示意图；
图1E为本发明实施例一提供的一种在凸起结构上形成金属焊盘的示意图；
图1F为本发明实施例一提供的一种LED阵列基板的结构示意图；
图2A为本发明实施例二提供的一种LED阵列基板的制备方法的流程图；
图2B为本发明实施例二提供的一种载体基板的结构示意图；
图2C为本发明实施例二提供的在载体基板上形成刻蚀阻挡层的示意图；
图2D为本发明实施例二提供的在刻蚀阻挡层上形成牺牲层的示意图；
图2E为本发明实施例二提供的在牺牲层上形成掩模层的示意图；
图2F为本发明实施例二提供的形成掩模图案的示意图；
图2G为本发明实施例二提供的刻蚀牺牲层的示意图；
图2H为本发明实施例二提供的去除掩模图案后的示意图；
图2I为本发明实施例二提供的在第一区域内形成TFT阵列的示意图；
图2J为本发明实施例中TFT结构的示意图；
图2K为本发明实施例二提供的一种在凸起结构上形成金属焊盘的示意图；
图2L为本发明实施例二提供的另一种在凸起结构上形成金属焊盘的示意图；
图2M为本发明实施例二提供的在TFT阵列上形成平坦化层的示意图；
图2N为本发明实施例二提供的一种LED阵列基板的结构示意图；
图2P为本发明实施例二提供的另一种LED阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例四提供的一种LED显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例四提供的另一种LED显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
实施例一
本发明实施例一提供了一种LED阵列基板的制备方法，图1A为本发明实施例一提供的一种LED阵列基板的制备方法的流程图，如图1A所示，该方法包括如下步骤：
S11、提供载体基板，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域。
其中，载体基板可以是具有高透明的玻璃基板或聚酰亚胺基板，可以用于实现透明显示屏。载体基板也可以是具有柔性可弯折功能的有机板(例如聚酰亚胺)，以实现柔性显示屏。需要说明的是，本发明实施例对载体基板的材料不做限定，只要能够用于承载TFT阵列和LED发光晶片即可。
具体的，本发明实施例中载体基板被划分为两个区域，分别为第一区域和第二区域。其中，第一区域用于承载TFT阵列，第二区域用于承载LED发光晶片。
TFT阵列即为多个薄膜晶体管形成的驱动阵列，用于驱动LED发光晶片发光。LED发光晶片可以是Mini-LED晶片或Micro-LED晶片。本发明实施例中，第二区域内设置有多个LED发光晶片，具体的，多个LED发光晶片可以形成发光阵列。多个LED发光晶片可以包括发出三种不同颜色的发光晶片，例如红色LED发光晶片、绿色LED发光晶片和蓝色LED发光晶片，三种颜色的晶片按照一定的规律排列。
图1B为本发明实施例一提供的一种载体基板的结构示意图，该实施例中，载体基板的材质为透明玻璃。如图1B所示，载体基板110被划分为两个区域，分别为第一区域A1和第二区域A2。其中，第一区域A1用于承载TFT阵列，也可称之为非显示区域；第二区域A2用于承载LED发光晶片，也可称之为显示区域。
S12、在第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构。
具体的，可以湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，在第二区域内形成多个用于承载LED发光晶片的凸起结构。
图1C为本发明实施例一提供的在载体基板的第二区域内形成凸起结构的示意图，如图1C所示，在第二区域A2内形成多个用于承载LED发光晶片的凸起结构121。示例性的，如图1C所示，相邻的两个凸起结构121之间存在一定的间隙，以露出部分载体基板110。在本发明的其他实施例中，相邻的两个凸起结构121之间也可以不存在间隙，即相邻的两个凸起结构121之间无露出的载体基板110。
需要说明的是，为了便于说明，图1C所示的结构中，第二区域A2内仅示例性的示出两个凸起结构121。事实上，在本发明实施例中，第二区域A2内存在多个凸起结构121，多个凸起结构121在第二区域A2内可以呈阵列排布。
S13、在第一区域内形成TFT阵列，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面。
具体的，通过沉积、光刻、刻蚀等工艺在第一区域内形成TFT阵列，第二区域内的凸起结构的表面高于TFT阵列的表面。
具体的，TFT结构可以包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极。在本发明的一些实施例中，在有源层和源极、漏极之间还可以设置欧姆接触层，以降低有源层和源极、漏极之间接触阻抗，提高TFT性能。
TFT结构可以是顶栅结构或底栅结构，TFT结构中的有源层的材料可以是低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)，或铟镓锌氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)，本发明实施例在此不做限定。
