CN111092102A - 显示装置及用于制造显示装置的掩模 - Google Patents

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徐周延
赵晟遇
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Abstract

公开了显示装置以及用于制造显示装置的掩模。显示装置包括衬底、薄膜封装层、导电层和坝，衬底包括显示区域和外围区域；薄膜封装层与显示区域重叠并且包括无机膜和有机膜；导电层定位在外围区域中；并且坝与导电层的外边缘重叠，其中，坝包括从坝的顶表面朝向显示区域延伸并且与导电层至少部分地重叠的第一倾斜部以及在与第一倾斜部相反的方向上延伸的第二倾斜部。第一倾斜部的形状和第二倾斜部的形状彼此不对称。

Description

显示装置及用于制造显示装置的掩模
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月23日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0126863号韩国专利申请的权益和优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本公开的一个或更多个实施方式涉及显示装置以及用于制造显示装置的掩模，并且更具体地，涉及包括定位在外围区域中的坝的显示装置以及用于制造显示装置的掩模。
背景技术
显示装置向用户提供视觉数据。显示装置包括划分为显示区域和显示区域外部的外围区域的衬底。显示区域中形成有彼此绝缘的扫描线和数据线，并且连接到扫描线和数据线的多个像素定位在显示区域中。另外，显示区域中设置有分别与像素对应的薄膜晶体管(TFT)和电连接到每个TFT的像素电极。显示区域中设置有为多个像素共同提供的相对电极。外围区域中可设置有用于将电信号传输到显示区域的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器和控制器。
已经积极地研究了用于密封显示区域以保护显示区域免受湿气和/或外部空气影响的技术。
发明内容
本公开的一个或更多个实施方式包括显示装置以及用于制造显示装置的掩模，并且更具体地，包括定位在外围区域中的坝的显示装置以及用于制造显示装置的掩模。本公开的额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践本文中阐述的实施方式而习得。
根据一个或更多个实施方式，显示装置包括衬底、薄膜封装层、导电层和坝，衬底包括显示图像的显示区域和定位在显示区域周围的外围区域；薄膜封装层与显示区域重叠并且包括至少一个无机膜和至少一个有机膜；导电层定位在外围区域中并且围绕显示区域的至少一部分；并且坝与导电层的外边缘重叠，其中，坝包括从坝的顶表面朝向显示区域延伸并且与导电层至少部分地重叠的第一倾斜部以及在与第一倾斜部相反的方向上延伸的第二倾斜部，其中，第一倾斜部的形状和第二倾斜部的形状关于穿过坝的顶表面并且与衬底的顶表面垂直的中心线彼此不对称。
第一倾斜部的端部相对于导电层的顶表面的第一角度可小于第二倾斜部的端部相对于衬底的顶表面的第二角度。
第二倾斜部可包括具有第一高度的凹陷部和定位在凹陷部外部的粘合增强部，并且其中，粘合增强部具有等于或大于第一高度的第二高度。
第一倾斜部可具有比第二倾斜部的第二倾斜角度更平缓的第一倾斜角度，并且第二倾斜部具有阶梯形状。
坝可具有包括第一层和覆盖第一层的顶表面和侧表面的第二层的堆叠结构，并且第一倾斜部的第一倾斜角度可比第一层的第二倾斜角度更平缓。
显示装置还可包括定位在薄膜封装层上的触屏层，以及连接到触屏层并且延伸到外围区域的触摸布线，其中，触摸布线覆盖坝。
显示装置还可包括定位在显示区域与坝之间的内坝，其中，内坝具有小于坝的第二高度的第一高度。
显示装置还可包括定位在外围区域中并且具有开口或凹槽的无机绝缘层，以及填充开口或凹槽的至少一部分的有机层，其中，衬底具有定位在第一区域与第二区域之间的弯曲区域并且绕弯曲轴线弯曲，其中，开口或凹槽与弯曲区域重叠。
显示装置还可包括在显示区域中定位在薄膜封装层上的触屏层、从触屏层延伸到坝的外边缘的触摸布线以及连接到触摸布线并且定位在有机层上的连接布线。
显示装置还可包括定位在显示区域中并且包括半导体层、源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管以及定位在显示区域中并且包括像素电极、中间层和相对电极的显示器件，其中，导电层定位在与源电极或漏电极相同的层上，并且电连接到相对电极。
显示装置还可包括定位在导电层与相对电极之间的连接导电层，其中，连接导电层由与像素电极的材料相同的材料形成。
坝可与连接导电层部分地接触。
显示装置还可包括定位在与栅电极相同的层上的外围区域中扇出布线，其中，扇出布线与导电层部分地重叠。
根据一个或更多个实施方式，显示装置包括衬底、薄膜封装层和坝，衬底包括显示图像的显示区域和定位在显示区域周围的外围区域；薄膜封装层与显示区域重叠并且包括至少一个无机膜和至少一个有机膜；并且坝定位在外围区域中并且围绕显示区域的至少一部分，其中，坝包括从坝的顶表面朝向显示区域延伸的第一倾斜部以及在与第一倾斜部相反的方向上延伸的第二倾斜部，其中，第二倾斜部包括具有第一高度的凹陷部和定位在凹陷部外部并且具有大于第一高度的第二高度的粘合增强部。
显示装置还可包括定位在衬底与坝之间并且包括无机材料的层间绝缘层，其中，第一倾斜部的端部和第二倾斜部的端部与层间绝缘层接触，并且第一倾斜部的形状是第二倾斜部的形状的镜像。
第一倾斜部可具有比第二倾斜部的第二倾斜角度更平缓的第一倾斜角度，并且第二倾斜部可具有阶梯形状。
显示装置还可包括定位在坝下方并且与坝的第一倾斜部至少部分地重叠的导电层，其中，第一倾斜部具有比第二倾斜部的第二倾斜角度更平缓的第一倾斜角度。
根据一个或更多个实施方式，用于制造显示装置的掩模包括：与第一倾斜部对应的第一图案、与坝的顶表面对应的第二图案以及与第二倾斜部对应的第三图案，其中，第一图案和第三图案彼此不同。
第一图案可为半色调掩模图案，并且第三图案可包括交替地定位的半色调掩模图案和全色调掩模图案。
第三图案可包括交替地定位的多个半色调掩模图案和多个全色调掩模图案。
第二图案可为全色调掩模图案，并且靠近第二图案的第三图案的一部分可包括半色调掩模图案，并且远离第二图案的第三图案的一部分可包括全色调掩模图案。
附图说明
通过结合附图对实施方式进行的以下描述，本公开的这些和/或其它方面将变得显而易见和更加容易理解，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的平面图；
图2是沿图1的线I-I'和线II-II'截取的剖面图；
图3是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图4是示出用于与图3的实施方式进行比较的比较示例的视图；
图5是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图6A是示出根据实施方式的掩模的一部分的平面图；
图6B是示出根据另一实施方式的掩模的一部分的平面图；
图6C是示出根据另一实施方式的掩模的一部分的平面图；
图6D是示出根据另一实施方式的掩模的一部分的平面图；
图7A和图7B是用于描述制造根据图3的实施方式的显示装置的方法的剖面图；
图7C是示出通过使用图7A和图7B的方法制造的显示装置的一部分的图像；
图8是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图9是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图10是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图11是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图12是示出根据一个实施方式的显示装置的一部分的透视图；以及
图13是示出图12的显示装置的一部分的剖面图。
具体实施方式
