CN108091675A - 显示基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

提供一种显示基板及其制作方法。该显示基板包括：衬底基板，包括显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域；阻挡坝，位于周边区域，具有相对的第一侧和第二侧，第一侧和第二侧之一靠近显示区域，另一个远离显示区域，阻挡坝具有第一倾斜侧面，第一倾斜侧面位于第一侧，且从靠近衬底基板向远离衬底基板的方向上，第一倾斜侧面向远离第二侧的方向倾斜，第一倾斜侧面与衬底基板之间具有第一空间；以及无机封装薄膜，被第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分，第一部分位于阻挡坝的第一侧，第二部分位于阻挡坝上。该显示基板可避免使用化学气相沉积掩膜版，可实现窄边框设计。

Description

显示基板及其制作方法

技术领域

本公开至少一示例涉及一种显示基板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic light-emitting diodes，OLED)器件因具有自发光、响应速度快、驱动电压低、对比度高、广色域、发光效率高等显著优点而被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器等领域，尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要方向。

目前制约柔性OLED器件发展的最大问题是OLED器件的寿命较短，其主要原因是构成OLED器件的发光元件的电极层和发光层材料对大气中的水汽及氧气非常敏感，受到水氧侵蚀后造成器件性能衰弱。封装是OLED器件制作的关键工艺之一，随着柔性OLED器件的兴起，针对性的提出了柔性OLED的封装，出现以薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)结构为代表的新的封装材料及封装结构。例如，TFE封装结构为：无机材料+有机材料+无机材料的膜层结构，可将发光元件封装在器件内部，以达到阻水、阻氧目的，进而对发光元件提供保护。

发明内容

本公开的至少一示例涉及一种显示基板及其制作方法，可避免使用化学气相沉积掩膜版，可实现窄边框设计。

本公开的至少一示例提供一种显示基板，包括：

衬底基板，包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域；

阻挡坝，位于所述周边区域，具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧之一靠近所述显示区域，另一个远离所述显示区域，所述阻挡坝具有第一倾斜侧面，所述第一倾斜侧面位于所述第一侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第一倾斜侧面向远离所述第二侧的方向倾斜，所述第一倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第一空间；以及

无机封装薄膜，被所述第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡坝的第一侧，所述第二部分位于所述阻挡坝上。

一个示例中，所述第一倾斜侧面远离所述衬底基板的一端到所述衬底基板的距离大于所述第一部分远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。

一个示例中，所述第一倾斜侧面位于所述阻挡坝的远离所述显示区域的一侧。

一个示例中，所述阻挡坝还包括第二倾斜侧面，所述第二倾斜侧面位于所述第一侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第二倾斜侧面向靠近所述第二侧的方向倾斜，所述第二倾斜侧面与所述第一倾斜侧面相交。

一个示例中，所述阻挡坝具有第三倾斜侧面，所述第三倾斜侧面位于所述第二侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第三倾斜侧面向远离所述第一侧的方向倾斜，所述第三倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第二空间；

所述无机封装薄膜还包括第三部分，所述第三部分位于所述阻挡坝的所述第二侧，所述第三部分和所述第二部分在所述第二倾斜侧面处彼此断开。

一个示例中，所述第三倾斜侧面远离所述衬底基板的一端到所述衬底基板的距离大于所述第三部分远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。

一个示例中，所述阻挡坝还包括第四倾斜侧面，所述第四倾斜侧面位于所述第二侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第四倾斜侧面向靠近所述第一侧的方向倾斜，，所述第四倾斜侧面与所述第三倾斜侧面相交。

一个示例中，所述第一倾斜侧面和/或所述第三倾斜侧面与所述衬底基板所成的锐角的夹角范围为30°-60°。

一个示例中，所述第一倾斜侧面的高度与所述阻挡坝的最大厚度之比为0.5-0.8，和/或者，所述第三倾斜侧面的高度与所述阻挡坝的最大厚度之比为0.5-0.8。

一个示例中，所述第一倾斜侧面和/或所述第三倾斜侧面为平面或曲面，所述第一倾斜侧面和/或所述第三倾斜侧面上不设置所述无机封装薄膜。

一个示例中，所述第一倾斜侧面和所述衬底基板之间和/或所述第三倾斜侧面和所述衬底基板之间不设置任何膜层。

本公开的至少一示例还提供一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成阻挡坝，所述衬底基板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域，所述阻挡坝位于所述周边区域，具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧之一靠近所述显示区域，另一个远离所述显示区域，所述阻挡坝具有第一倾斜侧面，所述第一倾斜侧面位于所述第一侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第一倾斜侧面向远离所述第二侧的方向倾斜，所述第一倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第一空间；