图1D为本发明实施例一提供的在载体基板的第一区域内形成TFT阵列的示意图，如图1D所示，在载体基板110的第一区域A1内形成TFT阵列130，其中，第二区域A2内的凸起结构121的表面高于TFT阵列130的表面。
需要说明的是，为了便于说明，图1D所示的结构中，第一区域A1内仅示例性的示出一个TFT结构。事实上，在本发明实施例中，第一区域A1内存在多个TFT结构，多个TFT结构在第一区域A1内可以呈阵列排布，形成TFT阵列130。
示例性的，在本发明实施例中，TFT结构中的栅极绝缘层和钝化层可以延伸至第二区域A2，并覆盖凸起结构121。
S14、在凸起结构上形成金属焊盘。
其中，金属焊盘与TFT阵列中的源极或漏极电连接，金属焊盘用于电连接LED发光晶片的电极。
具体的，金属焊盘可以通过曝光刻蚀的方式形成在凸起结构上，部分或全部金属焊盘通过连接导线与TFT阵列中的源极或漏极电连接，连接导线可以与金属焊盘同层形成。在本发明实施例中，对金属焊盘的材料不做限定。
图1E为本发明实施例一提供的一种在凸起结构上形成金属焊盘的示意图，如图1E所示，在每一个凸起结构121的表面均形成金属焊盘141，相邻的凸起结构121表面的金属焊盘141相互绝缘隔离，部分或全部金属焊盘141通过连接导线142与TFT阵列130中的源极或漏极电连接。金属焊盘141用于电连接LED发光晶片的电极。示例性的，在本发明实施例中，各金属焊盘141和连接导线142为在同一工艺制程中形成。
S15、在TFT阵列上形成缓冲层，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。
具体的，通过沉积、涂布等方式在TFT阵列上形成缓冲层，覆盖TFT阵列，并且使得缓冲层的表面与金属焊盘的表面处于同一高度。
图1F为本发明实施例一提供的一种LED阵列基板的结构示意图，如图1F所示，在TFT阵列130上，形成缓冲层150，缓冲层150覆盖整个第一区域A1以及覆盖第二区域A2内没有凸起结构121的部分区域，且填充于第二区域A2内相邻的两个凸起结构121之间。缓冲层150的表面与金属焊盘141的表面处于同一高度。
在固定LED发光晶片的过程中，采用钢网印刷的方式在凸起结构的金属焊盘上涂刷导电材料(例如锡膏或导电胶)，由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面，印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上，从而减少对TFT阵列的压力；此外，由于缓冲层的存在，刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时，被缓冲层吸收，进一步减少对TFT阵列的压力，从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。
本发明实施例提供的LED阵列基板的制备方法，包括：提供载体基板，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；在第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构；在第一区域内形成TFT阵列，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；在凸起结构上形成金属焊盘，金属焊盘与TFT阵列中的源极或漏极电连接，金属焊盘用于电连接LED发光晶片的电极；在TFT阵列上形成缓冲层，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面，印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上，从而减少对TFT阵列的压力；此外，由于缓冲层的存在，刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时，被缓冲层吸收，进一步减少对TFT阵列的压力，从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。
实施例二
本发明实施例二提供了另一种LED阵列基板的制备方法，本发明实施例以前述实施例一为基础进行优化，详细描述了本发明的示例性实施方法，具体的，图2A为本发明实施例二提供的一种LED阵列基板的制备方法的流程图，如图2A所示，该方法包括如下步骤：
S20、提供载体基板，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域。
图2B为本发明实施例二提供的一种载体基板的结构示意图，该实施例中，载体基板的材质为透明玻璃。如图2B所示，载体基板210被划分为两个区域，分别为第一区域A1和第二区域A2。其中，第一区域A1用于承载TFT阵列，也可称之为非显示区域；第二区域A2用于承载LED发光晶片，也可称之为显示区域。
S21、在载体基板上形成刻蚀阻挡层。