本公开可包括各种实施方式和修改，并且其一些实施方式将在附图中示出并且将在本文中详细描述。通过结合附图对实施方式进行的以下描述，本公开的效果和特征及其所附方法将变得显而易见。然而，本公开不限于下面描述的实施方式，并且可在不背离本公开的范围的情况下以各种模式和配置实施。
现在将详细参考实施方式，其示例在附图中示出。在附图中，相同的元件由相同的附图标记表示，并且其重复解释可被省略。
应理解，虽然“第一”、“第二”等的术语可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个区分开。
除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。
还应理解，本文中所使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括有(comprising)”指示所述特征或部件的存在，但不排除一个或更多个其它特征或部件的存在或添加。
应理解，当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时，其可直接或间接地形成在另一层、区或元件上。也就是说，例如，可存在一个或更多个中间层、区或元件。
为了解释的便利，附图中的元件的尺寸可被放大。换言之，由于为了解释的便利而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
应理解，当层、区或元件被称为“连接”时，层、区或元件可直接地连接或者可在有介于其间的一个或更多个中间层、区或元件的情况下间接地连接。例如，当层、区或元件电连接时，层、区域或元件可直接地电连接或者可在有介于其间的一个或更多个中间层、区或元件的情况下间接地电连接。
用于显示图像的显示装置的示例可包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光(EL)显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子显示器和阴极射线管显示器。
尽管将有机发光显示器描述为根据本公开的一些实施方式的显示装置，但是本公开的显示装置不限于此，并且可为任何其它类型的显示装置。
如本文中所使用的，术语“和/或者”包括相关所列项目中的一个或者更多个的任何和所有组合。当诸如“至少一个”的表述在一列元件之后时，可修饰整列元件，而不是修饰该列中的个别元件。
图1是根据实施方式的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置的衬底110被划分为显示区域DA和定位在显示区域DA周围的外围区域PA。在显示区域DA中，定位有多个像素PX并且显示图像。多个像素PX可连接到扫描线和与扫描线相交的数据线。另外，多个像素PX可连接到多个驱动电压线PL。
像素PX中的每个发射例如红光、绿光、蓝光或白光，并且可包括例如有机发光器件(例如，有机发光二极管)。另外，每个像素PX还可包括一个或更多个器件，诸如薄膜晶体管(TFT)和存储电容器。显示区域DA通过使用从像素PX发射的光来提供图像。像素PX可以指的是发射如上所述的红光、绿光、蓝光或白光的子像素。在一些实施方式中，像素PX可以指的是两个或更多个子像素的组合。
不定位有像素PX的外围区域PA不提供图像。第一电源电压线10和可用作第二电源电压线的导电层20可定位在外围区域PA中以施加不同的电源电压。另外，扫描驱动器(未示出)和焊盘单元50可定位在外围区域PA中。
围绕显示区域DA的至少一部分的坝120可定位在外围区域PA中。当形成用于密封显示区域DA的有机封装层(例如，图2中所示的有机封装层420)时，坝120可从衬底110突出以阻挡有机材料的流动。
如图1中所示，坝120可连续地围绕显示区域DA。然而，本公开不限于此，并且坝120可以以各种方式配置、形成和/或定位。例如，坝120可部分地围绕显示区域DA，或者可以以虚线图案围绕显示区域DA。
坝120可与导电层20部分地重叠。在一些实施方式中，坝120可覆盖导电层20的外边缘。还可提供有定位在显示区域DA中的内坝(未示出)和/或定位在衬底110的边缘上的外坝。内坝和/或外坝可与坝120连接或间隔开。
第一电源电压线10可定位在外围区域PA中以对应于显示区域DA的下部。在其它实施方式中，第一电源电压线10可定位在外围区域PA中以对应于显示区域DA的侧部或上部。用于将驱动电压传输到定位在显示区域DA中的多个像素PX的多个驱动电压线PL可连接到第一电源电压线10。第一电源电压线10可连接到焊盘单元50的一个或更多个焊盘51。
导电层20可定位在外围区域PA中并且可部分地围绕显示区域DA。在一些实施方式中，导电层20可沿着除了显示区域DA的与第一电源电压线10相邻的一侧以外的侧延伸。然而，本实施方式不限于此，并且导电层20可以以各种方式配置、形成和/或定位。例如，导电层20可对应于显示区域DA的一侧或两侧。导电层20可连接到焊盘单元50的一个或更多个焊盘52。
扫描驱动器(未示出)可定位在显示区域DA的一侧或两侧(例如，左侧、右侧或两侧)处的外围区域PA中。由扫描驱动器生成的扫描信号可通过扫描线施加到像素PX。然而，本公开不限于此。扫描驱动器可不定位在外围区域PA中，并且可定位在印刷电路板(PCB)等中。
焊盘单元50定位在外围区域PA中并且包括多个焊盘51、52和53。焊盘单元50可在没有被绝缘层覆盖的情况下暴露，并且可电连接到诸如柔性PCB和驱动器集成电路(IC)芯片的控制器(未示出)。控制器可将多个外部图像信号转换为多个图像数据信号，并且通过焊盘单元50将图像数据信号施加到显示区域DA。另外，控制器可接收包括但不限于垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号的其它信号，可生成用于控制扫描驱动器的操作的控制信号，并且可通过焊盘单元50将控制信号传输到扫描驱动器。控制器可通过焊盘单元50将电压传输到第一电源电压线10和导电层20。传输到第一电源电压线10和导电层20的电压可彼此不同。焊盘单元50可连接到图2中所示的多个扇出布线60，并且可将一个或更多个电压和各种信号传输到显示区域DA。
第一电源电压线10可向每个像素PX供给第一电源电压ELVDD，并且导电层20可向每个像素PX供给第二电源电压ELVSS。例如，第一电源电压ELVDD可通过连接到第一电源电压线10的驱动电压线PL供给到每个像素PX。第二电源电压ELVSS可在外围区域PA中供给到每个像素PX的有机发光器件的相对电极(未示出)。
扇出布线60可连接到焊盘单元50的焊盘51、52和53，并且可将从控制器接收到的电信号传输到显示区域DA。也就是说，扇出布线60可连接到焊盘单元50并且可延伸到显示区域DA。
将参考图2和图3对包括在显示装置中的元件被堆叠的结构进行描述。
图2是沿图1的显示装置的线I-I'和线II-II'截取的剖面图。图3是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图。详细地，图3示出了显示装置的形成有坝120的一部分。
衬底110可由诸如玻璃材料、金属材料和塑料材料的各种材料中的任一种形成。根据实施方式，衬底110可为柔性衬底，并且可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。
缓冲层111可定位在衬底110上。缓冲层111可减少或防止异物、湿气或外部空气从衬底110的底部渗透，并且可同时平坦化衬底110。缓冲层111可包括诸如氧化物和氮化物的无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的组合。缓冲层111可具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。衬底110与缓冲层111之间还可设置有用于防止外部空气渗透的阻挡层(未示出)。