形成所述阻挡坝后，形成无机封装薄膜，所述无机封装薄膜被所述第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡坝的第一侧，所述第二部分位于所述阻挡坝上。

一个示例中，形成所述阻挡坝包括：

形成阻挡坝倾斜侧面形成结构；

形成阻挡坝薄膜；

对所述阻挡坝薄膜进行图案化形成阻挡坝图形；

去除部分或全部的所述阻挡坝倾斜侧面形成结构，形成所述阻挡坝。

一个示例中，所述阻挡坝倾斜侧面形成结构具有与所述第一倾斜侧面接触的表面，所述阻挡坝薄膜的厚度大于所述阻挡坝倾斜侧面形成结构的最大厚度。

一个示例中，所述阻挡坝倾斜侧面形成结构包括第一栅极辅助部、栅极绝缘层、第二栅极辅助部、层间介电层、源漏极辅助部至少之一。

附图说明

为了更清楚地说明本公开示例的技术方案，下面将对示例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些示例，而非对本公开的限制。

图1为化学气相沉积掩膜版的示意图；

图2A为利用化学气相沉积掩膜版在衬底基板上形成的无机封装薄膜的示意图(显示基板母板，切割前)；

图2B为一种显示基板上的无机封装薄膜、显示区以及周边区的示意图(显示基板母板切割后形成显示基板)；

图3为一种封装薄膜结构示意图；

图4为另一种封装薄膜结构示意图；

图5为另一种封装薄膜结构示意图；

图6A为本公开一示例提供的一种显示基板的俯视示意图(仅示出衬底基板上的阻挡坝)；

图6B为本公开一示例提供的一种显示基板的俯视示意图(仅示出衬底基板上的无机封装薄膜)；

图7A为本公开一示例提供的一种显示基板的截面示意图(仅示出部分周边区域)；

图7B为本公开另一示例提供的一种显示基板的截面示意图(仅示出部分周边区域)；

图8为本公开一示例提供的一种显示基板母板中无机封装薄膜的俯视示意图；

图9为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图(仅示出部分区域)；

图10为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图(仅示出部分区域)；

图11为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图(仅示出部分区域)；

图12为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图(仅示出部分周边区域)；

图13为本公开一示例提供的显示基板中的无机封装薄膜的俯视示意图；

图14A-14D为本公开几个示例提供的显示基板的截面示意图(仅示出部分周边区域)；

图15-18为本公开一示例提供的一种显示基板的制作方法示意图；以及

图19A-19J为本公开一示例提供的一种显示基板的制作方法示意图。

具体实施方式

为使本公开示例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开示例的附图，对本公开示例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的示例是本公开的一部分示例，而不是全部的示例。基于所描述的本公开的示例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他示例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

封装工艺中，一般采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺来制作无机封装薄膜，为防止水氧从边缘渗透进器件内部。

如图1所示，在进行无机CVD镀膜工艺时，会采用化学气相沉积掩膜版01(CVDMask)的遮挡作用来对有效区域02进行镀膜，而化学气相沉积掩膜版的精度范围约为100μm左右，边框需要预留化学气相沉积掩膜版精度范围，因此将增加边框距离。

图2A示出了利用化学气相沉积掩膜版01在衬底基板100上形成的无机封装薄膜0131的示意图。化学气相沉积掩膜版01覆盖的区域(如图1所示)为不沉积无机封装薄膜0131的间隔区域03。从而，在后续的切割工艺中，因设置间隔区域03，在间隔区域03进行切割时不会切割到无机封装薄膜，可避免无机封装薄膜的碎裂。图2A中示出的虚线CL即为切割线。

如图2B所示，显示基板的衬底基板100包括显示区域AA和位于显示区域AA至少一侧的周边区域PA。图2B中，虚线框围绕的区域即为显示区域AA，除了显示区域AA外的区域即为周边区域PA。例如，周边区域PA围绕显示区域AA。