图2C为本发明实施例二提供的在载体基板上形成刻蚀阻挡层的示意图，如图2所示，在载体基板210的一侧面形成覆盖该侧面的刻蚀阻挡层260，刻蚀阻挡层260由不与刻蚀液反应的材料制备，在刻蚀液接触刻蚀阻挡层260时，刻蚀反应在垂直于载体基板210的方向上被停止，即刻蚀深度不再增加，避免刻蚀液腐蚀载体基板210。具体的，刻蚀阻挡层260可以通过物理溅射或化学沉积的方式形成在载体基板210上。示例性的，在本发明实施例中，刻蚀阻挡层260的材料可以是硅的氮化物(SiNx)。
S22、在刻蚀阻挡层上形成牺牲层。
具体的，通过物理溅射法或化学沉积法在载体基板上形成覆盖载体基板一侧表面的牺牲层。示例性的，在本发明实施例中，牺牲层的材料可以是硅，该硅层可以通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)形成在载体基板上。
图2D为本发明实施例二提供的在刻蚀阻挡层上形成牺牲层的示意图，如图2D所示，在刻蚀阻挡层260远离载体基板210的一侧形成牺牲层220。
S23、在牺牲层上形成掩模层。
图2E为本发明实施例二提供的在牺牲层上形成掩模层的示意图，如图2E所示，在牺牲层220远离刻蚀阻挡层260的一侧形成掩模层270。具体的，掩模层270可以是光刻胶，该光刻胶可以是正胶或负胶，本发明实施例在此不做限定，掩模层270通过涂布的方式形成在牺牲层220上。
S24、去除部分掩模层，在第二区域内形成掩模图案。
图2F为本发明实施例二提供的形成掩模图案的示意图，如图2E、图2F所示，去除部分掩模层270，仅在第二区域A2保留部分掩模层270，形成多个掩模图案271，其中，多个掩模图案271可以间隔布置且呈阵列排布。具体的，可以先采用紫外光对部分掩模层270曝光，然后用显影液冲洗掩模层260，从而得到掩模图案271。
具体的，当掩模层270的光刻胶为正胶时，被曝光的部分掩模层270被显影液溶解并被去除，非曝光的部分掩模层270保留下来得到掩模图案271。当掩模层270的光刻胶为负胶时，非曝光的部分掩模层270被显影液溶解并被去除，被曝光的部分掩模层270保留下来得到掩模图案271。
S25、对牺牲层进行刻蚀，去除未被掩模图案覆盖的部分牺牲层。
图2G为本发明实施例二提供的刻蚀牺牲层的示意图，如图2G所示，本发明实施例中牺牲层220材料为硅，牺牲层220可以通过低压力化学气相沉积法形成在载体基板210上。通过刻蚀液腐蚀，去除未被掩模图案271覆盖的部分牺牲层220，即去除位于第一区域A1内的全部牺牲层220，以露出第一区域A1内的载体基板210，去除第二区域A2内的部分牺牲层220，从而在第二区域A2内形成多个用于承载LED发光晶片的凸起结构221。其中，刻蚀液可以是硅各向异性腐蚀液，包括但不限于KOH溶液或TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液。
S26、去除掩模图案，得到用于承载LED发光晶片的凸起结构。
图2H为本发明实施例二提供的去除掩模图案后的示意图，如图2G和图2H所示，去除掩模图案271后，在第二区域A2内形成多个凸起结构221，凸起结构221用于承载LED发光晶片。具体的，可以通过对掩模图案271紫外曝光，然后用显影液冲洗的方式去除掩模图案271。
S27、在第一区域内形成TFT阵列，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面。
图2I为本发明实施例二提供的在第一区域内形成TFT阵列的示意图，如图2I所示，在刻蚀阻挡层260上的第一区域A1内形成TFT阵列230，其中，第二区域A2内的凸起结构221的表面高于TFT阵列230的表面。
具体的，设凸起结构221的表面至载体基板210上表面(或刻蚀阻挡层260上表面)的距离为第一距离d1，TFT阵列230的表面至载体基板210上表面(或刻蚀阻挡层260上表面)的距离为第二距离d2，在本发明实施例中，第一距离d1为第二距离d2的5-8倍。在一具体实施例中，第一距离d1为第二距离d2的5倍，TFT阵列230的总厚度为10μm-20μm，凸起结构221的高度为50μm-100μm。凸起结构221太低则会降低对TFT阵列230的保护作用甚至起不到保护作用；凸起结构221太高，一方面会使LED阵列基板的厚度增加，导致显示面板的厚度增加，不利于实现轻薄化，另一方面，凸起结构221所需要的牺牲层220材料消耗也会增加，增加了成本。
需要说明的是，为了便于说明，图2I所示的结构中，第一区域A1内仅示例性的示出一个TFT结构。事实上，在本发明实施例中，第一区域A1内存在多个TFT结构，多个TFT结构在第一区域A1内可以呈阵列排布，形成TFT阵列230。
示例性的，图2J为本发明实施例中TFT结构的示意图，如图2J所示，TFT结构为底栅结构，包括形成在刻蚀阻挡层260上的栅极231、覆盖栅极231的栅极绝缘层232、位于栅极绝缘层232上的有源层233、位于有源层233上的欧姆接触层234、与有源层233和欧姆接触层234连接的源极235和漏极236，以及覆盖源极235和漏极236的钝化层237。钝化层237用于具有保护和绝缘的作用，其材料可以是硅的氮化物、氧化硅或有机绝缘层。
具体的，TFT阵列230的形成过程如下：