包括半导体层SC1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1的第一TFT T1以及包括半导体层SC2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2的第二TFT T2定位在缓冲层111上。第一TFT T1可连接到有机发光器件300，并且可用作用于驱动有机发光器件300的驱动TFT。第二TFT T2可连接到数据线DL，并且可用作开关TFT。然而，本公开不限于此。例如，第一TFT T1可用作开关TFT，并且第二TFT T2可用作驱动TFT。尽管在图2中示出了两个TFT，但是本实施方式不限于此，并且包括在像素PX中的TFT的数量可以以各种方式改变。例如，包括在像素PX中的TFT的数量可在2与7之间。
半导体层SC1和SC2中的每个可包括非晶硅或多晶硅。在另一实施方式中，半导体层SC1和SC2中的每个可包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)构成的集群中的至少一种材料的氧化物。半导体层SC1和SC2中的每个可包括掺杂有杂质的源区和漏区以及沟道区。
栅电极G1和G2在第一栅极绝缘层112介于其间的情况下分别定位在半导体层SC1和SC2上。栅电极G1和G2中的每个可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可具有单层或多层结构。例如，栅电极G1和G2可具有包括Mo的单层结构。
第一栅极绝缘层112可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。
第二栅极绝缘层113可覆盖栅电极G1和G2。第二栅极绝缘层113可包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO2。
包括第一电极CE1和第二电极CE2的存储电容器Cst可定位在显示区域DA中。存储电容器Cst的第一电极CE1可与第一TFT T1重叠。例如，第一TFT T1的栅电极G1可用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
存储电容器Cst的第二电极CE2可与第一电极CE1在第二栅极绝缘层113介于其间的情况下重叠。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可用作存储电容器Cst的介电层。第二电极CE2可包括诸如Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可具有包括导电材料的单层或多层结构。例如，第二电极CE2可具有包括Mo的单层结构或包括Mo/Al/Mo的多层结构。
尽管图2示出了存储电容器Cst与第一TFT T1重叠，但是本公开不限于此，并且存储电容器Cst可以以各种方式配置、形成和/或定位。例如，存储电容器Cst可不与第一TFTT1重叠。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可定位在层间绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每个可包括诸如Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可具有包括导电材料的单层或多层结构。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每个可具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可定位在源电极S1和S2以及漏电极D1和D2上，并且有机发光器件300可定位在平坦化层117上。
平坦化层117可具有平坦的顶表面。有机发光器件300的像素电极310可定位在平坦化层117上。定位在平坦化层117上的像素电极310也可具有平坦的顶表面。平坦化层117可具有包括有机材料的单层或多层结构。例如，平坦化层117可包括苯并环丁烯(BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及它们的混合物。在另一示例中，平坦化层117可包括无机材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2。当平坦化层117包括无机材料时，如果需要，可进行化学机械抛光。平坦化层117可包括有机材料和无机材料两者。
在衬底110的显示区域DA中，有机发光器件300可定位在平坦化层117上。有机发光器件300包括像素电极310、中间层320和相对电极330。
在平坦化层117中形成有开口，第一TFT T1的源电极S1和漏电极D1中的任一个通过该开口暴露，并且像素电极310通过该开口与源电极S1或漏电极D1接触并且电连接到第一TFT T1。
根据一个实施方式，像素电极310可为(半)透光电极或反射电极。在一些实施方式中，像素电极310可包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)构成的集群中的至少一种材料。在一些实施方式中，像素电极310可具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定膜119可定位在平坦化层117上，并且可在显示区域DA中通过具有对应于每个子像素的开口119OP来限定像素PX的发射区域。开口119OP暴露像素电极310的至少中心部。另外，像素限定膜119可通过增加像素电极310的边缘与定位在像素电极310上的相对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘上发生电弧等。像素限定膜119可通过使用旋涂等由诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
间隔物119'可设置在像素限定膜119上。间隔物119'可从像素限定膜119突出，并且可在形成像素限定膜119的工艺期间，防止掩模受损。间隔物119'可通过使用旋涂等由诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料形成。间隔物119'可与像素限定膜119一体地形成。也就是说，间隔物119'和像素限定膜119可通过使用相同的掩模工艺由相同的材料同时形成。在这种情况下，掩模可包括与间隔物119'对应的全色调区域和与像素限定膜119对应的半色调区域。
有机发光器件300的中间层320可包括有机发射层。有机发射层可包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发射层可由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可选择性地定位在有机发射层下方和/或上方。中间层320可对应于多个像素电极310中的每个。然而，本实施方式不限于此，并且中间层320可以以各种方式定位。例如，中间层320可完整地定位在位于显示区域DA中的像素PX的像素电极310上方。
相对电极330可为透光电极或反射电极。在一些实施方式中，相对电极330可为透明或半透明电极，并且可包括具有锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的化合物的金属薄膜。另外，诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明导电氧化物(TCO)膜还可定位在金属薄膜上。相对电极330可定位在显示区域DA和外围区域PA两者中，并且可定位在中间层320和像素限定膜119上。相对电极330可一体地形成在多个有机发光器件300中，并且可对应于像素电极310。
当像素电极310为反射电极，并且相对电极330为透光电极时，由中间层320发射的光可朝向相对电极330发射，并且显示装置可为顶部发射显示装置。当像素电极310为透明或半透明电极，并且相对电极330为反射电极时，由中间层320发射的光可朝向衬底110发射，并且显示装置可为底部发射显示装置。然而，本实施方式不限于此。本实施方式的显示装置可为朝向顶表面和底表面发射光的双发射显示装置。
薄膜封装层400可覆盖显示区域DA和外围区域PA，并且可防止外部湿气和氧气的渗透。薄膜封装层400可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。尽管图2示出了薄膜封装层400包括两个无机封装层(例如，第一无机封装层410和第二无机封装层430)和一个有机封装层(例如，有机封装层420)，但是那些层堆叠的顺序和堆叠层的数量不限于图2中所示的示例。