如图2B所示，无机封装薄膜0131覆盖整个的显示区域AA和靠近显示区域AA的部分周边区域PA。图2B中，周边区域PA的外围不被无机封装薄膜0131覆盖。

图3示出了一种封装薄膜结构。图3中省略了衬底基板100和封装薄膜1123之间的其他结构。如图3所示，封装薄膜1123设置在衬底基板100上，封装薄膜1123包括依次远离衬底基板100的第一薄膜101，第二薄膜102和第三薄膜103，第二薄膜102夹设在第一薄膜101和第三薄膜103之间，且在边缘位置处，第一薄膜101和第三薄膜103接触。无机封装薄膜可包括第一薄膜101和第三薄膜103。

图3中示出了第一薄膜101和第三薄膜103的叠层接触部分(叠层接触处)1013。例如，第一薄膜101和第三薄膜103可为无机薄膜，例如可为SiNx、SiOx、SiOxNy等无机氧化物，但不限于此。例如，第二薄膜102可为有机薄膜，例如，可以为树脂等有机物，但不限于此。树脂例如可为热固性树脂，热固性树脂例如包括环氧树脂，但不限于此。树脂例如可为热塑性树脂，热塑性树脂例如包括亚克力(PMMA)树脂，但不限于此。例如，第一薄膜101和第三薄膜103可采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方法制作，第二薄膜102可采用喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)的方法制作。第一薄膜101和第三薄膜103均可作为阻水层。例如，第一薄膜101可包括多个叠层设置的子层，第二薄膜102和第三薄膜103也可分别包括多个叠层设置的子层。

如图4所示，为了避免第二薄膜102溢流和/或增加封装路径，可设置第一阻挡坝106。

如图5所示，为了进一步增加封装路径，还可设置第二阻挡坝107。

例如，第一阻挡坝106和第二阻挡坝107可采用树脂形成，但不限于此。

本公开提供的示例中，对阻挡坝的形状进行改进，可以不必使用掩膜版来制作无机封装薄膜，并利于实现窄边框。

图6A示出了本公开至少一实施例提供的一种显示基板的俯视示意图(仅示出衬底基板及其上的阻挡坝)。阻挡坝104位于衬底基板100上。阻挡坝104位于周边区域PA，阻挡坝104可以围绕显示区域AA设置。显示区域AA和周边区域PA可参照之前描述。

如图6A所示，阻挡坝104具有相对的第一侧FS和第二侧SS，第一侧FS和第二侧SS之一靠近显示区域AA，另一个远离显示区域AA。图6A中以第一侧FS靠近显示区域AA为例进行说明。当然，也可以第二侧SS靠近显示区域AA，第一侧FS远离显示区域AA。

图6B示出了一种显示基板的俯视示意图(仅示出衬底基板及其上的无机封装薄膜)。无机封装薄膜131被阻挡坝104分隔为彼此断开的第一部分1311和第二部分1312，第一部分1311和第二部分1312在断开线12处断开，图6B中断开线12围绕显示区域AA形成封闭结构，以利于显示区域AA的封装。第一部分1311位于阻挡坝104的第一侧，第二部分1312位于阻挡坝104上(可参见图7A)。

需要说明的是，本公开的示例中，未示出无机封装薄膜的不同面之间的相交线，只示出了断开线。在显示基板中，仅位于周边区域的无机封装薄膜部分(例如，第二部分)可具有因切割而形成的裂纹。

图7A示出了本公开一示例提供的一种显示基板的截面示意图，如图7A所示，阻挡坝104具有第一倾斜侧面S1，第一倾斜侧面S1位于第一侧FS，且从靠近衬底基板100向远离衬底基板100的方向上，第一倾斜侧面S1向远离第二侧SS的方向倾斜，第一倾斜侧面S1与衬底基板100之间具有第一空间SP1。无机封装薄膜131被第一倾斜侧面S1分隔为彼此断开的第一部分1311和第二部分1312。如图7A所示，第一倾斜侧面S1可以为平面。例如，在垂直于衬底基板100的截面中，第一倾斜侧面S1为倒梯形的倾斜侧边的形状。第一倾斜侧面S1不限于平面。