首先，在刻蚀阻挡层260上形成栅极金属层，刻蚀去除部分栅极金属层，得到如图2J所示的栅极231；接着，在栅极231上形成栅极绝缘层232，栅极绝缘层232覆盖栅极231，栅极绝缘层232延伸至第二区域A2并覆盖凸起结构221；接着，在栅极绝缘层232上通过类似的刻蚀工艺形成有源层233，有源层233与栅极231正对设置；接着，在有源层233上通过类似的刻蚀工艺形成欧姆接触层234，在欧姆接触层234上形成源极235和漏极236，其中，源极235和漏极236均与有源层233和欧姆接触层234电连接；然后，在源极235和漏极236上形成钝化层237，覆盖源极235和漏极236，钝化层237延伸至第二区域A2并覆盖栅极绝缘层232。
其中，栅极231的材料可以是金属或合金，例如镍、镍锰合金或镍铬合金等，栅极绝缘层232的材料可以是氧化硅，有源层233的材料可以是低温多晶硅或铟镓锌氧化物。钝化层237用于具有保护和绝缘的作用，其材料可以是硅的氮化物、氧化硅或有机绝缘层。
S28、在凸起结构上形成金属焊盘，金属焊盘与TFT阵列中的源极或漏极电连接。
图2K为本发明实施例二提供的一种在凸起结构上形成金属焊盘的示意图，如图2K所示，在每一个凸起结构221的表面均形成金属焊盘241，相邻的凸起结构221表面的金属焊盘241相互绝缘隔离，部分金属焊盘241通过连接导线242与TFT阵列230中的源极235或漏极236电连接。具体的，相邻的两个金属焊盘241中，一个金属焊盘与TFT阵列230中的源极或漏极电连接，另一金属焊盘241不与TFT阵列230中的源极或漏极电连接。金属焊盘241用于电连接LED发光晶片的电极。
图2L为本发明实施例二提供的另一种在凸起结构上形成金属焊盘的示意图，如图2L所示，在每一个凸起结构221的表面均形成金属焊盘241，相邻的凸起结构221表面的金属焊盘241相互绝缘隔离，每一金属焊盘241均通过连接导线242与TFT阵列230中的源极或漏极电连接。金属焊盘241用于电连接LED发光晶片的电极。示例性的，在本发明实施例中，各金属焊盘241和连接导线242为在同一工艺制程中形成。
示例性的，在本发明实施例中，各金属焊盘241和连接导线242为在同一工艺制程中形成。具体的，形成过程如下：
首先，在钝化层237上通过刻蚀工艺形成贯穿钝化层237的通孔，以露出部分源极235或部分漏极236；接着，在钝化层237通过溅射或沉积等方式形成导电层，该导电层的材料可以是氧化铟锡，导电层通过通孔与源极235或漏极236电连接；然后通过掩模、曝光、显影、刻蚀工艺在如图2K所示的金属焊盘241和连接导线242。
S29、在TFT阵列上形成缓冲层，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。
图2M为本发明实施例二提供的在TFT阵列上形成平坦化层的示意图，图2N为本发明实施例二提供的一种LED阵列基板的结构示意图，如图2M和图2N所示，本发明实施例基于图2K所示的结构，在TFT阵列和凸起结构上形成一平坦化层251，该平坦化层251完全覆盖TFT阵列230和凸起结构221。然后可以采用机械研磨的方式去除位于金属焊盘241表面以上的部分平坦化层251，暴露出位于凸起结构221表面的金属焊盘241表面。保留的部分平坦化层251则称之为缓冲层250。具体的，缓冲层250的表面低于金属焊盘241的表面，或与金属焊盘241的表面平齐，使得金属焊盘241暴露出来。在一具体实施例中，缓冲层250的表面与金属焊盘241的表面平齐，在后续的钢网印刷过程中，钢网的开孔与金属焊盘241是一一对应的，且钢网的下表面与缓冲层250的表面(同时也是金属焊盘241的表面)贴合，提高了钢网与LED阵列基板的贴合度，保持刮刀、钢网下表面、金属焊盘241的表面三者完全贴合，进而保证印刷效果良好。
图2P为本发明实施例二提供的另一种LED阵列基板的结构示意图，如图2P所示，该实施例基于图2L所示的结构，缓冲层250的形成过程与图2M和图2N所述的过程类似，本发明实施例在此不再赘述。
在本发明实施例中，缓冲层250可以为柔性材料，具有吸收震动和缓冲压力的作用，避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题。具体的，缓冲层250的材料为硅胶或UV胶。
本发明实施例提供的LED阵列基板的制备方法，包括：提供载体基板，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；在载体基板上形成牺牲层；去除部分牺牲层，在第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构；在第一区域内形成TFT阵列，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；在凸起结构上形成金属焊盘，金属焊盘与TFT阵列中的源极或漏极电连接，金属焊盘用于电连接LED发光晶片的电极；在TFT阵列上形成缓冲层，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面，印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上，从而减少对TFT阵列的压力；此外，由于缓冲层的存在，刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时，被缓冲层吸收，进一步减少对TFT阵列的压力，从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。