第一无机封装层410可覆盖相对电极330，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要，诸如覆盖层的另一层可定位在第一无机封装层410与相对电极330之间。如图2中所示，由于下面的层为不平坦的，因此第一无机封装层410的顶表面可不为平坦的。有机封装层420可覆盖第一无机封装层410以具有平坦的顶表面。详细地，有机封装层420可形成为使得与显示区域DA对应的部分具有平坦的顶表面。有机封装层420可包括选自由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和HMDSO构成的集群中的至少一种材料。第二无机封装层430可覆盖有机封装层420，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
由于薄膜封装层400具有包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430的多层结构，因此即使在薄膜封装层400中发生裂纹时，裂纹也可不连接在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者有机封装层420与第二无机封装层430之间。相应地，可防止或减少外部湿气或氧气渗透到显示区域DA和外围区域PA中的路径。第二无机封装层430可在显示区域DA外部的边缘处与第一无机封装层410接触以防止有机封装层420暴露于外部。
坝120可定位在衬底110的外围区域PA中。另外，导电层20和扇出布线60可定位在外围区域PA中。
导电层20可用作用于向显示区域DA供给电力的布线，并且可在与源电极S1和S2以及漏电极D1和D2相同的层上通过使用相同的材料来形成。导电层20可定位在层间绝缘层115上。在一些实施方式中，导电层20可连接到有机发光器件300的相对电极330，并且可用作用于供给第二电源电压ELVSS的布线。
如图2中所示，导电层20经由连接导电层116连接到相对电极330。在一些实施方式中，连接导电层116可延伸到坝120的第一层121的顶表面。然而，本公开不限于此，并且导电层20可以以各种方式配置、形成和/或定位。例如，导电层20可与相对电极330直接接触。
在一些实施方式中，连接导电层116和像素电极310可通过使用相同的材料同时形成。连接导电层116可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括选自由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO构成的集群中的至少一种。
扇出布线60可定位在外围区域PA中。扇出布线60可包括可定位在不同层上的第一扇出布线61和第二扇出布线63。扇出布线60可连接到显示区域DA中的布线，并且可将诸如数据信号、栅极信号和驱动电压的各种电信号传输到显示区域DA。
第一扇出布线61和栅电极G1和G2可定位在相同层上。也就是说，第一扇出布线61可定位在第一栅极绝缘层112上。第一扇出布线61和栅电极G1和G2可由相同的材料形成。
第二扇出布线63和存储电容器Cst的第二电极CE2可定位在相同层上。也就是说，第二扇出布线63可定位在第二栅极绝缘层113上。第二扇出布线63和第二电极CE2可由相同的材料形成。第二栅极绝缘层113可定位在第一扇出布线61与第二扇出布线63之间。在一些实施方式中，第一扇出布线61和第二扇出布线63可彼此重叠以减小空间。
扇出布线60中的每个可包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可具有单层或多层结构。例如，扇出布线60可具有包括Mo的单层结构。
在一些实施方式中，扇出布线60可与导电层20部分地重叠。然而，本实施方式不限于此。扇出布线60可不与导电层20重叠或者与导电层20完全重叠。
在形成用于密封显示区域DA和外围区域PA的薄膜封装层400的有机封装层420的工艺中，坝120可通过阻挡有机材料朝向衬底110的边缘的流动来防止有机封装层420的边缘尾部的形成。
坝120可覆盖导电层20和/或连接导电层116的至少一部分。在一些实施方式中，坝120可覆盖远离显示区域DA的导电层20的边缘部。靠近显示区域DA的导电层20的边缘部可被平坦化层117覆盖。由于导电层20的边缘部被坝120或/和平坦化层117覆盖，因此可保护导电层20免受在工艺期间可能发生的腐蚀的影响。
由于坝120覆盖导电层20的一部分，因此坝120的一部分可与导电层20和/或连接导电层116接触，并且坝120的另一部分可与层间绝缘层115接触。
坝120可由诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料形成。坝120可由光敏有机材料形成。坝120的有机材料与导电层20和/或连接导电层116的导电材料之间的粘合力可大于坝120的有机材料与层间绝缘层115的无机材料之间的粘合力。
在本实施方式中，坝120的轮廓可确定为增加坝120与定位在坝120下方的材料之间的粘合力。也就是说，坝120的倾斜部120a和120b的形状可根据定位在坝120下方的材料而不同。
坝120可包括从坝120的顶表面朝向显示区域DA延伸的第一倾斜部120a和在与第一倾斜部120a相反的方向上延伸的第二倾斜部120b。
在本实施方式中，坝120的包括第一倾斜部120a的一部分可与导电层20和/或连接导电层116接触，并且坝120的包括第二倾斜部120b的一部分可与层间绝缘层115接触。由于粘合力的差异，第一倾斜部120a的形状可与第二倾斜部120b的形状不同。下面将参考图3对第一倾斜部120a的形状和第二倾斜部120b的形状进行详细描述。
坝120可包括多个层。在一些实施方式中，坝120可具有堆叠有第一层121和第二层123的结构。第一层121可由与平坦化层117的材料相同的材料形成，并且第二层123可由与像素限定膜119和/或间隔物119'的材料相同的材料形成。在这种情况下，第二层123可覆盖第一层121的顶表面和侧表面两者。相应地，第二层123可与层间绝缘层115的顶表面和连接导电层116的顶表面直接接触。
尽管图2示出了坝120包括多个层，但是在其它实施方式中，坝120可具有单层结构。在这种情况下，坝120可由与平坦化层117或像素限定膜119的材料相同的材料形成。
图3是示出根据实施方式的显示装置的坝120的剖面图。图4是示出用于与图3的实施方式进行比较的比较示例的剖面图。在图3和图4中，与图2中的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此，其重复解释可被省略。在图3中，为了简明的解释，连接导电层116被省略。
参照图3，坝120包括从坝120的顶表面延伸到显示区域DA的第一倾斜部120a和在与第一倾斜部120a相反的方向上延伸的第二倾斜部120b。
在本实施方式中，包括第一倾斜部120a的第一部分A1与导电层20重叠，并且包括第二倾斜部120b的第二部分A2与可由无机材料形成的层间绝缘层115接触。在本实施方式中，第一倾斜部120a和第二倾斜部120b的形状可根据定位在第一倾斜部120a和第二倾斜部120b下方的材料而不同。另外，在本实施方式中，第一倾斜部120a和第二倾斜部120b可具有足够平缓的倾斜角度，以不会在定位在第一倾斜部120a和第二倾斜部120b上或上方的无机层和/或布线中引起裂纹。
参照图4的比较示例，不管定位在坝120'下方的材料如何，坝120'包括具有相同形状的第一倾斜部120'a和第二倾斜部120'b。
坝120'可包括第一层121'和第二层123'，并且第二层123'可覆盖第一层121'的顶表面和侧表面两者。由于第二层123'定位在第一层121'上，因此坝120'可具有相对更大的高度，并且与图3的坝120相比，第一倾斜部120'a和第二倾斜部120'b具有相对更陡的倾斜角度。无机层和布线可定位在坝120'上或上方。如果无机层和布线定位在坝120'上，则由于其高度和陡峭的倾斜角度而导致裂纹的风险可为高的。