本公开的示例提供的显示基板，对封装边缘结构进行改进。通过改变背板(BackPlate，BP)制作工艺，可在封装边缘区域形成特定形状的阻挡坝(DAM)。该阻挡坝具有第一倾斜侧面S1，第一倾斜侧面S1可使得TFE封装(柔性封装)时CVD工艺的CVD膜断开，从而避免切割时无机封装薄膜的裂纹扩展至显示区域AA。因显示基板上的无机封装薄膜被第一倾斜侧面S1分隔为彼此断开的第一部分1311和第二部分1312，从而，切割显示基板母板时，裂纹只在仅位于周边区域的无机封装薄膜部分(例如，第二部分)扩展，而不会扩展至覆盖了显示区域的无机封装薄膜部分(例如，第一部分)。在进行TFE工艺制作无机封装薄膜时不必使用掩膜版，因取消了制作无机封装薄膜的掩膜版，为掩膜版预留的边框距离将不再需要(边框不需要再为掩膜版预留空间)，从而可减小边框，使得边框更窄，实现窄边框设计。

如图7A所示，一个示例中，为了利于形成第一空间以及利于无机封装薄膜的第一部分1311和第二部分1312断开，第一倾斜侧面S1远离衬底基板100的一端E1到衬底基板100的距离D1大于第一部分1311远离衬底基板100的表面13101到衬底基板100的距离D01。

如图7A所示，一个示例中，阻挡坝104还包括第二倾斜侧面S2，第二倾斜侧面S2位于第一侧FS，且从靠近衬底基板100向远离衬底基板100的方向上，第二倾斜侧面S2向靠近第二侧SS的方向倾斜，第二倾斜侧面S2与第一倾斜侧面S1相交。例如，在垂直于衬底基板100的截面中，第二倾斜侧面S2为正梯形的倾斜侧边的形状，但不限于此。

如图7A所示，一个示例中，为了使得阻挡坝不易塌陷，第一倾斜侧面S1的高度(第一倾斜侧面S1在垂直于衬底基板100的方向上的厚度)D1与阻挡坝104的最大厚度D3的比值范围为0.5-0.8，进一步例如该比值为0.6-0.75。

图7B示出了本公开另一示例提供的一种显示基板的截面示意图，如图7B所示，为了节省工艺，第一部分1311在靠近第二部分1312位置处和衬底基板100之间还可设置有中间层133。

需要说明的是，图7B中，中间层133的图形即为正梯形，若将其垂直翻转，则为倒梯形。例如，正梯形的倾斜侧边为斜坡形状，正梯形的上底长度小于下底的长度，倒梯形的倾斜侧边为底切形状，倒梯形的上底长度大于下底的长度。远离衬底基板的底边为上底，靠近衬底基板的底边为下底。

图8示出了本公开一示例提供的一种显示基板母板中无机封装薄膜的俯视示意图。图7A和图7B中的无机封装薄膜的俯视示意图可参照图8，也可参照图6B。图7A和图7B可为图8或图6B中AB处的剖视示意图。第一部分1311和第二部分1312的断开线12可如图8或图6B所示。

图8示出的为显示基板母板，沿其切割线CL切割后将形成四个显示基板。显示基板母板包括的显示基板不限于图中所示，衬底基板的边缘100E上覆盖无机封装薄膜。

如图8所示，第一部分1311的形状包括面状，第二部分1312的形状包括条状。

本公开一示例提供的显示基板，对阻挡坝的结构进行了改进，阻挡坝的第一倾斜侧面S1将无机封装薄膜分割为彼此断开的两个部分：第一部分和第二部分，从而在后续切割工艺中，裂纹可只在第二部分扩展，而不会扩展到无机封装薄膜的第一部分，从而不会影响到封装效果(以第一部分覆盖显示区域为例)。因为不使用掩膜版形成无机封装薄膜，不必为其预留精度范围，可以实现窄边框设计。

图9为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图，例如，可为图8中AB处和CD处的剖视示意图。图9中示出了采用两个阻挡坝，图5中远离衬底基板的显示区域AA的第二阻挡坝的结构改进为本公开示例提供的阻挡坝104的情形。该情况下，可使得封装结构具有较好的封装效果。图9中示出了阻挡坝104靠近衬底基板的显示区域AA的一侧设置第一倾斜侧面的情形。为了进一步提高封装效果，还可以将远离显示区域AA的阻挡坝的远离显示区域AA的一侧设置第一倾斜侧面S1。图9中还示出了待封装器件2123。待封装器件2123例如为OLED。OLED显示产品在封装时(TFE形式)，对边缘设计上的改进，有利于窄边框设计。