实施例三
本发明实施例三提供了一种LED阵列基板，该LED阵列基板包括：载体基板、凸起结构、金属焊盘、TFT阵列和缓冲层，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；凸起结构设置于载体基板的第二区域内，用于承载LED发光晶片；TFT阵列设置于载体基板第一区域内，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；金属焊盘设置于在凸起结构上，且与TFT阵列中的源极或漏极电连接；缓冲层覆盖在TFT阵列上，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。LED阵列基板的具体结构在前述实施例已有详细记载，本发明实施例在此不再赘述。
本发明实施例提供的LED阵列基板，包括：载体基板、凸起结构、TFT阵列和缓冲层，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；凸起结构设置于载体基板的第二区域内，用于承载LED发光晶片；TFT阵列设置于载体基板第一区域内，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；金属焊盘设置于在凸起结构上，且与TFT阵列中的源极或漏极电连接；缓冲层覆盖在TFT阵列上，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面，印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上，从而减少对TFT阵列的压力；此外，由于缓冲层的存在，刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时，被缓冲层吸收，进一步减少对TFT阵列的压力，从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压，造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题，提高了产品的良率。
实施例四
本发明实施例四提供了一种LED显示面板，该LED显示面板包括如前述实施例提供的LED阵列基板、多个LED发光晶片和封装层。
其中，LED阵列基板包括：载体基板、凸起结构、金属焊盘、TFT阵列和缓冲层，载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；凸起结构设置于载体基板的第二区域内，用于承载LED发光晶片；TFT阵列设置于载体基板第一区域内，凸起结构的表面高于TFT阵列的表面；金属焊盘设置于在凸起结构上，且与TFT阵列中的源极或漏极电连接；缓冲层覆盖在TFT阵列上，缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。LED阵列基板的具体结构在前述实施例已有详细记载，本发明实施例在此不再赘述。
LED发光晶片固定在凸起结构上，具体的，可以一个LED发光晶片固定在一个凸起结构上，也可以是一个LED发光晶片固定在两个或多个凸起结构上，本发明实施例在此不做限定。
封装层覆盖缓冲层和LED发光晶片，具体的，封装层可以是透明的柔性有机材料(例如聚酰亚胺、硅胶、环氧树脂或UV胶)，具有抗冲击能力，避免外界碰撞导致LED显示面板内部元件受损。
其中，缓冲层和封装层的材料可以相同或不同，但是，为了提高气密性，缓冲层和封装层须为同系的材料，举例来说，缓冲层和封装层都是硅树脂或都是硅树脂系UV胶，或两层胶分别是上述两种材质，在缓冲层上形成封装层时，缓冲层和封装层的分界面会发生化学反应而融合在一起，外观上(即宏观上)看是没有分界面的，提高了LED显示面板的气密性。
图3为本发明实施例四提供的一种LED显示面板的结构示意图，如图3所示，该实施例的LED显示面板基于实施例一提供的LED阵列基板。图4为本发明实施例四提供的另一种LED显示面板的结构示意图，该实施例的LED显示面板基于实施例二提供的LED阵列基板。
如图3所示，在本发明实施例中，部分金属焊盘241与TFT结构230的源极或漏极电连接，LED发光晶片300为倒装晶片，倒装晶片的电极(包括阳极和阴极)位于与倒装晶片的发光面相对的背光面，LED发光晶片300的阳极通过导电材料固定在其中一个金属焊盘241上，该金属焊盘241与TFT结构230的源极或漏极电连接，LED发光晶片300的阴极通过导电材料固定在相邻的另一个金属焊盘241上，该金属焊盘241用于与外部电路连接。
如图4所示，在本发明实施例中，每一金属焊盘241均与一个TFT结构的源极或漏极电连接，LED发光晶片300为垂直晶片，垂直晶片的两个电极分别位于垂直晶片的发光面和背光面，LED发光晶片300的一个电极通过导电材料固定在一个金属焊盘241上，封装层400覆盖缓冲层250和LED发光晶片300。LED发光晶片300的另一电极与位于封装层400上的导电层310连接，该导电层310用于与外部电路连接，导电层310可以是与LED发光晶片300的电极同层形成，导电层310可以是氧化铟锡。