导电层20定位在包括第一倾斜部120'a的第一部分A1'下方，并且层间绝缘层115定位在包括第二倾斜部120'b的第二部分A2'下方。如果第一倾斜部120'a的形状和第二倾斜部120'b的形状相同，则如图4中所示，因为坝120'与导电层20之间的粘合力大于坝120'与层间绝缘层115之间的粘合力，第一部分A1'中的粘合力可大于第二部分A2'中的粘合力。
由于第二部分A2'中的粘合力弱，因此在第二部分A2'与层间绝缘层115之间的界面处可能发生剥离。剥离可能导致可在后续工艺中形成的无机层和/或布线的缺陷。
返回参照图3，根据本实施方式的显示装置可在外围区域PA中包括坝120，并且坝120的第一倾斜部120a和第二倾斜部120b的形状可彼此不同。
导电层20可定位在包括第一倾斜部120a的坝120的第一部分A1下方，并因此，由有机材料形成的坝120与导电层20之间的粘合力可为强的。相应地，第一部分A1中的坝120的第一倾斜部120a可具有平缓的倾斜角度，以防止在定位在第一部分A1上或上方的无机层和/或布线中发生裂纹。例如，第一倾斜部120a的端部相对于衬底110的顶表面或导电层20的顶表面的第一角度θ1可小于第二倾斜部120b的端部相对于衬底110的顶表面或层间绝缘层115的顶表面的第二角度θ2。
包括第二倾斜部120b的坝120的第二部分A2与定位在第二部分A2下方的层间绝缘层115接触。当层间绝缘层115由无机材料形成时，层间绝缘层115与坝120之间的粘合力可为弱的，并因此可在第二倾斜部120b的边缘上形成有粘合增强部120b2。
在坝120的第二倾斜部120b中，具有第一高度h1的凹陷部120b1和具有等于或大于第一高度h1的第二高度h2的粘合增强部120b2可远离显示区域DA顺序地定位。第二倾斜部120b可包括中间部处的凹陷部120b1。凹陷部120b1可对应于第二倾斜部120b的倾斜角度改变处的点。第二倾斜部120b的高度可从坝120的顶表面逐渐减小直到到达凹陷部120b1为止，可从凹陷部120b1逐渐增大直到到达粘合增强部120b2的顶表面为止，并且可从粘合增强部120b2逐渐减小直到到达第二倾斜部120b的端部为止。本文中所使用的术语“高度”是指距定位在坝120下方的层的顶表面(即，层间绝缘层115的顶表面)的高度。
在穿过坝120的顶表面的中心点并且与衬底110垂直的中心线CL与第一倾斜部120a的端部之间测量的距离d1可与在中心线CL与第二倾斜部120b的端部之间测量的距离d2相同或相似。在沿着连接显示区域DA和外围区域PA的线截取的坝120的剖面图中，中心线CL可穿过坝120的顶表面的中心点并且与衬底110的顶表面垂直。
相应地，第二倾斜部120b的端部相对于衬底110的顶表面或层间绝缘层115的顶表面的第二角度θ2可大于第一倾斜部120a的端部相对于衬底110的顶表面或导电层20的顶表面的第一角度θ1。
由于坝120的第二倾斜部120b包括粘合增强部120b2，因此第二倾斜部120b与层间绝缘层115之间的粘合力可增加。另外，由于第二倾斜部120b因凹陷部120b1而具有弯曲或阶梯形状，因此可防止在定位在第二倾斜部120b上或上方的无机层和/或布线中发生裂纹。
坝120可包括第一层121和第二层123。第一层121可覆盖导电层20的一部分。第二层123可覆盖第一层121的顶表面和侧表面两者。在这种情况下，由于第二层123的端部与导电层20和层间绝缘层115直接接触，因此第二层123的轮廓可对应于坝120的轮廓。靠近显示区域DA的第一层121的倾斜部与远离显示区域DA的第一层121的倾斜部相对于下面的层的顶表面的角度θa和θb可相同。第一层121的倾斜部相对于下面的层的顶表面的角度θa和θb可与第二倾斜部120b的端部的第二角度θ2基本上相同。
图5是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。在图5中，与图3中的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此，其重复解释可被省略。
参照图5，根据本实施方式的显示装置可包括定位在外围区域PA中的坝120，并且坝120的第一倾斜部120a和第二倾斜部120b的形状可彼此不同。
坝120包括第一倾斜部120a和第二倾斜部120b。包括第一倾斜部120a的第一部分A1与导电层20接触，并且包括第二倾斜部120b的第二部分A2与层间绝缘层115接触。
坝120的第一倾斜部120a的端部相对于衬底110的顶表面或导电层20的顶表面的第一角度θ1可小于第二倾斜部120b的端部相对于衬底110的顶表面或层间绝缘层115的顶表面的第二角度θ2。
在坝120的第二倾斜部120b中，具有第一高度h1的凹陷部120b1和具有基本上等于第一高度h1的第二高度h2的粘合增强部120b2可远离显示区域DA顺序地定位。第二倾斜部120b可包括中间部处的凹陷部120b1。凹陷部120b1可对应于第二倾斜部120b的倾斜角度改变处的点。
如下所述，为了形成第二倾斜部120b的凹陷部120b1和粘合增强部120b2，可使用半色调掩模图案和全色调掩模图案，且然后可执行固化工艺。在这种情况下，由于有机材料的回流程度可根据固化工艺的条件而变化，因此在一些实施方式中，凹陷部120b1的第一高度h1和粘合增强部120b2的第二高度h2可形成为基本上相同。然而，即使在这种情况下，第一角度θ1和第二角度θ2也可在一定程度上彼此不同。
在本实施方式中，第二倾斜部120b的高度可从坝120的顶表面逐渐减小直到到达凹陷部120b1为止，可从凹陷部120b1基本上恒定直到到达粘合增强部120b2的顶表面为止，并且可从粘合增强部120b2逐渐减小直到到达第二倾斜部120b的端部为止。本文中所使用的术语“高度”是指距定位在坝120下方的层的顶表面(即，层间绝缘层115的顶表面)的高度。
在穿过坝120的顶表面的中心点并且与衬底110垂直的中心线CL与第一倾斜部120a的端部之间测量的距离d1可与在中心线CL与第二倾斜部120b的端部之间测量的距离d2相同或相似。在沿着连接显示区域DA和外围区域PA的线截取的坝120的剖面图中，中心线CL可穿过坝120的顶表面的中心点并且与衬底110的顶表面垂直。
相应地，第二倾斜部120b的端部相对于衬底110的顶表面或层间绝缘层115的顶表面的第二角度θ2可大于第一倾斜部120a的端部相对于衬底110的顶表面或导电层20的顶表面的第一角度θ1。
由于坝120的第二倾斜部120b包括粘合增强部120b2，因此第二倾斜部120b与层间绝缘层115之间的粘合力可得到改善。另外，由于第二倾斜部120b因凹陷部120b1而具有阶梯形状，因此可防止在定位在第二倾斜部120b上或上方的无机层和/或布线中发生裂纹。
坝120可包括第一层121和第二层123。第一层121可覆盖导电层20的一部分。第二层123可覆盖第一层121的顶表面和侧表面两者。在这种情况下，由于第二层123的端部与导电层20和层间绝缘层115直接接触，因此第二层123的轮廓可对应于坝120的轮廓。靠近显示区域DA的第一层121的倾斜部与远离显示区域DA的第一层121的倾斜部相对于下面的层的顶表面的角度θa和θb可相同。第一层121的倾斜部相对于下面的层的顶表面的角度θa和θb可与第二倾斜部120b的第二角度θ2基本上相同。
图6A至图6D是示出根据各种实施方式的用于制造显示装置的掩模的部分的平面图。
参照图6A至图6D，掩模M1、M2、M3和M4包括用于形成坝120的第一倾斜部120a(参见图3)的第一掩模图案MP1、用于形成坝120的中心部的第二掩模图案MP2以及用于形成第二倾斜部120b的第三掩模图案MP3。
第一掩模图案MP1可为半色调掩模图案。第一掩模图案MP1可与导电层20的一部分重叠。半色调掩模图案可为半透光部，并且可在曝光工艺期间部分地透射和部分地屏蔽光。通过第一掩模图案MP1的部分透射光可固化坝120的光敏有机材料以形成平缓的倾斜角度。
第二掩模图案MP2远离显示区域DA定位在第一掩模图案MP1旁边，并且可用于形成坝120的中心部。根据用于形成坝120的光敏有机材料的特性，第二掩模图案MP2可在曝光工艺期间屏蔽或暴露坝120的中心部。当坝120由正性光敏有机材料形成时，第二掩模图案MP2可为全色调掩模图案。当坝120由负性光敏有机材料形成时，第二掩模图案MP2可为透光部。