图9中示出了第一薄膜101具有彼此断开的第一部分1011和第二部分1012，第三薄膜103具有彼此断开的第一部分1031和第二部分1032。无机封装薄膜131可包括至少一个薄膜层。例如无机封装薄膜131包括第一薄膜101和第三薄膜103，但不限于此，可根据封装结构的无机封装薄膜的数量而定。

如图8和9所示，一个示例中，衬底基板100包括显示区域AA和位于显示区域AA至少一侧的周边区域PA，第一部分1311从衬底基板100的显示区域AA延伸到周边区域PA，第二部分1312位于周边区域PA。

图10为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图，例如，可为图8中AB处和CD处的剖视示意图。

图10中示出了将图5中靠近衬底基板100的显示区域AA的第一阻挡坝的结构进行改进为本公开的示例提供的阻挡坝104的情况。该示例中，阻挡坝104靠近衬底基板100的显示区域AA的一侧设置第一倾斜侧面S1。

如图10所示，在支撑基板200上设置衬底基板100，衬底基板100可为柔性基板，例如，可为聚酰亚胺(Polyimide，PI)，但不限于此。支撑基板200可为玻璃基板。衬底基板100上可设置薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)3123阵列，图10中仅示出了一个薄膜晶体管3123。在衬底基板100上可设置多个具有不同功用的薄膜晶体管以形成2T1C、4T1C等或其他形式的像素电路。各薄膜晶体管3123可包括半导体层、栅极、栅极绝缘层、源极和漏极等。例如，不同类型的TFT的栅极可位于不同的层，不同类型的TFT的源/漏极可位于同一层上。

如图10所示，衬底基板100上可依次设置有缓冲层111、半导体层112，栅极绝缘层113、栅极114、层间介电层115和源漏极层116，源漏极层116包括源极1161和漏极1162，源极1161和漏极1162彼此间隔并可分别通过过孔与半导体层112相连。薄膜晶体管3123上可设置平坦(Planarization，PLN)层117，平坦层117上可设置待封装器件(OLED)2123，待封装器件(OLED)2123可包括第一电极121，发光功能层122和第二电极123，第一电极121可通过贯穿平坦层117的过孔与漏极1162电连接。第一电极121上可设置像素限定层118以利于形成发光功能层122。第二电极123可通过连接电极1211与电极引线1163电连接。发光功能层122可包括发光层，还可包括其他功能层，例如还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等至少之一，但不限于此。例如，电极引线1163可与源漏极层116同层形成。在待封装器件(OLED)2123上可形成封装薄膜1123。封装薄膜1123可如前所述。封装薄膜1123覆盖待封装器件2123。待封装器件(OLED)2123的结构不限于此。

例如，阻挡坝104可采用树脂材料形成，可采用平坦层117的材料形成，可与平坦层117采用同一工艺形成。

图11为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图，例如，可为图8中AB处和CD处的剖视示意图。图11中，为了提高封装效果，阻挡坝104远离衬底基板100的显示区域AA的一侧设置第一倾斜侧面S1。即，第一倾斜侧面S1位于阻挡坝104的远离衬底基板100的显示区域AA的一侧。

图12为本公开一示例提供的显示基板的截面示意图。如图12所示，为了进一步起到阻止裂纹扩展的作用，阻挡坝104具有与第一倾斜侧面S1相对的第三倾斜侧面S3，第三倾斜侧面S3位于第二侧SS，且从靠近衬底基板100向远离衬底基板100的方向上，第三倾斜侧面S3向远离第一侧FS的方向倾斜，第三倾斜侧面S3与衬底基板100之间具有第二空间SP2。例如，在垂直于衬底基板100的截面中，第三倾斜侧面S3为倒梯形的倾斜侧边形状。无机封装薄膜131还包括第三部分1313，第三部分1313位于阻挡坝104的与第一侧FS相对的第二侧SS，第三部分1313和第二部分1312彼此断开，可实现双重阻断。第三倾斜侧面S3位于阻挡坝104的第二侧SS。此情况下，切割显示基板母板形成的裂纹可位于第三部分1313中，裂纹不会扩展到第二部分1312和第一部分1311。

如图12所示，一个示例中，为了利于形成第二空间以及利于无机封装薄膜的第二部分1312和第三部分1313断开，第三倾斜侧面S3远离衬底基板100的一端E2到衬底基板100的距离D2大于第三部分1313远离衬底基板100的表面13102到衬底基板100的距离D02。