本发明实施例还提供了一种显示设备，显示设备可以是电视、智能手机、平板、监视器等，该显示设备包括如本发明上述任意实施例提供的LED显示面板，具有相同的功能和效果。
于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种LED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供载体基板，所述载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域；
在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构；
在所述第一区域内形成TFT阵列，所述凸起结构的表面高于所述TFT阵列的表面；
在所述凸起结构上形成金属焊盘，所述金属焊盘与所述TFT阵列中的源极或漏极电连接，所述金属焊盘用于电连接所述LED发光晶片的电极；
在所述TFT阵列上形成缓冲层，所述缓冲层为柔性材料，所述缓冲层用于吸收在形成用于固定所述LED发光晶片的导电材料的过程中对所述TFT阵列产生的压力，所述导电材料通过钢网印刷形成在所述金属焊盘上，所述缓冲层的表面低于所述金属焊盘的表面，或与所述金属焊盘的表面平齐。
2.根据权利要求1所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构，包括：
在所述载体基板上形成牺牲层；
去除部分所述牺牲层，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构。
3.根据权利要求2所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，去除部分所述牺牲层，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构，包括：
在所述牺牲层上形成掩模层；
去除部分所述掩模层，在所述第二区域内形成掩模图案；
对所述牺牲层进行刻蚀，去除未被所述掩模图案覆盖的部分牺牲层；
去除所述掩模图案，得到用于承载LED发光晶片的凸起结构。
4.根据权利要求1所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第一区域内形成TFT阵列，包括：
在所述载体基板上形成栅极；
在所述栅极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层延伸至所述第二区域并覆盖所述凸起结构；
在所述栅极绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上形成钝化层，所述钝化层延伸至所述第二区域并覆盖所述栅极绝缘层。
5.根据权利要求4所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述凸起结构上形成金属焊盘，包括：
在所述钝化层上形成贯穿所述钝化层的通孔，以露出部分所述源极或部分所述漏极；
在所述钝化层上形成导电层，所述导电层通过所述通孔与所述源极或所述漏极电连接，所述导电层在所述凸起结构上形成金属焊盘。
6.根据权利要求1所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构之前，还包括：
在所述载体基板上形成刻蚀阻挡层。
7.根据权利要求1所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凸起结构的表面至所述载体基板的表面的第一距离为所述TFT阵列的表面至所述载体基板的表面的第二距离的5-8倍。
8.根据权利要求1所述的LED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层材料为硅胶或UV胶。
9.一种LED阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一所述的LED阵列基板的制备方法制备。
10.一种LED显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的LED阵列基板、多个LED发光晶片和封装层；
所述LED发光晶片通过导电材料固定在所述金属焊盘上，所述导电材料通过钢网印刷形成在所述金属焊盘上；
所述封装层覆盖所述缓冲层和所述LED发光晶片。
11.根据权利要求10所述的LED显示面板，其特征在于，所述LED发光晶片为倒装晶片，所述倒装晶片的两个电极均位于与所述倒装晶片的发光面相对的背光面，所述LED发光晶片的两个电极分别通过导电材料固定在两个所述金属焊盘上。
12.根据权利要求10所述的LED显示面板，其特征在于，所述LED发光晶片为垂直晶片，所述垂直晶片的两个电极分别位于所述垂直晶片的发光面和背光面，所述LED发光晶片的一个电极通过导电材料固定在一个金属焊盘上。
13.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求10-12任一所述的LED显示面板。
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