第三掩模图案MP3远离显示区域DA定位在第二掩模图案MP2旁边，并且可用于形成第二倾斜部120b。第三掩模图案MP3可通过交替地定位具有不同透射率的第一图案和第二图案来形成。例如，当坝120由正性光敏有机材料形成时，第三掩模图案MP3可通过交替地放置半色调掩模图案和全色调掩模图案来形成。相应地，在与第三掩模图案MP3对应的区域中剩余的光敏有机材料的量大于在与第一掩模图案MP1对应的区域中剩余的光敏有机材料的量。相应地，第二倾斜部120b可具有比第一倾斜部120a的倾斜角度和/或高度更大的倾斜角度和/或高度。
参照图6A，第三掩模图案MP3包括从第二掩模图案MP2起在方向“a”上顺序地定位的第一图案MP31和第二图案MP32。第一图案MP31可为半色调掩模图案，并且第二图案MP32可为全色调掩模图案。尽管在图6A中第一图案MP31和第二图案MP32的宽度被示出为相同的，但是本公开不限于此。第二图案MP32的宽度可变化以增加下面的层的材料之间的粘合力。在一些实施方式中，第二图案MP32的宽度可在约2μm至约10μm的范围内。在一些实施方式中，第一图案MP31的宽度可在约5μm至约13μm的范围内。
参照图6B，第三掩模图案MP3包括从第二掩模图案MP2起在方向“a”上顺序地定位的第一图案MP31、第二图案MP32、第一图案MP31和第二图案MP32。第一图案MP31可为半色调掩模图案，并且第二图案MP32可为全色调掩模图案。
参照图6C，第三掩模图案MP3包括从第二掩模图案MP2起在方向“a”上定位的第一图案MP31和第三图案MP33。第一图案MP31可为半色调掩模图案。第三图案MP33可包括在与方向“a”相交的方向“b”上交替地定位的多个半色调掩模图案和多个全色调掩模图案。
参照图6D，第三掩模图案MP3包括从第二掩模图案MP2起在方向“a”上设置的第三图案MP33。第三图案MP33可包括在与方向“a”相交的方向“b”上交替地定位的多个半色调掩模图案和多个全色调掩模图案。
图7A和图7B是用于描述制造根据图3的实施方式的显示装置的方法的剖面图。图7C是示出通过使用图7A和图7B的方法制造的显示装置的一部分的图像。
参照图7A，通过使用图6A的掩模M1对光敏有机材料PR进行图案化。
首先，在层间绝缘层115上形成坝120的第一层121以覆盖导电层20的边缘。
接着，在将光敏有机材料PR施加到层间绝缘层115上以覆盖第一层121之后，通过使用掩模M1执行曝光和显影工艺。在一个实施方式中，光敏有机材料PR可为正性光敏有机材料。剩余的光敏有机材料的量可根据在曝光工艺期间曝光于光敏有机材料的光的量而变化。也就是说，在与第一掩模图案MP1和第三掩模图案MP3的第一图案MP31对应的区域中剩余的光敏有机材料PR的量可小于在与第二掩模图案MP2和第三掩模图案MP3的第二图案MP32对应的区域中剩余的光敏有机材料PR的量。
参照图7B，通过固化工艺对经图案化的光敏有机材料PR进行固化。可通过加热预定时间段来执行固化工艺。在执行固化工艺期间，光敏有机材料PR可能回流。由于光敏有机材料PR的回流，坝120的第二层123的形状可改变，并且改变的程度可取决于剩余的光敏有机材料PR的量。例如，第一倾斜部120a的第一角度θ1可小于第二倾斜部120b的第二角度θ2。
图7C是示出通过使用图7A和图7B的方法制造的显示装置的一部分的图像。详细地，图7C是示出坝120的放大图像。
参照图7C，坝120包括第一倾斜部120a和第二倾斜部120b。第一倾斜部120a的第一角度θ1小于第二倾斜部120b的第二角度θ2。另外，坝120包括凹陷部120b1和定位在凹陷部120b1外侧的粘合增强部120b2。粘合增强部120b2的第二高度h2大于凹陷部120b1的第一高度h1。即使当无机绝缘层定位在坝120下方时，该结构也可增加粘合力，并且可防止在定位在坝120上或上方的无机层和/或布线中发生裂纹。
图8是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。在图8中，与图3中的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此其重复解释可被省略。
参照图8，根据本实施方式的显示装置可包括定位在外围区域PA中的坝120，并且坝120可不与导电层20接触。例如，仅由无机材料形成的层间绝缘层115可定位在坝120的下方。在这种情况下，坝120的第一倾斜部120a和第二倾斜部120b的形状可为彼此的镜像。
坝120的第一倾斜部120a和第二倾斜部120b可包括凹陷部120a1和120b1以及定位在凹陷部120a1和120b1外部的粘合增强部120a2和120b2。粘合增强部120a2和120b2具有等于或大于凹陷部120a1和120b1的第一高度h1的第二高度h2。
坝120可包括第一层121和第二层123。第一层121可覆盖层间绝缘层115的一部分。第二层123可覆盖第一层121的顶表面和侧表面两者。在这种情况下，由于第二层123的端部与层间绝缘层115直接接触，因此第二层123的轮廓可对应于坝120的轮廓。
由于坝120因凹陷部120a1和120b1而具有弯曲或阶梯的部分，因此可防止在定位在坝120上或上方的无机层和/或布线中发生裂纹。由于粘合增强部120a2和120b2定位在凹陷部120a1和120b1外部，因此坝120与由无机材料形成并且定位在坝120下方的层间绝缘层115之间的粘合力可增加。
图9是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。在图9中，与图2中的元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此其重复解释可被省略。
参照图9，根据实施方式的显示装置可包括定位在外围区域PA中的坝120，并且坝120的第一倾斜部120a和第二倾斜部120b的形状可根据定位在坝120下方的材料而变化。
在本实施方式中，第一倾斜部120a的端部可与导电层20接触，并且第二倾斜部120b的端部可与层间绝缘层115接触。在这种情况下，第一倾斜部120a的端部相对于导电层20的顶表面的第一角度θ1可小于第二倾斜部120b的端部相对于层间绝缘层115的顶表面的第二角度θ2。
第二倾斜部120b可包括凹陷部120b1和定位在凹陷部120b1外部并且具有等于或大于凹陷部120b1的高度的高度的粘合增强部120b2。相应地，与由无机绝缘层形成的层间绝缘层115的粘合力可增加。
在本实施方式中，显示装置还可包括定位在薄膜封装层400上的触屏层700。保护触屏层700的覆盖层(未示出)可定位在触屏层700上。
当触摸覆盖层(未示出)时触屏层700的触摸电极710之间的互电容改变时，触屏层700可通过使用例如电容感测方法来检测互电容的变化，并且可确定触摸位置。替代性地，触屏层700可检测互电容的变化并且可通过使用各种其它感测方法中的任一种来确定触摸位置。
根据实施方式的触屏层700可具有第一触摸导电层711、第一绝缘层712、第二触摸导电层713和第二绝缘层714顺序地堆叠的结构。触摸电极710可包括第一触摸导电层711和第二触摸导电层713。
在一些实施方式中，第二触摸导电层713可用作用于检测触摸输入的位置的传感器，并且第一触摸导电层711可用作用于在一个方向上连接第二触摸导电层713的连接器。
在一些实施方式中，第一触摸导电层711和第二触摸导电层713均可用作传感器。例如，第一绝缘层712可包括暴露第一触摸导电层711的顶表面的通孔，并且第一触摸导电层711和第二触摸导电层713可通过该通孔彼此连接。因为第一触摸导电层711和第二触摸导电层713彼此连接，因此触摸电极710的电阻可减小，并且触屏层700的响应速度可得到改善。
在一些实施方式中，触摸电极710可具有网格结构，从有机发光器件300发射的光可穿过该网格结构。在这种情况下，触摸电极710的第一触摸导电层711和第二触摸导电层713可定位成不与有机发光器件300的发射区域重叠。