如图12所示，一个示例中，阻挡坝104还包括第四倾斜侧面S4，第四倾斜侧面S4位于第二侧SS，且从靠近衬底基板100向远离衬底基板100的方向上，第四倾斜侧面S4向靠近第一侧FS的方向倾斜，第四倾斜侧面S4与第三倾斜侧面S3相交。例如，在垂直于衬底基板100的截面中，第四倾斜侧面S4为正梯形的倾斜侧边的形状，但不限于此。

如图12所示，一个示例中，为了使得阻挡坝不易塌陷，第三倾斜侧面S3的高度D2与阻挡坝104的最大厚度D3的比值范围为0.5-0.8，进一步例如该比值为0.6-0.75。例如，在此基础上，第一倾斜侧面S1的高度D1与阻挡坝104的最大厚度D3的比值范围为0.5-0.8，进一步例如为0.6-0.75。

例如，本公开的示例中，厚度或高度可为在垂直于衬底基板的方向上的高度。

如图12所示，一个示例中，为了平衡阻挡坝，第三倾斜侧面S3的高度D2与第一倾斜侧面S1的高度D1相等。

如图12所示，一个示例中，第一倾斜侧面S1和第三倾斜侧面S3与衬底基板100所成的锐角θ1和θ3的夹角越小越利于无机封装薄膜的断开，兼顾制作工艺和阻挡坝的阻挡作用，θ1和θ3的取值范围可均为30°-60°。

如图12所示，一个示例中，第一倾斜侧面S1和/或第三倾斜侧面S3上不设置无机封装薄膜131。例如，为了利于无机封装薄膜在第一倾斜侧面S1和/或第三倾斜侧面S3处的断开，第一倾斜侧面S1和衬底基板100之间、以及第三倾斜侧面S3和衬底基板100之间不设置任何膜层。可提高阻挡坝的阻断效果。

图13为本公开一示例提供的显示基板中的无机封装薄膜的俯视示意图。图12可为图13中EF处的剖视图。图13示出了两条断开线：第一断开线1201和第二断开线1202。无机封装薄膜在第一断开线1201和第二断开线1202处断开，从而可实现双重阻断。图13中，虚线框围绕的区域为显示区域AA，其余区域为周边区域PA。

例如，阻挡坝104可不包括第二倾斜侧面S2和/或第四倾斜侧面S4。例如，阻挡坝104可仅包括第一倾斜侧面S1和/或第三倾斜侧面S3。

如图13所示，第一部分1311的形状包括面状，第二部分1312的形状包括条状，第三部分1313的形状包括条状。

如图14A所示，阻挡坝104仅包括第一倾斜侧面S1和第三倾斜侧面S3。该情况下，可利用负性光刻胶材料形成阻挡坝薄膜，对阻挡坝薄膜进行曝光、显影后，可形成如图14A所示的阻挡坝104。

图14A中示出的阻挡坝104的形状即为倒梯形。第一倾斜侧面S1和第三倾斜侧面S3均为倒梯形的倾斜侧边的形状。

如图14B所示，为了利于无机封装薄膜的断开，阻挡坝104也可采用沙漏形状。

第一倾斜侧面S1也可为曲面或弧面，例如，包括凸面和凹面。

如图14C所示，第一倾斜侧面S1为凹面状。

如图14D所示，第一倾斜侧面S1为凸面状。

以上以第一倾斜侧面S1的形状变化为例进行说明，其余侧面例如第二倾斜侧面S2、第三倾斜侧面S3或第四倾斜侧面S4也可进行相应改变，也不限于平面，也可为曲面或者弧面。

本公开另一示例还提供一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板100上形成阻挡坝104，衬底基板100包括显示区域AA和位于显示区域AA至少一侧的周边区域PA，阻挡坝104位于周边区域PA，具有相对的第一侧FS和第二侧SS，第一侧FS和第二侧S2之一靠近显示区域AA，另一个远离显示区域AA，阻挡坝104具有第一倾斜侧面S1，第一倾斜侧面S1位于第一侧S1，且从靠近衬底基板100向远离衬底基板100的方向上，第一倾斜侧面S1向远离第二侧SS的方向倾斜，第一倾斜侧面S1与衬底基板100之间具有第一空间SP1；

形成阻挡坝104后，形成无机封装薄膜131，无机封装薄膜131被第一倾斜侧面S1分隔为彼此断开的第一部分1311和第二部分1312，第一部分1311位于阻挡坝104的第一侧FS，第二部分1312位于阻挡坝104上。