第一触摸导电层711和第二触摸导电层713中的每个可为由具有高导电性的导电材料形成的单层膜或多层膜。例如，第一触摸导电层711和第二触摸导电层713中的每个可包括透明导电层、Al、Cu和/或Ti。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO和铟锡锌氧化物(ITZO)。透明导电层可包括导电聚合物，例如聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、金属纳米线和石墨烯。在一些实施方式中，第一触摸导电层711和第二触摸导电层713中的每个可具有包括Ti/Al/Ti的堆叠结构。
第一绝缘层712和第二绝缘层714中的每个可由无机材料或有机材料形成。无机材料可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氧氮化硅中的至少一种。有机材料可包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中的至少一种。
尽管在图9中未示出，但是还可在薄膜封装层400与触屏层700之间设置触摸缓冲层。触摸缓冲层可防止薄膜封装层400受损，并且可阻挡当触屏层700操作时可能生成的干扰信号。触摸缓冲层可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛的无机材料，或者诸如PI、聚酯和丙烯酸的有机材料，并且可具有上述材料的多层被堆叠的结构。
触摸缓冲层和/或触屏层700可通过使用沉积工艺等直接形成在薄膜封装层400上。在这种情况下，可能不需要在薄膜封装层400上形成粘合层。因此，显示装置的厚度可减小。
触摸布线720可连接到触摸电极710，并且可沿着薄膜封装层400的侧表面从薄膜封装层400的顶部延伸到外围区域PA。触摸布线720还可沿着坝120的侧表面和顶表面的形状延伸。在一些实施方式中，触摸布线720可覆盖坝120。
触摸布线720可通过使用相同的材料与第一触摸导电层711、第二触摸导电层713或两者同时形成。触摸布线720可为由包括透明导电层、Al、Cu和/或Ti的导电材料形成的单层膜或多层膜。
在本实施方式中，由于坝120的第一倾斜部120a具有平缓的倾斜角度，并且第二倾斜部120b因凹陷部120b1而具有弯曲的形状，因此可防止在覆盖坝120的触摸布线720中发生诸如裂纹和断开的缺陷。
图10是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。在图10中，与图2中的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此其重复解释可被省略。
参照图10，根据实施方式的显示装置可包括定位在外围区域PA中的坝120，并且坝120的第一倾斜部120a和第二倾斜部120b的形状可根据定位在坝120下方的材料而变化。
在本实施方式中，第一倾斜部120a的端部可与导电层20接触，并且第二倾斜部120b的端部可与层间绝缘层115接触。在这种情况下，第一倾斜部120a的端部相对于导电层20的顶表面的第一角度θ1可小于第二倾斜部120b的端部相对于层间绝缘层115的顶表面的第二角度θ2。
第二倾斜部120b可包括凹陷部120b1和定位在凹陷部120b1外部并且具有等于或大于凹陷部120b1的高度的高度的粘合增强部120b2。相应地，与由无机绝缘层形成的层间绝缘层115的粘合力可增加。
在本实施方式中，显示装置还可包括内坝125。内坝125可与坝120间隔开并且可与显示区域DA相邻地定位。内坝125和像素限定膜119和/或间隔物119'可通过使用相同的材料同时形成。内坝125的高度可小于坝120的高度。内坝125的两端可与导电层20重叠。连接导电层116可定位在内坝125与导电层20之间。
尽管未在图10中示出，但是坝120的外部还可设置有外坝(未示出)。由于设置了诸如坝120和内坝125的多个坝，因此可更加有效地阻挡有机封装层420的流动。
图11是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。在图11中，与图2中的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此其重复解释可被省略。
参照图11，根据实施方式的显示装置还可包括无机保护层PVX。无机保护层PVX可设置在层间绝缘层115上以覆盖数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。
无机保护层PVX可为由氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)形成的单层膜或多层膜。无机保护层PVX可覆盖并保护外围区域PA中暴露的布线。在与数据线DL相同的工艺中形成的布线和/或导电层20的部分可暴露在衬底110的一部分(例如，外围区域PA的一部分)中。布线和/或导电层20的暴露部分可被在对像素电极310进行图案化时使用的蚀刻剂损坏。由于无机保护层PVX覆盖数据线DL和与数据线DL同时形成的布线中的至少一些，因此可防止布线和/或导电层20在对像素电极310进行图案化的工艺中被损坏。
在本实施方式中，无机保护层PVX可暴露导电层20的一部分。导电层20可用作第二电源电压线，并且可连接到相对电极330。在一个实施方式中，相对电极330可通过连接导电层116连接到导电层20。
图12是示出根据一个实施方式的显示装置的一部分的透视图。图13是示出图12的显示装置的一部分的剖面图。在图13中，与图9中的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并因此其重复解释可被省略。
如图12中所示，包括在显示装置中的衬底110的一部分可被弯曲。如图12中所示，衬底110具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向相交的第二方向(例如，+x方向)上定位在第一区域1A与第二区域2A之间。如图12中所示，衬底110可绕在第一方向(例如，+y方向)上延伸的弯曲轴线BAX弯曲。
参照图13，缓冲层111可在第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A上方延伸。第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的每个可具有与弯曲区域BA对应的开口。各自包括无机材料的缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层115可被统称为无机绝缘层。包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115的无机绝缘层可包括与弯曲区域BA对应的凹槽。凹槽可包括缓冲层111的顶表面以及第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115的开口。无机绝缘层可包括具有各种其它形状中的任一种的凹槽。例如，可以去除在一方向(例如，+z方向)上的缓冲层111的顶表面的一部分，并且可以保留而不去除在一方向(例如，-z方向)上的第一栅极绝缘层112的底表面。
凹槽可与弯曲区域BA重叠。在这种情况下，凹槽的面积可大于弯曲区域BA的面积。在图13中，凹槽的宽度GW可大于弯曲区域BA的宽度。
根据本实施方式的显示装置包括填充无机绝缘层的凹槽的至少一部分的有机层160。连接布线215可从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸到第二区域2A，并且可与有机层160重叠。连接布线215还可延伸以与诸如层间绝缘层115的无机绝缘层重叠。
为了方便起见，图13示出了显示装置处于弯曲之前的状态，并且如图12中所示，根据本实施方式的显示装置可处于衬底110等在弯曲区域BA中被实际弯曲的状态。如图13中所示，显示装置可最初在衬底110基本平坦的状态下制造，并且可随后通过在弯曲区域BA中弯曲衬底110等来弯曲。在这种情况下，当衬底110等被弯曲时，拉伸应力可施加到连接布线215。无机绝缘层的凹槽和有机层160可防止或减少在弯曲工艺期间在连接布线215中发生缺陷。
连接布线215可由与数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2的材料相同的材料形成。在一些实施方式中，连接布线215可连接到第一区域1A中的触摸布线720，并且可用作用于向/从触屏层700传输/接收电信号的布线。连接布线215可在第二区域2A中通过接触孔连接到定位在不同层上的下布线213。下布线213可连接到焊盘单元50，并且可向/从连接布线215传输/接收电信号。
由于触摸布线720定位在薄膜封装层400上，因此触摸布线720可通过可形成在薄膜封装层400的端部中的接触孔连接到连接布线215。
如上所述，根据一个或更多个实施方式的显示装置包括具有平缓的倾斜角度和用以增加导电层与无机绝缘层之间的粘合力的轮廓的坝，从而确保高可靠性。
应注意，此处描述的一个或更多个效果不限制本公开的范围。
虽然已参考附图对本公开的一个或更多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如随附权利要求书中限定的本公开的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括显示图像的显示区域和定位在所述显示区域周围的外围区域；
薄膜封装层，所述薄膜封装层与所述显示区域重叠，并且包括至少一个无机膜和至少一个有机膜；
导电层，所述导电层定位在所述外围区域中，并且围绕所述显示区域的至少一部分；以及
坝，所述坝与所述导电层的外边缘至少部分地重叠，
其中，所述坝包括从所述坝的顶表面朝向所述显示区域延伸并且与所述导电层至少部分地重叠的第一倾斜部以及在与所述第一倾斜部相反的方向上延伸的第二倾斜部，
其中，所述第一倾斜部的形状和所述第二倾斜部的形状彼此不同。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部的所述形状和所述第二倾斜部的所述形状关于穿过所述坝的所述顶表面并且与所述衬底的顶表面垂直的中心线彼此不对称。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部的端部相对于所述导电层的顶表面的第一角度小于所述第二倾斜部的端部相对于所述衬底的所述顶表面的第二角度。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二倾斜部包括具有第一高度的凹陷部和定位在所述凹陷部外部的粘合增强部，其中，所述粘合增强部具有等于或大于所述第一高度的第二高度。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部具有比所述第二倾斜部的第二倾斜角度更平缓的第一倾斜角度，并且所述第二倾斜部具有阶梯形状。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述坝具有包括第一层和覆盖所述第一层的顶表面和侧表面的第二层的堆叠结构，并且所述第一倾斜部的第一倾斜角度比所述第一层的第二倾斜角度更平缓。
7.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
触屏层，所述触屏层定位在所述薄膜封装层上；以及
触摸布线，所述触摸布线连接到所述触屏层，并且延伸到所述外围区域，
其中，所述触摸布线覆盖所述坝。
8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
内坝，所述内坝定位在所述显示区域与所述坝之间，
其中，所述内坝具有小于所述坝的第二高度的第一高度。
9.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
无机绝缘层，所述无机绝缘层定位在所述外围区域中，并且具有开口或凹槽；以及
有机层，所述有机层填充所述开口或所述凹槽的至少一部分，
其中，所述衬底具有定位在第一区域与第二区域之间的弯曲区域，并且绕弯曲轴线弯曲，
其中，所述开口或所述凹槽与所述弯曲区域重叠。
10.如权利要求9所述的显示装置，还包括：
触屏层，所述触屏层定位在所述显示区域中的所述薄膜封装层上；
触摸布线，所述触摸布线从所述触屏层延伸到所述坝的外边缘；以及
连接布线，所述连接布线连接到所述触摸布线，并且定位在所述有机层上。
11.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管定位在所述显示区域中，并且包括半导体层、源电极、漏电极和栅电极；以及
显示器件，所述显示器件定位在所述显示区域中，并且包括像素电极、中间层和相对电极，
其中，所述导电层定位在与所述源电极或所述漏电极相同的层上，并且电连接到所述相对电极。
12.如权利要求11所述的显示装置，还包括：
连接导电层，所述连接导电层定位在所述导电层与所述相对电极之间，
其中，所述连接导电层由与所述像素电极的材料相同的材料形成。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述坝与所述连接导电层部分地接触。
14.如权利要求11所述的显示装置，还包括：
扇出布线，所述扇出布线定位在与所述栅电极相同的层上的所述外围区域中，
其中，所述扇出布线与所述导电层部分地重叠。
15.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括显示图像的显示区域和定位在所述显示区域周围的外围区域；
薄膜封装层，所述薄膜封装层与所述显示区域重叠，并且包括至少一个无机膜和至少一个有机膜；以及
坝，所述坝定位在所述外围区域中，并且围绕所述显示区域的至少一部分；
其中，所述坝包括从所述坝的顶表面朝向所述显示区域延伸的第一倾斜部以及在与所述第一倾斜部相反的方向上延伸的第二倾斜部，
其中，所述第二倾斜部包括具有第一高度的凹陷部和定位在所述凹陷部外部并且具有大于所述第一高度的第二高度的粘合增强部。
16.如权利要求15所述的显示装置，还包括：
层间绝缘层，所述层间绝缘层定位在所述衬底与所述坝之间，并且包括无机材料，
其中，所述第一倾斜部的端部和所述第二倾斜部的端部与所述层间绝缘层接触，并且所述第一倾斜部的形状是所述第二倾斜部的形状的镜像。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部具有比所述第二倾斜部的第二倾斜角度更平缓的第一倾斜角度，并且所述第二倾斜部具有阶梯形状。
18.如权利要求15所述的显示装置，还包括：
导电层，所述导电层定位在所述坝下方，并且与所述坝的所述第一倾斜部至少部分地重叠，
其中，所述第一倾斜部具有比所述第二倾斜部的第二倾斜角度平更缓的第一倾斜角度。
19.一种用于制造显示装置的掩模，其中，所述显示装置包括：
衬底，所述衬底包括显示图像的显示区域和定位在所述显示区域周围的外围区域；
薄膜封装层，所述薄膜封装层与所述显示区域重叠，并且包括至少一个无机膜和至少一个有机膜；
导电层，所述导电层定位在所述外围区域中，并且围绕所述显示区域的至少一部分；以及
坝，所述坝与所述导电层的外边缘至少部分地重叠，
其中，所述坝包括从所述坝的顶表面朝向所述显示区域延伸并且与所述导电层至少部分地重叠的第一倾斜部以及在与所述第一倾斜部相反的方向上延伸的第二倾斜部，
其中，所述第一倾斜部的形状和所述第二倾斜部的形状彼此不同，以及
其中，所述掩模包括：
第一图案，所述第一图案对应于所述第一倾斜部；
第二图案，所述第二图案对应于所述坝的顶表面；以及
第三图案，所述第三图案对应于所述第二倾斜部，
其中，所述第一图案和所述第三图案彼此不同。
20.如权利要求19所述的掩模，其中，所述第一倾斜部的所述形状和所述第二倾斜部的所述形状关于穿过所述坝的所述顶表面并且与所述衬底的顶表面垂直的中心线彼此不对称。
21.如权利要求19所述的掩模，其中，所述第一图案是半色调掩模图案，以及
其中，所述第三图案包括交替地定位的所述半色调掩模图案和全色调掩模图案。
22.如权利要求21所述的掩模，其中，所述第三图案包括交替地定位的多个半色调掩模图案和多个全色调掩模图案。
23.如权利要求19所述的掩模，其中，所述第二图案是全色调掩模图案，以及
其中，靠近所述第二图案的所述第三图案的一部分包括半色调掩模图案，并且远离所述第二图案的所述第三图案的一部分包括全色调掩模图案。
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