一个示例中，形成阻挡坝104包括如图15-18所示的步骤。

如图15所示，形成阻挡坝倾斜侧面形成结构0104。

如图16所示，形成阻挡坝薄膜1040。例如，阻挡坝薄膜1040的厚度可大于阻挡坝倾斜侧面形成结构0104的最大厚度。

如图17所示，对阻挡坝薄膜1040进行图案化形成阻挡坝104图形。例如，阻挡坝倾斜侧面形成结构0104具有与第一倾斜侧面S1接触的表面CS1。

如图18所示，去除部分或全部的阻挡坝倾斜侧面形成结构0104，形成阻挡坝104。图18中以去除全部的阻挡坝倾斜侧面形成结构0104为例进行说明。

为了减少制作工艺，阻挡坝倾斜侧面形成结构0104可采用与显示基板显示区的部分结构同层形成。

如图19A-19I所示，一个示例中，阻挡坝倾斜侧面形成结构0104包括第一栅极层、栅极绝缘层、第二栅极层、层间介电层、源漏极层至少之一。以下以阻挡坝倾斜侧面形成结构0104包括第一栅极层、栅极绝缘层、第二栅极层、层间介电层和源漏极层为例进行说明。

可通过合理的调整前段工艺，在不增加掩膜版(Mask)工艺的情况下，在显示区域边缘制作出本公开示例提供的特殊形状阻挡坝(DAM)，达到阻断无机封装薄膜的作用，可省一道掩膜版，工艺方案上简化。

如图19A所示，在正常BP工艺中，形成第一栅极时，设计掩膜版的边缘图形，在显示区形成第一栅极的同时在边缘形成第一栅极辅助部11401P，第一栅极辅助部11401P的截面可为正梯形，但不限于此，可根据待形成的阻挡坝104的形状来确定。

如图19B所示，然后正常进行后续的形成栅极绝缘层0113的工艺。

如图19C所示，在形成第二栅极时，通过设计掩膜版的边缘图形，在显示区形成第二栅极的同时在边缘形成第二栅极辅助部11402P。例如，第二栅极辅助部11402P的截面可为正梯形，但不限于此。第二栅极辅助部11402P叠层设置在第一栅极辅助部11401P上。

如图19D所示，正常进行后续的形成层间介电层(ILD)115的工艺。

如图19E所示，在进行形成过孔(CNT)工艺时，改变形成过孔的掩膜版(CNT mask)设计，将周边区域的第二栅极辅助部11402P上的层间介电层(ILD)115刻蚀掉，形成如图19E所示的结构。

如图19F所示，在形成显示区的源极和漏极时，改变掩膜版设计，在第二栅极辅助部11402P上形成源漏极辅助部116P，将源漏极辅助部116P叠层制作到第二栅极辅助部11402P上。从而形成阻挡坝倾斜侧面形成结构0104。该种结构的阻挡坝倾斜侧面形成结构0104具有较高的高度，可以使形成的阻挡坝104的边缘不易塌陷，并具有较好的阻断效果。

如图19G所示，在形成显示区的平坦层薄膜的同时，在周边区形成阻挡坝薄膜1040。平坦层薄膜和阻挡坝薄膜1040采用同一材料形成，例如，可采用树脂材料形成。

如图19H所示，在对平坦层薄膜进行构图形成平坦层的过孔的同时，改变掩膜版设计，在周边区形成过孔V1和V2以形成阻挡坝104。将阻挡坝薄膜1040通过前工艺的辅助，可制作成如图19H所示的形状。

如图19I所示，去除部分阻挡坝倾斜侧面形成结构0104，形成如图19I所示结构。图19I中，去除了源漏极辅助部116P和第二栅极辅助部11402P。

如图19J所示，为了提高阻断效果，还可以进一步去除全部的阻挡坝倾斜侧面形成结构0104。

在进行PLN工艺时，通过设计PLN的掩膜版(Mask)，由于有前面的金属层辅助，可制作出如图19J形貌的阻挡坝(DAM)结构。

例如，在进行阳极刻蚀时，可采用湿刻工艺将在刻蚀阳极的同时将阻挡坝倾斜侧面形成结构0104中的源漏极辅助部116P和第二栅极辅助部11402P刻蚀掉。例如，可以通过更改阳极刻蚀的刻蚀液成分达到同时刻蚀阳极和源漏极辅助部116P和第二栅极辅助部11402P的金属，或者通过在刻蚀设备增加金属刻蚀单元。在刻蚀形成阳极时，依次刻蚀周边区的阳极材料层、源漏极辅助部116P和第二栅极辅助部11402P层。

例如，显示基板可包括发光二极管显示基板，例如，可为柔性基板。显示面板可包括上述任一显示基板，从而，形成发光二极管显示面板。

需要说明的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的示例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在本公开的示例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本公开的示例中所形成的结构选择相应的构图工艺。

在不冲突的情况下，本公开的同一示例及不同示例中的特征可以相互组合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，包括：

衬底基板，包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域；

阻挡坝，位于所述周边区域，具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧之一靠近所述显示区域，另一个远离所述显示区域，所述阻挡坝具有第一倾斜侧面，所述第一倾斜侧面位于所述第一侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第一倾斜侧面向远离所述第二侧的方向倾斜，所述第一倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第一空间；以及

无机封装薄膜，被所述第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡坝的第一侧，所述第二部分位于所述阻挡坝上。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一倾斜侧面远离所述衬底基板的一端到所述衬底基板的距离大于所述第一部分远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一倾斜侧面位于所述阻挡坝的远离所述显示区域的一侧。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述阻挡坝还包括第二倾斜侧面，所述第二倾斜侧面位于所述第一侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第二倾斜侧面向靠近所述第二侧的方向倾斜，所述第二倾斜侧面与所述第一倾斜侧面相交。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述阻挡坝具有第三倾斜侧面，所述第三倾斜侧面位于所述第二侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第三倾斜侧面向远离所述第一侧的方向倾斜，所述第三倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第二空间；

所述无机封装薄膜还包括第三部分，所述第三部分位于所述阻挡坝的所述第二侧，所述第三部分和所述第二部分在所述第二倾斜侧面处彼此断开。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第三倾斜侧面远离所述衬底基板的一端到所述衬底基板的距离大于所述第三部分远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述阻挡坝还包括第四倾斜侧面，所述第四倾斜侧面位于所述第二侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第四倾斜侧面向靠近所述第一侧的方向倾斜，，所述第四倾斜侧面与所述第三倾斜侧面相交。

8.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一倾斜侧面和/或所述第三倾斜侧面与所述衬底基板所成的锐角的夹角范围为30°-60°。

9.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一倾斜侧面的高度与所述阻挡坝的最大厚度之比为0.5-0.8，和/或者，所述第三倾斜侧面的高度与所述阻挡坝的最大厚度之比为0.5-0.8。

10.根据权利要求5-9任一项所述的显示基板，其中，所述第一倾斜侧面和/或所述第三倾斜侧面为平面或曲面，所述第一倾斜侧面和/或所述第三倾斜侧面上不设置所述无机封装薄膜。

11.根据权利要求5-9任一项所述的显示基板，其中，所述第一倾斜侧面和所述衬底基板之间和/或所述第三倾斜侧面和所述衬底基板之间不设置任何膜层。

12.一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成阻挡坝，所述衬底基板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域，所述阻挡坝位于所述周边区域，具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧之一靠近所述显示区域，另一个远离所述显示区域，所述阻挡坝具有第一倾斜侧面，所述第一倾斜侧面位于所述第一侧，且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上，所述第一倾斜侧面向远离所述第二侧的方向倾斜，所述第一倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第一空间；

形成所述阻挡坝后，形成无机封装薄膜，所述无机封装薄膜被所述第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡坝的第一侧，所述第二部分位于所述阻挡坝上。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其中，形成所述阻挡坝包括：

形成阻挡坝倾斜侧面形成结构；

形成阻挡坝薄膜；

对所述阻挡坝薄膜进行图案化形成阻挡坝图形；

去除部分或全部的所述阻挡坝倾斜侧面形成结构，形成所述阻挡坝。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其中，所述阻挡坝倾斜侧面形成结构具有与所述第一倾斜侧面接触的表面，所述阻挡坝薄膜的厚度大于所述阻挡坝倾斜侧面形成结构的最大厚度。

15.根据权利要求12-14任一项所述的制作方法，其中，所述阻挡坝倾斜侧面形成结构包括第一栅极辅助部、栅极绝缘层、第二栅极辅助部、层间介电层、源漏极辅助部至少之一。